近日，德州儀器 （TI） 推出了業(yè)內(nèi)速度最快的半橋柵極驅(qū)動器。這款用于分立式功率MOSFET和絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 的柵極驅(qū)動器的工作電壓可達(dá)到600V。
2015-10-16 16:32:11
1115 通訊應(yīng)用使用基于半橋、全橋或同步降壓功率拓?fù)涞碾娫茨K。這些拓?fù)涫褂酶咝阅?b class="flag-6" style="color: red">半橋驅(qū)動器實現(xiàn)高頻操作和高效率。半橋柵極驅(qū)動器采用的技術(shù)已在業(yè)界成功應(yīng)用了數(shù)十年，UCC27282 120-V 2.5A
2019-08-01 07:20:54
開關(guān)頻率（高達(dá) 100kHz）支持以最低的電流紋波驅(qū)動低電感電機帶有集成型柵極驅(qū)動器的 600V 和 12A LMG3410 GaN FET 可減小 PCB 外形尺寸并降低布局復(fù)雜度極速開關(guān)轉(zhuǎn)換（小于
2018-10-31 17:33:14
國際整流器公司推出堅固型600 V三相柵極驅(qū)動器IC，主要應(yīng)用于包括永磁電機驅(qū)動的家電、工業(yè)驅(qū)動、微型變頻器驅(qū)動和電動汽車驅(qū)動等在內(nèi)的高、中和低壓電機驅(qū)動應(yīng)用。
2016-06-21 18:20:36
IR21094采用14腳封裝。驅(qū)動級工作電壓600V，柵極驅(qū)動電壓10-20V，前級最高工作電壓25V。
2021-04-14 08:05:22
IR2109采用8腳封裝。驅(qū)動級工作電壓600V，柵極驅(qū)動電壓10-20V，前級最高工作電壓25V。
2021-04-16 06:12:23
準(zhǔn)備用IR2153設(shè)計一個靜電發(fā)生器 基本原理圖如下IR2153組成一個半橋逆變電路來驅(qū)動高壓包原邊，高壓包幅邊接倍壓整流電路將電壓放大到目標(biāo)電壓 圖中HV是高壓包的原邊的輸入電壓，由工頻變壓器整流
2019-04-08 11:56:28
的最終驅(qū)動強度。該緩沖器可集成在隔離器封裝內(nèi)，也可部署在封裝外。高壓電平轉(zhuǎn)換器使用上拉結(jié)構(gòu)將時序數(shù)據(jù)傳送至高端，可處理高達(dá)幾百V的電壓。如果半橋電壓發(fā)生負(fù)振鈴，則高壓電平轉(zhuǎn)換器可能會閂鎖，而數(shù)字隔離器或
2018-10-16 13:52:11
啟動波形異常，電壓升高時MOS管損壞，另外我把ST900V的管子（即800V板子所用的管子）用在1200的板子上，也可以跑到800V時，換成1500V的管子600V都跑不上去，這是最不能理解的。兩橋臂
2022-01-14 17:28:17
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
為何需要柵極驅(qū)動器柵極驅(qū)動器的關(guān)鍵參數(shù)
2020-12-25 06:15:08
如果控制側(cè)涉及到人的活動，那么高功率側(cè)和低電壓控制電路之間需要電流隔離。它能防范高壓側(cè)的任何故障，因為盡管有元件損壞或失效，隔離柵仍會阻止電力到達(dá)用戶。圖6.采用ADuM4121隔離式柵極驅(qū)動器的半橋
2021-07-09 07:00:00
產(chǎn)生于開關(guān)期間。為了最大程度減小開關(guān)損耗，要求具備較短的開關(guān)時間。然而，快速開關(guān)同時隱含著高壓瞬變的危險，這可能會影響甚至損壞處理器邏輯。因此，需要為IGBT提供合適柵極信號的柵極驅(qū)動器，還需要執(zhí)行提供
2021-11-11 07:00:00
值得一看的高壓柵極驅(qū)動器IC
2016-06-22 18:23:20
CK5G14 在同一顆芯片中同時集成了三個 250V 半橋柵極驅(qū)動器，特別適合于三相電機應(yīng)用中高速功率 MOSFET 和 IGBT 的柵極驅(qū)動。芯片內(nèi)置了死區(qū)時間和上下管直通保護，非常有效地阻止半橋
2022-01-04 14:16:57
隔離電源轉(zhuǎn)換器詳解柵極驅(qū)動器解決方案選項最優(yōu)隔離柵極驅(qū)動器解決方案
2021-03-08 07:53:35
電路、休眠模式、故障報告和一個比較器。單電源支持廣泛的8-V至60-V范圍，使其非常適合電機驅(qū)動應(yīng)用。 功能框圖 特性描述 輸出級 DRV8313包含三個半橋驅(qū)動程序。所有三個半
2020-07-10 14:23:52
1. 特性? 雙管正激電源 600V 高壓驅(qū)動? 高端懸浮自舉電源設(shè)計? HIN、LIN 適應(yīng) 0-20V 輸入電壓? 小于 1uA 靜態(tài)電流? 最高頻率支持 500KHZ? 低端 VCC 電壓范圍
2022-09-09 16:21:19
及輸出驅(qū)動電路，專用于無刷電機控制器、電源 DC-DC 中的驅(qū)動電路。EG2106 高端的工作電壓可達(dá) 600V，低端 Vcc 的電源電壓范圍寬 10V～20V。該芯片輸入通道 HIN 內(nèi)建了一個
2022-09-13 13:22:59
FAN73832 是一款半橋、柵極驅(qū)動 IC，帶關(guān)斷和可編程死區(qū)時間控制功能，能驅(qū)動 MOSFET 和 IGBT，工作電壓高達(dá) +600 V。飛兆的高壓工藝和共模噪聲消除技術(shù)可使高側(cè)驅(qū)動器在高 dv
2022-03-08 08:36:21
FAN73912MX是一款單片半橋柵極驅(qū)動 IC，設(shè)計用于高壓、高速驅(qū)動 MOSFET 和 IGBT，工作電壓高達(dá) +1200 V。 HIN 的先進(jìn)輸入濾波器針對噪聲產(chǎn)生的短脈沖輸入信號提供保護功能
2021-12-20 09:19:25
能力和最低交叉?zhèn)鲗?dǎo)。Fairchild 的高壓工藝和共模噪聲消除技術(shù)可使高側(cè)驅(qū)動器在高 dv/dt 噪聲環(huán)境下穩(wěn)定運行。先進(jìn)的電平轉(zhuǎn)換電路，能使高側(cè)柵極驅(qū)動器的工作電壓在 VBS=15 V 時高達(dá) VS
2022-01-18 10:43:31
對這些寄生效應(yīng)進(jìn)行優(yōu)化可以減少該問題，并且以高于100V/ns的高壓擺率實現(xiàn)出色的開關(guān)性能。圖1. 由獨立封裝內(nèi)的驅(qū)動器驅(qū)動的GaN器件 (a)；一個集成GaN/驅(qū)動器封裝 (b)。圖2.用于仿真的半橋
2018-08-30 15:28:30
概述：IR2111是International Rectifier公司生產(chǎn)的一款半橋驅(qū)動器，它為雙列直插或貼片8腳封裝。驅(qū)動電壓10-20V，電流（IO+/-）200 mA /420 mA。
2021-05-19 07:43:22
MOS柵極驅(qū)動能力及最高600V工作電壓下，可提供200mA/300mA的驅(qū)動電流。它有三個互相獨立的高邊和低邊輸出通路以及全保護功能。此外還有一個用于PFC 或 Brake IGBT驅(qū)動的低邊驅(qū)動器
2021-05-18 07:25:34
IRS26302D：保護式600V三相柵極驅(qū)動器
2016-06-21 18:26:25
/小型及通用變頻器等電機驅(qū)動應(yīng)用的單相高壓IC (HVIC) 系列 IRS260xD。 IRS260xD系列高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動器可以10V 至20V的柵極驅(qū)動電源電壓提供可選的依賴或
2008-11-13 20:40:15
■ 產(chǎn)品概述LN4318 是一款基于懸浮襯底和 P_EPI 工藝的 250V高壓三相柵極驅(qū)動器，具有三路獨立的高低邊輸出，可以用來驅(qū)動半橋電路中的高壓大功率 MOSFET 或 IGBT。LN4318
2021-06-30 10:07:13
/ESOP-8、MSOP-8、DFN2*2-8、DFN3*3-8 等封裝形式，給方案設(shè)計帶來更多的選擇。半橋/全橋轉(zhuǎn)換器同步降壓、升降壓拓?fù)潆娮訜?、無線充 MOSFET 驅(qū)動器電源電壓工作范圍為 4.5V
2022-01-12 13:39:25
，MP18851可為各種電源應(yīng)用提供高效率、高功率密度和穩(wěn)健的解決方案。MP18851將雙通道柵極驅(qū)動器集成在一個封裝中。每個輸出都可以分別接地或連接至正負(fù)參考電壓。副邊拓?fù)淇膳渲脼橛蓛蓚€獨立輸入信號控制的半橋高
2022-09-30 13:47:21
確保高壓側(cè)電源開關(guān)的正確驅(qū)動。驅(qū)動器使用2個獨立輸入。特性：高壓范圍：高達(dá)600 VdV/dt抗擾度±50 V/nsec柵極驅(qū)動電源范圍為10 V至20 V高和低驅(qū)動輸出輸出源/匯電流能力250 mA
2021-11-23 13:57:47
的控制。這允許進(jìn)行高壓側(cè)、低壓側(cè)和H橋控制。H橋控制提供正向、反向、制動和高阻抗?fàn)顟B(tài)。驅(qū)動器通過邏輯電平輸入進(jìn)行控制。特性：?睡眠模式下的超低靜態(tài)電流?電源電壓低至5 V?2個高壓側(cè)和2個低壓側(cè)驅(qū)動器
2021-12-20 14:28:27
NCP13992 是一款用于半橋諧振轉(zhuǎn)換器的高性能電流模式控制器。此控制器實施了 600 V 門極驅(qū)動器，簡化了布局，減少了外部部件數(shù)量。內(nèi)置的欠電壓輸入功能簡化了該控制器在所有應(yīng)用中的實施。在需要
2022-03-03 10:36:13
具有高脈沖電流緩沖級的設(shè)計最小驅(qū)動器交叉?zhèn)鲗?dǎo)。漂浮的通道可用于驅(qū)動N通道電源高壓側(cè)配置的MOSFET或IGBT工作電壓高達(dá)600V。特性：欠壓鎖定，電壓高達(dá)600V耐負(fù)瞬態(tài)電壓，dV/dt柵極驅(qū)動電源
2021-05-11 19:40:19
` SLM2104S 600V IGBT/MOS管半驅(qū)動動IC 封裝SOP8 IR2104S* VOFFSET 600 V max.* IO+/- 130 mA/270 mA* VOUT 10 V
2018-09-07 15:03:06
單芯片半橋式STDRIVEG600柵極驅(qū)動器專為特定的GaN FET驅(qū)動要求而設(shè)計，具有較短的45ns傳播延遲和低至5V的工作電壓。STDRIVEG600通過較高的共模瞬態(tài)抗擾度、一套集成式保護功能
2023-09-05 06:58:54
的傳播延遲，因而不能像數(shù)字隔離器一樣實現(xiàn)通道間時序特性的匹配。另外，在單個IC封裝中同時集成柵極驅(qū)動器和隔離機制可以最大限度地減小解決方案的尺寸。共模瞬變抗擾度在針對高壓電源的許多半橋柵極驅(qū)動器應(yīng)用中
2018-07-03 16:33:25
上。這種電隔離可以通過集成高壓微變壓器或電容器來實現(xiàn)。1, 2, 3 一次意外的系統(tǒng)故障均可導(dǎo)致功率開關(guān)甚至整個功率逆變器損壞和爆炸。因此，需要針對高功率密度逆變器研究如何安全實施柵級驅(qū)動器的隔離功能。必須測試和驗證最壞情況下（功率開關(guān)被毀壞）隔離柵的可靠性。
2021-01-22 06:45:02
/dt 下的有源米勒鉗位的有效性以及 IGBT 柵極驅(qū)動器的源自可調(diào)速電氣電力驅(qū)動系統(tǒng) (IEC61800-3) 的系統(tǒng)級 ESD/EFT 性能。Piccolo Launch Pad
2018-12-27 11:41:40
`IRS2093設(shè)計用于50W至150W的高性能D類音頻應(yīng)用，包括家庭影院系統(tǒng)和汽車音頻放大器。IRS2093采用半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，在單顆 IC中集成了具有PWM調(diào)制器的四通道高壓高性能D類音頻放大
2011-03-05 21:49:31
LT1336的典型應(yīng)用是具有成本效益的半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動器。浮動驅(qū)動器可以驅(qū)動頂部N溝道功率MOSFET工作在高達(dá)60V（絕對最大值）的高壓（HV）軌道上工作
2019-05-10 06:46:05
驅(qū)動半橋配置中的并聯(lián) IGBT。并聯(lián) IGBT 在柵極驅(qū)動器級（驅(qū)動強度不足）以及系統(tǒng)級均會帶來挑戰(zhàn)：難以在兩個 IGBT 中保持相等電流分布的同時確保更快的導(dǎo)通和關(guān)斷。此參考設(shè)計使用增強型隔離式
2018-12-07 14:05:13
電平轉(zhuǎn)換所需要的電荷（對于600V的半橋驅(qū)動器，該參數(shù)通常為5nC） 系統(tǒng)可靠性設(shè)計 由于直流電機是感性負(fù)載，因此當(dāng)Q1關(guān)斷時，負(fù)載的電流不能突變，會轉(zhuǎn)換到由Q2的續(xù)流二極管進(jìn)行續(xù)流。由于在Q2的源
2018-09-27 15:06:25
來設(shè)置單極或雙極 PWM 柵極驅(qū)動器延遲時間短，上升和下降時間短提供用于驅(qū)動半橋的信號和電源反激式恒定導(dǎo)通時間，無需環(huán)路補償可以在 24V±20% 范圍內(nèi)寬松調(diào)節(jié)輸入此電路設(shè)計經(jīng)過測試并包含測試結(jié)果
2018-12-21 11:39:19
現(xiàn)在需要一反向耐壓值為600V，電流為3A的整流橋作為開關(guān)電源的整流器，但是，這個高壓整流橋的壓降大，這樣引起的功耗就大，由于對開關(guān)電源的效率有要求，請問有什么辦法可以降低整流橋的功耗嗎？或者，有低壓降的高壓整流橋推薦嗎？
2014-05-13 19:53:40
闡述這些設(shè)計理念，以展現(xiàn)采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅(qū)動器IC在造就高性能方面的卓越能力。采用光耦合器隔離的基本半橋驅(qū)動器(如圖1所示)以極性相反的信號來驅(qū)動高端和低端N溝道MOSFET(或IGBT
2018-10-23 11:49:22
集成電路，具有更高的效率。高壓柵極驅(qū)動器集成電路(圖1)會增加電平轉(zhuǎn)換電路中的傳播延遲，因而不能像數(shù)字隔離器一樣實現(xiàn)通道間時序特性的匹配。在數(shù)字隔離器中集成柵極驅(qū)動器，可使解決方案的尺寸降至單封裝級，從而
2018-10-16 16:00:23
展現(xiàn)采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅(qū)動器IC在造就高性能方面的卓越能力?！ 〔捎霉怦詈?b class="flag-6" style="color: red">器隔離的基本半橋驅(qū)動器（如圖1所示）以極性相反的信號來驅(qū)動高端和低端N溝道MOSFET（或IGBT）的柵極，由此來控制
2018-09-26 09:57:10
軟啟動保護和掉電保護? 帶高壓線電壓保護? 600V 軌兼容的高側(cè)柵極驅(qū)動器? -0.3A/0.8A 高側(cè)和低側(cè)門極驅(qū)動? 封裝形式：SOP16L2. 描述EG6599 是一款專用于諧振半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的雙端
2022-09-15 13:50:21
FD6288T&Q 是一款集成了三個獨立的半橋柵極驅(qū)動集成電路芯片，專為高壓、高速驅(qū)動 MOSFET 設(shè)計，可在高達(dá)+250V 電壓下工作。FD6288T&Q 內(nèi)置 VCC/VBS
2021-06-30 11:48:09
/ dt共模瞬變干擾能力，使其能夠防止耗能的雜散開關(guān)操作。這些器件內(nèi)置1700V電氣隔離功能，可以降低消費級或工業(yè)電機驅(qū)動器、600V或1200V變頻器、DC / DC轉(zhuǎn)換器、充電器、電焊機、感應(yīng)爐
2018-08-06 14:37:25
HiperLCS是一款集成了多功能控制器、高壓端和低壓端柵極驅(qū)動以及兩個功率MOSFET的LLC半橋功率級。圖1（上）所示為采用HiperLCS器件的功率級結(jié)構(gòu)簡圖，其中LLC諧振電感集成在變壓器中
2019-03-07 14:39:44
。其在120V / ns轉(zhuǎn)換速率下，從0V升到480V，并具有小于50V的過沖。 圖1：TI 600V半橋功率級——開關(guān)波形（a）；設(shè)備封裝（b）；半橋板圖（c）。 GaN FET具有低端子電容，因而
2019-08-26 04:45:13
FAN7382MX 是一款單片半橋門極驅(qū)動器集成電路 FAN7382 可以驅(qū)動最高在 +600V 下運行的 MOSFET 和 IGBT。高電壓工藝和共模干擾抑制技術(shù)提供了高壓側(cè)驅(qū)動器在高 dv/dt
2021-12-16 08:48:48
柵極驅(qū)動器解決方案TI提供專為電動座椅設(shè)計的多電機汽車柵極驅(qū)動器。DRV8714-Q1和DRV8718-Q1的半橋柵極驅(qū)動器分別具有四個通道和八個通道。它們集成了電荷泵、電流檢測放大器和可用于多個負(fù)載
2022-11-03 07:05:16
描述此參考設(shè)計是一種通過汽車認(rèn)證的隔離式柵極驅(qū)動器解決方案，可在半橋配置中驅(qū)動碳化硅 (SiC) MOSFET。此設(shè)計分別為雙通道隔離式柵極驅(qū)動器提供兩個推挽式偏置電源，其中每個電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
柵極驅(qū)動器，能夠驅(qū)動 N 型功率 MOSFET 和 IGBT。 FD2606S 內(nèi)置 VCC 和 VB 欠壓（UVLO）保護功能，防止功率管在過低的電壓下工作。 FD2606S 邏輯輸入兼容 TTL 和 CMOS（低至 3.3V），方便與控制設(shè)備接口。該驅(qū)動器輸出具有最小驅(qū)動器跨導(dǎo)的高脈沖電流緩沖設(shè)計。
2021-09-14 07:29:33
各位大大，最近在做雙向逆變，想問一下用2變比的高頻變壓器，高壓側(cè)600V降壓到300v，升壓的時候可以從300V升壓超過600V嗎，有人說高頻變壓器可以升壓超過原來高壓側(cè)輸入的電壓，請問有懂這個的能說一下能實現(xiàn)升壓超過2變比的嗎
2018-03-17 15:26:54
和填充的設(shè)計，包括一個基于600V IGBT SLLIMM（小型低損耗智能模塑模塊）的三相逆變橋，采用SDIP 38L封裝，安裝在散熱器上。 STGIPL14K60集成了：高壓，短路堅固的IGBT和高壓柵極驅(qū)動器，具有集成運算放大器等先進(jìn)功能，適用于高級電流檢測
2020-05-29 16:34:29
L6390，用于工業(yè)應(yīng)用的高壓半橋柵極驅(qū)動器。三相功率級三L6390半橋柵極驅(qū)動器之一的應(yīng)用電路
2019-07-08 12:28:25
Portfolio系統(tǒng)，跨越12v 到80v 的范圍往往需要一個司機與較高的供應(yīng)額定值，支持高功率18v 鉆頭和80v 割草機。雖然選擇合適的集成三相無刷直流電機驅(qū)動器是有限的，一套有能力的100伏半橋可以
2022-04-14 14:43:07
驅(qū)動器，特別適合于三相電機應(yīng)用中高速功率 MOSFET 和 IGBT 的柵極驅(qū)動。芯片內(nèi)置了死區(qū)時間和上下管直通保護，非常有效地阻止半橋電路損壞。為了防止因芯片工作在較低的電源電壓而對功率管產(chǎn)生損害
2019-12-06 13:13:21
有大神知道不用集成芯片搭建半橋驅(qū)動器的套路嗎？最近看電瓶車控制器里的驅(qū)動模塊沒有類似半橋驅(qū)動器的芯片，應(yīng)該是自己搭建的，網(wǎng)上看了看也沒有類似的東西，來請教一下
2017-01-14 18:03:50
請問怎么優(yōu)化寬禁帶材料器件的半橋和門驅(qū)動器設(shè)計？
2021-06-17 06:45:48
國際整流器公司推出一系列新一代500V及600V高壓集成電路（HVIC）。這19款新型HVIC采用半橋設(shè)計，配有高端和低端驅(qū)動器，可廣泛適用于包括馬達(dá)控制、照明、開關(guān)電源、音頻和平板顯示器等
2018-08-31 11:23:15
雙通道柵極驅(qū)動器無重疊保護MP18871脈寬調(diào)制 (PWM) 輸入半橋柵極驅(qū)動器重疊保護、可調(diào)死區(qū)時間MP18831MP18831 在單個封裝中集成了雙輸入柵極驅(qū)動器，并具有可調(diào)死區(qū)時間。 當(dāng)兩個輸入同時
2022-09-30 14:05:41
采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅(qū)動器IC在造就高性能方面的卓越能力
2021-03-03 06:35:03
通道的器件，此規(guī)格的表述方式相同，但被稱為通道間偏斜。傳播延遲偏斜通常不能在控制電路中予以補償。圖6顯示了ADuM4121柵極驅(qū)動器的典型設(shè)置，其結(jié)合功率MOSFET使用，采用半橋配置，適合電源和電機
2018-10-25 10:22:56
6顯示了ADuM4121柵極驅(qū)動器的典型設(shè)置，其結(jié)合功率MOSFET使用，采用半橋配置，適合電源和電機驅(qū)動應(yīng)用。在這種設(shè)置中，如果Q1和Q2同時導(dǎo)通，有可能因為電源和接地引腳短路而發(fā)生直通。這可
2018-11-01 11:35:35
，低側(cè)FET導(dǎo)通并開始通過其通道導(dǎo)通。相同的原理適用于通常在DC / DC電源和電動機驅(qū)動設(shè)計中發(fā)現(xiàn)的其它同步半橋配置。負(fù)責(zé)高速接通的一個重要的柵極驅(qū)動器參數(shù)是導(dǎo)通傳播延遲。這是在柵極驅(qū)動器的輸入端
2019-03-08 06:45:10
4-A、600V 半橋柵極驅(qū)動器 Bus voltage (Max) (V) 600 Power switch MOSFET, IGBT Input VCC (Min) (V
2022-12-14 14:43:05
4-A、600V 半橋柵極驅(qū)動器 Bus voltage (Max) (V) 600 Power switch MOSFET, IGBT Input VCC (Min) (V
2022-12-20 15:04:53
TF2183(4)M是一種高壓、高速的柵極驅(qū)動器，能夠在半橋式配置中驅(qū)動n-通道
2023-02-27 17:04:43
高壓浮動MOS柵極驅(qū)動集成電路(應(yīng)用手冊):高壓側(cè)器件的柵極驅(qū)動要求,典型MOS柵極驅(qū)動器(MGD)的框圖,自舉工作原理，如何選擇自舉元件等內(nèi)容。
2010-01-04 17:17:57
87 TF2184是一種高壓、高速柵極驅(qū)動器，能夠在半橋配置中驅(qū)動n通道MOSFET和igbt。TF半導(dǎo)體的高壓過程使TF2184的高側(cè)能夠在引導(dǎo)
2023-06-25 16:25:20
TF2103M是一種高壓、高速的柵極驅(qū)動器，能夠在半橋式配置中驅(qū)動n-通道MOSFETs和igbt。TF半導(dǎo)體的高壓過程使TF2103M高側(cè)切換到600V的引導(dǎo)操作
2023-06-25 16:39:30
TF2104M是一種高壓、高速的柵極驅(qū)動器，能夠在半橋式配置中驅(qū)動n-通道MOSFETs和igbt。TFSemi的高壓過程使TF2104M的高側(cè)能夠在引導(dǎo)操作中切
2023-06-26 09:27:41
TF21844M是一種高壓、高速柵極驅(qū)動器，能夠在半橋配置中驅(qū)動n通道MOSFET和IGBT。TF半導(dǎo)體的高壓過程使TF21844M的高側(cè)能夠在引導(dǎo)操作中切換到600V
2023-06-26 15:00:48
TF2304M是一種高壓、高速的柵極驅(qū)動器，能夠在半橋式配置中驅(qū)動n-通道MOSFETs和igbt。TFSemi的高壓過程使TF2304M的高側(cè)能夠在引導(dǎo)操作中切
2023-06-26 15:48:29
TF2136M是一種三相柵極驅(qū)動器IC，設(shè)計用于高壓、高速應(yīng)用，驅(qū)動半橋配置的n通道MOSFETs和igbt。TF半導(dǎo)體的高壓工藝使TF2136M高側(cè)能夠在引導(dǎo)操作中切
2023-07-04 10:46:50
TF21364M是一種三相柵極驅(qū)動器IC，設(shè)計用于高壓、高速應(yīng)用，驅(qū)動半橋配置的n通道MOSFETs和igbt。TF半導(dǎo)體的高壓工藝使TF21364M高側(cè)能夠在引導(dǎo)操作中切
2023-07-04 10:59:30
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)SA2601矽塔科技600V單相半橋柵極驅(qū)動芯片SOP8，原裝現(xiàn)貨 半橋柵極動心片.半橋柵極驅(qū)動芯片是一種用于驅(qū)動半橋功率器件(例如電力 MOSFET、IGBT等
2023-11-07 17:06:58
IR上市600V耐壓的車載設(shè)備用柵極驅(qū)動IC
美國國際整流器公司（IR）上市了+600V耐壓的車載設(shè)備用柵極驅(qū)動IC"AUIRS2301S"。主要用
2010-04-09 10:10:32876 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出600V AUIRS2332J 三相柵極驅(qū)動器IC，適用于電動汽車和混合動力汽車中的車用高壓電機驅(qū)動應(yīng)用。
2011-10-21 09:45:211669 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅(qū)動器及六款高/低側(cè)600V柵極驅(qū)動器，可在半橋或全橋配置下輕易開關(guān)功率MOSFET與IGBT。
2016-03-14 18:13:231403 高壓Gatedriver 600V工藝，替代IR2103，替代FD2503，替代SDC9301
2017-11-23 14:17:3233 高壓Gatedriver 600V工藝，替代IR2104，替代FD2504
2017-11-23 14:15:2346 三相驅(qū)動器（如三相600V單芯片柵極驅(qū)動器STDRIVE601）的易用性、可用性和經(jīng)濟性是這一發(fā)展的主要原因所在。STDRIVE601具有穩(wěn)健性、簡單性和節(jié)省成本的特點，同時可確保系統(tǒng)受保護并提供安全功能。
2020-12-24 17:51:54694 關(guān)于高壓柵極驅(qū)動器自舉電路設(shè)計方法介紹。
2021-06-19 10:14:0476 圖1所示電路顯示了一個電路，其中低壓微控制器與高壓域（包括輸出開關(guān)及其柵極驅(qū)動器）電氣隔離（出于安全原因）。更快的開關(guān)速度意味著更快的開關(guān)瞬變。例如，GaN功率系統(tǒng)的開關(guān)時間通常為5ns（比傳統(tǒng)
2023-06-28 14:33:33276 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅(qū)動器.pdf》資料免費下載
2023-09-25 11:27:500 EG8025 是一款采用電流模式、中心對齊 PWM 調(diào)制方式和內(nèi)置兩路 600V 半橋高壓 MOS 驅(qū)動器等一體的數(shù)模結(jié)合芯片,專用于逆變器產(chǎn)品。該芯片采用 CMOS 工藝，內(nèi)部的主要模塊為
2023-09-17 12:04:51
LP9961 是一款帶有高壓半橋驅(qū)動的全集成 LLC 控 制器。內(nèi)部實現(xiàn)了 600V 的高壓柵極驅(qū)動，使得可 以采用極簡的外圍元件，就可以實現(xiàn)高效、可靠的 LLC 諧振系統(tǒng)。自適應(yīng)的死區(qū)時間控制可以
2023-10-10 11:37:12
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