隨著氮化鎵技術(shù)的不斷發(fā)展，氮化鎵也應用在了很多新興領(lǐng)域，充電頭網(wǎng)此次選取了手機、車充、PC電源、服務器電源、筆記本適配器、戶外電源等新場景，幫助大家掌握氮化鎵應用的最新動態(tài)。

手機

作為OPPO產(chǎn)品的金字招牌，VOOC閃充系統(tǒng)中當然也少不了氮化鎵技術(shù)的存在。但不同于絕大多數(shù)手機廠商，OPPO還嘗試將]氮化鎵技術(shù)應用到手機內(nèi)

閃充技術(shù)需要充電器與手機電源管理芯片的共同協(xié)作。一直以來，手機內(nèi)部開關(guān)器件都采用硅材質(zhì)MOSFET器件，由于體積與阻抗的限制，不僅占據(jù)了手機主板上大量空間，而且在面對大功率快充時，硅MOSFET會產(chǎn)生較大的溫升與效率損耗，影響快充的穩(wěn)定性與大功率持續(xù)時間。

OPPO開創(chuàng)性地將氮化鎵技術(shù)應用到手機內(nèi)部，采用一顆氮化鎵電子開關(guān)代替兩顆硅MOSFET的功能，不僅節(jié)省了寸土寸金的手機空間，而且讓電流路徑達到了更低的阻抗，路徑上的溫升有效降低，提升充電效率與大功率持續(xù)時間，讓手機能擁有更好的充放電表現(xiàn)。

車充

不同于普通充電器，車充由于受限于點煙器接口的尺寸限制，體積往往無法做大，如果采用傳統(tǒng)功率器件，輸出功率難以進一步提升。而如果將氮化鎵功率器件應用在車充產(chǎn)品中，則可以在不增大體積的情況下，提升輸出功率。

這是英諾賽科最新推出的增強型硅基氮化鎵功率器件，耐壓40V，導阻僅為4mΩ，采用FCSP 2.6 mm x 1.6 mm的極小尺寸封裝，后續(xù)會升級為QFN封裝，提高了器件的可焊接性。

智融140W雙C口氮化鎵車充方案率先在業(yè)界實現(xiàn)百瓦級DC-DC應用，填補了氮化鎵功率器件在DC-DC快充領(lǐng)域空白。借助氮化鎵功率器件，這套車充方案可以實現(xiàn)更高的轉(zhuǎn)換效率和功率密度。

PC電源

隨著硬件性能的發(fā)展，CPU、顯卡等耗電大戶的功耗越來越高，相應地對電源功率的要求也隨之提高。在常見的ATX、SFX、1U Flex等電源規(guī)格中，已經(jīng)開始有廠商嘗試通過使用氮化鎵功率器件，來提升電源的輸出功率和轉(zhuǎn)化效率，

近期，珠海鎵未來科技有限公司針對中國國標強制法規(guī)GB 20943以及歐洲電工標準化委員會IEC 61000-3-2的要求，采用自研的G1N65R150TA和G1N65R050TB兩款低動態(tài)內(nèi)阻Cascode氮化鎵器件，搭配瞻芯電子IVCC1102芯片，其滿載效率高達96.72%，符合80PLUS鈦金能效。

除了700W電源方案外，鎵未來還基于G1N65R150PB和G0N65R070PB兩款低動態(tài)內(nèi)阻Cascode氮化鎵器件，搭配安森美NCP1680，。

鎵未來這套方案功率密度高達23.1W/in3，適合工作在0-40℃溫度環(huán)境下，支持90-264V~50/60Hz全球?qū)挿秶妷狠斎耄约?0V16.5A輸出，最大輸出功率330W。滿載效率≥96.4%，輸出電壓紋波＜300mV，表現(xiàn)優(yōu)秀。

服務器電源

對于服務器電源而言，為了追求更高的穩(wěn)定性，避免灰塵、潮濕空氣等因素干擾，往往采用電源本體全封閉設計，使用被動散熱結(jié)構(gòu)，對內(nèi)部器件發(fā)熱提出了更嚴格的要求。

而氮化鎵功率器件低溫升的優(yōu)勢可以幫助服務器電源保證溫控的同時，實現(xiàn)更高的功率輸出。通過使用氮化鎵技術(shù)以及大面積散熱片，實現(xiàn)了大功率被動散熱的服務器設計。成為免維護電源。

靈刻微360W服務器電源采用PFC+LLC的架構(gòu)，固定12V輸出，輸入使用安森美NCP1654 CCM PFC升壓控制器搭配東微MOS管及華潤微碳化硅二極管。LLC采用意法L6699控制器搭配兩顆能華CE65D150DNBI氮化鎵功率器件以及恒泰柯NMOS。使用兩顆變壓器，輸入串聯(lián)，輸出并聯(lián)，滿足30A大電流輸出能力。

筆記本適配器

以性能為核心的游戲本，火力全開時功率需求往往已經(jīng)超過USB PD 100W上限，需要使用原裝適配器才能保證性能釋放，而原裝適配器多為又大又重的“板磚”，不利于攜帶。

作為第三方配件廠商，尚巡此前就針對游戲本、性能本用戶的這一痛點，推出了多款功率在百瓦之上的氮化鎵電源適配器，讓游戲玩家也能體驗到氮化鎵充電器小巧強大便攜優(yōu)勢。其中就包括充電頭網(wǎng)拆解的一款120W氮化鎵適配器。

，這款適配器內(nèi)置PFC功率因數(shù)校正電路，采用LLC+SR高性能架構(gòu)。以恩智浦TEA2016AAT+TEA1995方案為核心，分別搭配英諾賽科氮化鎵功率芯片和谷峰MOS管組成開關(guān)電源部分，實現(xiàn)效率和功率密度的提高，性能明顯優(yōu)于常規(guī)反激方案。

除了120W氮化鎵適配器外，尚巡最新推出了一款230W氮化鎵適配器。采用的是PFC+LLC的高性能架構(gòu)，支持100-240V寬電壓輸入，固定20V電壓輸出，標稱最大輸出電流可達11.5A，可以滿足聯(lián)想拯救者Y7000P等游戲本的充電需求，并且獲得了CCC認證，品質(zhì)可靠。

用料方面，這款適配器選用恩智浦TEA2016AAT+TEA2095全套控制器方案，芯片集成度高，外圍電路簡單，同時內(nèi)置了四顆英諾賽科氮化鎵開關(guān)管和一顆美浦森碳化硅二極管，提升整機性能，電容方面，選用永銘推出的氮化鎵快充專用電容濾波，為筆記本電腦提供穩(wěn)定的輸出。

戶外電源

當前市面上許多戶外電源的內(nèi)部設計都十分緊湊，對應的供電器件面積也越來越小。在傳統(tǒng)的硅器件上使用高頻驅(qū)動，開關(guān)損耗會顯著降低效率，阻礙功率提升。而低壓氮化鎵器件的應用，解決了效率下降的難題，并且還可以將頻率進一步提升，使用更小的電感，減小占板面積。

英諾賽科近期推出了一款使用低壓氮化鎵器件的同步升降壓參考設計，其支持12-24V輸入電壓范圍，輸出支持3.3-19.2V，支持150W輸出功率，滿足百瓦大功率戶外應用。氮化鎵高頻優(yōu)勢可以運行在1.2MHz頻率上，減小電感和濾波電容體積，為產(chǎn)品提供更強的競爭力。

英諾賽科瞄準低壓市場推出的INN040W040A低壓氮化鎵器件，具有40V耐壓，導阻僅為4mΩ，具備氮化鎵無反向恢復的優(yōu)勢，柵極電荷僅為同規(guī)格硅MOS的二分之一不到，能夠降低控制器驅(qū)動壓力，縮短死區(qū)時間。并支持更高的開關(guān)頻率，減小電路體積并提高轉(zhuǎn)換效率。

英諾賽科低壓氮化鎵器件不僅能夠在同步升降壓中應用，邏輯電壓驅(qū)動的柵極，還可以用于同步升壓，同步降壓及鋰電池保護應用等。在開關(guān)電路中充分發(fā)揮氮化鎵導阻低，開關(guān)速度快的優(yōu)勢，提高頻率降低損耗，提供更高效，更具有競爭力的終端解決方案，支持更加個性化的設計，同時也為碳中和、碳減排做出貢獻。

充電頭網(wǎng)總結(jié)

氮化鎵入選“十四五規(guī)劃”后，得到了國家層面的重點鼓勵發(fā)展，推動了氮化鎵產(chǎn)業(yè)的不斷壯大。隨著材料生長、器件制備等技術(shù)的不斷突破，氮化鎵高效節(jié)能的優(yōu)勢正逐漸顯現(xiàn)，一個應用前景廣闊的市場已經(jīng)形成。

自2018年來，氮化鎵在消費類快充領(lǐng)域的應用已經(jīng)進入了快車道。而在未來數(shù)年的時間里，除了前文提到的多個應用場景外，基于氮化鎵的電子器件還將廣泛應用于激光雷達、5G通信、新能源汽車、軌道交通、太陽能、風力發(fā)電、特高壓、人工智能、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域，成為人們數(shù)字生活中一項必不可少的核心技術(shù)。