晶體管之間的差異性:就三極
管,mos
管和可控硅之間的差別和相同點(diǎn)的相關(guān)概念有點(diǎn)模糊,請(qǐng)各位大俠指點(diǎn)?。。?/div>
2016-06-07 23:27:44
安全工作區(qū)域 (SOA *1) 1安全工作區(qū)域(SOA)表示晶體管可安全工作的區(qū)域。不過,SOA只是關(guān)于1脈沖的數(shù)據(jù),在脈沖反復(fù)混入時(shí),需要所有脈沖都進(jìn)入SOA范圍內(nèi),并且通過 "4. 確認(rèn)
2019-04-15 06:20:06
及制造工藝分類 晶體管按其結(jié)構(gòu)及制造工藝可分為擴(kuò)散型晶體管、合金型晶體管和平面型晶體管。 按電流容量分類 晶體管按電流容量可分為小功率晶體管、中功率晶體管和大功率晶體管按工作頻率分類 晶體管按
2010-08-12 13:59:33
晶體管的電流方向相反。如果使晶體管以開關(guān)方式工作,需要加大基極電流晶體管VCE的飽和狀態(tài)當(dāng)晶體管處于開關(guān)工作方式時(shí),因?yàn)殡娫措妷汉图姌O電阻的限制,集電極IC不足以提供hFEIB大小的電流。因此
2017-03-28 15:54:24
、電壓/電流反饋放大電路、晶體管/FET開關(guān)電路、模擬開關(guān)電路、開關(guān)電源、振蕩電路等。上冊(cè)則主要介紹放大電路的工作、增強(qiáng)輸出的電路、功率放大器的設(shè)計(jì)與制作、拓寬頻率特性等。`
2019-03-06 17:29:48
。需要說明的是,晶體管有很多種類型,每種類型又分為N型和P型,下面圖中的電路符號(hào)就是一個(gè)N型晶體管?! ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路有導(dǎo)通和截止兩種狀態(tài),這兩種狀態(tài)就可以作為“二進(jìn)制”的基礎(chǔ)。從模電角度來說晶體管還有
2021-01-13 16:23:43
一、晶體管開關(guān)電路:是一種計(jì)數(shù)地接通-斷開晶體管的集電極-發(fā)射極間的電流作為開關(guān)使用的電路,此時(shí)的晶體管工作在截止區(qū)和飽和區(qū)。當(dāng)需要輸出大的負(fù)載電流時(shí),由于集電極電流(負(fù)載電流)是放大基極電流而來
2021-10-29 09:25:31
1.反向擊穿電流的檢測(cè) 普通晶體管的反向擊穿電流(也稱反向漏電流或穿透電流),可通過測(cè)量晶體管發(fā)射極E與集電極C之間的電阻值來估測(cè)。測(cè)量時(shí),將萬用表置于R×1k檔, NPN型管的集電極C接黑表筆
2012-04-26 17:06:32
在PROTUES中如何改變晶體管的放大倍數(shù)?有的器件有放大倍數(shù)改變的參數(shù)。另外,不同的仿真模型參數(shù)不同如何改變?
2014-02-28 08:42:03
晶體管測(cè)量模塊的基本特性有哪些?晶體管測(cè)量模塊的基本功能有哪些?
2021-09-24 07:37:23
`非常不錯(cuò)的晶體管電路設(shè)計(jì)書籍!`
2016-11-08 14:12:33
晶體管電路設(shè)計(jì)叢書上冊(cè)晶體管電路設(shè)計(jì)(pdf電子書下載):是“實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)叢書”之一,共分上下二冊(cè)。本書作為上冊(cè)主要內(nèi)容有晶體管工作原理,放大電路的性能、設(shè)計(jì)與應(yīng)用,射極跟隨器的性能與應(yīng)用電
2009-11-20 09:41:18
在合理設(shè)置靜態(tài)工作點(diǎn)和輸入為交流小信號(hào)的前提下,晶體管可等效為一個(gè)線性雙端口電路。如圖Z0212所示。 晶體管的端口電壓和電流的關(guān)系可表示為如圖Z0213所示。 h 參數(shù)
2021-05-13 07:56:25
等同hFE,甚至相差很大,所以不要將其混淆。β和hFE大小除了與晶體管結(jié)構(gòu)和工藝等有關(guān)外,還與管子的工作電流(直流偏置)有關(guān),工作電流IC在正常情況下改變時(shí),β和hFE也會(huì)有所變化;若工作電流變得過小或
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數(shù)有哪些?晶體管的開關(guān)電路是怎樣的?
2021-06-07 06:25:09
晶體管的代表形狀晶體管分類圖:按照該分類,掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類,分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi(2個(gè))、極是指Polar(極性)。雙極晶體管,即流經(jīng)構(gòu)成
2019-04-10 06:20:24
與漏極間流過電流,而IGBT是從P型的集電極向N型的發(fā)射極流過電流,也就是與雙極晶體管相同。因此,具有MOSFET的柵極相關(guān)的參數(shù),以及雙極晶體管的集電極-發(fā)射極相關(guān)的參數(shù)?;?b class="flag-6" style="color: red">工作特性比較這三種晶體管
2018-11-28 14:29:28
相關(guān)的參數(shù),以及雙極晶體管的集電極-發(fā)射極相關(guān)的參數(shù)。 基本工作特性比較 這三種晶體管的工作特性各不相同。以下是Vce/Vds相對(duì)于基本的Ic/Id的特性。功率元器件基本上被用作開關(guān),因此一般盡量在Vce/Vds較低的條件下使用。這是在使用的電路條件下,探討哪種晶體管最適合時(shí)的代表特性之一。
2020-06-09 07:34:33
有效芯片面積的增加,(2)技術(shù)上的簡(jiǎn)化,(3)晶體管的復(fù)合——達(dá)林頓,(4)用于大功率開關(guān)的基極驅(qū)動(dòng)技術(shù)的進(jìn)步。、直接工作在整流380V市電上的晶體管功率開關(guān)晶體管復(fù)合(達(dá)林頓)和并聯(lián)都是有效地增加
2018-10-25 16:01:51
計(jì)算機(jī)等使用的數(shù)字信號(hào)中,晶體管起著切換0和1的開關(guān)作用。IC及LSI歸根結(jié)底是晶體管的集合,其作用的基礎(chǔ)便是晶體管的增幅作用。4. 集電阻和晶體管于一體原來基板上的電阻和晶體管分別安裝,數(shù)字晶體管
2019-05-05 00:52:40
1.晶體管的結(jié)構(gòu)晶體管內(nèi)部由兩PN結(jié)構(gòu)成,其三個(gè)電極分別為集電極(用字母C或c表示),基極(用字母B或b表示)和發(fā)射極(用字母E或e表示)。如圖5-4所示,晶體管的兩個(gè)PN結(jié)分別稱為集電結(jié)(C、B極
2013-08-17 14:24:32
型號(hào)的晶體管。 5.開關(guān)三極管的選用小電流開關(guān)電路和驅(qū)動(dòng)電路中使用的開關(guān)晶體管,其最高反向電壓低于100V,耗散功率低于1W,最大集電極電流小于1A,可選用3CK3、3DK4、3DK9、3DK12等
2012-01-28 11:27:38
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-7 22:11 編輯
眾所周知,一個(gè)普通的雙極型晶體管有二個(gè)PN結(jié)、三種工作狀態(tài)(截止、飽和、放大)和四種運(yùn)用接法(共基、共發(fā)、共集和倒置
2012-02-13 01:14:04
ΔuO = ΔiCRC 。實(shí)質(zhì)上,這種控制作用就是放大作用。 3. 晶體管的工作狀態(tài) 當(dāng)給晶體管的兩個(gè) PN 結(jié)分別施加不同的直流偏置時(shí),晶體管會(huì)有放大、飽和和截止三種不同的工作狀態(tài)。這幾種工作狀態(tài)
2021-05-13 06:43:22
關(guān)于晶體管ON時(shí)的逆向電流在NPN晶體管中,基極 (B) 被偏置為正,集電極 (C) 被偏置為負(fù),由發(fā)射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔(dān)心劣化和損壞,在使用上是沒有問題的2. NPN-Tr
2019-05-09 23:12:18
;nbsp; 晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān),基于輸入的電壓,控制流出的電流,因此晶體管可做為
2010-08-12 13:57:39
硬之城,晶體管這個(gè)詞僅是對(duì)所有以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的元件的統(tǒng)稱,那么問題來了,晶體管有哪些類型,其工作原理又是什么呢?一、晶體管工作原理晶體管,英文名稱為transistor,泛指一切以半導(dǎo)體材料為
2016-06-29 18:04:43
利用半導(dǎo)體的特性,每個(gè)管子工作原理個(gè)不同,你可以找機(jī)電方面的書看 下圖中的S是指源極(Source),D是指漏極(Drain),G是柵極(Gate)。晶體管的工作原理其實(shí)很簡(jiǎn)單,就是用兩個(gè)狀態(tài)
2017-08-03 10:33:03
`IB0912M600是一種高功率脈沖晶體管器件,設(shè)計(jì)用于在0.960-1.215 GHz瞬時(shí)帶寬上運(yùn)行的系統(tǒng)。 當(dāng)在規(guī)定的脈沖條件下且VCC = 50V時(shí)以C類模式工作時(shí),該通用基本設(shè)備可提供至少
2021-04-01 09:41:49
`IB0912M600是一種高功率脈沖晶體管器件,設(shè)計(jì)用于在0.960-1.215 GHz瞬時(shí)帶寬上運(yùn)行的系統(tǒng)。 當(dāng)在規(guī)定的脈沖條件下且VCC = 50V時(shí)以C類模式工作時(shí),該通用基本設(shè)備可提供至少
2021-04-01 10:29:42
`IDM165L650是一種高功率脈沖晶體管,專為工作于0.125-0.167 GHz的Sub-1 GHz系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。 該雙MOSFET器件以1ms的脈沖寬度和20%的占空比工作,在瞬時(shí)工作帶寬上以
2021-04-01 10:03:31
)的三層結(jié)構(gòu)的Field-Effect Transistor(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。BIPOLAR是指使用了雙極性元件,將稱為p型和n型的兩種半導(dǎo)體構(gòu)成n-p-n及p-n-p結(jié)構(gòu)的電流工作型晶體管。
2019-05-06 05:00:17
)的三層結(jié)構(gòu)的Field-Effect Transistor(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。BIPOLAR是指使用了雙極性元件,將稱為p型和n型的兩種半導(dǎo)體構(gòu)成n-p-n及p-n-p結(jié)構(gòu)的電流工作型晶體管。
2019-03-27 06:20:04
求大神相助,Multisim里面雪崩晶體管的過壓擊穿怎么放著那,當(dāng)我設(shè)的電壓已經(jīng)大于了Vcbo滯后還是不見晶體管導(dǎo)通。
2014-08-08 10:42:58
下,晶體管等于開關(guān)。4) 運(yùn)行狀態(tài)如果我們用上圖中的燈泡代替電阻Rc,那么當(dāng)基極電流為0時(shí),集電極電流為0,因此燈泡關(guān)閉。如果基極電流相對(duì)較大(大于流過燈泡的電流除以放大倍率β),晶體管將飽和,燈泡將
2023-02-08 15:19:23
。晶體管NPN型和PNP型結(jié)晶體管工作狀態(tài)晶體管的工作原理類似于電子開關(guān)。它可以打開和關(guān)閉電流。晶體管背后的基本思想是,它允許您通過改變流經(jīng)第二個(gè)通道的較小電流的強(qiáng)度來控制通過一個(gè)通道的電流。1)截止
2023-02-15 18:13:01
電流可以調(diào)節(jié)巨大的發(fā)射極集電極電流。II. 什么是PNP晶體管?PNP 晶體管是將一種 n 型材料與兩種 p型材料摻雜在一起的晶體管。它是一種由電流供電的設(shè)備。適量的基極電流調(diào)節(jié)了發(fā)射極和集電極電流
2023-02-03 09:44:48
能夠在高輸出功率電平下承受嚴(yán)苛的負(fù)載失配狀況而不降低性能或造成器件故障。當(dāng)晶體管工作在負(fù)載失配狀態(tài)下時(shí),它的輸出功率有很大一部分會(huì)被反射進(jìn)器件,此時(shí)功率必須在晶體管中耗散掉。但在比較不同耐用性的晶體管時(shí),重要的是檢查不同器件制造商達(dá)到其耐用性結(jié)果的條件,因?yàn)椴煌圃焐痰臏y(cè)試條件可能有很大變化。
2019-06-26 07:11:37
)= + 25°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:32:19
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能
2010-08-13 11:36:51
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個(gè)晶體管來代替,MFR151管子能用哪個(gè)來代替?或是誰有這兩個(gè)高頻管子的原件庫?求大神指教
2016-10-26 11:51:18
`內(nèi)容簡(jiǎn)介:《晶體管電路設(shè)計(jì)》(上)是“實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)叢書”之一,共分上下二冊(cè)?!?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設(shè)計(jì)》(上)作為上冊(cè)主要內(nèi)容有晶體管工作原理,放大電路的性能、設(shè)計(jì)與應(yīng)用,射極跟隨器的性能與應(yīng)用電
2017-07-25 15:29:55
利用半導(dǎo)體的特性,每個(gè)管子工作原理個(gè)不同,可以找機(jī)電方面的書看下圖中的S是指源極(Source),D是指漏極(Drain),G是柵極(Gate)。晶體管的工作原理其實(shí)很簡(jiǎn)單,就是用兩個(gè)狀態(tài)表示二進(jìn)制
2017-09-12 11:10:57
不同外,其工作原理都是相同的?! 《?、晶體三極管的三種工作狀態(tài) 三極管的三種狀態(tài)也叫三個(gè)工作區(qū)域,即:截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū)。 ?。?)、截止區(qū):三極管工作在截止狀態(tài),當(dāng)發(fā)射結(jié)電壓Ube小于
2020-12-25 15:24:23
影響?! ∈裁词荁TI?簡(jiǎn)單說來,就是晶體管處于“開”狀態(tài)時(shí)的一種電荷積聚效應(yīng),在晶體管通道及其門絕緣介質(zhì)之間形成電荷積累,這會(huì)改變晶體管開關(guān)變換狀態(tài)的電壓,隨著時(shí)間的推移晶體管開關(guān)狀態(tài)變換動(dòng)作會(huì)越來越慢。隨著芯片
2017-06-15 11:41:33
互補(bǔ)晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
:發(fā)射極、基極和集電極;場(chǎng)效應(yīng)晶體管的三極是:源極、柵極、漏極。由于晶體管的三極性,它們也有三種使用方式:接地發(fā)射極(也稱為公共發(fā)射放大器/ CE配置),接地基極(也稱為公共基極放大器/CB配置)和接地
2023-02-03 09:36:05
一對(duì)匹配的PNP和NPN晶體管協(xié)同工作以有效地放大振蕩信號(hào)。在創(chuàng)建電路時(shí),可以使用第二種類型的開關(guān)選項(xiàng)非常有用。PNP 晶體管應(yīng)用如果您剛剛開始使用這些組件,如果您不小心,工業(yè)傳感器可能會(huì)給您的知識(shí)
2023-02-03 09:50:59
達(dá)林頓晶體管是一對(duì)雙極晶體管,連接在一起,從低基極電流提供非常高的電流增益。輸入晶體管的發(fā)射極始終連接到輸出晶體管的基極;他們的收藏家被綁在一起。結(jié)果,輸入晶體管放大的電流被輸出晶體管進(jìn)一步放大
2023-02-16 18:19:11
本文探討了鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)、它們?cè)诟鞣N應(yīng)用中的用途,以及它們相對(duì)于 MOSFET 的優(yōu)缺點(diǎn)。 什么是鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管? 鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種晶體管。作為晶體管,它是一個(gè)放大器和一個(gè)
2023-02-24 15:25:29
的規(guī)則,則可以互換使用NPN和PNP晶體管。雙極晶體管實(shí)際上是兩個(gè)背靠背連接的二極管,基極用作公共連接。PNP 結(jié)點(diǎn)如何工作?PNP晶體管是由夾在兩個(gè)P型半導(dǎo)體之間的N型半導(dǎo)體組成的雙極結(jié)型晶體管
2023-02-03 09:45:56
ULN2003是什么?ULN2003的主要特點(diǎn)是什么?ULN2003達(dá)林頓晶體管集成電路有哪些應(yīng)用?怎樣去設(shè)計(jì)一種ULN2003達(dá)林頓晶體管集成電路?
2021-08-11 09:17:12
器件,又稱巨型晶體管或電力勗體管,簡(jiǎn)稱GTR。它從本質(zhì)上講仍是晶體管,因而工作原理與一般晶體管相同。但是,由于它主要用在電力電子技術(shù)領(lǐng)域,電流容量大,耐壓水平高,而且大多工作在開關(guān)狀態(tài),因此其結(jié)構(gòu)
2018-01-15 11:59:52
器件,又稱巨型晶體管或電力勗體管,簡(jiǎn)稱GTR。它從本質(zhì)上講仍是晶體管,因而工作原理與一般晶體管相同。但是,由于它主要用在電力電子技術(shù)領(lǐng)域,電流容量大,耐壓水平高,而且大多工作在開關(guān)狀態(tài),因此其結(jié)構(gòu)
2018-01-25 11:27:53
單極型晶體管也稱場(chǎng)效應(yīng)管,簡(jiǎn)稱FET(FieldEffectTransistor)。它是一種電壓控制型器件,由輸入電壓產(chǎn)生的電場(chǎng)效應(yīng)來控制輸出電流的大小。它工作時(shí)只有一種載流子(多數(shù)載流子)參與
2020-06-24 16:00:16
請(qǐng)教:?jiǎn)谓Y(jié)晶體管在什么位置,有人說是UJT,但好象用不了呀?
2013-09-26 16:55:49
各位高手,小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管,按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真,大多數(shù)都不成功,請(qǐng)問誰有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊,可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽極的兩個(gè)二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態(tài)下,基極-發(fā)射極結(jié)(稱這個(gè)PN結(jié)為“發(fā)射結(jié)”)處于正向偏置狀態(tài),而基極-集電極(稱這個(gè)PN結(jié)為“集電結(jié)”)則處于反向偏置狀態(tài)。
2019-09-26 09:00:23
的第一個(gè)電路。 本文將展示四種晶體管開關(guān)電路,其中2種使用NMOS,2種使有PMOS。 在電路設(shè)計(jì)過程中,有時(shí)需要“獨(dú)立”控制幾個(gè)開關(guān)的通與斷。例如構(gòu)造某種波形。晶體管開關(guān)能夠?qū)崿F(xiàn)一些開關(guān)的通與斷不會(huì)
2016-08-30 01:01:44
。場(chǎng)效應(yīng)管的工作方式有兩種:當(dāng)柵壓為零時(shí)有較大漏極電流的稱為耗盡型;當(dāng)柵壓為零,漏極電流也為零,必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強(qiáng)型。場(chǎng)效應(yīng)晶體管作用是什么1、場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管
2019-05-08 09:26:37
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電,因此稱為雙極型晶體管,而FET
2021-05-24 06:27:18
場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管的比較(1)場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件,而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下,應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管;而在信號(hào)電壓較低,又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下,應(yīng)選用晶體管。(2
2009-04-25 15:43:51
)場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是即有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。(4)場(chǎng)效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多場(chǎng)效應(yīng)管集成在一塊硅片上,因此場(chǎng)效應(yīng)管
2018-11-05 17:16:04
。根據(jù)晶體管工作狀態(tài)的不同,電流放大系數(shù)又分為直流電流放大系數(shù)和交流電流放大系數(shù)。1.直流電流放大系數(shù)直流電流放大系數(shù)也稱靜態(tài)電流放大系數(shù)或直流放大倍數(shù),是指在靜態(tài)無變化信號(hào)輸入時(shí),晶體管集電極電流
2012-07-11 11:36:52
晶體管開關(guān)對(duì)電子產(chǎn)品至關(guān)重要。了解晶體管開關(guān),從其工作區(qū)域到更高級(jí)的特性和配置?! ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管開關(guān)對(duì)于低直流開/關(guān)開關(guān)的電子設(shè)備至關(guān)重要,其中晶體管在其截止或飽和狀態(tài)下工作。一些電子設(shè)備(如 LED
2023-02-20 16:35:09
本應(yīng)用指南介紹了一種采用后向設(shè)計(jì)的基本驅(qū)動(dòng)電路,它從輸出晶體管器件開始再返回到水平振蕩器,便于加速晶體管的水平輸出級(jí)。
2014-09-22 17:14:04
如何去判別晶體管材料與極性?如何去檢測(cè)晶體管的性能?怎樣去檢測(cè)特殊晶體管?
2021-05-13 07:23:57
什么是微波功率晶體管?如何提高微波功率晶體管可靠性?
2021-04-06 09:46:57
為了改善晶體管的開關(guān)特性,減小晶體管的損耗,在晶體管基極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)上會(huì)采取一些加速措施。如下: 加速電路一 在加速電路一中,并聯(lián)在RB兩端的電容CB稱為加速電容,數(shù)值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
來至網(wǎng)友的提問:如何選擇分立晶體管?
2023-11-24 08:16:54
使晶體管工作會(huì)產(chǎn)生電氣負(fù)載和熱負(fù)載。對(duì)晶體管來講,負(fù)載太大壽命會(huì)縮短,最壞的情況下會(huì)導(dǎo)致晶體管被破壞。為防止這種情況,需要檢查實(shí)際使用狀態(tài),并確認(rèn)在使用上是否有問題。這里說明一下具體的判定方法。為
2019-05-05 09:27:01
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻,它們?cè)谛吞?hào)上的大致區(qū)別是什么?例如《晶體管電路設(shè)計(jì)》中列舉的:高頻(2SA****,2SC*****)、低頻(2SB****,2SD****)?,F(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中最常用的型號(hào)是哪些?
2017-10-11 23:53:40
bandgap中晶體管的熱噪聲比較大,通過什么手段能解決?
2021-06-24 07:29:25
)條件下,數(shù)字晶體管中流過的電流值定義為IO。如您所知,絕對(duì)最大額定值被定義為"不能同時(shí)提供2項(xiàng)以上",僅用IC標(biāo)記沒有問題,但結(jié)合客戶實(shí)際使用狀態(tài),合并標(biāo)記為IO。因此電路設(shè)計(jì)
2019-04-22 05:39:52
額定值,在不超過VIN(max)條件下,數(shù)字晶體管中流過的電流值定義為IO。如您所知,絕對(duì)最大額定值被定義為"不能同時(shí)提供2項(xiàng)以上",僅用IC標(biāo)記沒有問題,但結(jié)合客戶實(shí)際使用狀態(tài),合并
2019-04-09 21:49:36
電容在波形上升、下降時(shí)基極電流變大,加速開關(guān)過程。在實(shí)際當(dāng)中晶體管由截止狀態(tài)到導(dǎo)通狀態(tài)的時(shí)間也縮短了,仿真的結(jié)果稍有偏差。在實(shí)際應(yīng)用中,加速電容的值要通過觀察開關(guān)波形來決定。加速電容是一種與減小R1值
2023-02-09 15:48:33
晶體管的代表形狀晶體管分類圖:按照該分類,掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類,分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi(2個(gè))、極是指Polar(極性)。雙極晶體管,即流經(jīng)構(gòu)成
2019-05-05 01:31:57
勵(lì)磁電流ILM開始在死區(qū)時(shí)間內(nèi)對(duì)低側(cè)晶體管的輸出電容放電。在狀態(tài)2時(shí),寄生輸出電容完全放電,GaN功率晶體管通過2DEG通道從源極到漏極以第三象限工作。至于Si和SiC MOSFET,有一個(gè)固有的雙極
2023-02-27 09:37:29
求51單片機(jī) STC89c526個(gè)晶體管問題按下鍵1 晶體管1閃爍 鍵2+,鍵3-,鍵4修改鬧鐘時(shí)間,再按鍵1 晶體管2閃爍 鍵2+,鍵3-,鍵4修改鬧鐘時(shí)間,以此類推。求大神幫助
2017-03-12 19:59:39
的形式顯示在屏幕上,從而為設(shè)計(jì)人員設(shè)計(jì)工作電路提供可靠的依據(jù)。由于晶體管特性曲線描繪儀只在專門的設(shè)計(jì)單位才有,下面介紹一種可以附加在普通示波器上使用的自制儀器,用它也可以觀察到晶體管的特性曲線,電路組成
2008-07-25 13:34:04
電子產(chǎn)品中,近年來逐漸被晶體管和集成電路所取代,但目前在一些高保真音響器材中,仍然使用電子管作為音頻功率放大器件?! 《?b class="flag-6" style="color: red">晶體管是一種固體半導(dǎo)體器件,可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多
2016-01-26 16:52:08
絕緣柵雙極晶體管IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管。一.絕緣柵雙極晶體管IGBT的工作原理: 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)分析略。本講義附加了相關(guān)資料,供感興趣
2009-05-12 20:44:23
或 MOSFET 相比,絕緣柵雙極性晶體管器件的優(yōu)勢(shì)在于,它比標(biāo)準(zhǔn)雙極型晶體管提供了更大的功率增益,并且具有更高的電壓工作和更低的 MOSFET 輸入損耗。實(shí)際上,它是一種集成了雙極性晶體管的達(dá)靈頓
2022-04-29 10:55:25
來至網(wǎng)友的提問:如何選擇分立晶體管?
2018-12-12 09:07:55
`作者:Mountain 畢業(yè)于燕山大學(xué),獲學(xué)士學(xué)位。工作5年多,一直從事醫(yī)療檢測(cè)及分析儀器設(shè)備相關(guān)的硬件電路設(shè)計(jì)工作。最初接到李老師的邀請(qǐng)要寫一篇晶體管使用心得的時(shí)候,內(nèi)心著實(shí)惶恐了一陣,畢竟
2016-06-03 18:29:59
這個(gè)達(dá)林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
工作于開關(guān)狀態(tài)的晶體管由于電流變化率di/dt和電壓變化率dv/dt而產(chǎn)生瞬態(tài)過電流和瞬態(tài)過電壓,這種現(xiàn)象稱為電應(yīng)力。電應(yīng)力的本質(zhì)是瞬時(shí)功耗的集中。這種電壓和電流過沖形成的尖峰和毛刺,很容易
2020-11-26 17:26:39
晶體管是一種半導(dǎo)體器件,它的工作狀態(tài)通常是通過觀察電路中電壓和電流的變化來判斷的。下面介紹幾種常用的判斷晶體管工作狀態(tài)的方法:
2023-06-03 09:42:493857 晶體管是一種重要的電子元件,廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代電子設(shè)備中。它的工作狀態(tài)可以分為三種,包括截止狀態(tài)、放大狀態(tài)和飽和狀態(tài)。
2023-08-04 09:46:211055 晶體管的三種工作狀態(tài)是什么 晶體管,又稱為晶體管放大器,是一種電子器件,它可以放大電流或?qū)﹄娏鬟M(jìn)行開關(guān)控制。晶體管作為現(xiàn)代電子設(shè)備的重要組成部分,廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、智能手機(jī)、電子游戲機(jī)、音頻和視頻
2023-08-25 15:29:424372 如何判別電路中晶體管的工作狀態(tài)?? 晶體管(Transistor)是一種電子元件,它可以將電流轉(zhuǎn)換成電壓或?qū)㈦妷恨D(zhuǎn)換成電流。晶體管通過對(duì)半導(dǎo)體材料的摻雜來形成PN結(jié),利用摻雜產(chǎn)生的電勢(shì)差控制電流
2023-09-17 09:43:213544 晶體管是一種半導(dǎo)體器件,它具有放大和開關(guān)功能。在電子電路中,晶體管的應(yīng)用非常廣泛,可以說是現(xiàn)代電子設(shè)備的核心元件之一。晶體管的工作狀態(tài)主要有三種:截止狀態(tài)、放大狀態(tài)和飽和狀態(tài)。下面我們來詳細(xì)了解一下
2024-01-03 15:08:26699 晶體管的三種工作狀態(tài)及其特點(diǎn)? 晶體管是一種半導(dǎo)體器件,常用于電子電路中作為放大器、開關(guān)等功能的實(shí)現(xiàn)。晶體管具有三種基本的工作狀態(tài),包括截止狀態(tài)、飽和狀態(tài)和放大狀態(tài)。 截止狀態(tài)是指在晶體管的輸入電壓
2024-02-02 17:06:12516
評(píng)論
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