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氮化鎵和砷化鎵的區(qū)別 氮化鎵和砷化鎵優(yōu)缺點分析

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CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產(chǎn)品相比,這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或
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`Cree的CGHV96100F2是氮化(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)在碳化硅(SiC)基板上。 該GaN內(nèi)部匹配(IM)FET與其他技術(shù)相比,具有出色的功率附加效率。 氮化與硅或
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ETA80G25氮化合封芯片支持90-264V輸入,支持27W功率輸出

深圳市尊信電子技術(shù)有限公司專業(yè)開發(fā)設(shè)計電子產(chǎn)品方案鈺泰,智融,賽芯微一級代理吉娜:*** 微信:mphanfan歡迎行業(yè)客戶聯(lián)系,獲取datasheet、報價、樣片等更多產(chǎn)品信息氮化技術(shù)的普及,使
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IFWS 2018:氮化功率電子器件技術(shù)分會在深圳召開

襯底上GaN基外延材料生長及雜質(zhì)缺陷研究的成果,首次提供了在C摻雜半絕緣氮化中取代C原子占據(jù)N位點的明確證據(jù)。中科院半導(dǎo)體所張翔帶來了關(guān)于石墨烯提升氮化鋁核以及高質(zhì)量氮化鋁薄膜外延層的報告,分享了該
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2021-03-30 11:14:59

SGN2729-600H-R氮化晶體管

)1.1脈沖條件脈沖寬度:120μsec,占空比10%筆記Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化晶體管SGN1214-220H-R氮化晶體管
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TGF2040晶體管

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TGF2160晶體管產(chǎn)品介紹TGF2160報價TGF2160代理TGF2160咨詢熱線TGF2160現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司. TGF2160離散的1600微米pHEMT由DC至
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aN2 Pro氮化充電器的選購過程和使用

由于換了三星手機,之前的充電器都不支持快充了,一直想找一款手機電腦都能用的快充充電器,「倍思GaN2 Pro氮化充電器」就是這樣一款能滿足我的充電器,這篇文章就來說下這款充電器的選購過程
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為什么氮化(GaN)很重要?

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為什么氮化比硅更好?

。 在器件層面,根據(jù)實際情況而言,歸一導(dǎo)通電阻(RDS(ON))和柵極電荷(QG)乘積得出的優(yōu)值系數(shù),氮化比硅好 5 倍到 20 倍。通過采用更小的晶體管和更短的電流路徑,氮化充電器將能實現(xiàn)了
2023-06-15 15:53:16

為何碳化硅比氮化更早用于耐高壓應(yīng)用呢?

V,并且氮化耐電壓小于1000 V。正是由于這些區(qū)別,使得功率半導(dǎo)體廠商與研究開發(fā)廠商之間產(chǎn)生了一種“無聲的默契”。但是,以上所說的改變是非常有可能的。因為氮化可以極大地減少晶片的缺陷(錯位)密度
2023-02-23 15:46:22

什么是氮化功率芯片?

氮化(GaN)功率芯片,將多種電力電子器件整合到一個氮化芯片上,能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中,氮化功率芯片,能令先進的電源轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),從學(xué)術(shù)概念和理論達(dá)到
2023-06-15 14:17:56

什么是氮化功率芯片?

通過SMT封裝,GaNFast? 氮化功率芯片實現(xiàn)氮化器件、驅(qū)動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
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什么是氮化技術(shù)

兩年多前,德州儀器宣布推出首款600V氮化(GaN)功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率,且易于設(shè)計,帶集成柵極驅(qū)動和穩(wěn)健的器件保護。從那時起,我們就致力于利用這項尖端技術(shù)將功率級
2020-10-27 09:28:22

什么是氮化(GaN)?

氮化南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場多年,無論是吊打碳化硅,還是PK。氮化憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì),確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03

什么是氮化(GaN)?

氮化,由(原子序數(shù) 31)和氮(原子序數(shù) 7)結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶,是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量,氮化的禁帶寬度為 3.4eV,是硅
2023-06-15 15:41:16

什么阻礙氮化器件的發(fā)展

=rgb(51, 51, 51) !important]射頻氮化技術(shù)是5G的絕配,基站功放使用氮化氮化(GaN)、(GaAs)和磷化銦(InP)是射頻應(yīng)用中常用的半導(dǎo)體材料。[color
2019-07-08 04:20:32

傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化(GaN)

圖片所示,列出了幾個廠家,基本上都是歐美的。國產(chǎn)有哪些品牌也在做?3.硅、碳化硅、氮化這三種材料其實是各有優(yōu)缺點,傳統(tǒng)的硅組件不一定都是缺點。他們?nèi)g有哪些優(yōu)缺點呢?(百度的東西不夠系統(tǒng)全面,都是很散的回復(fù),而且有些論文羅里吧嗦講了很多,沒說重點,不夠簡潔)
2021-09-23 15:02:11

光隔離探頭應(yīng)用場景之—— 助力氮化(GaN)原廠FAE解決客戶問題

客戶測試后再進行下一步溝通。作為光隔離探頭的提供方,麥科信工程師對測試過程提供了技術(shù)支持。測試背景:3C消費類產(chǎn)品,其電源采用氮化(GaN)半橋方案。測試目的:氮化半橋上下管的Vgs及Vds,分析
2023-02-01 14:52:03

基于氮化IC的150W高效率高功率密度適配器設(shè)計

高頻150W PFC-LLC與GaN功率ic(氮化)
2023-06-19 08:36:25

如何使用二極管降低高功率LLC轉(zhuǎn)換器的成本?

  功率二極管是寬帶隙半導(dǎo)體器件,其性能僅為碳化硅(SiC)的70%左右。本文對10kW LLC轉(zhuǎn)換器中GaAs、SiC和超快硅二極管的性能進行基準(zhǔn)測試,該轉(zhuǎn)換器也常用于高效電動汽車充電
2023-02-21 16:27:41

如何學(xué)習(xí)氮化電源設(shè)計從入門到精通?

和優(yōu)化、EMC優(yōu)化和整改技巧、可靠性評估和分析。第一步:元器件選型對于工程師來說,GaN元器件相較于傳統(tǒng)的MOSFET而言有很多不同和優(yōu)勢,但在設(shè)計上也帶來一定挑戰(zhàn)。課程從硅、、碳化硅、氮化
2020-11-18 06:30:50

如何完整地設(shè)計一個高效氮化電源?

如何帶工程師完整地設(shè)計一個高效氮化電源,包括元器件選型、電路設(shè)計和PCB布線、電路測試和優(yōu)化技巧、磁性元器件的設(shè)計和優(yōu)化、環(huán)路分析和優(yōu)化、能效分析和優(yōu)化、EMC優(yōu)化和整改技巧、可靠性評估和分析
2021-06-17 06:06:23

如何實現(xiàn)氮化的可靠運行

我經(jīng)常感到奇怪,我們的行業(yè)為什么不在加快氮化 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度;畢竟,大潮之下,沒人能獨善其身。每年,我們都看到市場預(yù)測的前景不太令人滿意。但通過共同努力,我們就能
2022-11-16 06:43:23

如何實現(xiàn)小米氮化充電器

如何實現(xiàn)小米氮化充電器是一個c to c 的一個充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口,但這個口不可以充電,它是用來轉(zhuǎn)VGA,HDMI,DP之類了,可以外接顯示器,拓展塢之類的。要用氮化
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如何用集成驅(qū)動器優(yōu)化氮化性能

導(dǎo)讀:將GaN FET與它們的驅(qū)動器集成在一起可以改進開關(guān)性能,并且能夠簡化基于GaN的功率級設(shè)計。氮化 (GaN) 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多,從而有可能實現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而,當(dāng)
2022-11-16 06:23:29

如何設(shè)計GaN氮化 PD充電器產(chǎn)品?

如何設(shè)計GaN氮化 PD充電器產(chǎn)品?
2021-06-15 06:30:55

實現(xiàn)更小、更輕、更平穩(wěn)的電機驅(qū)動器的氮化器件

的性能已接近理論極限[1-2],而且市場對更高功率密度的需求日益增加。氮化(GaN)晶體管和IC具有優(yōu)越特性,可以滿足這些需求。 氮化器件具備卓越的開關(guān)性能,有助消除死區(qū)時間且增加PWM頻率,從而
2023-06-25 13:58:54

射頻從業(yè)者必看,全球最大的晶圓代工龍頭解讀

廠商大放異彩。其中晶圓代工龍頭穩(wěn)懋就是最大的受益者。 穩(wěn)懋:全球最大的晶圓代工龍頭 穩(wěn)懋成立于1999年10月,是亞洲首座以六吋晶圓生產(chǎn)微波通訊芯片的晶圓制造商,自2010年為全球最大
2019-05-27 09:17:13

將低壓氮化應(yīng)用在了手機內(nèi)部電路

OPPO公司分享了這一應(yīng)用的優(yōu)勢,一顆氮化可以代替兩顆硅MOS,體積更小、更節(jié)省空間,且阻抗比單顆硅MOS更低,可降低在此路徑上的熱量消耗,降低充電溫升,提升充電的恒流持續(xù)時間。不僅如此,氮化
2023-02-21 16:13:41

展嶸電子助力布局氮化適配器方案攜手智融SW351X次級協(xié)議45W69W87W成熟方案保駕護航

替換的插腳。從產(chǎn)品類型來看,電商品牌的氮化充電器呈現(xiàn)了多元的發(fā)展,功率涵蓋30W、45W、65W、100W等多個級別,接口涵蓋單C口、雙C口、2C1A、2C2A、3C1A等多種配置,產(chǎn)品
2021-04-16 09:33:21

微波射頻能量:工業(yè)加熱和干燥用氮化

氮化(GaN)和射頻(RF)能量應(yīng)用為工業(yè)市場帶來重大變革。以前分享過氮化如何改變烹飪、等離子體照明和醫(yī)療過程,接下來在日常生活中的射頻能量系列中分享下氮化如何用于工業(yè)加熱和干燥。從工業(yè)角度
2018-01-18 10:56:28

支持瓦特到千瓦級應(yīng)用的氮化技術(shù)介紹

兩年多前,德州儀器宣布推出首款600V氮化(GaN)功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率,且易于設(shè)計,帶集成柵極驅(qū)動和穩(wěn)健的器件保護。從那時起,我們就致力于利用這項尖端技術(shù)將功率級
2022-11-10 06:36:09

有關(guān)氮化半導(dǎo)體的常見錯誤觀念

導(dǎo)致振鈴和過沖,從而增加EMI和電路故障的風(fēng)險。然而,實現(xiàn)最小的寄生電感很簡單,只需采用氮化技術(shù)。與基于MOSFET的最佳設(shè)計相比,如果能夠正確采用氮化電路來設(shè)計解決方案,它具有更少的EMI和過
2023-06-25 14:17:47

求助,請問半橋上管氮化這樣的開爾文連接正確嗎?

請問半橋上管氮化這樣的開爾文連接正確嗎?
2024-01-11 07:23:47

硅基氮化與LDMOS相比有什么優(yōu)勢?

射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來,橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今,這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變,硅基氮化(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34

硅基氮化在大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)

日前,在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術(shù)及設(shè)備材料最新趨勢專場中,晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢博士向與會者做了題為“硅襯底氮化大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)”的報告,與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55

納微集成氮化電源解決方案和應(yīng)用

納微集成氮化電源解決方案及應(yīng)用
2023-06-19 11:10:07

請問氮化GaN是什么?

氮化GaN是什么?
2021-06-16 08:03:56

請問candence Spice能做氮化器件建模嗎?

candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎?然后提取參數(shù)想基于candence model editor進行氮化器件的建模,有可能實現(xiàn)嗎?求教ICCAP軟件呢?
2019-11-29 16:04:02

請問一下VGA應(yīng)用中硅器件注定要改變一統(tǒng)的局面?

請問一下VGA應(yīng)用中硅器件注定要改變一統(tǒng)的局面?
2021-05-21 07:05:36

誰發(fā)明了氮化功率芯片?

雖然低電壓氮化功率芯片的學(xué)術(shù)研究,始于 2009 年左右的香港科技大學(xué),但強大的高壓氮化功率芯片平臺的量產(chǎn),則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08

迄今為止最堅固耐用的晶體管—氮化器件

了類似高電子遷移率晶體管(HEMT)的氧化。這類器件通常由(GaAs)或氮化制成,是手機和衛(wèi)星電視接收器的重要射頻支柱。這類器件不是通過體半導(dǎo)體的摻雜溝道導(dǎo)電,而是通過在兩個帶隙不同的半導(dǎo)體
2023-02-27 15:46:36

紅外探測器外延片

各位大神,目前國內(nèi)賣銦紅外探測器的有不少,知道銦等III-V族化合物外延片都是哪些公司生產(chǎn)的嗎,坐等答案
2013-06-04 17:22:07

高壓氮化的未來分析

就可以實現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創(chuàng)性的氮化 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動器解決方案,相對于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù),創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26

高壓氮化的未來是怎么樣的

就可以實現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創(chuàng)性的氮化 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動器解決方案,相對于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù),創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50

用于電動摩托 + Si混合可編程線性霍爾IC-GS302SA-3

鈞敏科技發(fā)布于 2023-06-06 10:26:33

氮化測試

氮化
jf_00834201發(fā)布于 2023-07-13 22:03:24

半導(dǎo)體的未來超級英雄:氮化和碳化硅的奇幻之旅

半導(dǎo)體氮化
北京中科同志科技股份有限公司發(fā)布于 2023-08-29 09:37:38

#氮化 #英飛凌 8.3億美元!英飛凌完成收購氮化系統(tǒng)公司 (GaN Systems)

半導(dǎo)體氮化
深圳市浮思特科技有限公司發(fā)布于 2023-10-25 16:11:22

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