65W氮化鎵電源原理圖
2022-10-04 22:09:30
氧化鎵是一種新型超寬禁帶半導(dǎo)體材料,是被國際普遍關(guān)注并認(rèn)可已開啟產(chǎn)業(yè)化的第四代半導(dǎo)體材料。與碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體相比,氧化鎵的禁帶寬度遠(yuǎn)高于后兩者,其禁帶寬度達(dá)到4.9eV,高于碳化硅
2023-03-15 11:09:59
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19
的存在。1875年,德布瓦博德蘭(Paul-émile Lecoq de Boisbaudran)在巴黎被發(fā)現(xiàn)鎵,并以他祖國法國的拉丁語 Gallia (高盧)為這種元素命名它。純氮化鎵的熔點只有30
2023-06-15 15:50:54
的PowiGaN方案具有高集成度、易于工廠開發(fā)的特點;納微半導(dǎo)體的GaNFast方案則可以通過高頻實現(xiàn)充電器的小型化和高效率(小米65W也是采用此方案)。對于氮化鎵快充普及浪潮的來臨,各大主流電商及電源廠
2020-03-18 22:34:23
的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術(shù)有望大幅改進電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計到2030年,電力電子領(lǐng)域?qū)⒐芾泶蠹s80%的能源,而2005年這一比例僅為30%1。這相當(dāng)于30億千瓦時以上
2020-11-03 08:59:19
的選擇?! ∩罡h(huán)?! 榱舜蚱瞥杀竞痛笠?guī)模采用周期,一種新型功率半導(dǎo)體技術(shù)需要解決最引人注目應(yīng)用中現(xiàn)有設(shè)備的一些缺點。氮化鎵為功率調(diào)節(jié)的發(fā)展創(chuàng)造了機會,使其在高電壓應(yīng)用中的貢獻(xiàn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超越硅材料。用于
2018-11-20 10:56:25
在所有電力電子應(yīng)用中,功率密度是關(guān)鍵指標(biāo)之一,這主要由更高能效和更高開關(guān)頻率驅(qū)動。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限,設(shè)計工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵(GaN)來提供方案。
2020-10-28 06:01:23
技術(shù)迭代。2018 年,氮化鎵技術(shù)走出實驗室,正式運用到充電器領(lǐng)域,讓大功率充電器迅速小型化,體積僅有傳統(tǒng)硅(Si)功率器件充電器一半大小,氮化鎵快充帶來了充電器行業(yè)變革。但作為新技術(shù),當(dāng)時氮化鎵
2022-06-14 11:11:16
現(xiàn)在越來越多充電器開始換成氮化鎵充電器了,氮化鎵充電器看起來很小,但是功率一般很大,可以給手機平板,甚至筆記本電腦充電。那么氮化鎵到底是什么,氮化鎵充電器有哪些優(yōu)點,下文簡單做個分析。一、氮化鎵
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
橋式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中放大了氮化鎵的頻率、密度和效率優(yōu)勢,如主動有源鉗位反激式(ACF)、圖騰柱PFC 和 LLC(CrCM 工作模式)。隨著硬開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)向軟開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變,初級 FET 的一般損耗方程可以被最小化。更新后的簡單方程使效率在 10 倍的高頻率下得到改善。
2023-06-15 15:35:02
更?。篏aNFast? 功率芯片,可實現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度,其尺寸和重量只有前者的一半,并且在能量節(jié)約方面,它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快:氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計使其非常
2023-06-15 15:32:41
。氮化鎵的性能優(yōu)勢曾經(jīng)一度因高成本而被抵消。最近,氮化鎵憑借在硅基氮化鎵技術(shù)、供應(yīng)鏈優(yōu)化、器件封裝技術(shù)以及制造效率方面的突出進步成功脫穎而出,成為大多數(shù)射頻應(yīng)用中可替代砷化鎵和 LDMOS 的最具成本
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化鎵場效應(yīng)晶體管并配合LM5113半橋驅(qū)動器可容易地實現(xiàn)的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
從將PC適配器的尺寸減半,到為并網(wǎng)應(yīng)用創(chuàng)建高效、緊湊的10 kW轉(zhuǎn)換,德州儀器為您的設(shè)計提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產(chǎn)品的額定電壓為600 V,提供從低功率適配器到超過2 kW設(shè)計的各類解決方案。
2019-08-01 07:38:40
封裝技術(shù)的效率。三維散熱是GaN封裝的一個很有前景的選擇。
生活更環(huán)保
為了打破成本和大規(guī)模采用周期,一種新型功率半導(dǎo)體技術(shù)需要解決最引人注目應(yīng)用中現(xiàn)有設(shè)備的一些缺點。氮化鎵為功率調(diào)節(jié)的發(fā)展創(chuàng)造了機會
2019-03-14 06:45:11
激光器是20世紀(jì)四大發(fā)明之一,半導(dǎo)體激光器是采用半導(dǎo)體芯片加工工藝制備的激光器,具有體積小、成本低、壽命長等優(yōu)勢,是應(yīng)用最多的激光器類別。氮化鎵激光器(LD)是重要的光電子器件,基于GaN材料
2020-11-27 16:32:53
氮化鎵電源設(shè)計從入門到精通,這個系列直播共分為八講,本篇第六講將為您介紹EMC優(yōu)化和整改技巧,助您完成電源工程師從入門到精通的蛻變。前期回顧(點擊下方內(nèi)容查看上期直播):- 第一講:元器件選型
2021-12-29 06:31:58
和意法半導(dǎo)體今天聯(lián)合宣布將硅基氮化鎵技術(shù)引入主流射頻市場和應(yīng)用領(lǐng)域的計劃,這標(biāo)志著氮化鎵供應(yīng)鏈生態(tài)系統(tǒng)的重要轉(zhuǎn)折點,未來會將MACOM的射頻半導(dǎo)體技術(shù)實力與ST在硅晶圓制造方面的規(guī)模化和出色運營完美結(jié)合
2018-08-17 09:49:42
GaN如何實現(xiàn)快速開關(guān)?氮化鎵能否實現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計?
2021-06-17 10:56:45
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵(GaN)是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。 當(dāng)用于電源時,GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
高壓硅二極管具有低正向傳導(dǎo)壓降,但由于其反向恢復(fù)行為,會在功率轉(zhuǎn)換器中造成顯著的動態(tài)損耗。與硅相比,SiC二極管的反向恢復(fù)行為可以忽略不計,但確實表現(xiàn)出更高的體電容和更大的正向傳導(dǎo)降。由于砷化鎵技術(shù)
2023-02-22 17:13:39
砷化鎵銦微光顯微鏡(InGaAs)與微光顯微鏡(EMMI)其偵測原理相同,都是用來偵測故障點定位,尋找亮點、熱點(Hot Spot)的工具,其原理都是偵測電子-電洞結(jié)合與熱載子所激發(fā)出的光子。差別
2018-10-24 11:20:30
AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化鎵)的熱管理
2023-06-19 10:05:37
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產(chǎn)品相比,這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)在碳化硅(SiC)基板上。 該GaN內(nèi)部匹配(IM)FET與其他技術(shù)相比,具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化鎵(GaN)高電子遷移率基于晶體管(HEMT)的單片微波集成電路(MMIC)。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能,包括更高的擊穿電壓,更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
深圳市尊信電子技術(shù)有限公司專業(yè)開發(fā)設(shè)計電子產(chǎn)品方案鈺泰,智融,賽芯微一級代理吉娜:*** 微信:mphanfan歡迎行業(yè)客戶聯(lián)系,獲取datasheet、報價、樣片等更多產(chǎn)品信息氮化鎵技術(shù)的普及,使
2021-11-28 11:16:55
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢
2023-06-19 09:28:46
襯底上GaN基外延材料生長及雜質(zhì)缺陷研究的成果,首次提供了在C摻雜半絕緣氮化鎵中取代C原子占據(jù)N位點的明確證據(jù)。中科院半導(dǎo)體所張翔帶來了關(guān)于石墨烯提升氮化鋁核化以及高質(zhì)量氮化鋁薄膜外延層的報告,分享了該
2018-11-05 09:51:35
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 編輯
整合意法半導(dǎo)體的制造規(guī)模、供貨安全保障和電涌耐受能力與MACOM的硅上氮化鎵射頻功率技術(shù),瞄準(zhǔn)主流消費
2018-02-12 15:11:38
,尤其是2010年以后,MACOM開始通過頻繁收購來擴充產(chǎn)品線與進入新市場,如今的MACOM擁有包括氮化鎵(GaN)、硅鍺(SiGe)、磷化銦(InP)、CMOS、砷化鎵等技術(shù),共有40多條生產(chǎn)線
2017-09-04 15:02:41
多個方面都無法滿足要求。在基站端,由于對高功率的需求,氮化鎵(GaN)因其在耐高溫、優(yōu)異的高頻性能以及低導(dǎo)通損耗、高電流密度的物理特性,是目前最有希望的下一代通信基站功率放大器(PA)芯片材料。5G采用
2017-07-18 16:38:20
測試背景地點:國外某知名品牌半導(dǎo)體企業(yè),深圳氮化鎵實驗室測試對象:氮化鎵半橋快充測試原因:因高壓差分探頭測試半橋上管Vgs時會炸管,需要對半橋上管控制信號的具體參數(shù)進行摸底測試測試探頭:麥科信OIP
2023-01-12 09:54:23
)1.1脈沖條件脈沖寬度:120μsec,占空比10%筆記Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
)1.1脈沖條件脈沖寬度:120μsec,占空比10%筆記Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:24:16
功率增益13 dB的增益和55%的功率附加效率在1 dB壓縮。這種性能使tgf2040適合高效率的應(yīng)用。帶有氮化硅的保護層提供了環(huán)境魯棒性和劃痕保護級別。產(chǎn)品型號:TGF2040產(chǎn)品名稱:砷化鎵晶體管
2018-07-18 12:00:19
TGF2160砷化鎵晶體管產(chǎn)品介紹TGF2160報價TGF2160代理TGF2160咨詢熱線TGF2160現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司. TGF2160離散的1600微米pHEMT由DC至
2018-07-19 10:35:47
由于換了三星手機,之前的充電器都不支持快充了,一直想找一款手機電腦都能用的快充充電器,「倍思GaN2 Pro氮化鎵充電器」就是這樣一款能滿足我的充電器,這篇文章就來說下這款充電器的選購過程
2021-09-14 08:28:31
Canaccord Genuity預(yù)計,到2025年,電動汽車解決方案中每臺汽車的半導(dǎo)體構(gòu)成部分將增加50%或更多。本文將探討氮化鎵(GaN)電子器件,也涉及到一點碳化硅(SiC),在不增加汽車成本的條件下
2018-07-19 16:30:38
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯,增加。因為它與傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比,不僅性能優(yōu)異,應(yīng)用范圍廣泛,而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中,傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面,已經(jīng)達(dá)到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
。
在器件層面,根據(jù)實際情況而言,歸一化導(dǎo)通電阻(RDS(ON))和柵極電荷(QG)乘積得出的優(yōu)值系數(shù),氮化鎵比硅好 5 倍到 20 倍。通過采用更小的晶體管和更短的電流路徑,氮化鎵充電器將能實現(xiàn)了
2023-06-15 15:53:16
V,并且氮化鎵耐電壓小于1000 V。正是由于這些區(qū)別,使得功率半導(dǎo)體廠商與研究開發(fā)廠商之間產(chǎn)生了一種“無聲的默契”。但是,以上所說的改變是非常有可能的。因為氮化鎵可以極大地減少晶片的缺陷(錯位)密度
2023-02-23 15:46:22
氮化鎵(GaN)功率芯片,將多種電力電子器件整合到一個氮化鎵芯片上,能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中,氮化鎵功率芯片,能令先進的電源轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),從學(xué)術(shù)概念和理論達(dá)到
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝,GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
兩年多前,德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵(GaN)功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率,且易于設(shè)計,帶集成柵極驅(qū)動和穩(wěn)健的器件保護。從那時起,我們就致力于利用這項尖端技術(shù)將功率級
2020-10-27 09:28:22
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場多年,無論是吊打碳化硅,還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì),確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
氮化鎵,由鎵(原子序數(shù) 31)和氮(原子序數(shù) 7)結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶,是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量,氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV,是硅
2023-06-15 15:41:16
=rgb(51, 51, 51) !important]射頻氮化鎵技術(shù)是5G的絕配,基站功放使用氮化鎵。氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP)是射頻應(yīng)用中常用的半導(dǎo)體材料。[color
2019-07-08 04:20:32
圖片所示,列出了幾個廠家,基本上都是歐美的。國產(chǎn)有哪些品牌也在做?3.硅、碳化硅、氮化鎵這三種材料其實是各有優(yōu)缺點,傳統(tǒng)的硅組件不一定都是缺點。他們?nèi)g有哪些優(yōu)缺點呢?(百度的東西不夠系統(tǒng)全面,都是很散的回復(fù),而且有些論文羅里吧嗦講了很多,沒說重點,不夠簡潔)
2021-09-23 15:02:11
客戶測試后再進行下一步溝通。作為光隔離探頭的提供方,麥科信工程師對測試過程提供了技術(shù)支持。測試背景:3C消費類產(chǎn)品,其電源采用氮化鎵(GaN)半橋方案。測試目的:氮化鎵半橋上下管的Vgs及Vds,分析
2023-02-01 14:52:03
高頻150W PFC-LLC與GaN功率ic(氮化鎵)
2023-06-19 08:36:25
砷化鎵功率二極管是寬帶隙半導(dǎo)體器件,其性能僅為碳化硅(SiC)的70%左右。本文對10kW LLC轉(zhuǎn)換器中GaAs、SiC和超快硅二極管的性能進行基準(zhǔn)測試,該轉(zhuǎn)換器也常用于高效電動汽車充電
2023-02-21 16:27:41
和優(yōu)化、EMC優(yōu)化和整改技巧、可靠性評估和分析。第一步:元器件選型對于工程師來說,GaN元器件相較于傳統(tǒng)的MOSFET而言有很多不同和優(yōu)勢,但在設(shè)計上也帶來一定挑戰(zhàn)。課程從硅、砷化鎵、碳化硅、氮化鎵
2020-11-18 06:30:50
如何帶工程師完整地設(shè)計一個高效氮化鎵電源,包括元器件選型、電路設(shè)計和PCB布線、電路測試和優(yōu)化技巧、磁性元器件的設(shè)計和優(yōu)化、環(huán)路分析和優(yōu)化、能效分析和優(yōu)化、EMC優(yōu)化和整改技巧、可靠性評估和分析。
2021-06-17 06:06:23
我經(jīng)常感到奇怪,我們的行業(yè)為什么不在加快氮化鎵 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度;畢竟,大潮之下,沒人能獨善其身。每年,我們都看到市場預(yù)測的前景不太令人滿意。但通過共同努力,我們就能
2022-11-16 06:43:23
如何實現(xiàn)小米氮化鎵充電器是一個c to c 的一個充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口,但這個口不可以充電,它是用來轉(zhuǎn)VGA,HDMI,DP之類了,可以外接顯示器,拓展塢之類的。要用氮化鎵
2021-09-14 06:06:21
導(dǎo)讀:將GaN FET與它們的驅(qū)動器集成在一起可以改進開關(guān)性能,并且能夠簡化基于GaN的功率級設(shè)計。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多,從而有可能實現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而,當(dāng)
2022-11-16 06:23:29
如何設(shè)計GaN氮化鎵 PD充電器產(chǎn)品?
2021-06-15 06:30:55
的性能已接近理論極限[1-2],而且市場對更高功率密度的需求日益增加。氮化鎵(GaN)晶體管和IC具有優(yōu)越特性,可以滿足這些需求。
氮化鎵器件具備卓越的開關(guān)性能,有助消除死區(qū)時間且增加PWM頻率,從而
2023-06-25 13:58:54
廠商大放異彩。其中砷化鎵晶圓代工龍頭穩(wěn)懋就是最大的受益者。
穩(wěn)懋:全球最大的砷化鎵晶圓代工龍頭
穩(wěn)懋成立于1999年10月,是亞洲首座以六吋晶圓生產(chǎn)砷化鎵微波通訊芯片的晶圓制造商,自2010年為全球最大
2019-05-27 09:17:13
OPPO公司分享了這一應(yīng)用的優(yōu)勢,一顆氮化鎵可以代替兩顆硅MOS,體積更小、更節(jié)省空間,且阻抗比單顆硅MOS更低,可降低在此路徑上的熱量消耗,降低充電溫升,提升充電的恒流持續(xù)時間。不僅如此,氮化鎵有
2023-02-21 16:13:41
替換的插腳。從產(chǎn)品類型來看,電商品牌的氮化鎵充電器呈現(xiàn)了多元化的發(fā)展,功率涵蓋30W、45W、65W、100W等多個級別,接口涵蓋單C口、雙C口、2C1A、2C2A、3C1A等多種配置,產(chǎn)品
2021-04-16 09:33:21
氮化鎵(GaN)和射頻(RF)能量應(yīng)用為工業(yè)市場帶來重大變革。以前分享過氮化鎵如何改變烹飪、等離子體照明和醫(yī)療過程,接下來在日常生活中的射頻能量系列中分享下氮化鎵如何用于工業(yè)加熱和干燥。從工業(yè)角度
2018-01-18 10:56:28
兩年多前,德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵(GaN)功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率,且易于設(shè)計,帶集成柵極驅(qū)動和穩(wěn)健的器件保護。從那時起,我們就致力于利用這項尖端技術(shù)將功率級
2022-11-10 06:36:09
導(dǎo)致振鈴和過沖,從而增加EMI和電路故障的風(fēng)險。然而,實現(xiàn)最小化的寄生電感很簡單,只需采用氮化鎵技術(shù)。與基于MOSFET的最佳設(shè)計相比,如果能夠正確采用氮化鎵電路來設(shè)計解決方案,它具有更少的EMI和過
2023-06-25 14:17:47
請問半橋上管氮化鎵這樣的開爾文連接正確嗎?
2024-01-11 07:23:47
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來,橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今,這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變,硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
日前,在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術(shù)及設(shè)備材料最新趨勢專場中,晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢博士向與會者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”的報告,與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
納微集成氮化鎵電源解決方案及應(yīng)用
2023-06-19 11:10:07
氮化鎵GaN是什么?
2021-06-16 08:03:56
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎?然后提取參數(shù)想基于candence model editor進行氮化鎵器件的建模,有可能實現(xiàn)嗎?求教ICCAP軟件呢?
2019-11-29 16:04:02
請問一下VGA應(yīng)用中硅器件注定要改變砷化鎵一統(tǒng)的局面?
2021-05-21 07:05:36
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究,始于 2009 年左右的香港科技大學(xué),但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產(chǎn),則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
了類似高電子遷移率晶體管(HEMT)的氧化鎵。這類器件通常由砷化鎵(GaAs)或氮化鎵制成,是手機和衛(wèi)星電視接收器的重要射頻支柱。這類器件不是通過體半導(dǎo)體的摻雜溝道導(dǎo)電,而是通過在兩個帶隙不同的半導(dǎo)體
2023-02-27 15:46:36
各位大神,目前國內(nèi)賣銦鎵砷紅外探測器的有不少,知道銦鎵砷等III-V族化合物外延片都是哪些公司生產(chǎn)的嗎,坐等答案
2013-06-04 17:22:07
就可以實現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動器解決方案,相對于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù),創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
就可以實現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動器解決方案,相對于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù),創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
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