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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>大功率晶體管是什么器件_大功率晶體管優(yōu)缺點(diǎn)

大功率晶體管是什么器件_大功率晶體管優(yōu)缺點(diǎn)

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2012-06-04 10:58:28

大功率IGBT(雙極型晶體管),場(chǎng)效應(yīng)(Mosfet)測(cè)試

1200AC:脈沖恒流源50uS~300uSD:Vce測(cè)量精度2mVE:Vce測(cè)量范圍0~8VF:電腦圖形顯示界面G:被測(cè)量器件智能保護(hù)二:應(yīng)用范圍A:大功率IGBT(雙極型晶體管)B:大功率場(chǎng)效應(yīng)
2015-03-11 13:51:32

大功率PCB

有做大功率PCB板的朋友嗎,電流要200A左右
2016-08-19 10:56:56

大功率TVS與小功率TVS的區(qū)別

與小功率TVS管有何區(qū)別等等問(wèn)題。小編今天帶來(lái)的是大功率TVS方方面面知識(shí),一起來(lái)看看吧。何為大功率TVS二極?TVS二極,是一種新型高效電路保護(hù)器件,憑借快速響應(yīng)時(shí)間、大瞬態(tài)功率、低漏電
2018-09-27 17:36:26

大功率TVS二極和小功率TVS二極,有哪些區(qū)別?

一、PN結(jié):大功率TVS和小功率TVS兩者之間的PN結(jié)不一樣,大功率TVS二極管有很大的散熱片,而小功率TVS二極沒(méi)有;二、結(jié)電容:大功率TVS的結(jié)電容可高達(dá)上百pF;小功率TVS的結(jié)電容可以做到
2022-05-24 16:18:18

大功率短波

尋求有做過(guò)大功率短波項(xiàng)目的人員,27.12M40.68M等的大功率短波功率能達(dá)到二百瓦,主要涉及信號(hào)震蕩,選頻,放大,耦合,控制精度較高,需符合電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)要求YY0505有合作意向的聯(lián)系我***吳先生
2016-07-11 11:38:22

大功率達(dá)林頓的檢測(cè)

大功率達(dá)林頓的檢測(cè)  檢測(cè)大功率達(dá)林頓的方法與檢測(cè)普通達(dá)林頓基本相同。但由于大功率達(dá)林頓管內(nèi)部設(shè)置了V3、R1、R2等保護(hù)和泄放漏電流元件,所以在檢測(cè)量應(yīng)將這些元件對(duì)測(cè)量數(shù)據(jù)的影響加以區(qū)分
2012-06-04 10:53:34

晶體管性能的檢測(cè)

,發(fā)射極E接紅表筆;PNP的集電極C接紅表筆,發(fā)射極E接黑表筆。正常時(shí),鍺材料的小功率晶體管和中功率晶體管的電阻值一般大于10Kω(用R×100檔測(cè),電阻值大于2kΩ),鍺大功率晶體管的電阻值為1.5k
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晶體管晶圓芯片

供應(yīng)晶圓芯片,型號(hào)有: 可控硅, 中、大功率晶體管,13000系列晶體管,達(dá)林頓晶體管,高頻小信號(hào)晶體管,開關(guān)二極,肖特基二極,穩(wěn)壓二極等。有意都請(qǐng)聯(lián)系:沈女士***
2020-02-17 16:24:13

晶體管的分類與特征

的電流、電壓和應(yīng)用進(jìn)行分類。 下面以“功率器件”為主題,從眾多晶體管中選取功率類元器件展開說(shuō)明。其中,將以近年來(lái)控制大功率的應(yīng)用中廣為采用的MOSFET為主來(lái)展開。 先來(lái)看一下晶體管的分類與特征
2020-06-09 07:34:33

晶體管的分類與特征

題,從眾多晶體管中選取功率類元器件展開說(shuō)明。其中,將以近年來(lái)控制大功率的應(yīng)用中廣為采用的MOSFET為主來(lái)展開。首先是基礎(chǔ)性的內(nèi)容,來(lái)看一下晶體管的分類與特征。Si晶體管的分類Si晶體管的分類根據(jù)
2018-11-28 14:29:28

晶體管的開關(guān)作用有哪些?

控制大功率現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率,使用功率晶體管作為開關(guān)有很多優(yōu)點(diǎn),主要是;(1)容易關(guān)斷,所需要的輔助元器件少,(2)開關(guān)迅速,能在很高的頻率下工作,(3)可得到的器件耐壓范圍從
2018-10-25 16:01:51

晶體管的選用經(jīng)驗(yàn)

300V,一般可選用3DG182N、2SC2068、2SC2611、2SC2482等型號(hào)的晶體管。 3.行推動(dòng)的選用彩色電視機(jī)中使用的行推動(dòng),應(yīng)選用中、大功率的高頻晶體管。其耗散功率應(yīng)大于或等于10W
2012-01-28 11:27:38

IB0810M210功率晶體管

脈沖功率。 在沒(méi)有外部調(diào)諧的情況下,所有設(shè)備都在寬帶RF測(cè)試夾具中100%屏蔽了大信號(hào)RF參數(shù)。硅雙極匹配50歐姆210W輸出功率經(jīng)過(guò)100%大功率射頻測(cè)試C級(jí)操作IB0607S10功率晶體管
2021-04-01 10:07:29

IB0912M600是一種高功率脈沖晶體管器件

匹配50歐姆600W輸出功率經(jīng)過(guò)100%大功率射頻測(cè)試C級(jí)操作IB0810M100功率晶體管IB0810M12功率晶體管IB0810M210功率晶體管IB0810M50功率晶體管IB0912L200功率
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2021-04-01 10:29:42

IB2729M170大功率脈沖晶體管

`IB2729M170是專為S波段ATC雷達(dá)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的大功率脈沖晶體管,該系統(tǒng)工作在2.7-2.9 GHz的瞬時(shí)帶寬上。 在C類模式下工作時(shí),該通用基礎(chǔ)設(shè)備在100μs脈沖寬度和10%占空比的條件下
2021-04-01 09:48:36

IDM165L650是一種高功率脈沖晶體管

650W輸出功率經(jīng)過(guò)100%大功率射頻測(cè)試C級(jí)操作IGN3135L115功率晶體管IGN3135L12功率晶體管IGN3135M135功率晶體管IGN3135M250功率晶體管IGN5259M80R2功率
2021-04-01 10:03:31

IGBT在大功率斬波中問(wèn)題的應(yīng)用

大功率開關(guān)應(yīng)用的可靠性方面,晶閘管要優(yōu)于晶體管,這是半導(dǎo)體器件原理所決定的。目前,新型晶閘管的發(fā)展速度非常之快,目的是解決普通晶閘管存在無(wú)法門極關(guān)斷的缺點(diǎn),國(guó)外(目前僅有ABB公司)最新推出的TGO
2018-10-17 10:05:39

IGN2856S40是高功率脈沖晶體管

,裝在基于金屬的封裝中,并用陶瓷環(huán)氧樹脂蓋密封。GaN on SiC HEMT技術(shù)40W輸出功率AB類操作預(yù)先匹配的內(nèi)部阻抗經(jīng)過(guò)100%大功率射頻測(cè)試負(fù)柵極電壓/偏置排序IGN2731M5功率晶體管
2021-04-01 09:57:55

RF功率晶體管耐用性的三個(gè)電氣參數(shù)驗(yàn)證

能夠在高輸出功率電平下承受嚴(yán)苛的負(fù)載失配狀況而不降低性能或造成器件故障。當(dāng)晶體管工作在負(fù)載失配狀態(tài)下時(shí),它的輸出功率有很大一部分會(huì)被反射進(jìn)器件,此時(shí)功率必須在晶體管中耗散掉。但在比較不同耐用性的晶體管時(shí),重要的是檢查不同器件制造商達(dá)到其耐用性結(jié)果的條件,因?yàn)椴煌圃焐痰臏y(cè)試條件可能有很大變化。
2019-06-26 07:11:37

SiC-MOSFET功率晶體管的結(jié)構(gòu)與特征比較

SiC-DMOS的特性現(xiàn)狀是用橢圓圍起來(lái)的范圍。通過(guò)未來(lái)的發(fā)展,性能有望進(jìn)一步提升。從下一篇開始,將單獨(dú)介紹與SiC-MOSFET的比較。關(guān)鍵要點(diǎn):?功率晶體管的特征因材料和結(jié)構(gòu)而異。?在特性方面各有優(yōu)缺點(diǎn),但SiC-MOSFET在整體上具有優(yōu)異的特性。< 相關(guān)產(chǎn)品信息 >MOSFETSiC-DMOS
2018-11-30 11:35:30

[原創(chuàng)] 晶體管(transistor)

     晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能
2010-08-13 11:36:51

[原創(chuàng)]晶體管開關(guān)的作用

晶體管開關(guān)的作用控制大功率  現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率,使用功率晶體管作為開關(guān)有很多優(yōu)點(diǎn),主要是;  (1)容易關(guān)斷,所需要的輔助元器件少,  (2)開關(guān)迅速,能在很高的頻率下工
2010-08-13 11:38:59

什么是晶體管 晶體管的分類及主要參數(shù)

大于5W的晶體管稱為大功率晶體管。4.4 特性頻率(fT)當(dāng)晶體管的工作頻率超過(guò)截止頻率fβ或fα?xí)r,電流放大因子β會(huì)隨著頻率的增加而降低。特征頻率是晶體管β值降低到1的頻率。特征頻率小于或等于
2023-02-03 09:36:05

什么是RF功率晶體管耐用性驗(yàn)證方案?

目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配,即使在滿輸出電平時(shí)也是如此?,F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59

什么是達(dá)林頓晶體管?

。達(dá)林頓通常用于需要低頻高增益的地方。常見應(yīng)用包括音頻放大器輸出級(jí)、功率調(diào)節(jié)器、電機(jī)控制器和顯示驅(qū)動(dòng)器?! ∵_(dá)林頓晶體管也被稱為達(dá)林頓對(duì),由貝爾實(shí)驗(yàn)室的西德尼達(dá)林頓于 1953 年發(fā)明。在 1950
2023-02-16 18:19:11

關(guān)于PNP晶體管的常見問(wèn)題

PNP晶體管在哪里使用?放大電路采用PNP晶體管。達(dá)林頓對(duì)電路采用PNP晶體管。機(jī)器人應(yīng)用利用了PNP晶體管。PNP 晶體管用于控制大功率應(yīng)用中的電流。如何控制PNP晶體管?首先,為了接通PNP
2023-02-03 09:45:56

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的選用經(jīng)驗(yàn)分享

MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。所選場(chǎng)效應(yīng)晶體管的主要參數(shù)應(yīng)符合應(yīng)用電路的具體要求。小功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管應(yīng)注意輸入阻抗、低頻跨導(dǎo)、夾斷電壓(或開啟電壓)、擊穿電壓待參數(shù)。大功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管應(yīng)注意擊穿電壓、耗散功率
2021-05-13 07:10:20

場(chǎng)效應(yīng)是一種什么元件而晶體管是什么元件

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2012-07-11 11:36:52

基于MOS場(chǎng)效應(yīng)大功率寬頻帶線性射頻放大器設(shè)計(jì)概述

情況下,在HF~VHF頻段設(shè)計(jì)的寬帶射頻功放,采用場(chǎng)效應(yīng)(FET)設(shè)計(jì)要比使用常規(guī)功率晶體管設(shè)計(jì)方便簡(jiǎn)單,正是基于場(chǎng)效應(yīng)輸入阻抗比較高,且輸入阻抗相對(duì)頻率的變化不會(huì)有太大的偏差,易于阻抗匹配
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基本晶體管開關(guān)電路,使用晶體管開關(guān)的關(guān)鍵要點(diǎn)

)需要幾毫安才能上電,并且可以由邏輯門輸出驅(qū)動(dòng)。然而,螺線管、燈和電機(jī)等大功率電子設(shè)備比邏輯門電源需要更多的電力。輸入晶體管開關(guān)。  晶體管開關(guān)操作和操作區(qū)域  圖 1 中圖表上的藍(lán)色陰影區(qū)域表示飽和
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氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管對(duì)分分析哪個(gè)好?

本文討論了商用氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管相比在軟開關(guān)LLC諧振轉(zhuǎn)換器方面的優(yōu)勢(shì)。介紹隨著更高功率、更小尺寸和更高效率的明顯趨勢(shì),高頻 LLC 諧振轉(zhuǎn)換器是業(yè)內(nèi)隔離式
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2023-02-16 20:21:580

100V,6A PNP 大功率雙極晶體管-MJD42C

100 V、6 A PNP 大功率雙極晶體管-MJD42C
2023-02-16 20:29:070

100V,6A NPN 大功率雙極晶體管-MJD41C

100 V、6 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD41C
2023-02-16 20:29:210

50V,2A NPN 大功率雙極晶體管-MJD2873

50 V、2 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD2873
2023-02-16 20:44:110

45V,4A NPN 大功率雙極晶體管-MJD148

45 V、4 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD148
2023-02-16 20:44:240

80V,8A PNP 大功率雙極晶體管-MJD45H11A

80 V、8 A PNP 大功率雙極晶體管-MJD45H11A
2023-02-17 18:41:420

NPN/NPN大功率雙雙極晶體管-PHPT610035NK

NPN/NPN大功率雙雙極晶體管-PHPT610035NK
2023-02-17 19:08:240

100V,3A PNP 大功率雙極晶體管-MJD32CA

100 V、3 A PNP 大功率雙極晶體管-MJD32CA
2023-02-17 19:10:300

100V,3A NPN 大功率雙極晶體管-MJD31CA

100 V、3 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD31CA
2023-02-17 19:10:430

100V,3A NPN 大功率雙極晶體管-MJD31C

100 V、3 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD31C
2023-02-17 19:30:101

100V,3A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT61003NY

100 V、3 A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT61003NY
2023-02-17 19:34:120

NPN/PNP大功率雙雙極晶體管-PHPT610030NPK

NPN/PNP大功率雙雙極晶體管-PHPT610030NPK
2023-02-17 19:35:000

NPN/NPN大功率雙雙極晶體管-PHPT610030NK

NPN/NPN大功率雙雙極晶體管-PHPT610030NK
2023-02-17 19:35:190

100V,3A PNP 大功率雙極晶體管-MJD32C

100 V、3 A PNP 大功率雙極晶體管-MJD32C
2023-02-20 19:35:381

80V,8A PNP 大功率雙極晶體管-MJD45H11

80 V、8 A PNP 大功率雙極晶體管-MJD45H11
2023-02-20 19:37:390

80V,8A NPN 大功率雙極晶體管-MJD44H11A

80 V、8 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD44H11A
2023-02-20 19:37:500

80V,8A NPN 大功率雙極晶體管-MJD44H11

80 V、8 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD44H11
2023-02-20 19:38:021

60V,10A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT60610PY

60 V、10 A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT60610PY
2023-02-21 18:19:050

60V,10A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT60610NY

60 V、10 A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT60610NY
2023-02-21 18:19:170

40V,15A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT60415NY

40 V、15 A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT60415NY
2023-02-21 18:19:270

40V,15A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT60415PY

40 V、15 A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT60415PY
2023-02-21 18:19:410

100V,2A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT61002PYCLH

100 V、2 A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT61002PYCLH
2023-02-23 19:20:190

100V,3A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT61003PY

100 V、3A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT61003PY
2023-02-27 18:49:420

PNP/PNP匹配大功率雙雙極晶體管-PHPT610035PK

PNP/PNP匹配大功率雙雙極晶體管-PHPT610035PK
2023-02-27 18:50:020

PNP/PNP大功率雙雙極晶體管-PHPT610030PK

PNP/PNP大功率雙雙極晶體管-PHPT610030PK
2023-02-27 18:50:150

100V,2A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT61002PYC

100 V、2 A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT61002PYC
2023-02-27 18:50:310

100V、2A NPN大功率雙極晶體管-PHPT61002NYC

100V、2A NPN大功率雙極晶體管-PHPT61002NYC
2023-02-27 18:50:451

60V,6A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT60606PY

60 V、6 A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT60606PY
2023-02-27 18:50:560

60V,6A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT60606NY

60 V、6 A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT60606NY
2023-02-27 18:51:080

60V,3A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT60603PY

60 V、3 A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT60603PY
2023-02-27 18:51:280

60V、3A NPN大功率雙極晶體管-PHPT60603NY

60V、3A NPN大功率雙極晶體管-PHPT60603NY
2023-02-27 18:51:450

40V,6A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT60406PY

40 V、6 A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT60406PY
2023-02-27 18:52:010

40V,6A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT60406NY

40 V、6 A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT60406NY
2023-02-27 18:52:170

大功率晶體管優(yōu)缺點(diǎn)及輸出形式

大功率晶體管的放大倍數(shù)取決于其特定的設(shè)計(jì)和工作條件,因此不能一概而論。晶體管的放大倍數(shù)(即電流增益)通常定義為晶體管輸出電流與輸入電流之比,用β表示。β的大小受到晶體管的結(jié)構(gòu)、工作電流、溫度等因素
2023-03-01 14:06:592058

100V,10A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT61010PY

100 V、10 A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT61010PY
2023-03-02 23:13:570

100V,10A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT61010NY

100 V、10 A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT61010NY
2023-03-02 23:14:120

100V,6A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT61006PY

100 V、6 A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT61006PY
2023-03-02 23:14:270

100V,6A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT61006NY

100 V、6 A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT61006NY
2023-03-02 23:14:390

40V,10A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT60410PY

40 V、10 A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT60410PY
2023-03-02 23:14:570

40V,10A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT60410NY

40 V、10 A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT60410NY
2023-03-02 23:15:140

100V,2A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT61002NYCLH

100 V、2 A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT61002NYCLH
2023-03-03 19:27:250

LFPAK56中的 NXP 大功率雙極晶體管替代繼電器-AN11641

LFPAK56 中的 NXP 大功率雙極晶體管替代繼電器-AN11641
2023-03-03 19:59:430

大功率數(shù)字電源的優(yōu)缺點(diǎn)

大功率數(shù)字電源的優(yōu)缺點(diǎn) 一、引言 數(shù)字電源是一種能夠提供穩(wěn)定、可靠、高效、精確電壓與電流輸出的電源設(shè)備。數(shù)字電源分為低功率(小于100W)與大功率(大于100W)數(shù)字電源。本篇文章主要討論大功率數(shù)字
2023-10-16 16:25:11538

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