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基于氮化鎵器件的集成化技術(shù)詳解
- SiC(61351)
- 氮化鎵(114708)
- GaN(67132)
- 寄生電感(14443)
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集成化的Speaker Box設(shè)計(jì)
Smartpa應(yīng)用的需求，對(duì)于立體聲雙box的需求以及對(duì)天線、中殼等高度集成化需求等等，所有這些需求對(duì)Box的設(shè)計(jì)方案提出了更高的專業(yè)要求。 一個(gè)好的Box設(shè)計(jì)必然會(huì)對(duì)智能手機(jī)帶來(lái)更好的音頻性能以及更好的可靠性，而集成化的Box設(shè)計(jì)方
2018-06-05 09:32:27
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集成化信息化信號(hào)采集處理系統(tǒng)有哪些
信息化信號(hào)采集處理系統(tǒng)的基本概念、組成、應(yīng)用和發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行詳細(xì)闡述。 基本概念 集成化信息化信號(hào)采集處理系統(tǒng)是一種基于計(jì)算機(jī)技術(shù)、通信技術(shù)、傳感器技術(shù)等多種技術(shù)的綜合應(yīng)用系統(tǒng)。它通過(guò)將各種傳感器、信號(hào)處理設(shè)備
2023-12-14 11:19:17361
3612009汽車電子智能化集成化應(yīng)用技術(shù)研討會(huì)暨采購(gòu)配對(duì)會(huì)
和技術(shù)應(yīng)用水平，以及加強(qiáng)汽車節(jié)能低耗建設(shè)和保障安全系數(shù)等綜合指標(biāo)的完美結(jié)合，需要中外汽車整車企業(yè)，電子技術(shù)及零部件供應(yīng)商和元器件開(kāi)發(fā)精英的大力支持和積極應(yīng)對(duì)。 蓋世繼“汽車底盤(pán)電子化、集成化應(yīng)用技術(shù)
2009-08-19 11:40:42
氮化鎵: 歷史與未來(lái)
(86) ，因此在正常體溫下，它會(huì)在人的手中融化。
又過(guò)了65年，氮化鎵首次被人工合成。直到20世紀(jì)60年代，制造氮化鎵單晶薄膜的技術(shù)才得以出現(xiàn)。作為一種化合物，氮化鎵的熔點(diǎn)超過(guò)1600℃，比硅高
2023-06-15 15:50:54
氮化鎵技術(shù)在半導(dǎo)體行業(yè)中處于什么位置？
從將PC適配器的尺寸減半，到為并網(wǎng)應(yīng)用創(chuàng)建高效、緊湊的10 kW轉(zhuǎn)換，德州儀器為您的設(shè)計(jì)提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產(chǎn)品的額定電壓為600 V，提供從低功率適配器到超過(guò)2 kW設(shè)計(jì)的各類解決方案。
2019-08-01 07:38:40
氮化鎵技術(shù)推動(dòng)電源管理不斷革新
的數(shù)十億次的查詢，便可以獲得數(shù)十億千瓦時(shí)的能耗。
更有效地管理能源并占用更小空間，所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒(méi)有減弱。氮化鎵（GaN）等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年
2019-03-14 06:45:11
氮化鎵GaN 來(lái)到我們身邊竟如此的快
被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料的氮化鎵GaN。早期的氮化鎵材料被運(yùn)用到通信、軍工領(lǐng)域，隨著技術(shù)的進(jìn)步以及人們的需求，氮化鎵產(chǎn)品已經(jīng)走進(jìn)了我們生活中，尤其在充電器中的應(yīng)用逐步布局開(kāi)來(lái)，以下是采用了氮化鎵的快
2020-03-18 22:34:23
氮化鎵GaN技術(shù)促進(jìn)電源管理的發(fā)展
的挑戰(zhàn)絲毫沒(méi)有減弱。氮化鎵（GaN）等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年，電力電子領(lǐng)域?qū)⒐芾泶蠹s80％的能源，而2005年這一比例僅為30％1。這相當(dāng)于30億千瓦時(shí)以上
2020-11-03 08:59:19
氮化鎵GaN技術(shù)助力電源管理革新
結(jié)構(gòu)可以使用雙柵結(jié)構(gòu)控制電流。用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的矩陣轉(zhuǎn)換器可以通過(guò)利用雙向設(shè)備潛在地減少開(kāi)關(guān)的數(shù)量。此外，氮化鎵器件可以在比硅器件更高的溫度下工作，這使其成為許多熱門應(yīng)用(如集成電機(jī)驅(qū)動(dòng))的有吸引力的選擇
2018-11-20 10:56:25
氮化鎵一瓦已經(jīng)不足一元，并且順豐包郵？聯(lián)想發(fā)動(dòng)氮化鎵價(jià)格戰(zhàn)伊始。
技術(shù)迭代。2018 年，氮化鎵技術(shù)走出實(shí)驗(yàn)室，正式運(yùn)用到充電器領(lǐng)域，讓大功率充電器迅速小型化，體積僅有傳統(tǒng)硅（Si）功率器件充電器一半大小，氮化鎵快充帶來(lái)了充電器行業(yè)變革。但作為新技術(shù)，當(dāng)時(shí)氮化鎵
2022-06-14 11:11:16
氮化鎵充電器
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率芯片如何在高頻下實(shí)現(xiàn)更高的效率？
氮化鎵為單開(kāi)關(guān)電路準(zhǔn)諧振反激式帶來(lái)了低電荷（低電容）、低損耗的優(yōu)勢(shì)。和傳統(tǒng)慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開(kāi)關(guān)頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
氮化鎵功率芯片的優(yōu)勢(shì)
更?。篏aNFast? 功率芯片，可實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計(jì)使其非常
2023-06-15 15:32:41
氮化鎵發(fā)展評(píng)估
。氮化鎵的性能優(yōu)勢(shì)曾經(jīng)一度因高成本而被抵消。最近，氮化鎵憑借在硅基氮化鎵技術(shù)、供應(yīng)鏈優(yōu)化、器件封裝技術(shù)以及制造效率方面的突出進(jìn)步成功脫穎而出，成為大多數(shù)射頻應(yīng)用中可替代砷化鎵和 LDMOS 的最具成本
2017-08-15 17:47:34
氮化鎵激光器的技術(shù)難點(diǎn)和發(fā)展過(guò)程
激光器是20世紀(jì)四大發(fā)明之一，半導(dǎo)體激光器是采用半導(dǎo)體芯片加工工藝制備的激光器，具有體積小、成本低、壽命長(zhǎng)等優(yōu)勢(shì)，是應(yīng)用最多的激光器類別。氮化鎵激光器（LD）是重要的光電子器件，基于GaN材料
2020-11-27 16:32:53
氮化鎵的卓越表現(xiàn)：推動(dòng)主流射頻應(yīng)用實(shí)現(xiàn)規(guī)模化、供應(yīng)安全和快速應(yīng)對(duì)能力
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場(chǎng)格局近年發(fā)生了顯著變化。 數(shù)十年來(lái)，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si
2018-08-17 09:49:42
氮化鎵能否實(shí)現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計(jì)？
GaN如何實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)關(guān)？氮化鎵能否實(shí)現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計(jì)？
2021-06-17 10:56:45
氮化鎵芯片未來(lái)會(huì)取代硅芯片嗎？
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。 當(dāng)用于電源時(shí)，GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
集成氮化鎵直驅(qū)的高頻準(zhǔn)諧振模式反激控制器
電壓，可直接用于驅(qū)動(dòng)氮化鎵功率管；芯片工作于帶谷底鎖定功能的谷底開(kāi)啟模式，同時(shí)集成頻率抖動(dòng)功能以優(yōu)化 EMI 性能；當(dāng)負(fù)載降低時(shí)，芯片從 PFM 模式切換至 BURST 模式工作以優(yōu)化輕載效率，空載待機(jī)
2023-03-28 10:24:46
ETA80G25氮化鎵合封芯片支持90-264V輸入，支持27W功率輸出
集成在一顆芯片中。合封的設(shè)計(jì)消除了寄生參數(shù)導(dǎo)致的干擾，并充分簡(jiǎn)化了氮化鎵器件的應(yīng)用門檻，像傳統(tǒng)集成MOS的控制器一樣應(yīng)用，得到了很高的市場(chǎng)占有率。鈺泰半導(dǎo)體瞄準(zhǔn)小功率氮化鎵合封應(yīng)用的市場(chǎng)空白，推出
2021-11-28 11:16:55
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì)介紹
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì)
2023-06-19 09:28:46
IFWS 2018：氮化鎵功率電子器件技術(shù)分會(huì)在深圳召開(kāi)
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開(kāi)關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢(shì)，并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導(dǎo)體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、電動(dòng)機(jī)
2018-11-05 09:51:35
MACOM和意法半導(dǎo)體將硅上氮化鎵推入主流射頻市場(chǎng)和應(yīng)用
趕上甚至超過(guò)了成本昂貴的硅上氮化鎵產(chǎn)品的替代技術(shù)。我們期待這項(xiàng)合作讓這些GaN創(chuàng)新在硅供應(yīng)鏈內(nèi)結(jié)出碩果，最終服務(wù)于要求最高的客戶和應(yīng)用?！币夥ò雽?dǎo)體汽車與分立器件產(chǎn)品部總裁Marco Monti表示
2018-02-12 15:11:38
MACOM：硅基氮化鎵器件成本優(yōu)勢(shì)
可以做得更大，成長(zhǎng)周期更短。MACOM現(xiàn)在已經(jīng)在用8英寸晶圓生產(chǎn)氮化鎵器件，與很多仍然用4英寸設(shè)備生產(chǎn)碳化硅基氮化鎵的廠商不同。MACOM的氮化鎵技術(shù)用途廣泛，在雷達(dá)、軍事通信、無(wú)線和有線寬帶方面都有
2017-09-04 15:02:41
MACOM：適用于5G的半導(dǎo)體材料硅基氮化鎵（GaN）
的射頻器件越來(lái)越多，即便集成化仍然很難控制智能手機(jī)的成本。這跟功能機(jī)時(shí)代不同，我們可以將成本做到很低，在全球市場(chǎng)都能夠保證低價(jià)。但如果到了5G時(shí)代，需要的器件越來(lái)越多，價(jià)格越來(lái)越高。半導(dǎo)體材料硅基氮化鎵
2017-07-18 16:38:20
Micsig光隔離探頭實(shí)測(cè)案例——氮化鎵GaN半橋上管測(cè)試
系列光隔離探頭現(xiàn)場(chǎng)條件因該氮化鎵快充PCBA設(shè)計(jì)密度很高，阻容采用0402器件，只能采用不是最優(yōu)方案的同軸延長(zhǎng)線連接（通常推薦采用MCX母座連接，可最大限度減少引線誤差）?，F(xiàn)場(chǎng)連接圖如下：▲圖1：接線
2023-01-12 09:54:23
SGN2729-250H-R氮化鎵晶體管
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
SGN2729-600H-R氮化鎵晶體管
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:24:16
《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》氮化鎵發(fā)展技術(shù)
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：氮化鎵發(fā)展技術(shù)編號(hào)：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個(gè)芯片上集成多個(gè)
2021-07-06 09:38:20
【技術(shù)干貨】氮化鎵IC如何改變電動(dòng)汽車市場(chǎng)
Canaccord Genuity預(yù)計(jì)，到2025年，電動(dòng)汽車解決方案中每臺(tái)汽車的半導(dǎo)體構(gòu)成部分將增加50％或更多。本文將探討氮化鎵（GaN）電子器件，也涉及到一點(diǎn)碳化硅（SiC），在不增加汽車成本的條件下
2018-07-19 16:30:38
為什么氮化鎵(GaN)很重要？
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因?yàn)樗c傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比，不僅性能優(yōu)異，應(yīng)用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中，傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面，已經(jīng)達(dá)到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
為什么氮化鎵比硅更好？
度為1.1 eV，而氮化鎵的禁帶寬度為3.4 eV。由于寬禁帶材料具備高電場(chǎng)強(qiáng)度，耗盡區(qū)窄短，從而可以開(kāi)發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構(gòu)。例如，一個(gè)典型的650V橫向氮化鎵晶體管，可以支持超過(guò)800V
2023-06-15 15:53:16
什么是氮化鎵技術(shù)
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計(jì)，帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起，我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級(jí)
2020-10-27 09:28:22
什么是氮化鎵功率芯片？
eMode硅基氮化鎵技術(shù)，創(chuàng)造了專有的AllGaN?工藝設(shè)計(jì)套件（PDK），以實(shí)現(xiàn)集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅(qū)動(dòng)器，邏輯和保護(hù)功能于單芯片中。該芯片被封裝到行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的、低寄生電感、低成本的 5×6mm 或
2023-06-15 14:17:56
什么是氮化鎵功率芯片？
通過(guò)SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
什么是氮化鎵（GaN）？
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領(lǐng)先地位?！喝c(diǎn)半說(shuō)』經(jīng)多方專家指點(diǎn)查證，特推出“氮化鎵系列”，告訴大家什么是氮化鎵（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
什么是氮化鎵（GaN）？
的 3 倍多，所以說(shuō)氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
禁帶寬度決定了一種材料所能承受的電場(chǎng)。氮化鎵比傳統(tǒng)硅材料更大的禁帶寬度，使它具有非常細(xì)窄的耗盡區(qū)，從而可以開(kāi)發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構(gòu)。由于氮化
2023-06-15 15:41:16
什么阻礙氮化鎵器件的發(fā)展
帶寬更高，這一點(diǎn)很重要，載波聚合技術(shù)的使用以及準(zhǔn)備使用更高頻率的載波都是為了得到更大的帶寬。[color=rgb(51, 51, 51) !important]與硅或者其他器件相比，氮化鎵速度更快
2019-07-08 04:20:32
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
分光光度計(jì)系統(tǒng)集成化設(shè)計(jì)及研究
對(duì)分光光度計(jì)系統(tǒng)集成化進(jìn)行了研究。提出了基于CE.NET的新型紫外/可見(jiàn)分光光度計(jì)的硬件系統(tǒng)設(shè)計(jì)及軟件系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)，該系統(tǒng)硬件由單色器、探測(cè)器、以及通過(guò)串口連接的單片機(jī)和基于PC\104總線的單板計(jì)算機(jī)
2011-03-07 14:26:44
如何完整地設(shè)計(jì)一個(gè)高效氮化鎵電源？
如何帶工程師完整地設(shè)計(jì)一個(gè)高效氮化鎵電源，包括元器件選型、電路設(shè)計(jì)和PCB布線、電路測(cè)試和優(yōu)化技巧、磁性元器件的設(shè)計(jì)和優(yōu)化、環(huán)路分析和優(yōu)化、能效分析和優(yōu)化、EMC優(yōu)化和整改技巧、可靠性評(píng)估和分析。
2021-06-17 06:06:23
如何實(shí)現(xiàn)小米氮化鎵充電器
如何實(shí)現(xiàn)小米氮化鎵充電器是一個(gè)c to c 的一個(gè)充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口，但這個(gè)口不可以充電，它是用來(lái)轉(zhuǎn)VGA,HDMI,DP之類了，可以外接顯示器，拓展塢之類的。要用氮化鎵
2021-09-14 06:06:21
如何用集成驅(qū)動(dòng)器優(yōu)化氮化鎵性能
導(dǎo)讀：將GaN FET與它們的驅(qū)動(dòng)器集成在一起可以改進(jìn)開(kāi)關(guān)性能，并且能夠簡(jiǎn)化基于GaN的功率級(jí)設(shè)計(jì)。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開(kāi)關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開(kāi)關(guān)損耗。然而，當(dāng)
2022-11-16 06:23:29
如何用ADS實(shí)現(xiàn)一個(gè)2.38 GHz全集成化低噪聲放大器？
請(qǐng)問(wèn)如何用ADS實(shí)現(xiàn)一個(gè)2.38 GHz全集成化低噪聲放大器？
2021-04-14 06:38:08
實(shí)現(xiàn)更小、更輕、更平穩(wěn)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的氮化鎵器件
的性能已接近理論極限[1-2]，而且市場(chǎng)對(duì)更高功率密度的需求日益增加。氮化鎵(GaN)晶體管和IC具有優(yōu)越特性，可以滿足這些需求。
氮化鎵器件具備卓越的開(kāi)關(guān)性能，有助消除死區(qū)時(shí)間且增加PWM頻率，從而
2023-06-25 13:58:54
支持瓦特到千瓦級(jí)應(yīng)用的氮化鎵技術(shù)介紹
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計(jì)，帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起，我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級(jí)
2022-11-10 06:36:09
有關(guān)氮化鎵半導(dǎo)體的常見(jiàn)錯(cuò)誤觀念
，以及分享GaN FET和集成電路目前在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域替代硅器件的步伐。
誤解1：氮化鎵技術(shù)很新且還沒(méi)有經(jīng)過(guò)驗(yàn)證
氮化鎵器件是一種非常堅(jiān)硬、具高機(jī)械穩(wěn)定性的寬帶隙半導(dǎo)體，于1990年代初首次用于生產(chǎn)高
2023-06-25 14:17:47
汽車底盤(pán)電子化、集成化應(yīng)用技術(shù)研討會(huì)暨采購(gòu)配對(duì)會(huì)
2009汽車底盤(pán)電子化、集成化應(yīng)用技術(shù)研討會(huì)暨采購(gòu)配對(duì)會(huì)（8月，上海）時(shí)間： 2009年8月27-28日 地點(diǎn)： 上海汽車會(huì)展中心(嘉定安亭鎮(zhèn)博園路7575號(hào))會(huì)議背景 ： 如今汽車底盤(pán)控制技術(shù)正向
2009-07-23 09:31:04
汽車電子智能化集成化技術(shù)研討會(huì)暨采購(gòu)配對(duì)會(huì)10月30日舉行
主題Ⅱ、車載導(dǎo)航系統(tǒng)的現(xiàn)狀和趨勢(shì) 茶歇、展示區(qū)參觀和自由交流 主題Ⅲ、汽車電子部件的小型化——元器件功能集成化應(yīng)用 主題Ⅳ、車身電子遙控系統(tǒng)的智能化與集成化
2009-09-17 14:41:04
硅基氮化鎵與LDMOS相比有什么優(yōu)勢(shì)？
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場(chǎng)格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來(lái)，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
硅基氮化鎵在大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化
日前，在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術(shù)及設(shè)備材料最新趨勢(shì)專場(chǎng)中，晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢博士向與會(huì)者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”的報(bào)告，與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
請(qǐng)問(wèn)candence Spice能做氮化鎵器件建模嗎？
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎？然后提取參數(shù)想基于candence model editor進(jìn)行氮化鎵器件的建模，有可能實(shí)現(xiàn)嗎？求教ICCAP軟件呢？
2019-11-29 16:04:02
誰(shuí)發(fā)明了氮化鎵功率芯片？
，是氮化鎵功率芯片發(fā)展的關(guān)鍵人物。
首席技術(shù)官 Dan Kinzer在他長(zhǎng)達(dá) 30 年的職業(yè)生涯中，長(zhǎng)期擔(dān)任副總裁及更高級(jí)別的管理職位，并領(lǐng)導(dǎo)研發(fā)工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
迄今為止最堅(jiān)固耐用的晶體管—氮化鎵器件
了當(dāng)時(shí)功率半導(dǎo)體界的一項(xiàng)大膽技術(shù)：氮化鎵（GaN）。對(duì)于強(qiáng)大耐用的射頻放大器在當(dāng)時(shí)新興的寬帶無(wú)線網(wǎng)絡(luò)、雷達(dá)以及電網(wǎng)功率切換應(yīng)用中的使用前景，他們表達(dá)了樂(lè)觀的看法。他們稱氮化鎵器件為“迄今為止最堅(jiān)固耐用
2023-02-27 15:46:36
采用SOC方案來(lái)實(shí)現(xiàn)電路開(kāi)發(fā)集成化
目前電路開(kāi)發(fā)集成化是個(gè)趨勢(shì)，采用SOC方案來(lái)開(kāi)發(fā)可以省掉不少開(kāi)發(fā)難度，但也存在一些問(wèn)題，比如使用過(guò)程中系統(tǒng)跑飛死機(jī)的情況，如果板子沒(méi)有額外的MCU，則需要由看門狗復(fù)位IC來(lái)監(jiān)控系統(tǒng)是否跑飛死機(jī)。筆者
2022-02-11 06:23:28
高壓氮化鎵的未來(lái)分析
就可以實(shí)現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個(gè)用開(kāi)創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動(dòng)器解決方案，相對(duì)于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù)，創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
高壓氮化鎵的未來(lái)是怎么樣的
就可以實(shí)現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個(gè)用開(kāi)創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動(dòng)器解決方案，相對(duì)于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù)，創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
高度集成化電路趨勢(shì)---無(wú)源器件內(nèi)置
本身仍是許多導(dǎo)線的連接體。而采用無(wú)源器件內(nèi)置技術(shù)后，電路板將變得完全不同于以往。其被動(dòng)器件（如：電阻、電容）將會(huì)被集成在PCB內(nèi)部,而外部不會(huì)留下任何無(wú)源器件，這樣PCB的空間和尺寸會(huì)被壓縮至最??！無(wú)源
2017-09-19 11:52:04
集成化渦街傳感器
通過(guò)對(duì)帶溫壓補(bǔ)償?shù)?b class="flag-6" style="color: red">集成化渦街傳感器構(gòu)造原理、性能特點(diǎn)等方面的分析, 闡述了一種流量計(jì)量新產(chǎn)品的構(gòu)造思路, 在渦街傳感器中集成壓力和溫度傳感器, 讓它們?nèi)吆蠟橐惑w。這
2009-07-14 11:30:57
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15基于集成化軟件的框架零件CAD設(shè)計(jì)
本文采用CAD 技術(shù)理論和先進(jìn)集成化軟件UGII 應(yīng)用相結(jié)合的方法,完成了對(duì)系統(tǒng)框架零件的三維實(shí)體造型和計(jì)算機(jī)輔助數(shù)控工藝設(shè)計(jì)。從理論依據(jù)和方法上,對(duì)基于特征的參數(shù)化實(shí)體
2009-12-12 15:06:329
9射頻集成化薄膜電感的設(shè)計(jì)和制備
射頻集成化薄膜電感的設(shè)計(jì)和制備
介紹了一種新型的基于硅IC 模擬電路工藝的射頻集成薄膜電感。描述了集成薄膜電感的工作原理。采用一個(gè)緊湊集總電路模型來(lái)等
2010-02-22 16:27:4517
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反激式DC/DC電源的集成化研究
反激式DC/DC電源的集成化研究
摘要：簡(jiǎn)要介紹了利用分立元器件搭構(gòu)的反激式DC/DC變換的拓?fù)湟约皩?shí)際電路。給出了試
2009-07-15 09:05:17611
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集成化熱插拔IC芯片LTC4219
描述
LTC®4219 是一款面向熱插拔 (Hot SwapTM) 應(yīng)用的集成化解決方案，允許在帶電背板上安全地進(jìn)行電路板的插拔操作。該器件在單個(gè)封裝中集成了一個(gè)熱插拔
2010-09-10 11:15:414647
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LTCC成未來(lái)電子元件集成化首選方式
未來(lái)手機(jī)正朝著輕型化、多功能、數(shù)字化及高可靠性、高性能的方向發(fā)展，對(duì)元器件的小型化、集成化以至模塊化要求愈來(lái)愈迫切。低溫共燒陶瓷技術(shù)(Low Temperature Co-fired Ceramic，LTCC)是近
2011-06-02 09:06:581633
1633一種高速化和集成化的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的設(shè)計(jì)
隨著嵌入式技術(shù)的飛速發(fā)展，對(duì)嵌入式系統(tǒng)的應(yīng)用需求也呈現(xiàn)出不斷增長(zhǎng)的態(tài)勢(shì)，因此，嵌入式技術(shù)也相應(yīng)地取得了重要的進(jìn)展，系統(tǒng)設(shè)備不斷向高速化、集成化、低功耗的方向發(fā)展。
2012-05-17 09:21:261897
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PI將為半導(dǎo)體集成化發(fā)展提供“源”動(dòng)力
隨著真正的物聯(lián)網(wǎng)平臺(tái)的出現(xiàn)，PI將為半導(dǎo)體集成化發(fā)展提供“源”動(dòng)力，集成電路和系統(tǒng)的復(fù)雜性仍在迅速增長(zhǎng)，一切都需要電力，PI會(huì)讓電源更加的高能效、低損耗。
2017-12-24 11:14:002615
2615ADI高度集成化的設(shè)計(jì)大大簡(jiǎn)化控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)
ADI的集成化射頻發(fā)射機(jī)、接收機(jī)和收發(fā)器提供完整性的高性能射頻和混合信號(hào)芯片操作系統(tǒng)。ADI高度集成化的設(shè)計(jì)大大簡(jiǎn)化了控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)，縮短了上市時(shí)間，減少了BOM成本，并提供了頂級(jí)的性能指標(biāo)，尤其是
2021-11-10 10:41:34640
640反激式D_DC電源的集成化研究
反激式D_DC電源的集成化研究(理士國(guó)際電源技術(shù)有限公司)-反激式DC—DC電源的集成化研究下載，需要的自行下載！
2021-09-29 15:14:0713
13集成化趨勢(shì)明顯！威邁斯IPO上市加碼電驅(qū)多合一總成產(chǎn)品布局
該如何應(yīng)對(duì)？ 據(jù)了解，新能源汽車核心零部件的集成化能夠在產(chǎn)品生產(chǎn)、整車制造以及售后、整車性能等多個(gè)方面帶來(lái)較多明顯的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，具體如下： 一是核心零部件的集成化，通過(guò)復(fù)用部分電路，減少了功率器件、接插件、線束以及
2023-02-21 16:50:38420
420行業(yè)關(guān)注丨威邁斯IPO上市推動(dòng)集成化發(fā)展
該如何應(yīng)對(duì)？據(jù)了解，新能源汽車核心零部件的集成化能夠在產(chǎn)品生產(chǎn)、整車制造以及售后、整車性能等多個(gè)方面帶來(lái)較多明顯的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，具體如下：一是核心零部件的集成化，通過(guò)復(fù)用部
2023-02-21 16:59:36254
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Transphorm氮化鎵器件助力DAH Solar(大恒能源)全球首個(gè)全集成化微型逆變器光伏系統(tǒng)
了Transphorm氮化鎵平臺(tái)，DAH Solar是安徽大恒新能源技術(shù)公司的子公司。該集成型光伏系統(tǒng)已應(yīng)用在大恒能源的最新SolarUnit 產(chǎn)品。DAH Solar對(duì)
2023-10-16 16:34:15247
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意法半導(dǎo)體推出下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片
2023年12月15日，中國(guó)-意法半導(dǎo)體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產(chǎn)品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片，利用寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)簡(jiǎn)化電源設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)最新的生態(tài)設(shè)計(jì)目標(biāo)。
2023-12-15 16:44:11462
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工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論