65W氮化鎵電源原理圖
2022-10-04 22:09:30
成熟。2023年2月,我國(guó)首顆6英寸氧化鎵單晶被成功制備,中國(guó)電科46所成功構(gòu)建了適用于6英寸氧化鎵單晶生長(zhǎng)的熱場(chǎng)結(jié)構(gòu),突破了6英寸氧化鎵單晶生長(zhǎng)技術(shù),可用于6英寸氧化鎵單晶襯底片的研制,達(dá)到國(guó)際最高
2023-03-15 11:09:59
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19
(86) ,因此在正常體溫下,它會(huì)在人的手中融化。
又過(guò)了65年,氮化鎵首次被人工合成。直到20世紀(jì)60年代,制造氮化鎵單晶薄膜的技術(shù)才得以出現(xiàn)。作為一種化合物,氮化鎵的熔點(diǎn)超過(guò)1600℃,比硅高
2023-06-15 15:50:54
從將PC適配器的尺寸減半,到為并網(wǎng)應(yīng)用創(chuàng)建高效、緊湊的10 kW轉(zhuǎn)換,德州儀器為您的設(shè)計(jì)提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產(chǎn)品的額定電壓為600 V,提供從低功率適配器到超過(guò)2 kW設(shè)計(jì)的各類(lèi)解決方案。
2019-08-01 07:38:40
的數(shù)十億次的查詢,便可以獲得數(shù)十億千瓦時(shí)的能耗。
更有效地管理能源并占用更小空間,所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒(méi)有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年
2019-03-14 06:45:11
被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料的氮化鎵GaN。早期的氮化鎵材料被運(yùn)用到通信、軍工領(lǐng)域,隨著技術(shù)的進(jìn)步以及人們的需求,氮化鎵產(chǎn)品已經(jīng)走進(jìn)了我們生活中,尤其在充電器中的應(yīng)用逐步布局開(kāi)來(lái),以下是采用了氮化鎵的快
2020-03-18 22:34:23
的節(jié)能。這些電力足以為30多萬(wàn)個(gè)家庭提供一年的電量。 任何可以直接從電網(wǎng)獲得電力的設(shè)備(從智能手機(jī)充電器到數(shù)據(jù)中心),或任何可以處理高達(dá)數(shù)百伏高電壓的設(shè)備,均可受益于氮化鎵等技術(shù),從而提高電源管理系統(tǒng)的效率和規(guī)模。(白皮書(shū)下載:GaN將能效提高到一個(gè)新的水平。)
2020-11-03 08:59:19
能源并占用更小空間,所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒(méi)有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年,電力電子領(lǐng)域?qū)⒐芾泶蠹s80%的能源,而2005年這一比例僅為30
2018-11-20 10:56:25
在所有電力電子應(yīng)用中,功率密度是關(guān)鍵指標(biāo)之一,這主要由更高能效和更高開(kāi)關(guān)頻率驅(qū)動(dòng)。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限,設(shè)計(jì)工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵(GaN)來(lái)提供方案。
2020-10-28 06:01:23
度大、擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小等獨(dú)特的性能,被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料。氮化鎵在光電器件、功率器件、射頻微波器件、激光器和探測(cè)器件等方面展現(xiàn)出巨大的潛力,甚至為該行業(yè)帶來(lái)跨越式
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化鎵(GaN)是氮和鎵化合物,具體半導(dǎo)體特性,早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中,它與常用的硅屬于同一元素周期族,硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料,具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn),應(yīng)用在充電器方面,主要是集成氮化鎵MOS管,可適配小型變壓器和高功率器件,充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
氮化鎵為單開(kāi)關(guān)電路準(zhǔn)諧振反激式帶來(lái)了低電荷(低電容)、低損耗的優(yōu)勢(shì)。和傳統(tǒng)慢速的硅器件,以及分立氮化鎵的典型開(kāi)關(guān)頻率(65kHz)相比,集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
時(shí)間。
更加環(huán)保:由于裸片尺寸小、制造工藝步驟少和功能集成,氮化鎵功率芯片制造時(shí)的二氧化碳排放量,比硅器件的充電器解決方案低10倍。在較高的裝配水平上,基于氮化鎵的充電器,從制造和運(yùn)輸環(huán)節(jié)產(chǎn)生的碳足跡,只有硅器件充電器的一半。
2023-06-15 15:32:41
`從研發(fā)到商業(yè)化應(yīng)用,氮化鎵的發(fā)展是當(dāng)下的顛覆性技術(shù)創(chuàng)新,其影響波及了現(xiàn)今整個(gè)微波和射頻行業(yè)。氮化鎵對(duì)眾多射頻應(yīng)用的系統(tǒng)性能、尺寸及重量產(chǎn)生了明確而深刻的影響,并實(shí)現(xiàn)了利用傳統(tǒng)半導(dǎo)體技術(shù)無(wú)法實(shí)現(xiàn)
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管并配合LM5113半橋驅(qū)動(dòng)器可容易地實(shí)現(xiàn)的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
激光器是20世紀(jì)四大發(fā)明之一,半導(dǎo)體激光器是采用半導(dǎo)體芯片加工工藝制備的激光器,具有體積小、成本低、壽命長(zhǎng)等優(yōu)勢(shì),是應(yīng)用最多的激光器類(lèi)別。氮化鎵激光器(LD)是重要的光電子器件,基于GaN材料
2020-11-27 16:32:53
氮化鎵電源設(shè)計(jì)從入門(mén)到精通,這個(gè)系列直播共分為八講,本篇第六講將為您介紹EMC優(yōu)化和整改技巧,助您完成電源工程師從入門(mén)到精通的蛻變。前期回顧(點(diǎn)擊下方內(nèi)容查看上期直播):- 第一講:元器件選型
2021-12-29 06:31:58
產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。MACOM估計(jì),采用0.1美元/千瓦時(shí)的平均能量率模型時(shí),僅將一年內(nèi)部署的新大型基站轉(zhuǎn)換為MACOM硅基氮化鎵技術(shù)一項(xiàng)便可節(jié)省超過(guò)1億美元的費(fèi)用。 新時(shí)代 硅基氮化鎵從早期研發(fā)到商業(yè)規(guī)模
2018-08-17 09:49:42
GaN如何實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)關(guān)?氮化鎵能否實(shí)現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計(jì)?
2021-06-17 10:56:45
降低了產(chǎn)品成本。搭載GaN的充電器具有元件數(shù)量少、調(diào)試方便、高頻工作實(shí)現(xiàn)高轉(zhuǎn)換效率等優(yōu)點(diǎn),可以簡(jiǎn)化設(shè)計(jì),降低GaN快充的開(kāi)發(fā)難度,有助于實(shí)現(xiàn)小體積、高效氮化鎵快充設(shè)計(jì)。 Keep Tops氮化鎵內(nèi)置多種
2023-08-21 17:06:18
AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化鎵)的熱管理
2023-06-19 10:05:37
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)在碳化硅(SiC)基板上。 該GaN內(nèi)部匹配(IM)FET與其他技術(shù)相比,具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化鎵(GaN)高電子遷移率基于晶體管(HEMT)的單片微波集成電路(MMIC)。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能,包括更高的擊穿電壓,更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
充電器變得高效起來(lái),發(fā)熱更低,體積也縮小便于攜帶,推進(jìn)了百瓦大功率充電器的普及,也改變了人們對(duì)大功率充電器的印象。但是氮化鎵器件對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電壓要求非常敏感,并且對(duì)布線要求也很高,這也導(dǎo)致了應(yīng)用門(mén)檻較高
2021-11-28 11:16:55
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì)
2023-06-19 09:28:46
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開(kāi)關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢(shì),并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導(dǎo)體集成電路工藝相兼容,在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、電動(dòng)機(jī)
2018-11-05 09:51:35
趕上甚至超過(guò)了成本昂貴的硅上氮化鎵產(chǎn)品的替代技術(shù)。我們期待這項(xiàng)合作讓這些GaN創(chuàng)新在硅供應(yīng)鏈內(nèi)結(jié)出碩果,最終服務(wù)于要求最高的客戶和應(yīng)用?!币夥ò雽?dǎo)體汽車(chē)與分立器件產(chǎn)品部總裁Marco Monti表示
2018-02-12 15:11:38
不同,MACOM氮化鎵工藝的襯底采用硅基。硅基氮化鎵器件既具備了氮化鎵工藝能量密度高、可靠性高等優(yōu)點(diǎn),又比碳化硅基氮化鎵器件在成本上更具有優(yōu)勢(shì),采用硅來(lái)做氮化鎵襯底,與碳化硅基氮化鎵相比,硅基氮化鎵晶元尺寸
2017-09-04 15:02:41
的各個(gè)電端子之間的距離縮短十倍。這樣可以實(shí)現(xiàn)更低的電阻損耗,以及電子具備更短的轉(zhuǎn)換時(shí)間。總的來(lái)說(shuō),氮化鎵器件具備更快速的開(kāi)關(guān)、更低的功率損耗及更低的成本優(yōu)勢(shì)。由于氮化鎵技術(shù)在低功耗、小尺寸等方面具有獨(dú)特
2017-07-18 16:38:20
系列光隔離探頭現(xiàn)場(chǎng)條件因該氮化鎵快充PCBA設(shè)計(jì)密度很高,阻容采用0402器件,只能采用不是最優(yōu)方案的同軸延長(zhǎng)線連接(通常推薦采用MCX母座連接,可最大限度減少引線誤差)?,F(xiàn)場(chǎng)連接圖如下:▲圖1:接線
2023-01-12 09:54:23
`明佳達(dá)優(yōu)勢(shì)供應(yīng)NV6115氮化鎵MOS+NCP1342主控芯片PWM控制器絲印1342AMDCD。產(chǎn)品信息1、NV6115氮化鎵MOS絲?。篘V6115芯片介紹:NV6115氮化鎵MOS,是針對(duì)
2021-01-08 17:02:10
QPD1004氮化鎵晶體管產(chǎn)品介紹QPD1004報(bào)價(jià)QPD1004代理QPD1004咨詢熱線QPD1004現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司QPD1004是25W(p3db),50歐姆輸入匹配
2018-07-30 15:25:55
)1.1脈沖條件脈沖寬度:120μsec,占空比10%筆記Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
)1.1脈沖條件脈沖寬度:120μsec,占空比10%筆記Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:24:16
TGF2977-SM氮化鎵晶體管產(chǎn)品介紹TGF2977-SM報(bào)價(jià)TGF2977-SM代理TGF2977-SM咨詢熱線TGF2977-SM現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司TGF2977-SM是5
2018-07-25 10:06:15
由于換了三星手機(jī),之前的充電器都不支持快充了,一直想找一款手機(jī)電腦都能用的快充充電器,「倍思GaN2 Pro氮化鎵充電器」就是這樣一款能滿足我的充電器,這篇文章就來(lái)說(shuō)下這款充電器的選購(gòu)過(guò)程
2021-09-14 08:28:31
書(shū)籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章:氮化鎵發(fā)展技術(shù)編號(hào):JFSJ-21-041作者:炬豐科技網(wǎng)址:http://www.wetsemi.com/index.html 摘要:在單個(gè)芯片上集成多個(gè)
2021-07-06 09:38:20
Canaccord Genuity預(yù)計(jì),到2025年,電動(dòng)汽車(chē)解決方案中每臺(tái)汽車(chē)的半導(dǎo)體構(gòu)成部分將增加50%或更多。本文將探討氮化鎵(GaN)電子器件,也涉及到一點(diǎn)碳化硅(SiC),在不增加汽車(chē)成本的條件下
2018-07-19 16:30:38
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯,增加。因?yàn)樗c傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比,不僅性能優(yōu)異,應(yīng)用范圍廣泛,而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中,傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面,已經(jīng)達(dá)到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
。
在器件層面,根據(jù)實(shí)際情況而言,歸一化導(dǎo)通電阻(RDS(ON))和柵極電荷(QG)乘積得出的優(yōu)值系數(shù),氮化鎵比硅好 5 倍到 20 倍。通過(guò)采用更小的晶體管和更短的電流路徑,氮化鎵充電器將能實(shí)現(xiàn)了
2023-06-15 15:53:16
型FET的OFF電阻值降低了15%(甚至更高)。在日本環(huán)境省的項(xiàng)目中,為實(shí)現(xiàn)在電動(dòng)汽車(chē)驅(qū)動(dòng)逆變器中的應(yīng)用,日本大阪大學(xué)著力研發(fā)具有超低電阻、高質(zhì)量、大尺寸的體塊氮化鎵襯底以及相關(guān)其他產(chǎn)品、模組。(下圖
2023-02-23 15:46:22
兩年多前,德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵(GaN)功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率,且易于設(shè)計(jì),帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起,我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級(jí)
2020-10-27 09:28:22
。
氮化鎵功率芯片可以使充電器的充電速度提高 3 倍,但體積和重量只有傳統(tǒng)硅器件充電器的一半?;蛘咴诓辉黾芋w積或重量的情況下,提高充電器 3 倍的充電功率。
2023-06-15 14:17:56
通過(guò)SMT封裝,GaNFast? 氮化鎵功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
鎵具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢(shì),氮化鎵充電器的充電器件運(yùn)行速度,比傳統(tǒng)硅器件要快 100倍。
更重要的是,氮化鎵相比傳統(tǒng)的硅,可以在更小的器件空間內(nèi)處理更大的電場(chǎng),同時(shí)提供更快的開(kāi)關(guān)速度。此外,氮化鎵比硅基半導(dǎo)體器件,可以在更高的溫度下工作。
2023-06-15 15:41:16
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領(lǐng)先地位。『三點(diǎn)半說(shuō)』經(jīng)多方專(zhuān)家指點(diǎn)查證,特推出“氮化鎵系列”,告訴大家什么是氮化鎵(GaN)?
2019-07-31 06:53:03
。目前主流的GaN技術(shù)廠商都在研發(fā)以Si為襯底的GaN的器件,以替代昂貴的SiC襯底。有分析預(yù)測(cè)到2019年GaN的成本將與傳統(tǒng)的Si器件相當(dāng),屆時(shí)很可能出現(xiàn)一個(gè)市場(chǎng)拐點(diǎn)。并且該技術(shù)對(duì)于供應(yīng)商來(lái)說(shuō)是一
2019-07-08 04:20:32
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生,以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
明佳達(dá)電子優(yōu)勢(shì)供應(yīng)氮化鎵功率芯片NV6127+晶體管AON6268絲印6268,只做原裝,價(jià)格優(yōu)勢(shì),實(shí)單歡迎洽談。產(chǎn)品信息型號(hào)1:NV6127絲?。篘V6127屬性:氮化鎵功率芯片封裝:QFN芯片
2021-01-13 17:46:43
客戶希望通過(guò)原廠FAE盡快找到解決方案,或者將遇到技術(shù)挫折歸咎為芯片本身設(shè)計(jì)問(wèn)題,盡管不排除芯片可能存在不適用的領(lǐng)域,但是大部分時(shí)候是應(yīng)用層面的問(wèn)題,和芯片沒(méi)有關(guān)系。這種情況對(duì)新興的第三代半導(dǎo)體氮化鎵
2023-02-01 14:52:03
高頻150W PFC-LLC與GaN功率ic(氮化鎵)
2023-06-19 08:36:25
精通,這個(gè)系列直播共分為八講,從0到1全面解密電源設(shè)計(jì),帶工程師完整地設(shè)計(jì)一個(gè)高效氮化鎵電源,包括元器件選型、電路設(shè)計(jì)和PCB布線、電路測(cè)試和優(yōu)化技巧、磁性元器件的設(shè)計(jì)和優(yōu)化、環(huán)路分析和優(yōu)化、能效分析
2020-11-18 06:30:50
如何帶工程師完整地設(shè)計(jì)一個(gè)高效氮化鎵電源,包括元器件選型、電路設(shè)計(jì)和PCB布線、電路測(cè)試和優(yōu)化技巧、磁性元器件的設(shè)計(jì)和優(yōu)化、環(huán)路分析和優(yōu)化、能效分析和優(yōu)化、EMC優(yōu)化和整改技巧、可靠性評(píng)估和分析。
2021-06-17 06:06:23
我經(jīng)常感到奇怪,我們的行業(yè)為什么不在加快氮化鎵 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度;畢竟,大潮之下,沒(méi)人能獨(dú)善其身。每年,我們都看到市場(chǎng)預(yù)測(cè)的前景不太令人滿意。但通過(guò)共同努力,我們就能
2022-11-16 06:43:23
如何實(shí)現(xiàn)小米氮化鎵充電器是一個(gè)c to c 的一個(gè)充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口,但這個(gè)口不可以充電,它是用來(lái)轉(zhuǎn)VGA,HDMI,DP之類(lèi)了,可以外接顯示器,拓展塢之類(lèi)的。要用氮化鎵
2021-09-14 06:06:21
導(dǎo)讀:將GaN FET與它們的驅(qū)動(dòng)器集成在一起可以改進(jìn)開(kāi)關(guān)性能,并且能夠簡(jiǎn)化基于GaN的功率級(jí)設(shè)計(jì)。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開(kāi)關(guān)速度比硅MOSFET快很多,從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開(kāi)關(guān)損耗。然而,當(dāng)
2022-11-16 06:23:29
如何設(shè)計(jì)GaN氮化鎵 PD充電器產(chǎn)品?
2021-06-15 06:30:55
的性能已接近理論極限[1-2],而且市場(chǎng)對(duì)更高功率密度的需求日益增加。氮化鎵(GaN)晶體管和IC具有優(yōu)越特性,可以滿足這些需求。
氮化鎵器件具備卓越的開(kāi)關(guān)性能,有助消除死區(qū)時(shí)間且增加PWM頻率,從而
2023-06-25 13:58:54
LED?,F(xiàn)在市場(chǎng)上銷(xiāo)售的很多LED就是使用藍(lán)寶石襯底的氮化鎵技術(shù)。除了LED,氮化鎵也被使用到了功率半導(dǎo)體與射頻器件上。 基于氮化鎵的功率芯片正在市場(chǎng)站穩(wěn)腳跟?!拔覀兿嘈牛?b class="flag-6" style="color: red">氮化鎵在600V功率器件市場(chǎng)將
2016-08-30 16:39:28
通過(guò)低內(nèi)阻和高開(kāi)關(guān)速度,減小了損耗,降低了散熱要求。變壓器的縮小,以及無(wú)需散熱措施,氮化鎵的應(yīng)用大幅減小了充電器的體積。鋰電池作為現(xiàn)代便攜設(shè)備的主要能量來(lái)源,出貨量非常巨大。隨著現(xiàn)在手機(jī)和平板大功率快充
2023-02-21 16:13:41
30W超薄氮化鎵充電器ANKER Powerport Atom III Slim因?yàn)閮?nèi)置了氮化鎵元器件,體型可以做的非常的纖薄,只有0.63英寸(約1.6cm)厚,并且是可折疊插腳設(shè)計(jì),可以輕松裝進(jìn)
2021-04-16 09:33:21
這樣的領(lǐng)導(dǎo)者正在將氮化鎵和固態(tài)半導(dǎo)體技術(shù)與這些過(guò)程相結(jié)合,以更低的成本進(jìn)行廣泛使用,從而改變行業(yè)的基礎(chǔ)狀況。采油與傳統(tǒng)的干燥和加熱方法相比,射頻能量使用更少的能量,而且高精度可使每瓦都得到有效利用。從
2018-01-18 10:56:28
以適當(dāng)?shù)淖⒁?,測(cè)試設(shè)備和測(cè)量技術(shù)引入的寄生元件,特別是在較高頻率下工作,可能會(huì)使GaN器件參數(shù)黯然失色,并導(dǎo)致錯(cuò)誤的測(cè)量結(jié)果?! ?yīng)用說(shuō)明“高速氮化鎵E-HEMT的測(cè)量技術(shù)”(GN003)解釋了測(cè)量技術(shù)
2023-02-21 16:30:09
功率,降額使用。
PI官方的資料顯示,INN3378C屬于InnoSwitch3-Pro家族,它采用了PI獨(dú)家的PowiGaN技術(shù),也就是內(nèi)置了GaN氮化鎵功率器件,相比傳統(tǒng)MOSFET可以輸出更大
2023-06-16 14:05:50
兩年多前,德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵(GaN)功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率,且易于設(shè)計(jì),帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起,我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級(jí)
2022-11-10 06:36:09
氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術(shù),可實(shí)現(xiàn)更高的效率、顯著減小系統(tǒng)尺寸、更輕和于應(yīng)用中取得硅器件無(wú)法實(shí)現(xiàn)的性能。那么,為什么關(guān)于氮化鎵半導(dǎo)體仍然有如此多的誤解?事實(shí)又是怎樣的呢?
關(guān)于氮化鎵技術(shù)
2023-06-25 14:17:47
請(qǐng)問(wèn)半橋上管氮化鎵這樣的開(kāi)爾文連接正確嗎?
2024-01-11 07:23:47
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場(chǎng)格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來(lái),橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今,這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變,硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
日前,在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術(shù)及設(shè)備材料最新趨勢(shì)專(zhuān)場(chǎng)中,晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢(qián)博士向與會(huì)者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”的報(bào)告,與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
器件的市場(chǎng)營(yíng)收預(yù)計(jì)將達(dá)到13億美元,約占3W以上的RF 功率市場(chǎng)的45%。2015-2025年射頻功率市場(chǎng)不同技術(shù)路線的份額占比資料來(lái)源:YOLE境外GaN射頻器件產(chǎn)業(yè)鏈重點(diǎn)公司及產(chǎn)品進(jìn)展:目前微波射頻
2019-04-13 22:28:48
納微集成氮化鎵電源解決方案及應(yīng)用
2023-06-19 11:10:07
氮化鎵GaN是什么?
2021-06-16 08:03:56
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎?然后提取參數(shù)想基于candence model editor進(jìn)行氮化鎵器件的建模,有可能實(shí)現(xiàn)嗎?求教ICCAP軟件呢?
2019-11-29 16:04:02
,是氮化鎵功率芯片發(fā)展的關(guān)鍵人物。
首席技術(shù)官 Dan Kinzer在他長(zhǎng)達(dá) 30 年的職業(yè)生涯中,長(zhǎng)期擔(dān)任副總裁及更高級(jí)別的管理職位,并領(lǐng)導(dǎo)研發(fā)工作。他在硅、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
,在使用這些技術(shù)生產(chǎn)的半導(dǎo)體中,發(fā)生導(dǎo)電的材料片中的電阻非常低,大約為每平方300歐姆(這就是正確的單位)。這和氮化鎵器件中的水平相當(dāng)。得到這一結(jié)果后不久,拉詹和加州大學(xué)圣芭芭拉分校的研究人員獨(dú)立研發(fā)
2023-02-27 15:46:36
靈活應(yīng)對(duì)不同的應(yīng)用場(chǎng)景。2. 應(yīng)用領(lǐng)域? 適配器? 充電器? AC-DC 開(kāi)關(guān)電源. 特性? 集成氮化鎵直接驅(qū)動(dòng)(6V DRV)? 集成高壓?jiǎn)?dòng)(700V)? 集成高壓 BROWN-IN &
2023-03-28 10:24:46
就可以實(shí)現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個(gè)用開(kāi)創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動(dòng)器解決方案,相對(duì)于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù),創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
就可以實(shí)現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個(gè)用開(kāi)創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動(dòng)器解決方案,相對(duì)于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù),創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
研發(fā)基地與高端產(chǎn)品生產(chǎn)基地,預(yù)計(jì)年產(chǎn)氮化鎵單晶襯底及外延片5萬(wàn)片。 據(jù)蘇州納米城消息,該公司實(shí)現(xiàn)了2英寸氮化鎵單晶襯底的生產(chǎn)、完成了4英寸產(chǎn)品的工程化技術(shù)開(kāi)發(fā)、突破了6英寸產(chǎn)品的關(guān)鍵核心技術(shù),成為國(guó)內(nèi)唯一一家能夠同時(shí)批量提供2英寸高導(dǎo)
2021-01-28 09:19:342253 來(lái)源:奧趨光電 奧趨光電于近期成功實(shí)現(xiàn)了氮化鋁(AlN)晶體從2英寸到3英寸的迭代擴(kuò)徑生長(zhǎng)(見(jiàn)圖一),制備出了直徑達(dá)76 mm的鋁極性AlN單晶錠及3英寸襯底樣片(見(jiàn)圖二)。此3英寸AlN單晶
2022-12-23 15:55:111369
評(píng)論
查看更多