半壁江山。在射頻器件領域，目前LDMOS（橫向擴散金屬氧化物半導體）、GaAs（砷化鎵）、GaN（氮化鎵）三者占比相差不大，但據(jù)Yole development預測，至2025年，砷化鎵市場份額基本維持不變
2019-05-06 10:04:10
成國內首條集晶體生長、晶體加工、薄膜外延于一體的
氧化鎵完整產業(yè)線。行業(yè)分析人士表示，
氧化鎵是第四代
半導體材料，在
市場對性能好、損耗低、
功率密度高的
功率器件需求不斷釋放背景下，
氧化鎵市場發(fā)展?jié)摿薮?/div>
2023-03-15 11:09:59
點擊: 功率半導體器件 &
2008-08-03 17:05:29
功率半導體器件應用手冊功率半導體器件應用手冊——彎腳及焊接應注意的問題本文將向您介紹大家最關心的有關TSE功率半導體器件封裝的兩個問題：一、 怎樣彎腳才能不影響器件的可靠性？二、 怎樣確保焊接
2008-08-12 08:46:34
電力電子器件（Power Electronic Device），又稱為功率半導體器件，用于電能變換和電能控制電路中的大功率(通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安，電壓為數(shù)百伏以上)電子器件。可以分為半控型器件
2021-09-09 06:29:58
功率半導體器件以功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(功率MOSFET，常簡寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡寫為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
程度不斷增加，功率半導體需求提升，器件應用范圍不斷拓展。2021 年-2025 年全球功率半導體市場將從 258.2 億元增至 342.5 億美元，對應復 合增速 10.6%；其中，模塊增速快，2025
2022-11-11 11:15:56
近年來，全球半導體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國轉移。目前,我國已經成為全球最重要的半導體功率器件封測基地。如IDM類（吉林華微電子、華潤微電子、杭州士蘭微電子、比亞迪股份、株洲中車時代半導體
2021-07-12 07:49:57
的積體電路所組成，我們的晶圓要通過氧化層成長、微影技術、蝕刻、清洗、雜質擴散、離子植入及薄膜沉積等技術，所須制程多達二百至三百個步驟。半導體制程的繁雜性是為了確保每一個元器件的電性參數(shù)和性能，那么他的原理又是
2018-11-08 11:10:34
半導體材料從發(fā)現(xiàn)到發(fā)展，從使用到創(chuàng)新，擁有這一段長久的歷史。宰二十世紀初，就曾出現(xiàn)過點接觸礦石檢波器。1930年，氧化亞銅整流器制造成功并得到廣泛應用，是半導體材料開始受到重視。1947年鍺點接觸三極管制成，成為半導體的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
，目前市場上應用最多的還是半導體激光器。半導體激光器俗稱為激光二極管，因為其用半導體材料作為工作物質的特性，所以被稱為半導體激光器。半導體激光器通常采用的工作物質有砷化鎵、硫化鎘、磷化銦等，可以作為光纖
2019-05-13 05:50:35
摘要：介紹了氧化物半導體甲烷氣體敏感元件的工作機理，論述了改善氧化物半導體甲烷氣敏傳感器性能的幾種途徑。采用加入催化劑、控制材料的微細結構、利用新制備工藝和表面修飾等新方法、新技術可提高氧化物半導體
2018-10-24 14:21:10
GaN功率半導體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢
2023-06-19 09:28:46
GaN功率半導體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
GaN功率半導體在快速充電市場的應用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率半導體帶來AC-DC適配器的革命(氮化鎵)
2023-06-19 11:41:21
GaNFast功率半導體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
寬禁帶半導體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學和電學性能成為繼第一代元素半導體硅（Si）和第二代化合物半導體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來的第三代半導體
2019-06-25 07:41:00
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關頻率、更低的導通電阻等優(yōu)勢，并可與成本極低、技術成熟度極高的硅基半導體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉換與管理系統(tǒng)、電動機
2018-11-05 09:51:35
Higham表示：“一旦高功率射頻半導體產品攻破0.04美元/瓦難關，射頻能量市場將會迎來大量機會。在商用微波爐、汽車照明和點火、等離子照明燈等設備市場，射頻能量器件出貨量可能在數(shù)億規(guī)模，銷售額可達
2018-02-12 15:11:38
應用。MACOM的氮化鎵可用于替代磁控管的產品，這顆功率為300瓦的硅基氮化鎵器件被用來作為微波爐里磁控管的替代。用氮化鎵器件來替代磁控管帶來好處很多：半導體器件可靠性更高，氮化鎵器件比磁控管驅動電壓
2017-09-04 15:02:41
的優(yōu)勢，近年來在功率器件市場大受歡迎。然而，其居高不下的成本使得氮化鎵技術的應用受到很多限制。 但是隨著硅基氮化鎵技術的深入研究，我們逐漸發(fā)現(xiàn)了一條完全不同的道路，甚至可以說是顛覆性的半導體技術。這就
2017-07-18 16:38:20
為滿足晶體管用戶的需求，有源器件的功率密度持續(xù)增長。商用無線通訊、航空電子、廣播、工業(yè)以及醫(yī)療系統(tǒng)應用推動固態(tài)功率封裝隨著更小輸出級器件輸出更高輸出功率的要求而發(fā)展。對飛思卡爾半導體公司而言，為這些
2019-07-05 06:56:41
為滿足晶體管用戶的需求，有源器件的功率密度持續(xù)增長。商用無線通訊、航空電子、廣播、工業(yè)以及醫(yī)療系統(tǒng)應用推動固態(tài)功率封裝隨著更小輸出級器件輸出更高輸出功率的要求而發(fā)展。對飛思卡爾半導體公司而言，為這些
2019-07-09 08:17:05
前言全球知名半導體制造商ROHM利用多年來在消費電子領域積累的技術優(yōu)勢，正在積極推進面向工業(yè)設備領域的產品陣容擴充。在支撐"節(jié)能、創(chuàng)能、蓄能"技術的半導體功率元器件領域，ROHM
2019-07-08 08:06:01
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：GaN、ZnO和SiC的濕法化學蝕刻編號：JFKJ-21-830作者：炬豐科技摘要寬帶隙半導體具有許多特性，使其對高功率、高溫器件應用具有吸引力。本文綜述了三種
2021-10-14 11:48:31
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：氮化鎵發(fā)展技術編號：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個芯片上集成多個
2021-07-06 09:38:20
功率半導體器件概述功率半導體器件基本概念功率半導體器件（Power Semiconductor Device）又稱電力電子器件（Power Electronic Device）。1940年貝爾實驗室
2019-02-26 17:04:37
Canaccord Genuity預計，到2025年，電動汽車解決方案中每臺汽車的半導體構成部分將增加50％或更多。本文將探討氮化鎵（GaN）電子器件，也涉及到一點碳化硅（SiC），在不增加汽車成本的條件下
2018-07-19 16:30:38
中國功率器件市場發(fā)展現(xiàn)狀:功率器件包括功率 IC 和功率分立器件，功率分立器件則主要包括功率MOSFET、大功率晶體管和IGBT 等半導體器件，功率器件幾乎用于所有的電子制造業(yè)，所應用的產品包括
2009-09-23 19:36:41
的設計和集成度，已經被證明可以成為充當下一代功率半導體，其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計，如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心，都升級為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
1、GaAs半導體材料可以分為元素半導體和化合物半導體兩大類，元素半導體指硅、鍺單一元素形成的半導體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
（SiC）和氮化鎵（GaN）是功率半導體生產中采用的主要半導體材料。與硅相比，兩種材料中較低的本征載流子濃度有助于降低漏電流，從而可以提高半導體工作溫度。此外，SiC 的導熱性和 GaN 器件中穩(wěn)定的導通電
2023-02-21 16:01:16
行業(yè)標準，成為落地量產設計的催化劑
氮化鎵芯片是提高整個系統(tǒng)性能的關鍵，是創(chuàng)造出接近“理想開關”的電路構件，即一個能將最小能量的數(shù)字信號，轉化為無損功率傳輸?shù)碾娐窐嫾?納微半導體利用橫向650V
2023-06-15 14:17:56
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學穩(wěn)定性等優(yōu)越性質，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
氮化鎵也處于這一階段，成本將會隨著市場需求量加速、大規(guī)模生產、工藝制程革新等，而走向平民化，而最終的市場也將會取代傳統(tǒng)的硅基功率器件。8英寸硅基氮化鎵的商用化量產，可以大幅降低成本。第三代半導體的普及
2019-07-08 04:20:32
什么是堆疊式共源共柵？低阻抗功率半導體開關有哪些關鍵特性？低阻抗功率半導體開關有哪些應用優(yōu)勢？
2021-06-26 06:14:32
程度不斷增加，功率半導體需求提升，器件應用范圍不斷拓展。2021 年-2025 年全球功率半導體市場將從 258.2 億元增至 342.5 億美元，對應復 合增速 10.6%；其中，模塊增速快，2025
2022-11-11 11:50:23
程度不斷增加，功率半導體需求提升，器件應用范圍不斷拓展。2021 年-2025 年全球功率半導體市場將從 258.2 億元增至 342.5 億美元，對應復 合增速 10.6%；其中，模塊增速快，2025
2022-11-11 11:46:29
單芯片互補式金屬氧化物半導體（CMOS）傳感器有哪幾種？它們分別有什么應用以及特點？
2021-06-17 08:54:54
友恩半導體開關電源芯片基于高低壓集成技術平臺進行技術升級，未來三年將持續(xù)開發(fā)高功率、低功耗、高集成度等產品，公司在研項目正穩(wěn)步推進：公司處于驗證完成逐步批量生產階段的在研項目技術水平較高；例如
2020-10-30 09:39:44
，國內產品的主要市場還集中在科研型生產線的配套方面。但從廣義的半導體設備市場角度分析，2004年我國半導體設備在太陽能電池、半導體分立器件等領域市場需求的推動下，已成為電子專用設備行業(yè)銷售額增長最快的一類
2008-08-16 23:05:04
技術及工藝的先進性，還較大程度上依賴進口，未來進口替代空間較大。從中長期看，國內功率半導體需求將持續(xù)快速增長。根據(jù)前瞻產業(yè)研究院預測，到2026年分立器件的市場需求將超過3,700億元。近年來物聯(lián)網(wǎng)
2023-04-14 13:46:39
類型包括硅鍺雙極互補金屬氧化物半導體（BiCMOS）和硅鍺異質結雙極晶體管（SiGe HBTs）。DTRA關注的其他設備類型還包括45納米絕緣硅（SOI）芯片、氮化鎵異質結場效應晶體管（GaAn HFET）功率半導體和其他抗輻射微電子和光子器件，用于當前和未來軍事系統(tǒng)，如衛(wèi)星和導彈。
2012-12-04 19:52:12
供應商正在減少對標準產品的關注，但安森美半導體繼續(xù)投資于汽車級標準分立器件的基本構件模塊，同時擴大針對汽車功能電子化的電源方案陣容。在現(xiàn)有的標準的和高性能的分立器件陣容中，最新的擴展包括低正向電壓整流器
2018-10-25 08:53:48
文章主要介紹了當前射頻集成電路研究中的半導體技術和CAD技術，并比較和討論了硅器件和砷化鎵器件、射頻集成電路CAD和傳統(tǒng)電路CAD的各自特點。近年來，無線通信市場的蓬勃發(fā)展，特別是移動電話、無線
2019-07-05 06:53:04
；第五部分表示規(guī)格。具體規(guī)定見表 3.1 所示。2.日本常用半導體器件的型號命名標準 3.美國常用半導體器件的型號命名標準 4.常用的整流二極管型號及性能 5.硅高頻小功率三極管參數(shù) 6.部分國外硅高頻
2017-11-06 14:03:02
。 13.碳化硅與碳化硅（SiC ）功率器件 在用新型半導體材料制成的功率器件中，最有希望的是碳化硅 （ SiC ） 功率器件。它的性能指標比砷化鎵器件還要高一個數(shù)量級，碳化硅與其他半導體材料相比，具有
2019-03-03 07:00:00
常用的功率半導體器件有哪些？
2021-11-02 07:13:30
功率放大器以及商用和工業(yè)系統(tǒng)的功率放大器。意法半導體與遠創(chuàng)達的合作協(xié)議將擴大意法半導體LDMOS產品的應用范圍。協(xié)議內容保密，不對外披露。 相關新聞MACOM和意法半導體將硅上氮化鎵推入主流射頻市場
2018-02-28 11:44:56
個關鍵組成是PA（Power Amplifier，功率放大器）。從目前的應用上看，功率放大器主要由砷化鎵功率放大器和互補式金屬氧化物半導體功率放大器（CMOS PA）組成，其中又以GaAs PA為主
2019-07-05 04:20:06
最新功率半導體器件應用技術 259頁
2012-08-20 19:46:39
，以及分享GaN FET和集成電路目前在功率轉換領域替代硅器件的步伐。
誤解1：氮化鎵技術很新且還沒有經過驗證
氮化鎵器件是一種非常堅硬、具高機械穩(wěn)定性的寬帶隙半導體，于1990年代初首次用于生產高
2023-06-25 14:17:47
本帖最后由 電子人steve 于 2018-7-25 15:11 編輯
學生party最近在海外做一個關于國內電子元器件市場的研究，可不可以請大神解答一下國內關于半導體和無源元件的問題啊，比如目前市場供需價格情況和未來大致走勢~~不知道這里能不能貼私人聯(lián)系信息，可以私下多請教請教最好了！拜托拜托！
2018-07-25 12:54:05
`根據(jù)Yole Developpement指出，氮化鎵(GaN)組件即將在功率半導體市場快速發(fā)展，從而使專業(yè)的半導體企業(yè)受惠；另一方面，他們也將會發(fā)現(xiàn)逐漸面臨來自英飛凌(Infineon)/國際
2015-09-15 17:11:46
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
時間。
更加環(huán)保：由于裸片尺寸小、制造工藝步驟少和功能集成，氮化鎵功率芯片制造時的二氧化碳排放量，比硅器件的充電器解決方案低10倍。在較高的裝配水平上，基于氮化鎵的充電器，從制造和運輸環(huán)節(jié)產生的碳足跡，只有硅器件充電器的一半。
2023-06-15 15:32:41
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩(wěn)定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料，具有寬帶隙、高熱導率等特點，應用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
鎵的技術軌跡和市場潛力時，必須充分肯定其基線技術優(yōu)點，這也是將其與傳統(tǒng)半導體技術區(qū)分開來的優(yōu)勢。就砷化鎵(GaAs)和LDMOS而言，它們的性能特性(以功率、效率、帶寬及熱穩(wěn)定性來衡量)都足以滿足其
2017-08-15 17:47:34
射頻半導體技術的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。 數(shù)十年來，橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業(yè)應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si
2018-08-17 09:49:42
一、化合物半導體應用前景廣闊，市場規(guī)模持續(xù)擴大 化合物半導體是由兩種及以上元素構成的半導體材料，目前最常用的材料有GaAs、GaN以及SiC等，作為第二代和第三代半導體的主要代表，因其在高功率
2019-06-13 04:20:24
電力半導體器件的分類
2019-09-19 09:01:01
射頻半導體技術的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來，橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業(yè)應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術的首選技術。
2019-09-02 07:16:34
超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領域發(fā)展最快的功率半導體器件之一。根據(jù)中國半導體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計，2019年中國半導體產業(yè)市場規(guī)模達7562億元
2021-01-12 11:48:45
在電力電子行業(yè)的發(fā)展過程中，半導體技術起到了決定性作用。其中，功率半導體器件一直被認為是電力電子設備的關鍵組成部分。隨著電力電子技術在工業(yè)、醫(yī)療、交通、消費等行業(yè)的廣泛應用，功率半導體器件直接影響
2021-03-25 14:09:37
突破GaN功率半導體的速度限制
2023-06-25 07:17:49
氧化物半導體（Si LDMOS，Lateral Double-diffused Metal-oxideSemiconductor）和GaAs，在基站端GaN射頻器件更能有效滿足5G的高功率、高通信頻段
2019-04-13 22:28:48
(SiC)、氮鎵(GaN)為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點，與剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs
2017-06-16 10:37:22
未來電動汽車的動力全要靠三代半導體的功率器件了，碳化硅、氮化鎵都會在電動汽車里有很大的市場。僅功率器件一項，每輛車就會增加大約300美元的需求。（5）機器人我的天，你是要把未來世界都劃進來嗎？可是事實
2017-05-15 17:09:48
。鍺和硅是最常用的元素半導體；化合物半導體包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（ 硫化鎘、硫化鋅等）、氧化物（錳、鉻、鐵、銅的氧化物），以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成
2016-11-27 22:34:51
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學術研究，始于 2009 年左右的香港科技大學，但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產，則是由成立于 2014 年的納微半導體最早進行研發(fā)的。納微半導體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
被用作絕緣體了，而氧化鎵有一組獨特的特性，它可以作為功率切換和射頻電子器件的半導體從而發(fā)揮巨大作用。它的特點之一是，通過摻雜的方法，可以在氧化鎵中加入電荷載流子，使其更具導電性。摻雜包括向晶體添加
2023-02-27 15:46:36
半導體材料是一類具有半導體性能（導電能力介于導體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內）、可用來制作半導體器件和集成電路的電子材料。按種類可以分為元素半導體和化合物半導體兩大類
2019-06-27 06:18:41
功率半導體器件華中科技大學 余岳輝 梁 琳課程的目的要求: 功率電子
2008-08-03 16:21:19
226
功率半導體器件鳥瞰
當代功率半導體器件大致可以分成三類：一是傳統(tǒng)的各類晶閘管；二是近二十年來發(fā)展起來的功率MOSFET
2009-07-09 11:37:21
1672 
半導體器件,半導體器件的種類
半導體器件從肯有2個管腳的二極管到最新的系統(tǒng)LSI、超大功率器件均有廣泛的研究，且被廣泛地運用于手機、數(shù)碼家電產品
2010-03-01 17:25:025985 本文介紹了什么是功率半導體器件，對功率半導體器件分類和功率半導體器件優(yōu)缺點進行了分析，分析了功率半導體模塊的發(fā)展趨勢以及功率半導體器件的基本功能和用途。
2018-01-13 09:19:4317515 本文首先介紹了功率半導體器件分類，其次介紹了大功率半導體器件的發(fā)展及國內外功率半導體器件的發(fā)展，最后介紹了功率半導體器件的研究意義。
2018-05-30 16:07:3914984 安森美半導體是功率電子領域的市場領導者之一，在SiC功率器件領域的地位正在迅速攀升。
2019-07-25 08:50:504206 安森美半導體（ON Semiconductor）是功率電子領域的市場領導者之一，在SiC功率器件領域的地位正在迅速攀升。
2019-07-30 15:40:235352 《功率半導體器件基礎》下載
2022-03-15 14:51:350 分立器件主要包括二極管、晶閘管、晶體管等產品。 近年來，功率半導體的應用領域已從工業(yè)控制和消費電子拓展至新能源、軌道交通、智能電網(wǎng)、變頻家電等諸多市場，市場規(guī)模呈現(xiàn)穩(wěn)健增長態(tài)勢。目前國內功率半導體產業(yè)鏈正在日趨
2022-11-17 08:15:022972 關鍵詞導讀：半導體功率電子、功率器件清洗、水基清洗技術 導讀：目前5G通訊和新能源汽車正進行得如火如荼，而功率器件及半導體芯片正是其核心元器件。如何確保功率器件和半導體芯片的品質和高可靠性
2023-02-15 16:29:2011 功率半導體器件在工業(yè)、消費、軍事等領域都有著廣泛應用，具有很高的戰(zhàn)略地位。功率半導體產品可以分為功率器件、電源 管理 IC 和功率模組三大類。
隨著下游電氣化程度不斷增加，功率半導體需求提升，器件
2023-02-15 16:24:2714 功率半導體大致可分為功率半導體分立器件（Power Discrete，包括功率模塊）和功率半導體集成電路（Power IC）兩大類，在半導體產業(yè)中的結構關系如圖1所示。其中，功率半導體分立器件是指被規(guī)定完成某種基本功能，并且本身在功能上不能再細分的半導體器件。
2023-02-24 15:36:565005 
功率半導體器件是一種用于控制和轉換大功率電能的半導體器件，主要包括以下幾種類型：
二極管：功率二極管是一種只允許電流單向流動的半導體器件，常用于整流、反向保護等應用中。
2023-02-28 11:41:342705 半導體功率器件在全球
半導體市場中占有重要的位置，其在新能源、工業(yè)控制、汽車電子等領域的應用越來越廣泛。然而，中國的
半導體功率器件產業(yè)與全球領先的
半導體產業(yè)國家相比，還存在一定的差距。本文將探討中國的
半導體功率器件產業(yè)的現(xiàn)狀，與國際先進水平的差距以及未來的發(fā)展?jié)摿Α?/div>
2023-07-19 10:31:11603 
功率半導體包括功率半導體分立器件（含模塊）以及功率 IC 等。其中，功率半導體分立器件，按照器件結構劃分，可分為二極管、晶閘管和晶體管等。
2023-07-26 09:31:035068 
功率半導體器件與普通半導體器件的區(qū)別在于，其在設計的時候，需要多一塊區(qū)域，來承擔外加的電壓，如圖5所示，300V器件[1]的“N-drift”區(qū)域就是額外承擔高壓的部分。與沒有“N-drift”區(qū)的普通半導體器件[2]相比，明顯尺寸更大，這也是功率半導體器件的有點之一。
2023-10-18 11:16:21882 
】等，屬于半導體產品中的集成電路。【功率器件】和【功率IC】共同組成規(guī)模數(shù)百億美元的功率半導體市場，其重要性相當，市場規(guī)模也比較接近，基本上穩(wěn)定在各占一半的比重。二、功率
2023-11-08 17:10:15827 
功率半導體冷知識：功率器件的功率密度
2023-12-05 17:06:45266 
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