3000VDC高壓0.3mA電流會不會把MOS管的DS擊穿嗎？
2018-05-25 18:16:13
P溝道MOS管和N溝道MOS管的互補(bǔ)性體現(xiàn)在哪里？？？？？？？？求大神幫助?。。。。。?！
2013-09-24 16:50:43
如圖，請問一下，如果C1被短路，也就是MOS管的GD短路，最終會擊穿MOS管，使MOS管三個(gè)極都導(dǎo)通嗎？其中VCC是13V
2018-02-02 09:59:30
區(qū)別：1.MOS管損耗比三極管小，導(dǎo)通后壓降理論上為0。2.MOS管為電壓驅(qū)動型，只需要給電壓即可，意思是即便串入一個(gè)100K的電阻，只要電壓夠，MOS管還是能夠?qū)ā?.MOS管的溫度特性要比
2021-10-29 08:38:08
MOS管為什么會被靜電擊穿？靜電擊穿是指擊穿MOS管G極的那層絕緣層嗎？
2021-02-02 07:46:24
有誰用過IRLML6401，接法如下圖，但是mos管不能導(dǎo)通是什么原因？
2015-12-18 11:19:37
如圖，圖中電路這幾個(gè)MOS管是如何進(jìn)行充電的？
2019-02-21 15:47:42
MOS管種類和結(jié)構(gòu)MOS管導(dǎo)通特性MOS管驅(qū)動及應(yīng)用電路
2021-04-21 06:02:10
忽略不計(jì)。 2、MOS管和PFCMOS管的測試區(qū)別 對于普通MOS管來說，不同周期的電壓和電流波形幾乎完全相同，因此整體功率損耗只需要任意測量一個(gè)周期即可。但對于PFCMOS管來說，不同周期的電壓
2018-11-09 11:43:12
，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！ 什么是MOS管 場效應(yīng)管主要有兩種類型，分別是結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場效應(yīng)管（MOS管）。 MOS管即MOSFET，中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體
2020-07-19 07:33:42
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:56 編輯
MOS管，三極管屬于兩種不同類型管子， 它們的區(qū)別在于，MOS管是單極性管子而三極管屬于雙極性管子，這個(gè)單極性和雙極性
2012-07-09 17:03:56
` 誰來闡述一下MOS管和可控硅有什么區(qū)別？`
2019-11-06 17:12:57
1.物理特性 MOS管分為N溝道和P溝道的形式，N溝道和P溝道都有增強(qiáng)型和耗盡型兩種。耗盡型與增強(qiáng)型的主要區(qū)別在于耗盡型MOS管在G端（Gate）不加電壓時(shí)有導(dǎo)電溝道存在，而增強(qiáng)型MOS管只有
2021-01-15 15:39:46
一、MOS管并聯(lián)理論：(1)、三極管(BJT)具有負(fù)的溫度系數(shù)，即當(dāng)溫度升高時(shí)，導(dǎo)通電阻會變小。(2)、MOS管具有正的溫度系數(shù)，即當(dāng)溫度升高時(shí)，導(dǎo)通電阻會逐漸變大。MOS管的這一特性適合并聯(lián)電路中
2021-10-29 07:04:37
。2、二次開關(guān)，引入軟開關(guān)。3、上下管子導(dǎo)通，讓人頭大的問題及斗爭的重點(diǎn)，下一節(jié)講。下圖為仿真的MOS管驅(qū)動波形，大家可以看到里面有一個(gè)米勒振蕩，信號源為10V，100KHz 米勒振蕩的本質(zhì)是因?yàn)樵?b class="flag-6" style="color: red">高壓
2018-11-20 16:00:00
。這就提出了一個(gè)要求，需要使用一個(gè)電路，讓低壓側(cè)能夠有效地控制高壓側(cè)MOS管，而高壓側(cè)MOS管也會面臨1、2中提到的問題。 在這三種情況下，圖騰柱結(jié)構(gòu)都不能滿足輸出要求，而且很多現(xiàn)成的MOS驅(qū)動IC似乎都沒有包含柵極電壓限制，而ASEMI型號25N120卻很好的解決了這些問題。
2021-12-03 16:37:02
MOS管的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)MOS管的工作機(jī)制MOS管的驅(qū)動應(yīng)用
2021-03-08 06:06:47
揭秘mos管電路邏輯及mos管參數(shù) 1.開啟電壓VT 開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓；·標(biāo)準(zhǔn)的N溝道MOS管，VT約為3～6V；·通過工藝上的改進(jìn)
2018-11-20 14:06:31
MOS 管的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)MOS 管的工作機(jī)制
2020-12-30 07:57:04
現(xiàn)在用全橋輸出拓?fù)漭^多經(jīng)?？匆娫诿總€(gè)橋臂的MOS管G極前加一個(gè)阻值不大但是功率較大的電阻同時(shí)和MOS并聯(lián)的還有一個(gè)RCD（電阻+二極管+電容）電路現(xiàn)在知道這個(gè)RCD電路是用于吸收MOS管的突波或者
2017-08-11 09:20:17
MOS管是由加在輸入端柵極的電壓來控制輸出端漏極的電流。MOS管是壓控器件它通過加在柵極上的電壓控制器件的特性，不會發(fā)生像三極管做開關(guān)時(shí)的因基極電流引起的電荷存儲效應(yīng)，因此在開關(guān)應(yīng)用中，MOS管的開關(guān)速度比三極管快。
2023-03-12 05:16:04
MOS管高，中，低壓全系列
2022-09-04 15:54:44
更高的電壓。兩個(gè)電壓采用共地方式連接。這就提出一個(gè)要求，需要使用一個(gè)電路，讓低壓側(cè)能夠有效的控制高壓側(cè)的MOS管，同時(shí)高壓側(cè)的MOS管也同樣會面對1和2中提到的問題。在這三種情況下，圖騰柱結(jié)構(gòu)無法滿足
2012-11-12 15:40:55
，邏輯部分使用典型的5V或者3.3V數(shù)字電壓，而功率部分使用12V甚至更高的電壓。兩個(gè)電壓采用共地方式連接。這就提出一個(gè)要求，需要使用一個(gè)電路，讓低壓側(cè)能夠有效的控制高壓側(cè)的MOS管，同時(shí)高壓側(cè)
2012-12-18 15:37:14
，邏輯部分使用典型的5V或者3.3V數(shù)字電壓，而功率部分使用12V甚至更高的電壓。兩個(gè)電壓采用共地方式連接。這就提出一個(gè)要求，需要使用一個(gè)電路，讓低壓側(cè)能夠有效的控制高壓側(cè)的MOS管，同時(shí)高壓側(cè)的MOS管
2018-11-14 09:24:34
MOS管的開通/關(guān)斷原理
2021-03-04 08:28:49
什么是MOS管？MOS管的構(gòu)造MOS管的工作原理MOS管的特性MOS管的電壓極性和符號規(guī)則MOS管和晶體三極管相比的重要特性什么是灌流電路
2021-01-06 07:20:29
張飛電子第四部，MOS管不像三極管的BE有固定壓降，所以不知道怎么計(jì)算。運(yùn)放那邊輸出開路時(shí)，MOS管導(dǎo)通，具體是怎么工作的。1、剛開始，三極管基極電流怎么算，可以用15/(7.5K+2K)估計(jì)
2021-04-27 12:03:09
MOS管驅(qū)動電機(jī)，負(fù)載接在漏極端；MOS+運(yùn)放組成的恒流源，負(fù)載也在漏極端。想問一下，負(fù)載可以放在源極嗎？兩者有什么區(qū)別？
2021-07-08 18:07:57
MOS管的漏電流是什么意思？MOS管的漏電流主要有什么組成？
2021-09-28 07:41:51
電子系統(tǒng)里，一般4V導(dǎo)通就夠用了。5，MOS管應(yīng)用電路MOS管最顯著的特性是開關(guān)特性好，所以被廣泛應(yīng)用在需要電子開關(guān)的電路中，常見的如開關(guān)電源，也有照明調(diào)光?，F(xiàn)在的MOS驅(qū)動，有幾個(gè)特別的需求。1，低壓
2021-01-11 20:12:24
mos選型mos選型第一步：選用N溝道還是P溝道低壓側(cè)開關(guān)選N-MOS，高壓側(cè)開關(guān)選P-MOS根據(jù)電路要求選擇確定VDS，VDS要大于干線電壓或總線電壓。這樣才能提供足夠的保護(hù)，使MOS管不會失效
2019-01-11 16:25:46
想請教大家一下MOS管的問題，原來產(chǎn)品上使用一個(gè)IRF4905S的MOS管，現(xiàn)在想用其他的替代。設(shè)計(jì)要求是120℃的環(huán)境下，最大電流30A能持續(xù)工作。我找了幾個(gè)相近的，不知道適不適合，請大家指教。IPD50P04P4-13 ； DMP4010SK3Q ；ATP114 ；有沒有合適的MOS管推薦？
2016-10-12 20:16:45
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-1 09:28 編輯
四個(gè)MOS管這么排列，Q3Q4是打開，Q1Q2是關(guān)閉， 電源是12V為啥AB兩點(diǎn)的電壓也有11多V，MOS是如何導(dǎo)通的呢，體二極管也是對立的。
2018-05-31 19:41:07
為何不接G極，把mos管設(shè)為initally OFF，打開開關(guān)燈也直接亮了啊
2015-12-31 19:59:06
誰來闡述一下mos管和三級管之間的區(qū)別？
2019-10-28 14:55:40
mos管的驅(qū)動電流如何設(shè)計(jì)呢
如果已經(jīng)知道MOS的Qg
恒壓模式下如何設(shè)計(jì)驅(qū)動管的電流
恒流模式下設(shè)置多大電流呢
2023-06-27 22:12:29
低壓MOS管體二極管反向擊穿電壓
2020-01-15 17:12:27
低壓MOS代替三極管降低漏電流
2021-07-22 16:05:24
溝道為設(shè)計(jì)選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOS管。在典型的功率應(yīng)用中，當(dāng)一個(gè)MOS管接地，而負(fù)載連接到干線電壓上時(shí)，該MOS管就構(gòu)成了低壓側(cè)開關(guān)。在低壓側(cè)開關(guān)中，應(yīng)采用N溝道MOS管
2018-10-19 10:10:44
`出售ROHM公司正品庫MOS管庫存晶圓芯片，有需要的請聯(lián)系：沈女士***`
2020-11-09 14:59:01
MOS管質(zhì)量過硬，性能穩(wěn)定，可替換6N40場效應(yīng)管。飛虹的FHP730高壓MOS管為N溝道增強(qiáng)型高壓功率場效應(yīng)管，除了可替代6N40外，還可替代7N40、IRF730B這兩款場效應(yīng)管。FHP730高壓
2019-07-18 20:32:19
目錄 IGBT和MOS管的區(qū)別：IGBT和可控硅的區(qū)別：IGBT驅(qū)動電路設(shè)計(jì)：1、IGBT驅(qū)動電路的設(shè)計(jì)2、IGBT驅(qū)動器的選擇3、IGBT驅(qū)動電路的設(shè)計(jì)IGBT和MOS管的區(qū)別： IIGBT
2021-09-09 08:05:31
N-MOS管是如何接線的？N-MOS管是如何驅(qū)動步進(jìn)電機(jī)的？
2021-10-11 07:49:20
N-MOS管的原理是什么？N-MOS管為什么會出問題？如何去控制步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動器？
2021-07-05 07:39:44
想必電路設(shè)計(jì)的設(shè)計(jì)師在選擇MOS管是都有考慮過一個(gè)問題，是該選擇P溝MOS管還是N溝MOS管？作為廠家而言，一定是想要自己的產(chǎn)品能夠以更低的價(jià)格來競爭其他的商家，也需要反復(fù)推選。那到底該怎么挑選呢？具有豐富經(jīng)驗(yàn)的飛虹MOS管廠家這就為大家分享。
2019-01-24 17:48:59
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:49 編輯
三極管與MOS管的區(qū)別`
2012-10-28 14:35:30
在做電路設(shè)計(jì)中三極管和MOS管做開關(guān)用時(shí)候有什么區(qū)別工作性質(zhì)： 1、三極管用電流控制，MOS管屬于電壓控制。2、成本問題：三極管便宜，MOS管貴。3、功耗問題：三極管損耗大。4、驅(qū)動能力：MOS管
2021-10-29 07:49:57
什么是MOS管？MOS管的工作原理是什么？MOS管和晶體三極管相比有何特性呢？
2022-02-22 07:53:36
MOS管學(xué)名是場效應(yīng)管，是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管，屬于絕緣柵型，本文就結(jié)構(gòu)構(gòu)造、特點(diǎn)、實(shí)用電路等幾個(gè)方面用工程師的話詳細(xì)描述。
2021-03-11 06:11:03
1. 什么是MOS管？MOS管是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的簡稱。1.1 如何判斷MOS管的G柵極、D漏極、S源極?（1）引腳一般如上圖所示。（2）萬用表測量，方法如下S源極與D漏極之間應(yīng)該有
2021-12-31 06:20:08
的工作效率，電器廠家在采購時(shí)必須選擇一款優(yōu)質(zhì)的MOS管。飛虹電子的這個(gè)FHP1404低壓MOS管為N溝道溝槽工藝MOS管，適用于500W/12V輸入的逆變器的前級電路，除了可替代HY4004場效應(yīng)管，還可
2019-08-10 16:05:34
設(shè)計(jì)一個(gè)mos管作為負(fù)載的電池放電器，如何控制mos管的開關(guān)特性，Vgs又如何控制
2016-03-10 12:02:57
非常小心，特別是功率較小的MOS管，由于功率較小的MOS管輸入電容比較小，接觸到靜電時(shí)產(chǎn)生的電壓較高，容易引起靜電擊穿。 而近期的增強(qiáng)型大功率MOS管則有比較大的區(qū)別，首先由于功能較大輸入電容也比較
2018-11-01 15:17:29
有哪些方法可以獲得MOS變?nèi)?b class="flag-6" style="color: red">管單調(diào)的調(diào)諧特性？MOS變?nèi)?b class="flag-6" style="color: red">管反型與積累型MOS變?nèi)?b class="flag-6" style="color: red">管
2021-04-07 06:24:34
負(fù)載適應(yīng)性和穩(wěn)定性。因而為了保證產(chǎn)品質(zhì)量，減少維修成本，廠家就更應(yīng)該選擇一款優(yōu)質(zhì)的場效應(yīng)管，而飛虹電子自主研發(fā)的這個(gè)FHP740高壓MOS管在轉(zhuǎn)換效率、安全性能等方面都是可以替換11N40場效應(yīng)管
2019-07-22 15:36:13
，當(dāng)一個(gè)MOS管接地，而負(fù)載連接到干線電壓上時(shí)，該MOS管就構(gòu)成了低壓側(cè)開關(guān)。在低壓側(cè)開關(guān)中，應(yīng)采用N溝道MOS管，這是出于對關(guān)閉或?qū)ㄆ骷桦妷旱目紤]。當(dāng)MOS管連接到總線及負(fù)載接地時(shí)，就要用高壓側(cè)
2018-11-08 14:13:40
兩個(gè)mos管，第一個(gè)MOS管柵極接單片機(jī)io口，通過io口控制通斷繼而控制第二個(gè)mos管通斷，開關(guān)頻率要求不高，對開關(guān)時(shí)間和導(dǎo)通電阻有要求，開關(guān)時(shí)間和導(dǎo)通電阻都要盡可能小，有沒有推薦的電路圖和MOS管，圖片是我畫的簡單示意圖
2018-10-16 22:40:53
用于無線模塊的接收端，而且我們想用一個(gè)
MOS管作為開關(guān)控制超級電容的充放電，因?yàn)榻邮斩说碾妷狠^低，所以找不到好使的
mos管（應(yīng)該是
低壓n型增強(qiáng)
MOS管）不清楚到底用哪些
mos管功耗更低，開啟電壓比較小，所以希望大佬們能給個(gè)建議！急?。。。。?/div>
2019-08-01 04:36:02
開關(guān)。在低壓側(cè)開關(guān)中，應(yīng)采用N溝道MOS管，這是出于對關(guān)閉或?qū)ㄆ骷桦妷旱目紤]。當(dāng)MOS管連接到總線及負(fù)載接地時(shí)，就要用高壓側(cè)開關(guān)。通常會在這個(gè)拓?fù)渲胁捎肞溝道MOS管，這也是出于對電壓驅(qū)動的考慮
2016-01-26 10:30:10
怎樣去使用MOS管？如何去實(shí)現(xiàn)MOS管的精確控制呢？
2021-10-09 08:36:20
這個(gè)mos管是如何導(dǎo)通，控制電源開斷
2019-07-02 23:34:55
低壓側(cè)開關(guān)中，應(yīng)選用N溝道MOS管，這是出于對封閉或?qū)ㄆ鞑乃桦妷旱目紤]。當(dāng)MOS管連接到總線及負(fù)載接地時(shí)，就要用高壓側(cè)開關(guān)。一般會在這個(gè)拓?fù)渲羞x用P溝道MOS管，這也是出于對電壓驅(qū)動的考慮。 要
2021-03-15 16:28:22
如何計(jì)算MOS管的損耗？
2021-11-01 08:02:22
`推薦課程：張飛軟硬開源：基于STM32的BLDC直流無刷電機(jī)驅(qū)動器（視頻+硬件）http://url.elecfans.com/u/73ad899cfd MOS管和IGBT管作為現(xiàn)代
2019-05-02 22:43:32
的TO-220F封裝形式（指用于開關(guān)電源中功率為50—200W的場效應(yīng)開關(guān)管），其三個(gè)電極排列也一致，即將三只引腳向下，打印型號面向自巳，左側(cè)引腳為柵極，右測引腳為源極，中間引腳為漏極。以上是對低壓MOS管的簡單講解，要想了解關(guān)于低壓MOS管的深入信息，就跟銀聯(lián)寶科技一起學(xué)習(xí)吧！
2018-10-25 16:36:05
部分使用12V甚至更高的電壓。兩個(gè)電壓采用共地方式連接。這就提出一個(gè)要求，需要使用一個(gè)電路，讓低壓側(cè)能夠有效的控制高壓側(cè)的MOS管，同時(shí)高壓側(cè)的MOS管也同樣會面對1和2中提到的問題。在這三種情況下，圖騰柱結(jié)構(gòu)無法滿足輸出要求，而很多現(xiàn)成的MOS管驅(qū)動IC，似乎也沒有包含gate電壓限制的結(jié)構(gòu)。`
2018-10-19 15:28:31
更高的電壓。兩個(gè)電壓采用共地方式連接?！ ∵@就提出一個(gè)要求，需要使用一個(gè)電路，讓低壓側(cè)能夠有效的控制高壓側(cè)的MOS管，同時(shí)高壓側(cè)的MOS管也同樣會面對1和2提到的問題。 在這三種情況下，圖騰柱結(jié)構(gòu)無法
2018-12-03 14:43:36
開關(guān)MOS管與線性MOS管的區(qū)別，1.是不是開關(guān)MOS管的只有“開”與“關(guān)”2種狀態(tài)？2.是不是線性MOS管可以利用柵極的電壓大小來控制導(dǎo)通的比率?3.開關(guān)的MOS管是使用數(shù)字信號控制。而線性的MOS管使用模擬信號控制？
2023-03-15 11:51:44
有MOS管的電路仿真時(shí)，怎么才能找到MOS管的波形圖
2011-12-27 17:41:18
MOS管是什么？NMOS管和PMOS管的工作原理是什么？NMOS管與PMOS管的區(qū)別在哪？
2021-11-03 06:17:26
、為了防止漏極耦合過來的瞬態(tài)高壓對MOS管柵極的沖擊,通常采用在MOS管柵源之間接一個(gè)齊納二極管來保護(hù)MOS管的柵極,但是同時(shí)因?yàn)辇R納二極管的輸出阻抗較高容易產(chǎn)生自振蕩。正如我們前而所提到的這種自振蕩
2018-10-19 16:21:14
則是總導(dǎo)通電阻的96.5%。由此可以推斷耐壓800V的MOS管的導(dǎo)通電阻將幾乎被外延層電阻占據(jù)。欲獲得高阻斷電壓，就必須采用高電阻率的外延層，并增厚。這就是常規(guī)高壓MOS管結(jié)構(gòu)所導(dǎo)致的高導(dǎo)通電
2018-11-01 15:01:12
上電電機(jī)不轉(zhuǎn)MOS管發(fā)聲隨占空比的增加聲音增加大概 10s鐘冒煙MOS管燒了 求各位大俠 指點(diǎn)?。。。?！
2013-05-04 08:54:57
，讓低壓側(cè)能夠有效的控制高壓側(cè)的MOS管，同時(shí)高壓側(cè)的MOS管也同樣會面對1和2中提到的問題。 在這三種情況下，圖騰柱結(jié)構(gòu)無法滿足輸出要求，而很多現(xiàn)成的MOS管驅(qū)動IC，似乎也沒有包含gate電壓限制的結(jié)構(gòu)。
2018-11-12 14:51:27
1. MOS損耗MOS管是開關(guān)電源中常見器件之一，在評估開關(guān)電源效率的時(shí)候，對于MOS管的選型十分重要，如果選擇的MOS不合適，電路該部分的發(fā)熱會非常嚴(yán)重，影響效率。因此，在考慮到設(shè)計(jì)開關(guān)電源的效率
2021-07-29 06:01:56
一些控制電路中，邏輯部分使用典型的5V或3.3V數(shù)字電壓，而功率部分使用12V甚至更高的電壓。兩個(gè)電壓采用共地方式連接。這就提出一個(gè)要求，需要使用一個(gè)電路，讓低壓側(cè)能夠有效的控制高壓側(cè)的MOS管，同時(shí)
2017-08-15 21:05:01
，邏輯部分使用典型的5V或3.3V數(shù)字電壓，而功率部分使用12V甚至更高的電壓。兩個(gè)電壓采用共地方式連接。這就提出一個(gè)要求，需要使用一個(gè)電路，讓低壓側(cè)能夠有效的控制高壓側(cè)的MOS管，同時(shí)高壓側(cè)的MOS管也
2017-12-05 09:32:00
請教各位老師,我的MOS管經(jīng)常擊穿,是怎么回事.如何保護(hù).MOS管VDS為60V,ID=60A.負(fù)載為24V150W燈.驅(qū)動脈沖100HZ.請看圖片.謝謝!!!
2013-10-24 08:47:33
請問單獨(dú)用MOS管開關(guān)和三極管配合MOS管做開關(guān)有什么區(qū)別呢？
2018-11-27 15:28:29
這個(gè)電路，MOS管控制電路的GND怎么接，才能使MOS管導(dǎo)通。
2019-04-23 20:20:48
大電流，小電流MOS管都有，希望對你有幫助！
2012-02-05 18:17:44
工作頻率8Khz，調(diào)節(jié)占空比控制mos管輸出電壓，R10位置接風(fēng)機(jī)
。RC運(yùn)放濾波得到電壓U1，之后運(yùn)放是如何反饋控制mos管調(diào)節(jié)U2？
2023-12-06 18:19:11
物美。而逆變器后級電路可應(yīng)用的場效應(yīng)管除了TK8A50D，還有飛虹電子生產(chǎn)的這個(gè)FHP840 高壓MOS管。飛虹電子的這個(gè)FHP840 高壓MOS管為N溝道增強(qiáng)型高壓功率場效應(yīng)管，F(xiàn)HP840場效應(yīng)管
2019-08-15 15:08:53
如何選擇高性能的MOS管呢？ 1.選擇好MOS管器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOS管。在典型的功率應(yīng)用中，當(dāng)一個(gè)MOS管接地，而負(fù)載連接到干線電壓上時(shí)，該MOS管就構(gòu)成了低壓側(cè)開關(guān)。在低壓側(cè)
2019-01-10 11:52:27
的競爭優(yōu)勢等。飛虹研發(fā)的這個(gè)FHP3205低壓MOS管在轉(zhuǎn)換效率、安全性能等方面都是可以替換IRF1010E場效應(yīng)管使用的。飛虹的這個(gè)FHP3205低壓場效應(yīng)管是N溝道溝槽工藝MOS管，主要適用于300W
2019-08-29 13:59:20
什么是高低端MOS管？它們的區(qū)別是什么？請各位大神指教，希望能分享相關(guān)資料，非常感謝！
2016-09-01 09:51:08
MOS管在微型逆變器上的應(yīng)用:推薦瑞森半導(dǎo)體超結(jié)MOS系列+低壓MOS系列
2023-10-21 10:09:00
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MOS管在微型逆變器上的應(yīng)用
推薦瑞森半導(dǎo)體超結(jié)MOS系列+低壓MOS系列
2023-10-23 09:31:20561 
MOS管在單相離線式不間斷電源上的應(yīng)用，推薦瑞森半導(dǎo)體，650V/500V高壓MOS系列+低壓MOS系列
2023-11-10 16:37:25184 
MOS管在單相離線式不間斷電源上的應(yīng)用，推薦瑞森半導(dǎo)體
650V/500V高壓MOS系列+低壓MOS系列
2023-11-10 17:03:58137 
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