車規(guī)級(jí)SiC MOSFET制造技術(shù)進(jìn)展

隨著新能源汽車、光伏、充電樁等應(yīng)用對(duì)系統(tǒng)效率的不斷追求，SiC 功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將迎來(lái)前所未有的增速

國(guó)內(nèi)SiC產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)趨于完整,在材料、制造、設(shè)計(jì)等方面與國(guó)際領(lǐng)先水平的差距正在迅速縮小

編輯：黃飛

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新能源汽車(97584) 新能源汽車(97584)
SiC(61351) SiC(61351)
功率半導(dǎo)體(42383) 功率半導(dǎo)體(42383)
充電樁(81551) 充電樁(81551)
功率芯片(15221) 功率芯片(15221)

評(píng)論

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SiC-MOSFET有什么優(yōu)點(diǎn)

另一方面，按照現(xiàn)在的技術(shù)水平，SiC-MOSFET的MOS溝道部分的遷移率比較低，所以溝道部的阻抗比Si器件要高。因此，越高的門極電壓，可以得到越低的導(dǎo)通電阻（VCS=20V以上則逐漸飽和）。如果

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碳化硅MOSFET是如何制造的？如何驅(qū)動(dòng)碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管？

應(yīng)用，處理此類應(yīng)用的唯一方法是使用IGBT器件。碳化硅或簡(jiǎn)稱SiC已被證明是一種材料，可以用來(lái)構(gòu)建類似MOSFET的組件，使電路具有比以往IGBT更高的效率。如今，SiC受到了很多關(guān)注，不僅因?yàn)樗?/div>

2023-02-24 15:03:59

碳化硅SiC技術(shù)導(dǎo)入應(yīng)用的最大痛點(diǎn)

：“通過(guò)比較發(fā)現(xiàn)，電動(dòng)汽車整車半導(dǎo)體平均總成本是傳統(tǒng)汽車的兩倍，而電動(dòng)汽車50%的總成本與功率器件有關(guān)?！薄　∷J(rèn)為，SiC在電動(dòng)車制造中可以節(jié)約成本。在電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)電機(jī)和逆變器中，采用SiC

2023-02-27 14:28:47

羅姆成功實(shí)現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝

本半導(dǎo)體制造商羅姆面向工業(yè)設(shè)備和太陽(yáng)能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開(kāi)發(fā)出耐壓高達(dá)1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此產(chǎn)品損耗

2019-03-18 23:16:12

能推薦一些國(guó)內(nèi)車規(guī)級(jí)電子元器件原廠嗎？

誰(shuí)能推薦一些國(guó)內(nèi)車規(guī)級(jí)的電子元器件廠商？主要是電源IC、ADC、邏輯IC、復(fù)位IC、高低邊IC等等，其它的分立元器件也可以推薦，要國(guó)產(chǎn)的，謝謝！本人在國(guó)內(nèi)一線整車廠上班。

2019-12-04 11:38:53

設(shè)計(jì)中使用的電源IC：專為SiC-MOSFET優(yōu)化

本文將從設(shè)計(jì)角度首先對(duì)在設(shè)計(jì)中使用的電源IC進(jìn)行介紹。如“前言”中所述，本文中會(huì)涉及“準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器”的設(shè)計(jì)和功率晶體管使用“SiC-MOSFET”這兩個(gè)新課題。因此，設(shè)計(jì)中所使用的電源IC，是可將

2018-11-27 16:54:24

請(qǐng)問(wèn)車規(guī)級(jí)芯片到底有哪些要求？

請(qǐng)問(wèn)車規(guī)級(jí)芯片到底有哪些要求？

2021-06-18 07:56:37

采用第3代SiC-MOSFET，不斷擴(kuò)充產(chǎn)品陣容

ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低

2018-12-04 10:11:50

重慶電感供應(yīng)/TS16949認(rèn)證對(duì)車規(guī)級(jí)電感廠家的重要性--谷景電子

汽車類電子的客戶首先選擇車規(guī)級(jí)電感廠家看的是什么呢？是規(guī)模嗎？是質(zhì)量嗎？是服務(wù)嗎？都不是，首先看車規(guī)級(jí)電感廠家有沒(méi)有TS16949認(rèn)證。為什么汽車類電子客戶首先要求車規(guī)級(jí)電感廠家擁有TS16949

2020-06-22 11:59:24

量產(chǎn)發(fā)布！國(guó)民技術(shù)首款車規(guī)級(jí)MCU N32A455上市

2023年2月20日，國(guó)民技術(shù)在深圳正式推出兼具通用性、硬件安全性和車規(guī)級(jí)高可靠性等優(yōu)勢(shì)特性的N32A455系列車規(guī)級(jí)MCU并宣布量產(chǎn)。這是繼N32S032車規(guī)級(jí)EAL5+安全芯片之后，國(guó)民技術(shù)發(fā)布

2023-02-20 17:44:27

驅(qū)動(dòng)功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？

請(qǐng)問(wèn)：驅(qū)動(dòng)功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？

2019-07-31 10:13:38

微電子所在SiC MOSFET器件研制方面的進(jìn)展

近日，中科院微電子研究所微波器件與集成電路研究室（四室）碳化硅電力電子器件研究團(tuán)隊(duì)在SiC MOSFET器件研制方面取得重要進(jìn)展，成功研制出1200V/15A、1700V/8A SiC MOSFET

2017-11-08 15:14:36

三張圖了解微電子所在SiC MOSFET器件研制方面取得重要進(jìn)展

近日，中科院微電子研究所微波器件與集成電路研究室（四室）碳化硅電力電子器件研究團(tuán)隊(duì)在SiC MOSFET器件研制方面取得重要進(jìn)展，成功研制出1200V/15A、1700V/8A SiC MOSFET器件。

2018-04-20 11:33:00

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劉奧將發(fā)表《車用SIC芯片的技術(shù)進(jìn)展與挑戰(zhàn)》的主題演講

在本次峰會(huì)上，中國(guó)電科五十五所高級(jí)工程師劉奧將發(fā)表《車用SIC芯片的技術(shù)進(jìn)展與挑戰(zhàn)》的主題演講。

2021-03-09 10:54:08

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派恩杰SiC MOSFET批量“上車”，擬建車用SiC模塊封裝產(chǎn)線

自2018年特斯拉Model3率先搭載基于全SiC MOSFET模塊的逆變器后，全球車企紛紛加速SiC MOSFET在汽車上的應(yīng)用落地。

2021-12-08 15:55:51

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SiC MOSFET單管的并聯(lián)均流特性

關(guān)于SiC MOSFET的并聯(lián)問(wèn)題，英飛凌已陸續(xù)推出了很多技術(shù)資料，幫助大家更好的理解與應(yīng)用。此文章將借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環(huán)境，分析SiC MOSFET單管在并聯(lián)條件下的均流特性。

2022-08-01 09:51:15

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SiC MOSFET 的優(yōu)勢(shì)和用例是什么？

SiC MOSFET 的優(yōu)勢(shì)和用例是什么？

2022-12-28 09:51:20

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大電流應(yīng)用中SiC MOSFET模塊的應(yīng)用

在大電流應(yīng)用中利用 SiC MOSFET 模塊

2023-01-03 14:40:29

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SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極源極間電壓的動(dòng)作-SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)

在探討“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中Gate-Source電壓的動(dòng)作”時(shí)，本文先對(duì)SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進(jìn)行介紹，這也是這個(gè)主題的前提。

2023-02-08 13:43:23

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低邊SiC MOSFET導(dǎo)通時(shí)的行為

本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。

2023-02-09 10:19:20

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低邊SiC MOSFET關(guān)斷時(shí)的行為

通過(guò)驅(qū)動(dòng)器源極引腳改善開(kāi)關(guān)損耗本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的...

2023-02-09 10:19:20

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SiC MOSFET和SiC IGBT的區(qū)別

　　在SiC MOSFET的開(kāi)發(fā)與應(yīng)用方面，與相同功率等級(jí)的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性。

2023-02-12 15:29:03

2102

SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)及特性

SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)，主要有二種：平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)，

2023-02-16 09:40:10

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溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET與實(shí)際產(chǎn)品

在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。

2023-02-24 11:48:18

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SiC MOSFET學(xué)習(xí)筆記(三)SiC驅(qū)動(dòng)方案

如何為SiC MOSFET選擇合適的驅(qū)動(dòng)芯片？（英飛凌官方）由于SiC產(chǎn)品與傳統(tǒng)硅IGBT或者MOSFET參數(shù)特性上有所不同，并且其通常工作在高頻應(yīng)用環(huán)境中，為SiC MOSFET選擇合適的柵極

2023-02-27 14:42:04

SiC MOSFET的設(shè)計(jì)和制造

首先，是一張制造測(cè)試完成了的SiC MOSFET的晶圓(wafer)。

2023-08-06 10:49:07

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SiC MOSFET器件技術(shù)現(xiàn)狀分析

對(duì)于SiC功率MOSFET技術(shù)，報(bào)告指出，650-1700V SiC MOSFET技術(shù)快速迭代，單芯片電流可達(dá)200A。提升電流密度同時(shí)，解決好特有可靠性問(wèn)題是提高技術(shù)成熟度關(guān)鍵。

2023-08-08 11:05:57

428

車規(guī)級(jí)功率模塊封裝的現(xiàn)狀，SiC MOSFET對(duì)器件封裝的技術(shù)需求

1、SiC MOSFET對(duì)器件封裝的技術(shù)需求 2、車規(guī)級(jí)功率模塊封裝的現(xiàn)狀 3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝 4、未來(lái)模塊封裝發(fā)展趨勢(shì)及看法

2023-10-27 11:00:52

419

Si對(duì)比SiC MOSFET 改變技術(shù)—是正確的做法

Si對(duì)比SiC MOSFET 改變技術(shù)—是正確的做法

2023-11-29 16:16:06

149

SiC設(shè)計(jì)干貨分享（一）：SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的分析及探討

SiC設(shè)計(jì)干貨分享（一）：SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的分析及探討

2023-12-05 17:10:21

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SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)

SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)

2023-12-07 16:00:26

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怎么提高SIC MOSFET的動(dòng)態(tài)響應(yīng)？

可行的解決方案。首先，讓我們了解一下SIC MOSFET的基本原理和結(jié)構(gòu)。SIC（碳化硅）MOSFET是一種基于碳化硅材料制造的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。相較于傳統(tǒng)的硅MOSFET，SIC MOSFET具有更高的載流能力、更低的導(dǎo)通電阻和更優(yōu)秀的耐高溫性能，可以應(yīng)用于高頻、高功率和高溫環(huán)境

2023-12-21 11:15:52

272

SIC MOSFET在電路中的作用是什么？

SIC MOSFET在電路中的作用是什么？ SIC MOSFET（碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種新型的功率晶體管，具有較高的開(kāi)關(guān)速度和功率密度，廣泛應(yīng)用于多種電路中。首先，讓我們簡(jiǎn)要了解一下SIC

2023-12-21 11:27:13

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