回首2023，碳化硅和氮化鎵行業(yè)取得了哪些進(jìn)步？出現(xiàn)了哪些變化？2024將迎來哪些新機(jī)遇和新挑戰(zhàn)？

為更好地解讀產(chǎn)業(yè)格局，探索未來的前進(jìn)方向，行家說三代半、行家極光獎(jiǎng)聯(lián)合策劃了《行家瞭望——2024，火力全開》專題報(bào)道。

本期嘉賓是Qorvo?功率器件總監(jiān) / SiC 產(chǎn)品線經(jīng)理Ramanan Natarajan。

開發(fā)750V TOLL封裝SiC FET

進(jìn)軍光儲(chǔ)充、動(dòng)力總成等多個(gè)市場(chǎng)

行家說三代半：過去一年，貴公司主要做了哪些關(guān)鍵性工作？

Qorvo：Qorvo 是業(yè)內(nèi)唯一一家基于JFET技術(shù)打造行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SiC FET產(chǎn)品的公司；從而助力更豐富的功率轉(zhuǎn)換與電路保護(hù)應(yīng)用。Qorvo提供業(yè)界最廣泛的分立式FET產(chǎn)品組合（涵蓋650-1700V、5-400mohms、SMD和TH封裝等）。

在產(chǎn)品研發(fā)方面，2023年，Qorvo宣布采用具備業(yè)界最低RDS(on)（5.4mΩ）的TOLL封裝750V FET，這是任何其它功率半導(dǎo)體技術(shù)（如硅基MOSFET、SiC MOSFET、GaN FET）均無法超越的。

具體來看，TOLL封裝750V SiC FET，導(dǎo)通電阻范圍在5.4mΩ-60mΩ之間；另一款A(yù)EC級(jí)750V和1200V SiC FET，采用低電感SMD封裝D2PAK-7L。

行家說三代半：2023年貴公司取得了哪些成績？碳化硅在應(yīng)用領(lǐng)域有哪些進(jìn)展與案例？

Qorvo：Qorvo的SiC FET產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于光伏和儲(chǔ)能、直流快速充電器、電動(dòng)汽車動(dòng)力總成、服務(wù)器/數(shù)據(jù)中心/工業(yè)PSU等多個(gè)市場(chǎng)。Qorvo的650-1200V SiC FET在任何特定封裝中都能提供電阻最低的產(chǎn)品。

SiC FET具備獨(dú)特優(yōu)勢(shì)

單晶圓芯片數(shù)多2-4倍

行家說三代半：相較于SiC MOS產(chǎn)品，貴公司的SiC FET的產(chǎn)品有哪些獨(dú)特之處和優(yōu)勢(shì)？還有哪些新的技術(shù)進(jìn)展？

Qorvo：Qorvo SiC FET的特點(diǎn)：

● 在給定RDS(on)條件下，SiC芯片尺寸更小，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)SiC襯底用量的最有效利用；

●?在給定封裝尺寸中具有最低的RDS(on)，同時(shí)結(jié)合最低的反向壓降，能在軟開關(guān)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)最高效率；

●?與類似的SiC MOSFET相比，COSS（輸出電容）更低，帶來更快的開關(guān)速度，工作頻率更高，由此縮小了臃腫無源元件（電感器、電容器）的尺寸；

●?+/-20V柵極電壓能力：與所有競(jìng)品技術(shù)的柵極驅(qū)動(dòng)電路兼容；

●Qorvo SiC基于JFET技術(shù)，無SiC柵極氧化物可靠性問題；

此外，在與SiC MOS芯片尺寸相同的情況下，Qorvo SiC JFET技術(shù)實(shí)現(xiàn)了以下目標(biāo)：

●650V電壓下，導(dǎo)通電阻比SiC MOSFET低3-4倍；

●1200V電壓下，導(dǎo)通電阻比SiC MOSFET低2倍；

對(duì)于相同的FET導(dǎo)通電阻，Qorvo的SiC JFET技術(shù)可實(shí)現(xiàn)：

●更小的芯片尺寸；每片晶圓上容納的芯片數(shù)量增加2-4倍，從而提升制造吞吐量；

●更低的器件“寄生”電容。

優(yōu)化產(chǎn)品組合

鞏固SiC FET領(lǐng)先地位

行家說三代半：未來8英寸產(chǎn)品的商用化進(jìn)程是怎樣的？2024年貴司在產(chǎn)能或技術(shù)上有哪些規(guī)劃？

Qorvo：6英寸仍然是整個(gè)行業(yè)的主流平臺(tái)；越來越多的襯底供應(yīng)商提供6英寸SiC晶圓，從而降低了成本。對(duì)于8英寸，目前仍存在良率較低、晶圓成本較高等挑戰(zhàn)。

2024年，SiC器件的需求呈增長趨勢(shì)，Qorvo將持續(xù)優(yōu)化產(chǎn)品組合，以充分利用在分立式SiC FET產(chǎn)品領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

審核編輯：黃飛

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