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使用二級(jí)管,導(dǎo)通時(shí)會(huì)有壓降,會(huì)損失一些電壓。而使用MOS管做隔離，在正向?qū)〞r(shí)，在控制極加合適的電壓，可以讓MOS管飽和導(dǎo)通，這樣通過(guò)電流時(shí)幾乎不產(chǎn)生壓降。
審核編輯：黃飛
深入解析MOS管的判別與導(dǎo)通條件
- 二極管(161030)
- MOS管(64251)
- 適配器(66832)
- 電壓(114339)
- 寄生二極管(3165)
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晶閘管的導(dǎo)通條件是什么？
晶閘管的導(dǎo)通條件是什么？晶閘管的工作條件：
1. 晶閘管承受反向陽(yáng)極電壓時(shí)，不管門(mén)極承受何種電壓，晶
2009-12-10 16:58:06
60837
60837MOS管的導(dǎo)通條件 MOS管的導(dǎo)通過(guò)程
MOS管的導(dǎo)通與截止由柵源電壓來(lái)控制，對(duì)于增強(qiáng)型MOS管來(lái)說(shuō)，N溝道的管子加正向電壓即導(dǎo)通，P溝道的管子則加反向電壓。
2024-03-14 15:47:38929
929
MOS管導(dǎo)通電阻問(wèn)題
我在網(wǎng)上一些帖子上面看到，MOS管導(dǎo)通后如果工作在現(xiàn)行放大區(qū)的話就有可能燒壞管子，這是因?yàn)榫€性區(qū)的ID電流較大，同時(shí)RDS也較大，功耗較高所致。但我看了 一下MOS的應(yīng)用手冊(cè)，上面提到的導(dǎo)通后RDS都是mΩ級(jí)別的，這個(gè)也算是電阻大嘛？這不是與上面的介紹想矛盾嗎？另外，MOS的功耗究竟應(yīng)該怎么計(jì)算呢？
2018-10-25 11:14:39
MOS管導(dǎo)通問(wèn)題，關(guān)于Vds電壓得下線
（電阻有誤，請(qǐng)忽視大小，20K那個(gè)應(yīng)該是10R左右）如圖所示電路，VD電壓在0.7V-0.3V之間，這種情況下，MOS管在開(kāi)關(guān)按下時(shí)，能導(dǎo)通實(shí)現(xiàn)把這個(gè)0.7-0.3的電壓下拉嘛？
補(bǔ)充內(nèi)容 (2018-6-22 09:45):
圖上的那個(gè)MOS管型號(hào)實(shí)際為cj2302，導(dǎo)通電阻在50-80mR之間
2018-06-21 16:29:35
MOS管GD短路問(wèn)題的請(qǐng)教
如圖，請(qǐng)問(wèn)一下，如果C1被短路，也就是MOS管的GD短路，最終會(huì)擊穿MOS管，使MOS管三個(gè)極都導(dǎo)通嗎？其中VCC是13V
2018-02-02 09:59:30
MOS管三個(gè)極與寄生二極管方向的判定
)時(shí)導(dǎo)通 總之，導(dǎo)通條件：|Ugs|>|Ugs(th)|5. 從MOS管實(shí)物識(shí)別管腳無(wú)論是NMOS還是PMOS 按上圖方向擺正，中間的一腳為D，左邊為G，右邊為S。 或者這么記：?jiǎn)为?dú)的一腳為D
2023-02-10 16:17:02
MOS管為何沒(méi)導(dǎo)通負(fù)載端還有電壓？
MOS管是N溝道si2302，用人體感應(yīng)模塊3.3V電壓控制柵極，負(fù)載電流260ma，導(dǎo)通后負(fù)載電壓11.3V。MOS管在沒(méi)有導(dǎo)通的情況下，測(cè)得負(fù)載端電壓5.3V，電流0，漏極跟柵極和源極分別有6.6V電壓。為何沒(méi)導(dǎo)通負(fù)載端還有電壓，這正常嗎
2021-08-26 08:33:43
MOS管主要參數(shù)
下 ，漏極電流的微變量和引起這個(gè)變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導(dǎo) ·gm反映了柵源電壓對(duì)漏極電流的控制能力 ·是表征MOS管放大能力的一個(gè)重要參數(shù) ·一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內(nèi)6. 導(dǎo)通電
2012-08-15 21:08:49
MOS管并聯(lián)是什么意思
一、MOS管并聯(lián)理論：(1)、三極管(BJT)具有負(fù)的溫度系數(shù)，即當(dāng)溫度升高時(shí)，導(dǎo)通電阻會(huì)變小。(2)、MOS管具有正的溫度系數(shù)，即當(dāng)溫度升高時(shí)，導(dǎo)通電阻會(huì)逐漸變大。MOS管的這一特性適合并聯(lián)電路中
2021-10-29 07:04:37
MOS管開(kāi)關(guān)怎么用
【1】NMOS管的主回路電流方向?yàn)镈→S，導(dǎo)通條件為VGS有一定的壓差，一般為5~10V（G電位比S電位高）【2】PMOS管的主回路電流方向?yàn)镾→D，導(dǎo)通條件為VGS有一定的壓差，一般為-5
2021-10-29 06:32:13
MOS管開(kāi)關(guān)電路導(dǎo)通的問(wèn)題
電壓是怎么來(lái)得？按理三極管不通，這電阻上應(yīng)該沒(méi)有回路啊！還有就是當(dāng)MOS管導(dǎo)通時(shí)，VB基本等于VB1（VB1比VB小0.1V左右），請(qǐng)問(wèn)為什么導(dǎo)通后電壓是小0.1v，而不是一直經(jīng)過(guò)二極管從2到3腳，也就是還是像沒(méi)導(dǎo)通時(shí)一樣VB1比VB小一個(gè)二極管的壓降呢？請(qǐng)問(wèn)高手這個(gè)電路這樣用的目的是什么呢？
2018-11-30 10:36:38
MOS管開(kāi)關(guān)電路特性及判斷使用-KIA MOS管
數(shù)字電路中MOS管常被用來(lái)作開(kāi)關(guān)管，所以被廣泛應(yīng)用在需要電子開(kāi)關(guān)的電路中，根據(jù)構(gòu)成和導(dǎo)通特性可分為四類MOS管：g被稱為柵極，d為漏極，s為源極，B為襯底，在實(shí)際生產(chǎn)中，襯底與源極相連，所以MOS管
2019-01-28 15:44:35
MOS管漏源極導(dǎo)通的原因是什么？
普通N MOS管給柵極一個(gè)高電壓 ，漏極一個(gè)低電壓，漏源極就能導(dǎo)通。這個(gè)GS之間加了背靠背的穩(wěn)壓管，給柵極一個(gè)4-10V的電壓，漏源極不能導(dǎo)通。是不是要大于柵源擊穿電壓VGSO（30v）才可以？
2019-06-21 13:30:46
MOS管電路邏輯及MOS管參數(shù)
和引起這個(gè)變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導(dǎo)。gm反映了柵源電壓對(duì)漏極電流的控制能力，是表征MOS管放大能力的一個(gè)重要參數(shù)。一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內(nèi)?！ ?.導(dǎo)通電阻RON 導(dǎo)通電阻RON說(shuō)明
2018-11-20 14:06:31
MOS管電路邏輯及MOS管參數(shù)
（增強(qiáng)型）的條件下，在增加漏源電壓過(guò)程中使ID開(kāi)始劇增時(shí)的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS ID劇增的原因有下列兩個(gè)方面： （1）漏極附近耗盡層的雪崩擊穿 ?。?）漏源極間的穿通擊穿 有些MOS管中，其
2018-11-20 14:10:23
MOS管的應(yīng)用及導(dǎo)通特性和應(yīng)用驅(qū)動(dòng)電路的總結(jié)。
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:09 編輯
在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮
2012-12-18 15:37:14
MOS管的應(yīng)用及導(dǎo)通特性和應(yīng)用驅(qū)動(dòng)電路的總結(jié)。
在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為正式的產(chǎn)品設(shè)計(jì)
2012-11-12 15:40:55
MOS管的開(kāi)通/關(guān)斷原理
原理，請(qǐng)看下圖：NMOS管的主回路電流方向?yàn)镈→S，導(dǎo)通條件為VGS有一定的壓差，一般為510V（G電位比S電位高）；而PMOS管的主回路電流方向?yàn)镾→D，導(dǎo)通條件為VGS有一定的壓差，一般為-5...
2021-10-28 08:37:47
MOS管的柵極電流怎么估算
張飛電子第四部，MOS管不像三極管的BE有固定壓降，所以不知道怎么計(jì)算。運(yùn)放那邊輸出開(kāi)路時(shí)，MOS管導(dǎo)通，具體是怎么工作的。1、剛開(kāi)始，三極管基極電流怎么算，可以用15/(7.5K+2K)估計(jì)
2021-04-27 12:03:09
MOS管種類和結(jié)構(gòu)
` 在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為
2019-02-14 11:35:54
MOS管種類和結(jié)構(gòu)你知道多少
型號(hào)，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問(wèn)底。對(duì)于這兩種增強(qiáng)型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導(dǎo)通電阻小，且容易制造。所以開(kāi)關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)
2021-01-11 20:12:24
MOS管問(wèn)題，請(qǐng)問(wèn)MOS是如何導(dǎo)通的呢？
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-1 09:28 編輯
四個(gè)MOS管這么排列，Q3Q4是打開(kāi)，Q1Q2是關(guān)閉， 電源是12V為啥AB兩點(diǎn)的電壓也有11多V，MOS是如何導(dǎo)通的呢，體二極管也是對(duì)立的。
2018-05-31 19:41:07
MOS管防止電源反接的使用技巧
導(dǎo)通，所以 S 的電位大概就是 0.6V，而 G 極的電位，是 VBAT，VBAT-0.6V 大于 UGS 的閥值開(kāi)啟電壓，MOS 管的 DS 就會(huì)導(dǎo)通，由于內(nèi)阻很小，所以就把寄生二極管短路了，壓降
2020-11-16 09:22:50
MOS管驅(qū)動(dòng)波形和導(dǎo)通波形不對(duì) ，還有尖峰
`到驅(qū)動(dòng)波形Vgs關(guān)閉的時(shí)候Vds仍然導(dǎo)通導(dǎo)致，沒(méi)有死區(qū)時(shí)間 下面是波形 我母線通電30V電壓來(lái)測(cè)試的CH1是Vgs導(dǎo)通波形 CH2是 Vds波形中間有一段VGS下降了 MOS管還導(dǎo)通這是測(cè)兩個(gè)低端MOS管Vds的波形 沒(méi)有死區(qū)時(shí)間 另外我的尖峰脈沖是不是太高了 我上電300V的話會(huì)炸管嗎`
2017-08-02 15:41:19
MOS管驅(qū)動(dòng)電路總結(jié)
在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為正式的產(chǎn)品設(shè)計(jì)
2011-11-07 15:56:56
MOS開(kāi)關(guān)管的選擇及原理應(yīng)用
`一般情況下普遍用于高端驅(qū)動(dòng)的MOS,導(dǎo)通時(shí)需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅(qū)動(dòng)的MOS管導(dǎo)通時(shí)源極電壓與漏極電壓(VCC)相同，所以這時(shí)柵極電壓要比VCC大4V或10V.如果在同一個(gè)系統(tǒng)里，要得
2019-07-05 08:00:00
MOS開(kāi)關(guān)管的選擇及原理應(yīng)用
`一般情況下普遍用于高端驅(qū)動(dòng)的MOS,導(dǎo)通時(shí)需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅(qū)動(dòng)的MOS管導(dǎo)通時(shí)源極電壓與漏極電壓(VCC)相同，所以這時(shí)柵極電壓要比VCC大4V或10V.如果在同一個(gè)系統(tǒng)里，要得
2019-07-05 07:30:00
MOS開(kāi)關(guān)管的選擇及原理應(yīng)用
一般情況下普遍用于高端驅(qū)動(dòng)的MOS,導(dǎo)通時(shí)需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅(qū)動(dòng)的MOS管導(dǎo)通時(shí)源極電壓與漏極電壓(VCC)相同，所以這時(shí)柵極電壓要比VCC大4V或10V.如果在同一個(gè)系統(tǒng)里，要得
2019-07-03 07:00:00
MOS的gs沒(méi)有到最小導(dǎo)通電壓，ds卻能通？？？
，壓根就沒(méi)達(dá)到導(dǎo)通條件呀？這ds咋動(dòng)作的？也不是就動(dòng)這一下，是gs的平臺(tái)電壓不管咋波動(dòng)，ds都自個(gè)擱那通斷，也不可能抓錯(cuò)到了別的MOS，三個(gè)相復(fù)測(cè)了好幾遍都這樣，所有管子低壓額定載必復(fù)現(xiàn)。目前往前推發(fā)現(xiàn)
2021-06-28 15:19:40
mos管仿真
`1、為什么mos管仿真導(dǎo)通了電阻還這么大啊、、2、proteus能做buck電路的仿真嗎？ 、、、proteus 有模擬開(kāi)關(guān)嗎、`
2013-05-04 16:50:41
導(dǎo)通電壓2-4V，SOT23封裝，符合這樣條件的MOS管有沒(méi)有？
MOS做開(kāi)關(guān)，導(dǎo)通電壓2-4V，SOT23封裝，符合這樣條件的MOS管有沒(méi)有？平時(shí)電路設(shè)計(jì)時(shí)找電子元件一般在什么地方找？新手求解？
2020-05-14 22:13:42
N型MOS管使用疑惑
，單片機(jī)io口能導(dǎo)通。第一個(gè)mos管導(dǎo)通后第二個(gè)mos管導(dǎo)通不了。第一個(gè)mos管不導(dǎo)通第二個(gè)導(dǎo)通，第二個(gè)導(dǎo)通后由于沒(méi)有接地，源極d和漏極s電壓都等于vin大于15v，這個(gè)時(shí)候vgs
2018-10-17 15:16:30
PMOS開(kāi)關(guān)問(wèn)題，完全開(kāi)啟時(shí)間在60秒以上，煩大家?guī)兔?/a>
做了一個(gè)開(kāi)關(guān)電路，使用PMOS作為開(kāi)關(guān)，三極管拉低MOS的控制端以滿足MOS開(kāi)啟需求但實(shí)測(cè)過(guò)程中發(fā)現(xiàn)當(dāng)三極管控制端接入10V電壓時(shí)（滿足三極管導(dǎo)通條件），需要等待約30~50秒MOS才會(huì)完全開(kāi)啟在
2014-06-13 17:00:10
PWM控制IGBT和MOSFET的工作原理
的柵極g，高電平時(shí)柵極電位高與源極5v就導(dǎo)通了；低電平時(shí)柵極電位也為低電平不滿足mos管導(dǎo)通條件，則關(guān)斷轉(zhuǎn)載自電子發(fā)燒友網(wǎng)`
2012-07-09 15:27:32
三極管
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-7 16:37 編輯
三極管的導(dǎo)通條件 是 發(fā)射正 集電極正 我現(xiàn)在 將 b接+5ve接GND然后c接 繼電器的線圈一個(gè)引腳另一個(gè)線圈的引腳接
2013-09-13 08:25:32
為什么MOS管會(huì)在加電瞬間短暫導(dǎo)通？
通，請(qǐng)教一下，為什么Q1會(huì)在上電瞬間導(dǎo)通一下？而且這樣接入一段時(shí)間后，也會(huì)突然導(dǎo)通一下，感覺(jué)是MOS管故障
2024-01-10 15:46:04
為什么這兩個(gè)MOS管能輪流導(dǎo)通，求大神解答！？
為什么這兩個(gè)MOS管能輪流導(dǎo)通？以及通過(guò)二極管驅(qū)動(dòng)到零，怎么理解？
2016-07-14 15:35:51
使用LTC4013充電，MOS管沒(méi)有進(jìn)行低阻抗導(dǎo)通比較熱怎么處理？
使用LTC4013充電，輸入24V，5A充電，沒(méi)有使用MPPT功能，輸出接12V鉛蓄電池。
目前現(xiàn)象是可以產(chǎn)生5A電流充電，但Vinfet比Vdcin小，導(dǎo)致MOS管沒(méi)有進(jìn)行低阻抗導(dǎo)通，比較熱，請(qǐng)問(wèn)有關(guān)INFET管腳正常工作的設(shè)置條件（電路按照應(yīng)用電路設(shè)計(jì)）
2024-01-05 07:24:28
全面解析MOS管特性、驅(qū)動(dòng)和應(yīng)用電路
` 在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS管的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為
2016-12-26 21:27:50
關(guān)于mos管導(dǎo)通問(wèn)題
以上為三極管與mos管組合控制電路。在706RST輸出低電平時(shí)為什么DC3V3一直輸出1.5v左右電壓，正常情況下，不應(yīng)該是沒(méi)有電壓?jiǎn)?？多謝各位指教
2018-09-11 15:19:56
利用NMOS管和PMOS管做開(kāi)關(guān)控制電路
1 MOS管導(dǎo)通截止原理NMOS管的主回路電流方向?yàn)镈—>S，導(dǎo)通條件為VGS有一定的壓差，如 5V（G電位比S電位高）。PMOS管的主回路電流方向?yàn)镾—>D，導(dǎo)通條件為
2023-02-17 13:58:02
合適的mos管和外圍電路
兩個(gè)mos管，第一個(gè)MOS管柵極接單片機(jī)io口，通過(guò)io口控制通斷繼而控制第二個(gè)mos管通斷，開(kāi)關(guān)頻率要求不高，對(duì)開(kāi)關(guān)時(shí)間和導(dǎo)通電阻有要求，開(kāi)關(guān)時(shí)間和導(dǎo)通電阻都要盡可能小，有沒(méi)有推薦的電路圖和MOS管，圖片是我畫(huà)的簡(jiǎn)單示意圖
2018-10-16 22:40:53
在實(shí)際應(yīng)用中mos管的導(dǎo)通問(wèn)題
導(dǎo)致，實(shí)際與理論不同。而且通過(guò)Multisim仿真時(shí)，選擇其他型號(hào)的mos管也存在這樣的問(wèn)題，是否是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">mos管漏電流過(guò)大，導(dǎo)致Q7導(dǎo)通，從而使Q6導(dǎo)通呢？請(qǐng)求各位大佬解答。
2021-12-30 16:37:05
在實(shí)際應(yīng)用時(shí)MOS管的導(dǎo)通問(wèn)題
導(dǎo)致，實(shí)際與理論不同。而且通過(guò)Multisim仿真時(shí)，選擇其他型號(hào)的MOS管也存在這樣的問(wèn)題，是否是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">mos管漏電流過(guò)大，導(dǎo)致Q7導(dǎo)通，從而使Q6導(dǎo)通呢？請(qǐng)求各位大佬解答。
2021-12-30 16:27:59
場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET的導(dǎo)通條件
方向N溝道，由S極指向D極。P溝道，由D極指向S極。如果覺(jué)得上面兩條不是很好記，教大家一個(gè)識(shí)別方法：不論N溝道還是P溝道MOS管，中間襯底箭頭方向和寄生二極管的箭頭方向總是一致的，上面圖片已經(jīng)標(biāo)出來(lái)了可以看一下。MOS管導(dǎo)通條件N溝道：Ug>Us時(shí)導(dǎo)通。（簡(jiǎn)單認(rèn)為）Ug=Us時(shí)截止。P溝道：Ug
2023-02-10 16:27:24
多個(gè)MOS管同時(shí)導(dǎo)通可行嗎？
請(qǐng)教大神。如果20個(gè)MOS管(2SK2499)并聯(lián)。怎樣才能做到全部管子同時(shí)導(dǎo)通同時(shí)關(guān)斷呢？用驅(qū)動(dòng)芯片？管子輸出的是PWM波形。謝謝
2017-09-19 22:55:32
干貨 | 關(guān)于MOS管的11個(gè)基礎(chǔ)知識(shí)點(diǎn)，帶你梳理一遍，查漏補(bǔ)缺！
；PMOS：S極接輸入，D極接輸出；反證法加強(qiáng)理解NMOS假如：S接輸入，D接輸出；由于寄生二極管直接導(dǎo)通，因此S極電壓可以無(wú)條件到D極，MOS管就失去了開(kāi)關(guān)的作用。PMOS假如：D接輸入，S接輸出
2021-12-07 01:24:30
當(dāng)兩個(gè)發(fā)光二極管都滿足導(dǎo)通條件時(shí)，為什么壓降小的先...
當(dāng)兩個(gè)發(fā)光二極管都滿足導(dǎo)通條件時(shí)，為什么壓降小的先導(dǎo)通？ 一個(gè)紅色LED一個(gè)白色LED加3V電壓 并聯(lián)紅的亮 白的不亮為何？實(shí)在困惑希望各位大俠指點(diǎn)一二不勝感激
2014-05-22 23:33:52
揭秘MOS管和MOS管驅(qū)動(dòng)電路之間的聯(lián)系
揭秘mos管和mos管驅(qū)動(dòng)電路之間的聯(lián)系 在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS管的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許
2018-12-03 14:43:36
教你一眼識(shí)別MOS管電路
溝道，由D極指向S極?！ ?b class="flag-6" style="color: red">MOS管的主要作用 開(kāi)關(guān)作用：即可以實(shí)現(xiàn)信號(hào)切換（高低電平切換），也可以實(shí)現(xiàn)電壓通斷。用作開(kāi)關(guān)時(shí)MOS管中的寄生二極管方向是關(guān)鍵?！ ?b class="flag-6" style="color: red">導(dǎo)通條件 不論N溝道還是P溝道MOS管
2023-03-10 16:26:47
淺析降低高壓MOS管導(dǎo)通電阻的原理與方法
` ?。?）不同耐壓的MOS管的導(dǎo)通電阻分布。不同耐壓的MOS管，其導(dǎo)通電阻中各部分電阻比例分布也不同。如耐壓30V的MOS管，其外延層電阻僅為總導(dǎo)通電阻的29%，耐壓600V的MOS管的外延層電阻
2018-11-01 15:01:12
測(cè)量MOS管導(dǎo)通電阻的意義
測(cè)量MOS管的導(dǎo)通電阻除了在選定開(kāi)關(guān)時(shí)有用，還在哪些方面有重要的意義？
2012-05-17 10:44:16
詳解MOS管驅(qū)動(dòng)電路
詳解MOS管驅(qū)動(dòng)電路在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS管的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀
2017-08-15 21:05:01
詳解MOS管驅(qū)動(dòng)電路
轉(zhuǎn)貼在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS管的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為
2017-12-05 09:32:00
請(qǐng)問(wèn)MOS管是如何仿真在不同頻率點(diǎn)的導(dǎo)通電阻嗎？
請(qǐng)問(wèn)有人知道MOS管作為開(kāi)關(guān)如何仿真在開(kāi)啟與中斷狀態(tài)下，不同頻率點(diǎn)的導(dǎo)通電阻嗎？我想仿真上圖的SW在Vsw不同狀態(tài)下MOS管的導(dǎo)通電阻，用了下面的testbench 使用sp仿真，結(jié)果查看ZM的實(shí)部，但是出來(lái)的結(jié)果如下所示：結(jié)果都很小并且打開(kāi)和關(guān)斷阻抗大小是相反的，請(qǐng)問(wèn)有人知道這個(gè)是出了什么問(wèn)題嗎
2021-06-25 07:59:24
請(qǐng)問(wèn)下圖電路，MOS管控制電路的GND怎么接，才能使MOS管導(dǎo)通
這個(gè)電路，MOS管控制電路的GND怎么接，才能使MOS管導(dǎo)通。
2019-04-23 20:20:48
請(qǐng)問(wèn)大家MOS管驅(qū)動(dòng)小功率供氧泵的問(wèn)題 電源一打開(kāi)mos管就一直導(dǎo)通，G級(jí)電源不能控制
mos管一直處于導(dǎo)通狀態(tài)，是擊穿了嗎？才焊上mos管就這樣了附上電路圖大家看一下
2017-04-28 20:43:35
這個(gè)MOS管在這里的作用是什么？是不是剛上電，MOS管是導(dǎo)通的，C115和R255是充電嘛？到上電穩(wěn)壓后MOS就不導(dǎo)通了嘛？
這個(gè)MOS管在這里的作用是什么？是不是剛上電，MOS管是導(dǎo)通的，C115和R255是充電嘛？到上電穩(wěn)壓后MOS就不導(dǎo)通了嘛？
2023-11-11 11:32:45
高效電源是如何選擇合適MOS管的
在當(dāng)今的開(kāi)關(guān)電源設(shè)備中，MOS管的特性、寄生參數(shù)和散熱條件都會(huì)對(duì)MOS管的工作性能產(chǎn)生重大影響。因此深入了解功率MOS管的工作原理和關(guān)鍵參數(shù)對(duì)電源設(shè)計(jì)工程師至關(guān)重要?！ ∧壳?，影響開(kāi)關(guān)電源電源效率
2016-12-23 19:06:35
單向可控硅與雙向可控硅的導(dǎo)通條件
單向可控硅與雙向可控硅的導(dǎo)通條件一、單向可控硅工作原理
可控硅導(dǎo)通條件：一是可控硅陽(yáng)極與陰極間必須加正向電壓，二是控
2009-12-10 16:54:1611047
11047[2.17.4]--MOS管導(dǎo)通條件仿真驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)
實(shí)驗(yàn)電子技術(shù)
jf_60701476發(fā)布于 2022-11-27 00:29:43
雙向可控硅幾大基本要素解析_雙向可控硅導(dǎo)通條件
雙向可控硅為三端雙向可控硅開(kāi)關(guān)，亦稱為雙向晶閘管或雙向可控硅。本文主要介紹了雙向可控硅幾大基本要素解析、雙向可控特性用途、使用注意事項(xiàng)以及雙向可控硅的導(dǎo)通條件。
2017-12-15 13:12:4151267
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晶閘管的導(dǎo)通條件和關(guān)斷條件
晶閘管的導(dǎo)通條件：陽(yáng)極承受正向電壓，處于阻斷狀態(tài)的晶閘管，只有在門(mén)極加正向觸發(fā)電壓，才能使其導(dǎo)通。門(mén)極所加正向觸發(fā)脈沖的最小寬度，應(yīng)能使陽(yáng)極電流達(dá)到維持通態(tài)所需要的最小陽(yáng)極電流，即擎住電流IL以上。導(dǎo)通后的晶閘管管壓降很小，使導(dǎo)通了的晶閘管關(guān)斷的條件是使流過(guò)晶閘管的電流減小至一個(gè)小的數(shù)值，即維持電流IH一下。
2019-01-19 14:08:4893821
93821晶閘管的導(dǎo)通條件
晶閘管的導(dǎo)通條件 晶閘管在工作過(guò)程中，它的陽(yáng)極（A）和陰極（K）與電源和負(fù)載連接，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門(mén)極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路。 晶閘管承受反向陽(yáng)極電壓
2023-02-22 14:36:134503
4503電力二極管導(dǎo)通條件及額定電流
電力二極管在正向偏置的情況下導(dǎo)通，反向偏置的情況下不導(dǎo)通，這是其最基本的導(dǎo)通條件。具體而言，電力二極管的導(dǎo)通條件如下
2023-02-28 11:37:256385
6385P溝道MOS管導(dǎo)通條件有哪些
電子設(shè)備中。與N溝道MOS管相比，P溝道MOS管的導(dǎo)電溝道由P型半導(dǎo)體材料構(gòu)成，因此其導(dǎo)通條件與N溝道MOS管有所不同。本文將對(duì)P溝道MOS管的導(dǎo)通條件進(jìn)行詳細(xì)介紹。 首先，我們需要了解P溝道MOS
2023-12-28 15:39:311411
1411晶閘管的導(dǎo)通條件及關(guān)斷條件?
晶閘管（Thyristor）是一種常用的半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電力電子和電路控制領(lǐng)域。它可以用作開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓器、整流器等。在進(jìn)行詳細(xì)介紹晶閘管的導(dǎo)通條件和關(guān)斷條件之前，我們需要先了解一些基礎(chǔ)知識(shí)
2024-03-12 15:01:54620
620NMOS和PMOS電流流向以及導(dǎo)通條件
NMOS（N型金屬氧化物半導(dǎo)體）和PMOS（P型金屬氧化物半導(dǎo)體）是兩種基本的場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）類型，它們?cè)陔娮釉O(shè)備中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。了解這兩種晶體管的電流流向以及導(dǎo)通條件對(duì)于理解它們
2024-04-03 17:41:4275
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工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論