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低電壓甲乙類開(kāi)關(guān)電流存儲(chǔ)單元

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2017-09-11 17:01:176

基于OTP存儲(chǔ)存儲(chǔ)單元讀取閥值

。O工P存儲(chǔ)器的種類很多,很多是基于熔絲和反熔絲,本文介紹的O工P存儲(chǔ)器基于反熔絲結(jié)構(gòu)。在反熔絲O工P存儲(chǔ)器中,通過(guò)對(duì)選中單元的編程改變了存儲(chǔ)單元內(nèi)部的結(jié)構(gòu)。理想的讀機(jī)制下,沒(méi)有編程的存儲(chǔ)單元讀取時(shí)會(huì)讀出0,而通過(guò)編程的存儲(chǔ)單元在讀取時(shí)會(huì)讀出1。反
2017-11-07 11:45:2111

甲乙類互補(bǔ)對(duì)稱功率放大電路

本文介紹了甲乙類互補(bǔ)對(duì)稱功率放大電路,解析了甲乙類雙電源互補(bǔ)對(duì)稱電路和甲乙類單電源互補(bǔ)對(duì)稱電路。
2017-11-22 19:00:3449

基于開(kāi)關(guān)電流電路的小波濾波器的實(shí)現(xiàn)

基于開(kāi)關(guān)電流電路提出一種用小波濾波器實(shí)現(xiàn)小波變換的方法。通過(guò)對(duì)母小波的一種數(shù)值逼近得到小波函數(shù)的有理公式,并以Mexican Hat小波為例模擬該逼近過(guò)程,用Matlah對(duì)逼近過(guò)程進(jìn)行仿真,同時(shí)
2017-12-06 17:15:2518

斯坦福大學(xué)開(kāi)發(fā)了單晶體管單阻變存儲(chǔ)單元 可抑制泄漏電流

斯坦福研究人員開(kāi)發(fā)的芯片被稱為“單晶體管單阻變存儲(chǔ)器”(1T1R)單元。這種1T1R存儲(chǔ)單元相對(duì)于含有阻變存儲(chǔ)器但沒(méi)有晶體管的存儲(chǔ)單元,能夠提供極大好處。
2018-01-23 17:23:596482

開(kāi)關(guān)電流電路故障診斷的難點(diǎn)及解決方案

電流存儲(chǔ)單元主要利用MOS管柵電容的電荷存儲(chǔ)效應(yīng)來(lái)實(shí)現(xiàn)電流存儲(chǔ)功能。圖1所示電路,TS1,TS2,TS3是由MOS管構(gòu)成的開(kāi)關(guān),受互補(bǔ)時(shí)鐘信號(hào)φ1,φ2的控制。在采樣相φ1(處于高電平時(shí)),TSl
2019-06-05 08:20:002636

采用開(kāi)關(guān)電流技術(shù)和CMOS數(shù)字工藝實(shí)現(xiàn)甲乙類SI存儲(chǔ)單元的設(shè)計(jì)

開(kāi)關(guān)電流技術(shù)可以縮小芯片尺寸,滿足現(xiàn)代SoC系統(tǒng)低電壓、低功耗需求。開(kāi)關(guān)電流電路的建立時(shí)間由環(huán)路帶寬f∞決定:
2020-05-21 08:03:001280

由MOS管構(gòu)成的開(kāi)關(guān)電流電路延遲線的設(shè)計(jì)方法

開(kāi)關(guān)電流技術(shù)是近年來(lái)提出的一種新的模擬信號(hào)采樣、保持、處理技術(shù)。與已成熟的開(kāi)關(guān)電容技術(shù)相比,開(kāi)關(guān)電流技術(shù)不需要線性電容和高性能運(yùn)算放大器,整個(gè)電路均由MOS管構(gòu)成,因此可與標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字CMOS工藝兼容
2018-09-29 08:57:0011558

甲乙類功率放大電路的性能特點(diǎn)及應(yīng)用范圍

3.5.4甲乙類功率放大電路
2019-04-16 06:26:0015266

存儲(chǔ)單元四個(gè)基礎(chǔ)知識(shí)

存儲(chǔ)單元的作用:可以進(jìn)行讀寫(xiě)操作以及存放數(shù)據(jù)。
2020-03-22 17:34:004034

基于28nm工藝低電壓SRAM單元電路設(shè)計(jì)

在分析傳統(tǒng)SRAM存儲(chǔ)單元工作原理的基礎(chǔ)上,采用VTC蝴蝶曲線,字線電壓驅(qū)動(dòng),位線電壓驅(qū)動(dòng)和N曲線方法衡量了其靜態(tài)噪聲容限。 在這種背景下,分析研究了前人提出的多種單元優(yōu)化方法。這些設(shè)計(jì)方法,大部分
2020-04-03 15:47:151788

存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)

靜態(tài)RAM的基本構(gòu)造塊是SRAM存儲(chǔ)單元。通過(guò)升高字線的電平觸發(fā)存儲(chǔ)單元,再通過(guò)位線對(duì)所觸發(fā)的存儲(chǔ)單元進(jìn)行讀出或?qū)懭搿T陟o態(tài)CMOS存儲(chǔ)器中,存儲(chǔ)單元陣列將會(huì)占去整個(gè)存儲(chǔ)器芯片面積的一半以上,在一些
2020-05-14 09:19:473282

垂直環(huán)繞柵晶體管可縮小MRAM和RRAM存儲(chǔ)單元!

個(gè)名為Row Hammer的頑固安全漏洞。 Spin Memory的垂直環(huán)繞柵晶體管可以縮小MRAM和RRAM存儲(chǔ)單元。 Spin Memory將設(shè)備稱為通用選擇器(Universal
2020-09-04 16:10:132090

根據(jù)數(shù)據(jù)存取的方式不同,ram中的存儲(chǔ)單元有幾種

等。 靜態(tài)存儲(chǔ)單元(SRAM)的典型結(jié)構(gòu): T5、T6、T7、T8都是門(mén)控管,只要柵極高電平,這些管子就工作在可變電阻區(qū)當(dāng)作開(kāi)關(guān)。 其中存儲(chǔ)單元通過(guò)T5、T6和數(shù)據(jù)線(位線)相連;數(shù)據(jù)線又通過(guò)T7、T8和再經(jīng)輸入/輸出緩沖電路和輸入/輸出線相連接,以實(shí)現(xiàn)信息的傳遞和交換。寫(xiě)入
2020-12-02 14:31:302182

計(jì)算機(jī)信息存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)解析

數(shù)據(jù)必須首先在計(jì)算機(jī)內(nèi)被表示,然后才能被計(jì)算機(jī)處理。計(jì)算機(jī)表示數(shù)據(jù)的部件主要是存儲(chǔ)設(shè)備;而存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的具體單位是存儲(chǔ)單元;因此,了解存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)是十分必要的。
2021-01-08 10:03:552269

便攜式電子系統(tǒng)中甲乙類存儲(chǔ)單元的應(yīng)用及設(shè)計(jì)方案

采用HSPICE分別對(duì)設(shè)計(jì)的存儲(chǔ)單元、延遲單元和積分器電路進(jìn)行了仿真,晶體管模型選用TSMC0.18μm標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字工藝參數(shù)。電源電壓為±1 V;輸入電流iin=40μA,信號(hào)頻率fin=100 kHz
2021-02-18 10:06:391450

甲乙類S2I存儲(chǔ)單元的原理、特點(diǎn)及應(yīng)用實(shí)現(xiàn)

開(kāi)關(guān)電流技術(shù)可以縮小芯片尺寸,滿足現(xiàn)代SoC系統(tǒng)低電壓、低功耗需求。開(kāi)關(guān)電流電路的建立時(shí)間由環(huán)路帶寬f∞決定:
2021-03-23 09:38:021562

LT3952A:帶4A開(kāi)關(guān)電流數(shù)據(jù)表的60V LED驅(qū)動(dòng)器

LT3952A:帶4A開(kāi)關(guān)電流數(shù)據(jù)表的60V LED驅(qū)動(dòng)器
2021-03-23 10:37:362

電流驅(qū)動(dòng)純乙類功放的詳細(xì)資料說(shuō)明

眾所周知, 乙類放大器的效率最高,但由于通常采用了電壓驅(qū)動(dòng)方式,所以互補(bǔ)功放管發(fā)射結(jié)伏安特性的死區(qū)段與隨后明顯的彎曲段帶來(lái)了不可避免的交越失真與非線性失真。為了消除交越失真, 人們采用給功放管一定
2021-03-23 16:58:0014

全互補(bǔ)對(duì)稱高保真甲乙類功放的制作

成功的前提下,制作甲乙類功放是個(gè)不錯(cuò)的選擇。本文推薦的這款甲乙類功放頻率特性好、瞬態(tài)互調(diào)失真小。當(dāng)輸出功率在10W以下時(shí),工作于甲類狀態(tài),滿足一般居室環(huán)境下高音質(zhì)的要求。
2021-04-10 10:03:3443

LT3952:帶4A開(kāi)關(guān)電流數(shù)據(jù)表的60V LED驅(qū)動(dòng)器

LT3952:帶4A開(kāi)關(guān)電流數(shù)據(jù)表的60V LED驅(qū)動(dòng)器
2021-04-17 19:40:374

LT3518:功能齊全的LED驅(qū)動(dòng)器,帶2.3A開(kāi)關(guān)電流數(shù)據(jù)表

LT3518:功能齊全的LED驅(qū)動(dòng)器,帶2.3A開(kāi)關(guān)電流數(shù)據(jù)表
2021-05-13 16:11:381

LT3517:全功能LED驅(qū)動(dòng)器,1.5A開(kāi)關(guān)電流數(shù)據(jù)表

LT3517:全功能LED驅(qū)動(dòng)器,1.5A開(kāi)關(guān)電流數(shù)據(jù)表
2021-05-24 11:15:365

淺談閃速存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)單元連接方式

閃速存儲(chǔ)器(Flash Memory)又稱閃存(Flash),是一種非易失性存儲(chǔ)器,用存儲(chǔ)單元閾值的高低表示數(shù)據(jù)。浮柵(Floating Gate )場(chǎng)效應(yīng)管(見(jiàn)圖5-80)是Flash存儲(chǔ)單元采用的主要技術(shù)。
2022-08-08 15:46:001076

全互補(bǔ)對(duì)稱高保真甲乙類功放制作(2)

全互補(bǔ)對(duì)稱高保真甲乙類功放制作.
2023-10-25 15:08:161

全互補(bǔ)對(duì)稱高保真甲乙類功放制作(1)

全互補(bǔ)對(duì)稱高保真甲乙類功放制作.
2023-10-25 15:06:232

甲乙類功率放大器的特點(diǎn) 甲乙類功率放大器的最大效率為

甲乙類功率放大器是常用的功率放大器類型之一。甲乙類功率放大器的特點(diǎn)包括高效率、低失真、較大功率輸出等。在甲乙類功率放大器中,甲類和乙類功率放大器互為補(bǔ)充,通過(guò)它們的結(jié)合可以兼顧功率放大器的效率和失真
2024-01-24 16:11:07421

開(kāi)關(guān)電流為2A的高輸入電壓降壓 - 升壓轉(zhuǎn)換器TPS63060數(shù)據(jù)表

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《開(kāi)關(guān)電流為2A的高輸入電壓降壓 - 升壓轉(zhuǎn)換器TPS63060數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-07 10:19:370

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