就基本的 SSD 存儲(chǔ)單元而言,有 SLC、MLC、TLC 和 QLC。其中,TLC 是最受歡迎的,不過(guò),QLC 最終將取代它們。在 I/O 方面,有 SATA 和 NVMe。
2022-08-26 16:41:353272 在芯片設(shè)計(jì)時(shí),通常需要用到各種類型的存儲(chǔ)單元,用以臨時(shí)或者永久地存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)合的不同,所用到的存儲(chǔ)單元也不同。本文對(duì)常見(jiàn)的幾個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行了介紹,并簡(jiǎn)述了其工作原理和特點(diǎn)。需要特別
2022-12-02 17:36:241952 甲乙類功率放大器(AB類)的主要結(jié)構(gòu)類似于乙類功放,但它可以消除乙類功放的交越失真,與此對(duì)應(yīng)的代價(jià)是要增加一點(diǎn)靜態(tài)功耗,因此它的效率比純乙類功放要稍微低一點(diǎn)。
2023-01-31 16:05:587229 電路靜態(tài)工作點(diǎn)的定義 靜態(tài)工作點(diǎn)是指放大器在沒(méi)有輸入信號(hào)時(shí)的輸出
電壓和
電流值。在
甲乙類功率放大電路中,靜態(tài)工作點(diǎn)通常指的是晶體管在靜態(tài)時(shí)的集電極
電流和基極
電壓。這個(gè)工作點(diǎn)對(duì)于放大器的性能和穩(wěn)定性至關(guān)重要,因?yàn)?/div>
2023-12-14 17:24:19671 存儲(chǔ)位元與存儲(chǔ)單元是什么含義?數(shù)據(jù)通信的方式可以分為哪幾種呢?
2022-01-21 07:17:58
設(shè)存儲(chǔ)器讀/寫(xiě)周期為 0.5us, CPU在1us內(nèi)至少要訪問(wèn)一次。試問(wèn)采用哪種刷新方式比較合理? 兩次刷新的最大時(shí)間間隔是多少? 對(duì)全部存儲(chǔ)單元刷新遍所需的實(shí)際刷新時(shí)間是多少?
2021-10-26 07:05:19
改善開(kāi)關(guān)電流電路主要誤差的方案
2019-04-26 11:43:23
1.(判斷題)DRAM上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全0,而Flash上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全1。(4分) A.正確B.錯(cuò)誤 FLASH可保存 上電后不知道是啥2.(判斷題)眼圖可以用來(lái)分析高速信號(hào)的碼間
2021-07-22 08:57:49
判斷題:DRAM上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全0,而Flash上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全1
2017-08-23 09:29:31
方式邊界對(duì)齊的數(shù)據(jù)存放方法主存的基本結(jié)構(gòu)和工作過(guò)程存儲(chǔ)系統(tǒng)的層次結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器靜態(tài)MOS存儲(chǔ)器 SRAM靜態(tài)MOS存儲(chǔ)單元靜態(tài)MOS存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)動(dòng)態(tài)MOS存儲(chǔ)器 DRAM四管動(dòng)態(tài)MOS存儲(chǔ)元的工作原理
2021-07-28 07:59:20
Nand Flash的物理存儲(chǔ)單元的陣列組織結(jié)構(gòu)Nand flash的內(nèi)部組織結(jié)構(gòu),此處還是用圖來(lái)解釋,比較容易理解:圖2.Nand Flash物理存儲(chǔ)單元的陣列組織結(jié)構(gòu)[url=][img=1,0
2018-06-12 10:10:18
請(qǐng)教Arm專家大俠: SOC內(nèi)SRAM各存儲(chǔ)單元, 其“每次上電冷啟動(dòng)后、還未寫(xiě)入應(yīng)用數(shù)據(jù)前的初始狀態(tài)數(shù)據(jù)”是否是由其硬件電路保證總是一樣的(全0或全1)?不會(huì)隨機(jī)變化(有時(shí)為0有時(shí)為1)? 能否從硬件原理角度簡(jiǎn)單說(shuō)明下? 謝謝。
2022-08-19 15:37:40
什么原理來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的呢?宇芯電子來(lái)解答。 圖1(a)存儲(chǔ)單元偏置在轉(zhuǎn)折電壓圖1(b)存儲(chǔ)單元工作在穩(wěn)態(tài) 我們可以在同一坐標(biāo)系中做出兩個(gè)反相器的電壓傳輸特性曲線,如圖1所示。兩條曲線共有三個(gè)交點(diǎn):A、B與C
2020-06-05 15:18:24
niosii編譯提示on-chip menmory 存儲(chǔ)單元不夠,怎么解決?
2015-01-18 09:31:43
主存中存儲(chǔ)單元地址是如何進(jìn)行分配的?存儲(chǔ)芯片的容量有多大?
2021-10-19 08:25:52
4.2.1.主存中存儲(chǔ)單元地址的分配:存儲(chǔ)字長(zhǎng):存儲(chǔ)器中一個(gè)存儲(chǔ)單元(存儲(chǔ)地址)所存儲(chǔ)的二進(jìn)制代碼的位數(shù),即存儲(chǔ)器中的MDR的位數(shù)。字(word) : 若干個(gè)字節(jié)組成一一個(gè)”字” ( word)。一
2021-07-28 06:43:06
一個(gè)典型的SRAM基本結(jié)構(gòu)中,每個(gè)存儲(chǔ)單元都通過(guò)字線和位線與它所在的行和列中的其它存儲(chǔ)單元有電學(xué)連接關(guān)系。水平方向的連線把所有的存儲(chǔ)單元連成一行構(gòu)成字線,而垂直方向的連線是數(shù)據(jù)輸入和數(shù)據(jù)輸出存儲(chǔ)單元
2020-04-29 17:27:30
演示電路1160是具有2.3A開(kāi)關(guān)電流的全功能LED驅(qū)動(dòng)器,具有LT3518特性。該電路板經(jīng)過(guò)優(yōu)化,可在升壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中驅(qū)動(dòng)330mA LED串,輸入電壓和40V之間的總LED電壓
2020-08-20 08:38:54
甲乙類互補(bǔ)對(duì)稱功率放大自舉電路的前置放大級(jí)三極管的工作狀態(tài)是工作在放大區(qū)還是接近飽和區(qū)
2019-01-13 21:41:49
存儲(chǔ)單元”是構(gòu)成“靜態(tài)存儲(chǔ)器”(SRAM)的最基本單元。其中每一個(gè)BIT存儲(chǔ)在4個(gè)晶體管構(gòu)成的2個(gè)交叉耦合的反相器中。而另外2個(gè)晶體管作為“寫(xiě)控制電路”的控制開(kāi)關(guān)。 有趣的是,搭建這個(gè)電路需要嚴(yán)格對(duì)稱
2017-01-08 12:11:06
在分析傳統(tǒng)SRAM存儲(chǔ)單元工作原理的基礎(chǔ)上,采用VTC蝴蝶曲線,字線電壓驅(qū)動(dòng),位線電壓驅(qū)動(dòng)和N曲線方法衡量了其靜態(tài)噪聲容限。 在這種背景下,分析研究了前人提出的多種單元優(yōu)化方法。這些設(shè)計(jì)方法,大部分
2020-04-01 14:32:04
你好如何在不使用DDR內(nèi)存控制器的情況下設(shè)計(jì)FPGA BRAM(或任何其他內(nèi)存模塊_SD,DDR以外的本地等)大容量存儲(chǔ)單元?當(dāng)我通過(guò)示例設(shè)計(jì)“VC707_bist”替換DRAM控制器和BRAM
2019-04-04 15:10:55
怎么把單片機(jī)存儲(chǔ)單元清0或置1?
2023-10-16 07:59:42
概述:APA4800是Anpec公司生產(chǎn)的SO-8或DIP-8塑封立體聲音頻放大器集成電路,CMOS工藝制造,甲乙類(AB)推挽放大工作模式。主要應(yīng)用于便攜式音響系統(tǒng)。
2021-04-08 06:35:11
概述:APA4801是Anpec公司生產(chǎn)的SO-8或DIP-8塑封立體聲音頻放大器集成電路,CMOS工藝制造,甲乙類(AB)推挽放大工作模式。主要應(yīng)用于便攜式音響系統(tǒng)。
2021-04-07 07:48:12
求一個(gè)簡(jiǎn)單的甲乙類功放原理圖,最好能帶有電路中元器件的功能解析。
2015-12-15 20:28:49
怎么隨機(jī)存取存儲(chǔ)器ram中的存儲(chǔ)單元
2023-09-28 06:17:04
達(dá) 96.4%。模塊輸入直流電源,輸出直流電源該模塊屬于BOOST升壓結(jié)構(gòu)輸入電壓最低3.6V;輸出電壓最大33VXL6008原廠主芯片貨源充足TDK電感33uH,額定電流3.2A高于芯片最大開(kāi)關(guān)電流3A,充分發(fā)揮性能PCB+原理圖
2022-08-18 07:23:06
基于開(kāi)關(guān)電流技術(shù)與數(shù)字CMOS工藝的延遲線電路設(shè)計(jì)
2019-04-26 11:41:28
在一個(gè)資料上看到,當(dāng)甲乙類推挽電路的輸出失諧時(shí),可能會(huì)發(fā)生共態(tài)導(dǎo)通的現(xiàn)象,但是說(shuō)的不是很詳細(xì),想請(qǐng)教一下有沒(méi)有比較清楚的,最近遇到一個(gè)問(wèn)題,就是放大電路的末級(jí)放大管老是燒,分析就是有可能是后端失諧造成的,但又不明白具體的原理。
2016-01-08 13:21:00
開(kāi)關(guān)電流電路中的時(shí)鐘饋通誤差和傳輸誤差分析,如何解決開(kāi)關(guān)電流電路的誤差問(wèn)題?
2021-04-12 07:04:33
用運(yùn)放做一個(gè)甲乙類功放,用哪種芯片較好。
2019-08-05 10:56:21
小波變換開(kāi)關(guān)電流電路CAD設(shè)計(jì)(2)
2019-04-18 07:55:58
用6N7系列膽制作的乙類放大器:電子管功放有甲類、乙類、甲乙類等工作狀態(tài)。甲類、甲乙類常見(jiàn)于商品膽機(jī),愛(ài)好者也樂(lè)于動(dòng)手制作。乙類放大器與上述相反,電子管功放再次面世
2009-12-02 08:25:0674 摘要:為了提高數(shù)字通信電路的速度,設(shè)計(jì)了兩種BiCMOS開(kāi)關(guān)電流存儲(chǔ)器。設(shè)計(jì)過(guò)程中在電路的關(guān)鍵部位配置有限的雙極型晶體管(BJT),但在電路的主體部分則設(shè)置MOS器件。推導(dǎo)出了存
2010-05-13 09:04:1316 對(duì)第一代開(kāi)關(guān)電流存儲(chǔ)單元產(chǎn)生的時(shí)鐘饋通誤差做了合理的近似分析,設(shè)計(jì)了一種高性能開(kāi)關(guān)電流存儲(chǔ)單元。該電路僅在原存儲(chǔ)單元的基礎(chǔ)上增加了一個(gè)MOS管,使誤差降為原來(lái)的4%,
2010-07-05 14:50:4822 基于開(kāi)關(guān)電流電路提出一種用小波濾波器實(shí)現(xiàn)小波變換的方法。通過(guò)對(duì)母小波的一種數(shù)值逼近得到小波函數(shù)的有理公式,并以Mexican Hat小波為例模擬該逼近過(guò)程,用Matlab對(duì)逼近過(guò)程進(jìn)
2010-12-10 17:41:1926 開(kāi)關(guān)電流技術(shù)(SI)是一種可取代開(kāi)關(guān)電容技術(shù)的數(shù)據(jù)采樣技術(shù)。首先介紹了SI技術(shù),然后以SI電路基本單元為例,分析了SI電路存在的各種誤差,并針對(duì)這些誤差提出了解決方法
2010-12-20 09:45:3537 就低電壓高電流電源應(yīng)用而言,開(kāi)關(guān)式電源柵極驅(qū)
2006-03-11 12:59:281731 甲乙類放大互補(bǔ)對(duì)稱電路
OTL電路
2008-01-18 13:20:281655 甲乙類互補(bǔ)對(duì)稱電路圖
2009-04-02 15:38:541771 甲乙類互補(bǔ)功率放大電路
甲乙類功率輸出級(jí)吸收了甲類乙類的優(yōu)點(diǎn),因而得到廣泛應(yīng)用,
但其電路結(jié)構(gòu)比甲類乙類復(fù)雜。如下圖:
2009-09-17 08:29:437740 模擬電路網(wǎng)絡(luò)課件 第二十四節(jié):甲乙類互補(bǔ)對(duì)稱功率放大電路
5.2 甲乙類互補(bǔ)對(duì)稱功率放大電路
乙類放大電路的失真:
2009-09-17 11:14:172555 三態(tài)MOS動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)單元電路
2009-10-10 18:45:491213 熔絲型PROM的存儲(chǔ)單元
2009-12-04 12:25:262228 使用FAMOS管的存儲(chǔ)單元
2009-12-04 12:27:29875 E2PROM的存儲(chǔ)單元
2009-12-04 13:03:571468 E2PROM存儲(chǔ)單元的三種工作狀態(tài)
2009-12-04 13:04:451334 六管NMOS靜態(tài)存儲(chǔ)單元
2009-12-04 15:30:036567 四管動(dòng)態(tài)MOS存儲(chǔ)單元
2009-12-04 16:34:142284 單管動(dòng)態(tài)MOS存儲(chǔ)單元
2009-12-04 16:50:243757 甲類、乙類和甲乙類放大器的區(qū)別
甲類(Class-A)放大器的輸出晶體管(或電子管)的工作點(diǎn)在其線性部分中點(diǎn),不論信號(hào)電平如何變
2010-04-02 17:28:416841 O 引言
開(kāi)關(guān)電流技術(shù)是近年來(lái)提出的一種新的模擬信號(hào)采樣、保持、處理技術(shù)。與已成熟的開(kāi)關(guān)電容技術(shù)相比,開(kāi)關(guān)電流技術(shù)不需要線性電容和高性能運(yùn)算放大器,
2010-08-11 09:27:21676 開(kāi)關(guān)電流技術(shù)是一種新的模擬信號(hào)采樣、保持、處理技術(shù)。它具有電流模電路的特有優(yōu)點(diǎn),如速度快,適合于低電壓工作等。與傳統(tǒng)的開(kāi)關(guān)電容技術(shù)相比,開(kāi)關(guān)電流技術(shù)不需
2010-08-11 09:32:551034 低電壓高精度CMOS基準(zhǔn)電流源設(shè)計(jì)
2011-01-24 15:10:1795 講述了用信號(hào)流圖和積分器設(shè)計(jì) 開(kāi)關(guān)電流濾波器 的方法。本方法簡(jiǎn)明直觀,無(wú)力概念清楚,容易推廣到其他開(kāi)關(guān)電流濾波器的設(shè)計(jì)
2011-06-13 18:28:4859 UHC_MOS—FET甲乙類20W功放---很不錯(cuò)的功放電路圖
2016-03-10 17:01:5846 MOS—FET甲乙類功率放大器--MOS—FET甲乙類功率放大器
2016-03-10 17:44:2284 應(yīng)用于超低電壓下的SRAM存儲(chǔ)單元設(shè)計(jì)_劉冰燕
2017-01-07 21:39:440 基于IIR數(shù)字網(wǎng)絡(luò)的開(kāi)關(guān)電流電路小波變換方法_童耀南
2017-01-07 21:45:570 使用賽道存儲(chǔ)單元的近閾值非易失SRAM_孫憶南
2017-01-07 21:45:571 開(kāi)關(guān)電流--數(shù)字工藝的模擬技術(shù)
2017-09-11 17:01:176 。O工P存儲(chǔ)器的種類很多,很多是基于熔絲和反熔絲,本文介紹的O工P存儲(chǔ)器基于反熔絲結(jié)構(gòu)。在反熔絲O工P存儲(chǔ)器中,通過(guò)對(duì)選中單元的編程改變了存儲(chǔ)單元內(nèi)部的結(jié)構(gòu)。理想的讀機(jī)制下,沒(méi)有編程的存儲(chǔ)單元讀取時(shí)會(huì)讀出0,而通過(guò)編程的存儲(chǔ)單元在讀取時(shí)會(huì)讀出1。反
2017-11-07 11:45:2111 本文介紹了甲乙類互補(bǔ)對(duì)稱功率放大電路,解析了甲乙類雙電源互補(bǔ)對(duì)稱電路和甲乙類單電源互補(bǔ)對(duì)稱電路。
2017-11-22 19:00:3449 基于開(kāi)關(guān)電流電路提出一種用小波濾波器實(shí)現(xiàn)小波變換的方法。通過(guò)對(duì)母小波的一種數(shù)值逼近得到小波函數(shù)的有理公式,并以Mexican Hat小波為例模擬該逼近過(guò)程,用Matlah對(duì)逼近過(guò)程進(jìn)行仿真,同時(shí)
2017-12-06 17:15:2518 斯坦福研究人員開(kāi)發(fā)的芯片被稱為“單晶體管單阻變存儲(chǔ)器”(1T1R)單元。這種1T1R存儲(chǔ)單元相對(duì)于含有阻變存儲(chǔ)器但沒(méi)有晶體管的存儲(chǔ)單元,能夠提供極大好處。
2018-01-23 17:23:596482 電流存儲(chǔ)單元主要利用MOS管柵電容的電荷存儲(chǔ)效應(yīng)來(lái)實(shí)現(xiàn)電流存儲(chǔ)功能。圖1所示電路,TS1,TS2,TS3是由MOS管構(gòu)成的開(kāi)關(guān),受互補(bǔ)時(shí)鐘信號(hào)φ1,φ2的控制。在采樣相φ1(處于高電平時(shí)),TSl
2019-06-05 08:20:002636 開(kāi)關(guān)電流技術(shù)可以縮小芯片尺寸,滿足現(xiàn)代SoC系統(tǒng)低電壓、低功耗需求。開(kāi)關(guān)電流電路的建立時(shí)間由環(huán)路帶寬f∞決定:
2020-05-21 08:03:001280 開(kāi)關(guān)電流技術(shù)是近年來(lái)提出的一種新的模擬信號(hào)采樣、保持、處理技術(shù)。與已成熟的開(kāi)關(guān)電容技術(shù)相比,開(kāi)關(guān)電流技術(shù)不需要線性電容和高性能運(yùn)算放大器,整個(gè)電路均由MOS管構(gòu)成,因此可與標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字CMOS工藝兼容
2018-09-29 08:57:0011558 3.5.4甲乙類功率放大電路
2019-04-16 06:26:0015266 存儲(chǔ)單元的作用:可以進(jìn)行讀寫(xiě)操作以及存放數(shù)據(jù)。
2020-03-22 17:34:004034 在分析傳統(tǒng)SRAM存儲(chǔ)單元工作原理的基礎(chǔ)上,采用VTC蝴蝶曲線,字線電壓驅(qū)動(dòng),位線電壓驅(qū)動(dòng)和N曲線方法衡量了其靜態(tài)噪聲容限。 在這種背景下,分析研究了前人提出的多種單元優(yōu)化方法。這些設(shè)計(jì)方法,大部分
2020-04-03 15:47:151788 靜態(tài)RAM的基本構(gòu)造塊是SRAM存儲(chǔ)單元。通過(guò)升高字線的電平觸發(fā)存儲(chǔ)單元,再通過(guò)位線對(duì)所觸發(fā)的存儲(chǔ)單元進(jìn)行讀出或?qū)懭搿T陟o態(tài)CMOS存儲(chǔ)器中,存儲(chǔ)單元陣列將會(huì)占去整個(gè)存儲(chǔ)器芯片面積的一半以上,在一些
2020-05-14 09:19:473282 個(gè)名為Row Hammer的頑固安全漏洞。 Spin Memory的垂直環(huán)繞柵晶體管可以縮小MRAM和RRAM存儲(chǔ)單元。 Spin Memory將設(shè)備稱為通用選擇器(Universal
2020-09-04 16:10:132090 等。 靜態(tài)存儲(chǔ)單元(SRAM)的典型結(jié)構(gòu): T5、T6、T7、T8都是門(mén)控管,只要柵極高電平,這些管子就工作在可變電阻區(qū)當(dāng)作開(kāi)關(guān)。 其中存儲(chǔ)單元通過(guò)T5、T6和數(shù)據(jù)線(位線)相連;數(shù)據(jù)線又通過(guò)T7、T8和再經(jīng)輸入/輸出緩沖電路和輸入/輸出線相連接,以實(shí)現(xiàn)信息的傳遞和交換。寫(xiě)入
2020-12-02 14:31:302182 數(shù)據(jù)必須首先在計(jì)算機(jī)內(nèi)被表示,然后才能被計(jì)算機(jī)處理。計(jì)算機(jī)表示數(shù)據(jù)的部件主要是存儲(chǔ)設(shè)備;而存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的具體單位是存儲(chǔ)單元;因此,了解存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)是十分必要的。
2021-01-08 10:03:552269 采用HSPICE分別對(duì)設(shè)計(jì)的存儲(chǔ)單元、延遲單元和積分器電路進(jìn)行了仿真,晶體管模型選用TSMC0.18μm標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字工藝參數(shù)。電源電壓為±1 V;輸入電流iin=40μA,信號(hào)頻率fin=100 kHz
2021-02-18 10:06:391450 開(kāi)關(guān)電流技術(shù)可以縮小芯片尺寸,滿足現(xiàn)代SoC系統(tǒng)低電壓、低功耗需求。開(kāi)關(guān)電流電路的建立時(shí)間由環(huán)路帶寬f∞決定:
2021-03-23 09:38:021562 LT3952A:帶4A開(kāi)關(guān)電流數(shù)據(jù)表的60V LED驅(qū)動(dòng)器
2021-03-23 10:37:362 眾所周知, 乙類放大器的效率最高,但由于通常采用了電壓驅(qū)動(dòng)方式,所以互補(bǔ)功放管發(fā)射結(jié)伏安特性的死區(qū)段與隨后明顯的彎曲段帶來(lái)了不可避免的交越失真與非線性失真。為了消除交越失真, 人們采用給功放管一定
2021-03-23 16:58:0014 成功的前提下,制作甲乙類功放是個(gè)不錯(cuò)的選擇。本文推薦的這款甲乙類功放頻率特性好、瞬態(tài)互調(diào)失真小。當(dāng)輸出功率在10W以下時(shí),工作于甲類狀態(tài),滿足一般居室環(huán)境下高音質(zhì)的要求。
2021-04-10 10:03:3443 LT3952:帶4A開(kāi)關(guān)電流數(shù)據(jù)表的60V LED驅(qū)動(dòng)器
2021-04-17 19:40:374 LT3518:功能齊全的LED驅(qū)動(dòng)器,帶2.3A開(kāi)關(guān)電流數(shù)據(jù)表
2021-05-13 16:11:381 LT3517:全功能LED驅(qū)動(dòng)器,1.5A開(kāi)關(guān)電流數(shù)據(jù)表
2021-05-24 11:15:365 閃速存儲(chǔ)器(Flash Memory)又稱閃存(Flash),是一種非易失性存儲(chǔ)器,用存儲(chǔ)單元閾值的高低表示數(shù)據(jù)。浮柵(Floating Gate )場(chǎng)效應(yīng)管(見(jiàn)圖5-80)是Flash存儲(chǔ)單元采用的主要技術(shù)。
2022-08-08 15:46:001076 全互補(bǔ)對(duì)稱高保真甲乙類功放制作.
2023-10-25 15:08:161 全互補(bǔ)對(duì)稱高保真甲乙類功放制作.
2023-10-25 15:06:232 甲乙類功率放大器是常用的功率放大器類型之一。甲乙類功率放大器的特點(diǎn)包括高效率、低失真、較大功率輸出等。在甲乙類功率放大器中,甲類和乙類功率放大器互為補(bǔ)充,通過(guò)它們的結(jié)合可以兼顧功率放大器的效率和失真
2024-01-24 16:11:07421 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《開(kāi)關(guān)電流為2A的高輸入電壓降壓 - 升壓轉(zhuǎn)換器TPS63060數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-07 10:19:370
評(píng)論
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