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　　基準(zhǔn)電壓源廣泛應(yīng)用于A/D和D/A轉(zhuǎn)換器、開(kāi)關(guān)電源等電路之中。在眾多的基準(zhǔn)電壓源中，由于帶隙基準(zhǔn)能成功地在標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝中實(shí)現(xiàn)，并得到良好的性能而廣受歡迎。隨著電池供電產(chǎn)品(如手機(jī)，筆記本電腦等)的發(fā)展，對(duì)低壓電源電壓的要求也逐步增高。利用電阻分壓的方法和低閾值電壓器件能夠?qū)崿F(xiàn)可工作在1 V以下的CMOS帶隙基準(zhǔn)源。

　　同時(shí)，由于數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換精度的不斷提高，基準(zhǔn)源的溫度穩(wěn)定性也面臨著新的挑戰(zhàn)。許多曲率補(bǔ)償技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，諸如：二次溫度補(bǔ)償、指數(shù)溫度補(bǔ)償、分段線性曲率校正、電阻溫度補(bǔ)償?shù)鹊取３松鲜龅倪@些方法外，M.D.Ker和J.S.Chen還提出了一種可工作在1 V以下的新型曲率補(bǔ)償帶隙基準(zhǔn)，所用的結(jié)構(gòu)利用到了NPN和PNP兩種寄生雙極型晶體管(BJT)。本文提出了一種類(lèi)似的補(bǔ)償技術(shù)，但僅需用到PNP型BJT。

　　1 傳統(tǒng)低壓帶隙基準(zhǔn)源的工作原理

　　圖1是傳統(tǒng)低壓帶隙基準(zhǔn)的電路結(jié)構(gòu)。該基準(zhǔn)電路能夠工作在低電源電壓的關(guān)鍵是將電壓疊加轉(zhuǎn)換成電流疊加。如圖1所示，輸出電流和輸出電壓可分別表示：

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　　式中：VT是熱電壓，VT=kT/q;k為波爾茲曼常數(shù)(1.38×10-23J/K);q為電子的帶電量(1.6×10-19C)，N為BJT管Q1和Q2的發(fā)射結(jié)面積比。以上兩式的最后一項(xiàng)都是線性正比于絕對(duì)溫度(PTAT)，被用于補(bǔ)償Veb2的負(fù)溫度系數(shù)。只要合適地選擇N，R1，R2和R3，就能得到一個(gè)具有低溫度漂移特性，且值低于1 V的參考電壓。然而，與式(2)的最后一項(xiàng)相比，Q2的射基電壓(Veb2)并不是關(guān)于溫度理想線性的。BJT管的

　　射基電壓Veb可以表示為：

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　　式中：VG為0 K時(shí)硅材料的外推帶隙電壓值;η為與工藝技術(shù)相關(guān)的系數(shù);m為BJT管集電極電流的溫度依賴階數(shù);T0為參考溫度。

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　　上式中包含了一個(gè)溫度非線性項(xiàng)Tln(TVT/T0)。將式(3)做泰勒展開(kāi)，可得：

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　　式中：a0，a1，a2，…，an都是常數(shù)。一階溫度補(bǔ)償技術(shù)主要是補(bǔ)償a1T項(xiàng)，這是傳統(tǒng)帶隙基準(zhǔn)源的情況。若要得到更低的溫度系數(shù)，需要采用曲率補(bǔ)償技術(shù)去補(bǔ)償式(4)中的那些高階項(xiàng)。類(lèi)似于圖1，本文提出的電路結(jié)構(gòu)也基于電流疊加模式原理。電路中引入了第三個(gè)電流，以補(bǔ)償Veb的非線性，實(shí)現(xiàn)曲率補(bǔ)償。

　　2 新型曲率補(bǔ)償?shù)膸痘鶞?zhǔn)結(jié)構(gòu)

　　2.1 電流IREF2的引入

　　從式(3)可以看出來(lái)，Veb的非線性特性可以通過(guò)改變BJT管的集電極電流溫度特性加以控制。本文將要介紹的溫度補(bǔ)償技術(shù)正是基于這個(gè)性質(zhì)。圖2顯示了第三個(gè)電流IREF2的引入。如圖2所示，IREF2是由BJT管Q2的射基電壓產(chǎn)生的，Q2的集電極電流是一個(gè)與溫度無(wú)關(guān)的電流IREF，由輸出參考電流鏡像得到。因此，與傳統(tǒng)帶隙基準(zhǔn)的BJT管的射基極電壓不同，管Q2的射基電壓VebQ2的m=0。下面將具體介紹如何利用IREF2進(jìn)行曲率補(bǔ)償。

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