本文簡要比較了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分電氣性能參數(shù)并分析了這些電氣參數(shù)對(duì)電路設(shè)計(jì)的影響，并且根據(jù)SiC Mosfet管開關(guān)特性和高壓高頻的應(yīng)用環(huán)境特點(diǎn)，推薦了金升陽可簡化設(shè)計(jì)隔離驅(qū)動(dòng)電路的SIC驅(qū)動(dòng)電源模塊。
2015-06-12 09:51:23
4738 有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請(qǐng)教一下驅(qū)動(dòng)電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
從本文開始，將逐一進(jìn)行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細(xì)研究每個(gè)參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動(dòng)方法等
2018-11-30 11:34:24
上一章介紹了與IGBT的區(qū)別。本章將對(duì)SiC-MOSFET的體二極管的正向特性與反向恢復(fù)特性進(jìn)行說明。如圖所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏極-源極間存在體二極管。從MOSFET
2018-11-27 16:40:24
SiC-DMOS的特性現(xiàn)狀是用橢圓圍起來的范圍。通過未來的發(fā)展，性能有望進(jìn)一步提升。從下一篇開始，將單獨(dú)介紹與SiC-MOSFET的比較。關(guān)鍵要點(diǎn):?功率晶體管的特征因材料和結(jié)構(gòu)而異。?在特性方面各有優(yōu)缺點(diǎn)，但SiC-MOSFET在整體上具有優(yōu)異的特性。＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞MOSFETSiC-DMOS
2018-11-30 11:35:30
度的漂移層實(shí)現(xiàn)高耐壓?！ ∫虼耍谙嗤哪蛪褐登闆r下，SiC可以得到標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻（單位面積導(dǎo)通電阻）更低的器件?！ ±?00V時(shí)，SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1
2023-02-07 16:40:49
情況下，SiC可以得到標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻（單位面積導(dǎo)通電阻）更低的器件。例如900V時(shí)，SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1、SJ-MOSFET的10分之1，就可以實(shí)現(xiàn)相同
2019-04-09 04:58:00
對(duì)體二極管進(jìn)行1000小時(shí)的直流8A通電測(cè)試，結(jié)果如下。試驗(yàn)證明，所有特性如導(dǎo)通電阻，漏電流等都沒有變化。短路耐受能力由于SiC-MOSFET與Si-MOSFET相比具有更小的芯片面積和更高的電流密度
2018-11-30 11:30:41
。 首先，在SiC-MOSFET的組成中，發(fā)揮了開關(guān)性能的優(yōu)勢(shì)實(shí)現(xiàn)了Si IGBT很難實(shí)現(xiàn)的100kHz高頻工作和功率提升。另外，第二代（2G）SiC-MOSFET中，由2個(gè)晶體管并聯(lián)組成了1個(gè)開關(guān)
2018-11-27 16:38:39
`請(qǐng)問：圖片中的紅色白色藍(lán)色模塊是什么東西？芯片屏蔽罩嗎？為什么加這個(gè)東西？抗干擾或散熱嗎？這是個(gè)SiC MOSFET DC-DC電源，小弟新手。。`
2018-11-09 11:21:45
MOSFET能夠在1/35大小的芯片內(nèi)提供與之相同的導(dǎo)通電阻。其原因是SiC MOSFET能夠阻斷的電壓是Si MOSFET的10倍，同時(shí)具備更高的電流密度和更低的導(dǎo)通電阻，能夠以更快速度（10 倍）在導(dǎo)
2019-07-09 04:20:19
（MPS）結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)保持最佳場分布，但通過結(jié)合真正的少數(shù)載流子注入也可以增強(qiáng)浪涌能力。如今，SiC二極管非?？煽浚鼈円呀?jīng)證明了比硅功率二極管更有利的FIT率。 MOSFET替代品 2008年推出
2023-02-27 13:48:12
產(chǎn)品系列包括以下SiC MOSFET：1200V 80/120 /160mΩ和1700V750mΩ，均采用TO247-3L封裝。其他器件很快將在同一封裝中投入生產(chǎn)，加上類似器件將采用TO247-4L
2019-07-30 15:15:17
-SBD的溫度依存性與Si-FRD不同，溫度越高，它的導(dǎo)通阻抗就會(huì)增加，從而VF值也增加。不易發(fā)生熱失控，所以可以放心地并聯(lián)使用。3. SiC-SBD的恢復(fù)特性Si的快速PN結(jié)二極管（FRD:快速恢復(fù)二極管）在從
2019-03-14 06:20:14
-SBD的溫度依存性與Si-FRD不同，溫度越高，它的導(dǎo)通阻抗就會(huì)增加，從而VF值也增加。不易發(fā)生熱失控，所以可以放心地并聯(lián)使用。3. SiC-SBD的恢復(fù)特性Si的快速PN結(jié)二極管（FRD:快速恢復(fù)二極管）在從
2019-04-22 06:20:22
情況下，SiC可以得到標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻（單位面積導(dǎo)通電阻）更低的器件。例如900V時(shí)，SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1、SJ-MOSFET的10分之1，就可以實(shí)現(xiàn)相同
2019-05-07 06:21:55
的Si-PND不同。Si-FRD隨著溫度升高電阻下降，VF降低，而SiC-SBD隨著溫度升高VF也升高。這個(gè)特性有利有弊，當(dāng)并聯(lián)使用Si- FRD時(shí)，當(dāng)一端的二極管產(chǎn)生電流偏差時(shí)可能會(huì)發(fā)生熱失控，而
2018-12-03 15:12:02
Sic MOSFET 主要優(yōu)勢(shì).更小的尺寸及更輕的系統(tǒng).降低無源器件的尺寸/成本.更高的系統(tǒng)效率.降低的制冷需求和散熱器尺寸Sic MOSFET ，高壓開關(guān)的突破.SCT30N120
2017-07-27 17:50:07
DCDC的并聯(lián)均流怎么設(shè)計(jì)
2022-05-05 11:01:21
半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙，能帶動(dòng)電子進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實(shí)現(xiàn)更高功率，更高開關(guān)速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導(dǎo)體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
誰能幫我解釋一下：IGBT均流的問題：三相逆變的電流不平衡，相與相之間的電流相差10-15安培（兩個(gè)IGBT并聯(lián)在一起為一相電流）？
2012-06-02 09:02:05
都只能做到500W，假如先做4路并聯(lián)，均流問題有什么好的方案可以推薦嗎？如果后面再采用三個(gè)2KW并聯(lián)，這個(gè)并聯(lián)均流問題如何解決，能推薦一下嗎？謝謝！
2024-01-08 07:21:12
MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析BJT 管并聯(lián)均流技術(shù)分析普通的功率MOSFET因?yàn)閮?nèi)阻低、耐壓高、電流大、驅(qū)動(dòng)簡易等優(yōu)良特性而得到了廣泛應(yīng)用。當(dāng)單個(gè)MOSFET的電流或耗散功率
2015-07-24 14:24:26
的均流，因此當(dāng)電路中電流很大時(shí)，一般會(huì)采用并聯(lián)MOS管的方法來進(jìn)行分流。采用MOS管進(jìn)行電流的均流時(shí)，當(dāng)其中一路電流大于另一路MOS管中的電流時(shí)，電流大的MOS管產(chǎn)生的熱量多，從而引起導(dǎo)通電...
2021-10-29 07:04:37
MOS管具有正溫度系數(shù)，網(wǎng)上很多說不需要均流電阻。三極管是負(fù)溫度系數(shù)，才需要在發(fā)射極串接均流電阻。網(wǎng)上看到有人說，MOS管只在一定的電流范圍內(nèi)才能起到均流作用，那么大電流下還是要加均流電阻咯?，F(xiàn)在
2021-01-05 18:19:30
5.405億美元，年復(fù)合增長率(CAGR)超過18%。此外，IHS Markit的研究表明，預(yù)計(jì)SiC MOSFET器件到2025年將產(chǎn)生超過3億美元營收，幾乎達(dá)到肖特基二極管的水平，成為第二大暢銷SiC分立
2018-10-23 16:22:24
大家好，我打算在逆變器應(yīng)用中使用sic mosfets（2級(jí)或3級(jí)），我搜索了一些制造商和價(jià)格，我看到sct30n120和ST說'非?？焖俸蛷?qiáng)大的內(nèi)部體二極管（不需要外部續(xù)流二極管，因此，更緊
2019-05-29 06:12:00
MOSFET電容特性建模Saber軟件MOSFET體二極管電流與電壓特性曲線建模Saber軟件MOSFET體二極管反向恢復(fù)特性建模與MOSFET模型編譯使用MOSFET模型仿真驗(yàn)證Id_Vgs有效性
2017-04-12 20:43:49
上一章針對(duì)與Si-MOSFET的區(qū)別，介紹了關(guān)于SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)方法的兩個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn)。本章將針對(duì)與IGBT的區(qū)別進(jìn)行介紹。與IGBT的區(qū)別：Vd-Id特性Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一
2018-12-03 14:29:26
均流。均流的方法有很多種。例如：1.輸出阻抗法，又叫下垂法、傾斜法、電壓調(diào)整率法。是通過調(diào)節(jié)電源的輸出內(nèi)阻的方式來實(shí)現(xiàn)的。這個(gè)方法的特點(diǎn)是簡單。但最大的缺點(diǎn)是電壓調(diào)整率差。2.主從設(shè)置法，人為的在并聯(lián)
2018-07-28 14:13:50
輸出，或者通過倍壓整流電路將交流電轉(zhuǎn)換為高壓直流電輸出?！ ±枚鄠€(gè)DC-DC模塊電源并聯(lián)均流并實(shí)現(xiàn)輸出電壓的穩(wěn)定保持，是工程師在實(shí)際操作中比較常見的工作之一。此前我們?cè)?jīng)為大家介紹過多種不同的并聯(lián)均
2018-10-23 15:58:49
` 首先萬分感謝羅姆及電子發(fā)燒友論壇給予此次羅姆SiC Mosfet試用機(jī)會(huì)。 第一次試用體驗(yàn)，先利用晚上時(shí)間做單管SiC Mos的測(cè)試，由于沒有大功率電源，暫且只考察了Mos管的延時(shí)時(shí)間、上升時(shí)間
2020-05-21 15:24:22
項(xiàng)目名稱：SiC MOSFET元器件性能研究試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由本人在半導(dǎo)體失效分析領(lǐng)域有多年工作經(jīng)驗(yàn)，熟悉MOSET各種性能和應(yīng)用，掌握各種MOSFET的應(yīng)用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
SiC Mosfet管組成上下橋臂電路，整個(gè)評(píng)估板提供了一個(gè)半橋電路，可以支持Buck，Boost和半橋開關(guān)電路的拓?fù)洹?b class="flag-6" style="color: red">SiC Mosfet的驅(qū)動(dòng)電路主要有BM6101為主的芯片搭建而成，上下橋臂各有一塊
2020-06-07 15:46:23
是48*0.35 = 16.8V，負(fù)載我們?cè)O(shè)為0.9Ω的阻值，通過下圖來看實(shí)際的輸入和輸出情況：圖4 輸入和輸出通過電子負(fù)載示數(shù)，輸出電流達(dá)到了17A。下面使用示波器測(cè)試SIC-MOSFET管子的相關(guān)
2020-06-10 11:04:53
，MOSFET的稍微高一些65KHZ-100KHZ，我們希望通過使用新型開關(guān)管以提高開關(guān)頻率，縮小設(shè)備體積，提高效率，所以急需該評(píng)估版以測(cè)試和深入了解SiC MOS的性能和驅(qū)動(dòng)，望批準(zhǔn)！項(xiàng)目計(jì)劃1
2020-04-24 18:08:05
有羅姆，英飛凌，Cree，意法半導(dǎo)體等，因?yàn)榱_姆在官網(wǎng)提供比較易得的SiC參數(shù)性能和仿真模型，之前也有了解一些SiC管性能參數(shù)，下載模型在軟件做一些簡單的仿真。這次提供的試用開發(fā)板和對(duì)應(yīng)插件正好可以
2020-05-19 16:03:51
;Reliability (可靠性) " ，始終堅(jiān)持“品質(zhì)第一”SiC元器有三個(gè)最重要的特性：第一個(gè)高壓特性，比硅更好一些；而是高頻特性；三是高溫特性。 羅姆第三代溝槽柵型SiC-MOSFET對(duì)應(yīng)
2020-07-16 14:55:31
的差異，導(dǎo)致IGBT并聯(lián)時(shí)電流不均衡。本文分析了帶輸出電抗器均流的三相三相全橋逆變器的并聯(lián)均流特性，設(shè)計(jì)了輸出電抗器參數(shù)，給出了仿真和試驗(yàn)結(jié)果，試驗(yàn)結(jié)果表明了對(duì)并聯(lián)特性分析的合理性及有效性。
2023-09-19 07:45:32
和更快的切換速度與傳統(tǒng)的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅(qū)動(dòng)在設(shè)計(jì)過程中必須仔細(xì)考慮需求。本應(yīng)用程序說明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動(dòng)IC時(shí)的關(guān)鍵參數(shù)。
2023-06-16 06:04:07
要充分認(rèn)識(shí) SiC MOSFET 的功能，一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進(jìn)行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍，具有更高的電流密度，能夠以 10 倍的更快速度在導(dǎo)通和關(guān)斷
2017-12-18 13:58:36
SiC MOSFET的引腳安裝了小容量的電容器。緩沖電容器的效果下面是在上述三種條件下，在SiC MOSFET關(guān)斷、切斷電流時(shí)漏極-源極間產(chǎn)生的浪涌波形?？拷?b class="flag-6" style="color: red">SiC MOSFET的引腳添加了電容器
2018-11-27 16:39:33
準(zhǔn)備用幾個(gè)鋰電池并聯(lián)做大電流放電(2.5A峰值)用不用均流？有專門的IC賣嗎？求解答謝謝~
2016-01-05 17:50:04
本資料主要研究高頻功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路和在動(dòng)態(tài)開關(guān)模式下的并聯(lián)均流特性。首先簡要介紹功率MOSFET的基本工作原理及靜態(tài)及動(dòng)態(tài)特性，然后根據(jù)功率MOSFET對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求，對(duì)驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行了
2019-03-01 15:37:55
二極管，多數(shù)情況下，因其特性很差，要避免使用。功率MOSFET的反向?qū)ǖ刃щ娐罚?）（1）：等效電路（門極加控制）（2）：說明功率 MOSFET 在門級(jí)控制下的反向?qū)?，也可用一電阻等效，該電阻與溫度
2018-10-25 16:11:27
本文首先分析了電源的并聯(lián)特性及均流的一般原理,又詳細(xì)分析了幾種電源并聯(lián)均流的技術(shù),最后提出了基于AVR單片機(jī)為控制核心,附帶有RS485通信協(xié)議、電壓電流采集和顯示以及調(diào)節(jié)電源的輸出電壓和實(shí)現(xiàn)各路電源的異常工作的聲光報(bào)警的計(jì)算機(jī)均流技術(shù)方案,實(shí)現(xiàn)了數(shù)字均流的智能化控制。
2011-03-09 12:20:43
本文采用STM32F103VET6處理器作為主控芯片，實(shí)現(xiàn)了一種以CAN總線為通信媒介、具有穩(wěn)壓/穩(wěn)流/安培時(shí)/工藝曲線/遠(yuǎn)程控制5種工作模式、液晶圖形顯示的數(shù)字式電鍍電源并聯(lián)均流系統(tǒng)(以下簡稱
2018-08-20 10:08:28
集成度、豐富且性能出眾的片上外設(shè)、編程復(fù)雜度低等優(yōu)點(diǎn)。數(shù)字式電鍍電源并聯(lián)均流系統(tǒng)以數(shù)字通信和控制的方式實(shí)現(xiàn)多個(gè)電源模塊的并聯(lián)工作，提供更大的輸出功率，具有組合靈活、可靠性高、人機(jī)接口友善、工作模式多樣等
2018-08-30 14:00:49
某顆MOS管的電流比較大，這顆MOS管會(huì)發(fā)熱比較嚴(yán)重，內(nèi)阻會(huì)升高比較多，電流就會(huì)降下來，由此可以分析出MOS管有自動(dòng)均流的特性而易于并聯(lián)?！ ?.MOS管的并聯(lián)電路 理論上MOS管可以由N顆并聯(lián)
2018-10-12 16:47:54
在電源的設(shè)計(jì)開發(fā)中，對(duì)于大功率電源的使用范圍也是越來越廣泛，此類電源是開關(guān)電源的一種，比較廣泛的應(yīng)用與電力通訊行業(yè)。大功率開關(guān)電源也同樣在近來幾年中開端盛行并聯(lián)均流的供電規(guī)劃。如今這樣的并聯(lián)均流
2016-04-07 11:40:06
兩相交錯(cuò)并聯(lián)Boost電路，當(dāng)兩支路的電感大小不同，而引起兩支路電流不相等時(shí)，應(yīng)該如何調(diào)節(jié)？？如何實(shí)現(xiàn)均流呢？？求助
2016-11-27 14:01:01
的反向恢復(fù)導(dǎo)致連續(xù)導(dǎo)通模式（CCM）下的高功率損耗，使其不適用于高功率應(yīng)用。隨后，與SiC肖特基二極管并聯(lián)的lGBT被認(rèn)為取代CCM圖騰柱PFC和CLLC轉(zhuǎn)換器中的硅MOSFET［8］。遺憾的是，由于
2023-02-27 09:44:36
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
有關(guān)buck并聯(lián)供電系統(tǒng)中均流方案怎么弄
2017-04-17 23:59:52
應(yīng)的SiC-MOSFET一覽表。有SCT系列和SCH系列，SCH系列內(nèi)置SiC肖特基勢(shì)壘二極管，包括體二極管的反向恢復(fù)特性在內(nèi)，特性得到大幅提升。一覽表中的SCT3xxx型號(hào)即第三代溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET
2018-12-05 10:04:41
應(yīng)用看，未來非常廣泛且前景被看好。與圈內(nèi)某知名公司了解到，一旦國內(nèi)品牌誰先成功掌握這種技術(shù)，那它就會(huì)呈暴發(fā)式的增加。在Si材料已經(jīng)接近理論性能極限的今天，SiC功率器件因其高耐壓、低損耗、高效率等特性
2019-09-17 09:05:05
某顆MOS管的電流比較大，這顆MOS管會(huì)發(fā)熱比較嚴(yán)重，內(nèi)阻會(huì)升高比較多，電流就會(huì)降下來，由此可以分析出MOS管有自動(dòng)均流的特性而易于并聯(lián)?！ ?.MOS管的并聯(lián)電路 理論上MOS管可以由N顆并聯(lián)
2018-11-28 12:08:27
批量生產(chǎn)時(shí)LED燈具參數(shù)的一致性?！?b class="flag-6" style="color: red">SIC9654具有豐富的保護(hù)功能：輸出開短路保護(hù)、采樣電阻開短路保護(hù)、欠壓保護(hù)、輸出過壓保護(hù)、過溫自適應(yīng)調(diào)節(jié)等。●特性：■內(nèi)部集成650V功率管■±3%以內(nèi)的系統(tǒng)恒流
2022-02-17 15:42:55
，溫度降低，從而實(shí)現(xiàn)自動(dòng)的均流達(dá)到平衡，這也是功率MOSFET相對(duì)于晶體管最具有優(yōu)勢(shì)的一個(gè)特性。同樣對(duì)于一個(gè)功率MOSFET器件的內(nèi)部也是有許多小晶胞并聯(lián)而成，晶胞的導(dǎo)通電阻具有正的溫度系數(shù)，因此并聯(lián)工作
2016-09-26 15:28:01
碳化硅（SiC）等寬帶隙技術(shù)為功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)人員開辟了一系列新的可能性。與現(xiàn)有的IGBT器件相比，SiC顯著降低了導(dǎo)通和關(guān)斷損耗，并改善了導(dǎo)通和二極管損耗。對(duì)其開關(guān)特性的仔細(xì)分析表明，SiC
2023-02-22 16:34:53
Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導(dǎo)通電
2023-04-11 15:29:18
低，可靠性高，在各種應(yīng)用中非常有助于設(shè)備實(shí)現(xiàn)更低功耗和小型化。本產(chǎn)品于世界首次※成功實(shí)現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內(nèi)部二極管的正向電壓（VF）降低70％以上，實(shí)現(xiàn)更低損耗的同時(shí)
2019-03-18 23:16:12
和可靠運(yùn)行。均流技術(shù)就是對(duì)系統(tǒng)中各并聯(lián)電源的輸出電流加以控制，盡可能均分系統(tǒng)輸入總電流，確保多臺(tái)電源可靠運(yùn)行的一種特殊措施。圖1所示為多臺(tái)開關(guān)電源并聯(lián)均流實(shí)現(xiàn)大功率電源系統(tǒng)的示意圖。本文就自動(dòng)均流技術(shù)
2011-07-13 15:19:57
輸入動(dòng)作禁止功能）、過流保護(hù)、二次側(cè)電壓過壓保護(hù)等。在高耐壓應(yīng)用中，與Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET具有開關(guān)損耗及傳導(dǎo)損耗少、溫度帶來的特性波動(dòng)小的優(yōu)點(diǎn)。這些優(yōu)點(diǎn)有利于解決近年來的重要課題
2018-11-27 16:54:24
肖特基二極管并聯(lián)的lGBT被認(rèn)為可以代替CCM圖騰柱PFC和CLLC轉(zhuǎn)換器中的硅MOSFET [8]?？杀氖?，由于IGBT的高開關(guān)損耗，實(shí)際的開關(guān)頻率受到限制。進(jìn)一步，由于SiC MOSFET的體二極管
2019-10-25 10:02:58
都只能做到500W，假如先做4路并聯(lián)，均流問題有什么好的方案可以推薦嗎？如果后面再采用三個(gè)2KW并聯(lián)，這個(gè)并聯(lián)均流問題如何解決，能推薦一下嗎？謝謝！
2018-07-27 08:56:50
模塊電源市場日趨成熟，并聯(lián)均流有何優(yōu)缺點(diǎn)？
2021-03-16 09:24:11
研發(fā)的SiC MOSFET為例，即使在攝氏200度以上時(shí)，SiC MOSFET也能保持高效能之特性。WInSiC4AP專案的SiC MOSFET開發(fā)主要在2018年進(jìn)行。圖3、圖4、圖5分別提供元件
2019-06-27 04:20:26
基于LTC4350的并聯(lián)均流技術(shù)應(yīng)用研究(2)
2019-04-22 11:40:09
請(qǐng)問：驅(qū)動(dòng)功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
從線路布線和參數(shù)配置等方面分析了導(dǎo)致MOSFET并聯(lián)時(shí)電壓和電流不均衡的原因，并聯(lián)MOSFET易產(chǎn)生振蕩的原因作了詳細(xì)的分析，并輔以仿真說明振蕩產(chǎn)生的原因。
2010-09-30 16:29:30
90 本文主要研究高頻功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路和在動(dòng)態(tài)開關(guān)模式下的并聯(lián)均流特性。首先簡要介紹功率MOSFET的基本工作原理及靜態(tài)及動(dòng)態(tài)特性，然后根據(jù)功率MOSFET對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求，
2010-11-11 15:34:22201 Multisim仿真—電路&模電&數(shù)電電路分析基礎(chǔ)?
2.1?L?、C并聯(lián)諧振回路頻率特性的仿真測(cè)試
2015-12-04 14:48:298 近年來，寬禁帶半導(dǎo)體SiC器件得到了廣泛重視與發(fā)展。SiC MOSFET與Si MOSFET在特定的工作條件下會(huì)表現(xiàn)出不同的特性，其中重要的一條是SiC MOSFET在長期的門極電應(yīng)力下會(huì)產(chǎn)生閾值漂移現(xiàn)象。本文闡述了如何通過調(diào)整門極驅(qū)動(dòng)負(fù)壓，來限制SiC MOSFET閾值漂移的方法。
2020-07-20 08:00:006 關(guān)于SiC MOSFET的并聯(lián)問題，英飛凌已陸續(xù)推出了很多技術(shù)資料，幫助大家更好的理解與應(yīng)用。這篇微信文章將延續(xù)“仿真看世界”系列一貫之風(fēng)格，借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環(huán)境，分析
2021-03-11 09:22:053311 損耗Erec 降低30%以上IGBT的開通損耗Eon 因此，在中小功率光伏與UPS等領(lǐng)域，誠乃極具性價(jià)比之選。 上個(gè)回合，我們已仿真分析過SiC MOSFET開關(guān)
2021-03-26 16:40:202346 
樁、不間斷電源系統(tǒng)以及能源儲(chǔ)存等應(yīng)用場景中的需求不斷提升。 SiC MOSFET的特性 更好的耐高溫與耐高壓特性 基于SiC材料的器件擁有比傳統(tǒng)Si材料制品更好的耐高溫耐高壓特性，其能獲得更高的功率密度和能源效率。由于碳化硅（SiC）的介電擊穿強(qiáng)度大約是硅（Si）的
2021-08-13 18:16:276630 關(guān)于SiC MOSFET的并聯(lián)問題，英飛凌已陸續(xù)推出了很多技術(shù)資料，幫助大家更好的理解與應(yīng)用。此文章將借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環(huán)境，分析SiC MOSFET單管在并聯(lián)條件下的均流特性。
2022-08-01 09:51:151687 
本文描述了使用 SiC MOSFET 的一般接線圖，并解釋了如何將其整合到仿真中。
2022-08-04 09:32:481030 
上一章介紹了與IGBT的區(qū)別。本章將對(duì)SiC-MOSFET的體二極管的正向特性與反向恢復(fù)特性進(jìn)行說明。如圖所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏極-源極間存在體二極管。
2023-02-08 13:43:20790 
在SiC MOSFET的開發(fā)與應(yīng)用方面，與相同功率等級(jí)的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性。
2023-02-12 15:29:032100 
SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)，主要有二種：平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)，
2023-02-16 09:40:102935 
在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
2023-02-24 11:48:18426 
如何為SiC MOSFET選擇合適的驅(qū)動(dòng)芯片？（英飛凌官方） 由于SiC產(chǎn)品與傳統(tǒng)硅IGBT或者MOSFET參數(shù)特性上有所不同，并且其通常工作在高頻應(yīng)用環(huán)境中， 為SiC MOSFET選擇合適的柵極
2023-02-27 14:42:0479 之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本系列文章將概述安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關(guān)鍵特性及驅(qū)動(dòng)條件對(duì)它的影響，作為安森美提供的全方位寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)的一部分，還將提供
2023-06-16 14:39:39538 
SiC MOSFET體二極管的關(guān)斷特性與IGBT電路中硅基PN二極管不同，這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">SiC MOSFET體二極管具有獨(dú)特的特性。對(duì)于1200V SiC MOSFET來說，輸出電容的影響較大，而PN
2023-01-04 10:02:071113 
探究快速開關(guān)應(yīng)用中SiC MOSFET體二極管的關(guān)斷特性
2023-01-12 14:33:03991 MOSFET的并聯(lián)使用
2023-12-19 09:40:33308 
MOSFET的基本結(jié)構(gòu)。SIC MOSFET是一種由碳化硅材料制成的傳導(dǎo)類型晶體管。與傳統(tǒng)的硅MOSFET相比，SIC MOSFET具有更高的遷移率和擊穿電壓，以及更低的導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗。這些特性使其成為高溫高頻率應(yīng)用中的理想選擇。 SIC MOSFET在電路中具有以下幾個(gè)主要的作用： 1. 電源開關(guān)
2023-12-21 11:27:13686
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