半導體材料可分為單質半導體及化合物半導體兩類,前者如硅(Si)、鍺(Ge)等所形成的半導體,后者為砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等化合物形成。半導體在過去主要經(jīng)歷了三代變化
2019-05-06 10:04:10
氮化鎵、MMIC、射頻SoC以及光網(wǎng)絡技術的并行發(fā)展共同助力提高設計和成本效率。5G 的出現(xiàn)促使人們重新思考從半導體到基站系統(tǒng)架構再到網(wǎng)絡拓撲的無線基礎設施。
2019-08-16 07:57:10
,這一成果標志著該校在超寬禁帶半導體研究上取得重要進展。(圖片來源:西安郵電大學官網(wǎng))近年來,我國在氧化鎵的制備上連續(xù)取得突破性進展,從去年的2英寸到6英寸,再到最新的8英寸,氧化鎵制備技術越來越
2023-03-15 11:09:59
請教下以前的[半導體技術天地]哪里去了
2020-08-04 17:03:41
半導體技術是如何變革汽車設計產(chǎn)業(yè)的?
2021-02-22 09:07:43
半導體產(chǎn)業(yè)能支撐未來的發(fā)展相比于2009年今年全球半導體 業(yè)的態(tài)勢好了許多,但是仍有少部分人提出質疑,2010年有那么好嗎?即具備條件了嗎?在今年1月由SEMI主辦的工業(yè)策略年會上(ISS),有些
2010-02-26 14:52:33
,小米9pro,oppo Reno3以及vivo X30)分別采用了什么芯片? 3協(xié)同通信的方式有哪些? 4大數(shù)據(jù)及認知無線電(名詞解釋) 4半導體工藝的4個主要步驟: 4簡敘半導體光刻技術基本原理 4給出4個全球著名的半導體設備制造商并指出其生產(chǎn)的設備核心技術: 5衛(wèi)
2021-07-26 08:31:09
)、氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、雙極硅、絕緣硅(SoI)和藍寶石硅(SoS)等工藝技術給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導體器件的集成度越來越高,但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡向
2019-07-05 08:13:58
)、氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、雙極硅、絕緣硅(SoI)和藍寶石硅(SoS)等工藝技術給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導體器件的集成度越來越高,但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡向長期
2019-08-20 08:01:20
獨立融資。調整后,小米將持有南京大魚半導體25%股權,團隊集體持股75%。南京大魚半導體將專注于半導體領域的AI和IoT芯片與解決方案的技術研發(fā),而松果將繼續(xù)專注手機SoC芯片和AI芯片研發(fā)。松果電子...
2021-07-29 08:10:33
獨立融資。調整后,小米將持有南京大魚半導體25%股權,團隊集體持股75%。南京大魚半導體將專注于半導體領域的AI和IoT芯片與解決方案的技術研發(fā),而松果將繼續(xù)專注手機SoC芯片和AI芯片研發(fā)。松果電子...
2021-07-29 07:00:14
`根據(jù)Yole Developpement指出,氮化鎵(GaN)組件即將在功率半導體市場快速發(fā)展,從而使專業(yè)的半導體企業(yè)受惠;另一方面,他們也將會發(fā)現(xiàn)逐漸面臨來自英飛凌(Infineon)/國際
2015-09-15 17:11:46
半導廠商如何跟汽車工業(yè)打交道?未來車用半導體廠商誰來扮演?
2021-05-14 07:19:40
(86) ,因此在正常體溫下,它會在人的手中融化。
又過了65年,氮化鎵首次被人工合成。直到20世紀60年代,制造氮化鎵單晶薄膜的技術才得以出現(xiàn)。作為一種化合物,氮化鎵的熔點超過1600℃,比硅高
2023-06-15 15:50:54
從將PC適配器的尺寸減半,到為并網(wǎng)應用創(chuàng)建高效、緊湊的10 kW轉換,德州儀器為您的設計提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產(chǎn)品的額定電壓為600 V,提供從低功率適配器到超過2 kW設計的各類解決方案。
2019-08-01 07:38:40
封裝技術的效率。三維散熱是GaN封裝的一個很有前景的選擇。
生活更環(huán)保
為了打破成本和大規(guī)模采用周期,一種新型功率半導體技術需要解決最引人注目應用中現(xiàn)有設備的一些缺點。氮化鎵為功率調節(jié)的發(fā)展創(chuàng)造了機會
2019-03-14 06:45:11
;這也說明市場對于充電器功率的市場需求及用戶使用的范圍;隨著小米65W的充電器的發(fā)布,快速的走進氮化鎵快充充電器時代。目前市面上已經(jīng)量產(chǎn)商用的氮化鎵方案主要來自PI和納微半導體兩家供應商。其中PI
2020-03-18 22:34:23
的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術有望大幅改進電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預計到2030年,電力電子領域將管理大約80%的能源,而2005年這一比例僅為30%1。這相當于30億千瓦時以上
2020-11-03 08:59:19
的選擇?! ∩罡h(huán)?! 榱舜蚱瞥杀竞痛笠?guī)模采用周期,一種新型功率半導體技術需要解決最引人注目應用中現(xiàn)有設備的一些缺點。氮化鎵為功率調節(jié)的發(fā)展創(chuàng)造了機會,使其在高電壓應用中的貢獻遠遠超越硅材料。用于
2018-11-20 10:56:25
度大、擊穿電場高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小等獨特的性能,被譽為第三代半導體材料。氮化鎵在光電器件、功率器件、射頻微波器件、激光器和探測器件等方面展現(xiàn)出巨大的潛力,甚至為該行業(yè)帶來跨越式
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化鎵(GaN)是氮和鎵化合物,具體半導體特性,早期應用于發(fā)光二極管中,它與常用的硅屬于同一元素周期族,硬度高熔點高穩(wěn)定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料,具有寬帶隙、高熱導率等特點,應用在充電器方面,主要是集成氮化鎵MOS管,可適配小型變壓器和高功率器件,充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
更?。篏aNFast? 功率芯片,可實現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度,其尺寸和重量只有前者的一半,并且在能量節(jié)約方面,它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快:氮化鎵電源 IC 的集成設計使其非常
2023-06-15 15:32:41
`從研發(fā)到商業(yè)化應用,氮化鎵的發(fā)展是當下的顛覆性技術創(chuàng)新,其影響波及了現(xiàn)今整個微波和射頻行業(yè)。氮化鎵對眾多射頻應用的系統(tǒng)性能、尺寸及重量產(chǎn)生了明確而深刻的影響,并實現(xiàn)了利用傳統(tǒng)半導體技術無法實現(xiàn)
2017-08-15 17:47:34
射頻半導體技術的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。
2019-09-02 06:41:17
限制層,為像GaN材料體系這樣性質差異大的半導體激光器提供了新的研究思路,有望進一步提高氮化鎵激光器性能?! ?b class="flag-6" style="color: red">未來GaN基藍光激光器的效率將進一步提升,接近GaAs基紅外激光器的電光轉化效率
2020-11-27 16:32:53
和意法半導體今天聯(lián)合宣布將硅基氮化鎵技術引入主流射頻市場和應用領域的計劃,這標志著氮化鎵供應鏈生態(tài)系統(tǒng)的重要轉折點,未來會將MACOM的射頻半導體技術實力與ST在硅晶圓制造方面的規(guī)?;统錾\營完美結合
2018-08-17 09:49:42
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵(GaN)是一種寬帶隙半導體材料。 當用于電源時,GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
納微集成氮化鎵電源解決方案及應用
2023-06-19 11:10:07
深圳市尊信電子技術有限公司專業(yè)開發(fā)設計電子產(chǎn)品方案鈺泰,智融,賽芯微一級代理吉娜:*** 微信:mphanfan歡迎行業(yè)客戶聯(lián)系,獲取datasheet、報價、樣片等更多產(chǎn)品信息氮化鎵技術的普及,使
2021-11-28 11:16:55
GaNFast功率半導體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
GaN功率半導體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢
2023-06-19 09:28:46
GaN功率半導體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
GaN功率半導體在快速充電市場的應用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率半導體帶來AC-DC適配器的革命(氮化鎵)
2023-06-19 11:41:21
寬禁帶半導體材料氮化鎵(GaN)以其良好的物理化學和電學性能成為繼第一代元素半導體硅(Si)和第二代化合物半導體砷化鎵(GaAs)、磷化鎵(GaP)、磷化銦(InP)等之后迅速發(fā)展起來的第三代半導體
2019-06-25 07:41:00
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關頻率、更低的導通電阻等優(yōu)勢,并可與成本極低、技術成熟度極高的硅基半導體集成電路工藝相兼容,在新一代高效率、小尺寸的電力轉換與管理系統(tǒng)、電動機
2018-11-05 09:51:35
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 編輯
整合意法半導體的制造規(guī)模、供貨安全保障和電涌耐受能力與MACOM的硅上氮化鎵射頻功率技術,瞄準主流消費
2018-02-12 15:11:38
應用。MACOM的氮化鎵可用于替代磁控管的產(chǎn)品,這顆功率為300瓦的硅基氮化鎵器件被用來作為微波爐里磁控管的替代。用氮化鎵器件來替代磁控管帶來好處很多:半導體器件可靠性更高,氮化鎵器件比磁控管驅動電壓
2017-09-04 15:02:41
的優(yōu)勢,近年來在功率器件市場大受歡迎。然而,其居高不下的成本使得氮化鎵技術的應用受到很多限制。 但是隨著硅基氮化鎵技術的深入研究,我們逐漸發(fā)現(xiàn)了一條完全不同的道路,甚至可以說是顛覆性的半導體技術。這就
2017-07-18 16:38:20
測試背景地點:國外某知名品牌半導體企業(yè),深圳氮化鎵實驗室測試對象:氮化鎵半橋快充測試原因:因高壓差分探頭測試半橋上管Vgs時會炸管,需要對半橋上管控制信號的具體參數(shù)進行摸底測試測試探頭:麥科信OIP
2023-01-12 09:54:23
由于換了三星手機,之前的充電器都不支持快充了,一直想找一款手機電腦都能用的快充充電器,「倍思GaN2 Pro氮化鎵充電器」就是這樣一款能滿足我的充電器,這篇文章就來說下這款充電器的選購過程
2021-09-14 08:28:31
書籍:《炬豐科技-半導體工藝》文章:氮化鎵發(fā)展技術編號:JFSJ-21-041作者:炬豐科技網(wǎng)址:http://www.wetsemi.com/index.html 摘要:在單個芯片上集成多個
2021-07-06 09:38:20
的開路條件下被光蝕刻。 介紹近年來,氮化鎵和相關氮化物半導體在藍綠色發(fā)光二極管、激光二極管和高溫大功率電子器件中的應用備受關注。蝕刻組成材料的有效工藝的可用性因此非常重要。由于第三族氮化物不尋常的化學
2021-10-13 14:43:35
Canaccord Genuity預計,到2025年,電動汽車解決方案中每臺汽車的半導體構成部分將增加50%或更多。本文將探討氮化鎵(GaN)電子器件,也涉及到一點碳化硅(SiC),在不增加汽車成本的條件下
2018-07-19 16:30:38
的設計和集成度,已經(jīng)被證明可以成為充當下一代功率半導體,其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計,如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心,都升級為使用氮化鎵功率芯片器件,那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
的電壓,其漏極漂移區(qū)為10-20μm,或大約40-80V/μm。這大大高于硅20V/μm的理論極限。然而,氮化鎵器件目前仍然遠遠低于約300V/μm的禁帶寬度極限,這為未來的優(yōu)化和改進,留下了巨大的空間
2023-06-15 15:53:16
)、氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、雙極硅、絕緣硅(SoI)和藍寶石硅(SoS)等工藝技術給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導體器件的集成度越來越高,但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡向
2019-08-02 08:23:59
目前,以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等“WBG(Wide Band Gap,寬禁帶,以下簡稱為:WBG)”以及基于新型材料的電力半導體,其研究開發(fā)技術備受矚目。根據(jù)日本環(huán)保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22
1、GaAs半導體材料可以分為元素半導體和化合物半導體兩大類,元素半導體指硅、鍺單一元素形成的半導體,化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍,非常適合
2019-07-29 07:16:49
兩年多前,德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵(GaN)功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率,且易于設計,帶集成柵極驅動和穩(wěn)健的器件保護。從那時起,我們就致力于利用這項尖端技術將功率級
2020-10-27 09:28:22
行業(yè)標準,成為落地量產(chǎn)設計的催化劑
氮化鎵芯片是提高整個系統(tǒng)性能的關鍵,是創(chuàng)造出接近“理想開關”的電路構件,即一個能將最小能量的數(shù)字信號,轉化為無損功率傳輸?shù)碾娐窐嫾?納微半導體利用橫向650V
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝,GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現(xiàn)氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導體市場多年,無論是吊打碳化硅,還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學穩(wěn)定性等優(yōu)越性質,確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
氮化鎵,由鎵(原子序數(shù) 31)和氮(原子序數(shù) 7)結合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。禁帶,是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量,氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV,是硅
2023-06-15 15:41:16
=rgb(51, 51, 51) !important]射頻氮化鎵技術是5G的絕配,基站功放使用氮化鎵。氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP)是射頻應用中常用的半導體材料。[color
2019-07-08 04:20:32
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生,以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
客戶希望通過原廠FAE盡快找到解決方案,或者將遇到技術挫折歸咎為芯片本身設計問題,盡管不排除芯片可能存在不適用的領域,但是大部分時候是應用層面的問題,和芯片沒有關系。這種情況對新興的第三代半導體氮化鎵
2023-02-01 14:52:03
類型包括硅鍺雙極互補金屬氧化物半導體(BiCMOS)和硅鍺異質結雙極晶體管(SiGe HBTs)。DTRA關注的其他設備類型還包括45納米絕緣硅(SOI)芯片、氮化鎵異質結場效應晶體管(GaAn HFET)功率半導體和其他抗輻射微電子和光子器件,用于當前和未來軍事系統(tǒng),如衛(wèi)星和導彈。
2012-12-04 19:52:12
的測試,讓功率半導體設備更快上市并盡量減少設備現(xiàn)場出現(xiàn)的故障。為幫助設計工程師厘清設計過程中的諸多細節(jié)問題,泰克與電源行業(yè)專家攜手推出“氮化鎵電源設計從入門到精通“8節(jié)系列直播課,氮化鎵電源設計從入門到
2020-11-18 06:30:50
如何實現(xiàn)小米氮化鎵充電器是一個c to c 的一個充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口,但這個口不可以充電,它是用來轉VGA,HDMI,DP之類了,可以外接顯示器,拓展塢之類的。要用氮化鎵
2021-09-14 06:06:21
如何設計GaN氮化鎵 PD充電器產(chǎn)品?
2021-06-15 06:30:55
? 至10m?)的分立MOSFET和模塊、用于電動汽車輔助系統(tǒng)的600至1200V智能功率模塊(IPM)、和用于泵及電機的各種40 V至60 V MOSFET。展望未來,安森美半導體電源方案部正擴展針對
2018-10-25 08:53:48
文章主要介紹了當前射頻集成電路研究中的半導體技術和CAD技術,并比較和討論了硅器件和砷化鎵器件、射頻集成電路CAD和傳統(tǒng)電路CAD的各自特點。近年來,無線通信市場的蓬勃發(fā)展,特別是移動電話、無線
2019-07-05 06:53:04
帶半導體,相比常規(guī)的硅材料,開關速度更快,具有更高的耐壓。在降低電阻的同時,還能提供更高的過電壓保護能力,防止過壓造成的損壞。OPPO使用一顆氮化鎵開關管取代兩顆串聯(lián)的硅MOS,氮化鎵低阻抗優(yōu)勢可以
2023-02-21 16:13:41
這樣的領導者正在將氮化鎵和固態(tài)半導體技術與這些過程相結合,以更低的成本進行廣泛使用,從而改變行業(yè)的基礎狀況。采油與傳統(tǒng)的干燥和加熱方法相比,射頻能量使用更少的能量,而且高精度可使每瓦都得到有效利用。從
2018-01-18 10:56:28
功率放大器以及商用和工業(yè)系統(tǒng)的功率放大器。意法半導體與遠創(chuàng)達的合作協(xié)議將擴大意法半導體LDMOS產(chǎn)品的應用范圍。協(xié)議內容保密,不對外披露。 相關新聞MACOM和意法半導體將硅上氮化鎵推入主流射頻市場
2018-02-28 11:44:56
半導體照明產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展。尤其對擁有核心技術、研發(fā)實力及品牌競爭力的企業(yè)來說,發(fā)展的同時更是取得了市場競爭的絕對優(yōu)勢。對于我國LED產(chǎn)業(yè)來說,企業(yè)如何彌補產(chǎn)業(yè)不足,發(fā)揮自己的優(yōu)勢,是我國半導體產(chǎn)業(yè)未來
2016-03-03 16:44:05
,其中第一梯隊有英諾賽科、納微、EPC等代表企業(yè)。其中英諾賽科是目前全球首家采用8英寸增強型硅氮化鎵外延與芯片大規(guī)模量產(chǎn)的企業(yè),也是躋身氮化鎵產(chǎn)業(yè)第一梯隊的國產(chǎn)半導體企業(yè)代表。
2019-07-05 04:20:06
氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術,可實現(xiàn)更高的效率、顯著減小系統(tǒng)尺寸、更輕和于應用中取得硅器件無法實現(xiàn)的性能。那么,為什么關于氮化鎵半導體仍然有如此多的誤解?事實又是怎樣的呢?
關于氮化鎵技術
2023-06-25 14:17:47
射頻半導體技術的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來,橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業(yè)應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今,這種平衡發(fā)生了轉變,硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術的首選技術。
2019-09-02 07:16:34
日前,在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術及設備材料最新趨勢專場中,晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢博士向與會者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”的報告,與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
突破GaN功率半導體的速度限制
2023-06-25 07:17:49
GaN將在高功率、高頻率射頻市場及5G 基站PA的有力候選技術。未來預估5-10年內GaN 新型材料將快速崛起并占有多半得半導體市場需求。。。以下內容均摘自網(wǎng)絡媒體,如果不妥,請聯(lián)系站內信進行刪除
2019-04-13 22:28:48
半導體的應用層出不窮。包括氮化鎵和碳化硅的功率器件,未來也會發(fā)揮重要作用,這里面我就不多說了,“國家機密,以人民的名義”。(2)5G通訊硅材料作為通訊材料的老大哥,干到現(xiàn)在,真是有些干不動了,即便使出
2017-05-15 17:09:48
蘇州華林科納半導體設備技術有限公司成立于2008年3月,投資4500萬元。主要從事半導體、太陽能、FPD領域濕制程設備的設計、研發(fā)、生產(chǎn)及銷售;同時代理半導體、太陽能、FPD領域其它國外設備,負責
2015-04-02 17:26:21
公司名稱:蘇州華林科納半導體設備技術有限公司公司地址:蘇州工業(yè)園區(qū)啟月街288號公司電話:0512-62872541蘇州華林科納半導體設備技術有限公司主要從事半導體、太陽能、FPD領域濕制程設備
2016-10-26 17:05:04
的固溶體(鎵鋁砷、鎵砷磷等)。除上述晶態(tài)半導體外,還有非晶態(tài)的玻璃半導體、有機半導體等?! ?b class="flag-6" style="color: red">半導體的分類,按照其制造技術可以分為:集成電路器件,分立器件、光電半導體、邏輯IC、模擬IC、儲存器等大類
2016-11-27 22:34:51
氮化鎵GaN是什么?
2021-06-16 08:03:56
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學術研究,始于 2009 年左右的香港科技大學,但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產(chǎn),則是由成立于 2014 年的納微半導體最早進行研發(fā)的。納微半導體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
了當時功率半導體界的一項大膽技術:氮化鎵(GaN)。對于強大耐用的射頻放大器在當時新興的寬帶無線網(wǎng)絡、雷達以及電網(wǎng)功率切換應用中的使用前景,他們表達了樂觀的看法。他們稱氮化鎵器件為“迄今為止最堅固耐用
2023-02-27 15:46:36
半導體(Navitas)今日市值也就9.4億美元,而且包括了第三代半導體的另一重要組成部分、收購自GeneSiC的碳化硅業(yè)務(想要更多了解的讀者可以參考《從納微看半導體產(chǎn)業(yè)并購》)。僅有氮化鎵業(yè)務
2023-03-03 16:48:40
就可以實現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術搭建的高壓、集成驅動器解決方案,相對于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術,創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
TI,我們不斷工作,在憧憬著未來美好生活的同時,我們也努力盡早實現(xiàn)這些未來的技術。感覺不到散熱GaN是將鎵元素和氮元素這兩個元素組合在一起而創(chuàng)造出來的一款超快速的半導體材料。在很多年間,硅材料一直在
2018-08-30 15:05:50
氮化鎵(GaN)主要是指一種由人工合成的半導體材料,是第三代半導體材料的典型代表, 研制微電子器件、光電子器件的新型材料。氮化鎵技術及產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)初步形成,相關器件快速發(fā)展。第三代半導體氮化鎵產(chǎn)業(yè)范圍涵蓋氮化鎵單晶襯底、半導體器件芯片設計、制造、封測以及芯片等主要應用場景。
2023-02-07 09:36:56980
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