在一些實際應用中，我們時常會用到需要提供負壓的場合。針對負壓的設計，小白之前就講述過一種方式，即采用charge pump的方法。然而呢，由于其帶負載能力的不足，往往在一些設計中不被采用。同時，小白之前還見到過呦采用變壓器隔離繞組反接的方式生成負壓，然而并不是所有電路都需要用到變壓器，磁性元件的設計在一些場合中都是被避免的。

所以，還有哪種方法可以生成負壓呢?

今日小白就帶大家看一看DCDC電路中的BUCK-BOOST電路，在一些OLED驅動芯片中，其往往會被運用到。

對于DCDC電路，小白在之前的文章中就寫過BUCK電路，BOOST電路。其主要起到了降壓與升壓的電路。然而今天要講的這種電路，可以說是其二者的結合，既能實現(xiàn)升壓，也能實現(xiàn)降壓。

圖為最簡單的BUCK-BOOST電路。主要用到了電源V1 MOS管 肖特基二極管 電容 負載電阻 以及PWM控制器?？吹竭@幾樣電子元器件，感覺是不是很熟悉，其與之前學習的BUCK電路BOOST電路采用的器件幾乎一模一樣。

MOS管選擇的是PMOS管，其柵極由PWM進行控制。只要滿足Vgs

MOS管相當于開關的作用，控制所在支路的斷開與閉合。

當柵極為高電平時，Vgs>Vgs(th)，此時MOS管斷開，其所在的支路不導通。

當柵極為低電平時，Vgs

所以，此電路分兩種情況進行討論。

(1) 當MOS管導通時，電流流向：V1正極→C1→V1負極 C1正極→Q1MOS管→L1電感→C1負極。此時電感將電能轉換為磁能進行儲能，流過其兩端的電流逐漸增大，由于電感具有阻礙電流變化的特性，所以對于其極性而言，表現(xiàn)為上正下負。同時C2電容放電，給負載進行供電。

(2) 當MOS管斷開時，電感的磁能轉換為電能，因為流向其兩端的電流逐漸變小，且其具有阻礙電流變化的特性，所以對于其極性而言，表現(xiàn)為下正上負。電流流向：V1正極→C1→V1負極 L1下端→C2&負載電阻→肖特基二極管→L1上端。電容C2被充電。

根據(jù)電感的秒伏定律：

VinTon=-VoutToff

VinDT=-Vout(1-D)T

Vout=-Vin*D/(1-D)

當占空比小于50%時，輸出為降壓。

當占空比大于50%時，輸出為升壓。

常規(guī)的BUCK-BOOST電壓，輸出與輸入極性相反，輸出表現(xiàn)為負壓。

電路特征

輸出電壓可大于/等于/小于輸入電壓

輸入/輸出電流斷續(xù)

輸出電壓是負壓

MOS管、二極管端壓為(VIN+VOUT)，對器件耐壓要求較高。

雖說，BUCK-BOOST電路既能實現(xiàn)升壓，也能實現(xiàn)降壓，然而就效率而言，其還是要低于單純的BUCK電路或者BOOST電路，所以在使用時，還是需注意余量。