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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>好馬配好鞍——鎵未來氮化鎵和納芯微隔離驅(qū)動器比翼雙飛,助力氮化鎵先進(jìn)應(yīng)用

好馬配好鞍——鎵未來氮化鎵和納芯微隔離驅(qū)動器比翼雙飛,助力氮化鎵先進(jìn)應(yīng)用

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氮化GaN 來到我們身邊竟如此的快

;這也說明市場對于充電器功率的市場需求及用戶使用的范圍;隨著小米65W的充電器的發(fā)布,快速的走進(jìn)氮化快充充電器時代。目前市面上已經(jīng)量產(chǎn)商用的氮化方案主要來自PI和半導(dǎo)體兩家供應(yīng)商。其中PI
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結(jié)構(gòu)可以使用雙柵結(jié)構(gòu)控制電流。用于電機(jī)驅(qū)動的矩陣轉(zhuǎn)換可以通過利用雙向設(shè)備潛在地減少開關(guān)的數(shù)量。此外,氮化器件可以在比硅器件更高的溫度下工作,這使其成為許多熱門應(yīng)用(如集成電機(jī)驅(qū)動)的有吸引力的選擇
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2020-10-28 06:01:23

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2022-06-14 11:11:16

氮化充電器

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2021-09-14 08:35:58

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氮化功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級模塊
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2017-08-15 17:47:34

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本文展示氮化場效應(yīng)晶體管并配合LM5113半橋驅(qū)動器可容易地實(shí)現(xiàn)的功率及效率。
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氮化電源設(shè)計從入門到精通的方法

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2021-12-29 06:31:58

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Cree的CMPA801B025是氮化(GaN)高電子遷移率基于晶體管(HEMT)的單片微波集成電路(MMIC)。 氮化與硅或砷化相比具有更好的性能,包括更高的擊穿電壓,更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10

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,只應(yīng)用在高端充電器上。一些小功率的,高性價比的充電器無法享受到氮化性能提升所帶來的紅利。目前,國內(nèi)已經(jīng)有多家廠商推出了用于33-100W大功率充電器的合封芯片,通過將氮化開關(guān)管,控制以及驅(qū)動器
2021-11-28 11:16:55

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SW1106集成氮化直驅(qū)的高頻準(zhǔn)諧振模式反激控制

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書籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章:氮化發(fā)展技術(shù)編號:JFSJ-21-041作者:炬豐科技網(wǎng)址:http://www.wetsemi.com/index.html 摘要:在單個芯片上集成多個
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【技術(shù)干貨】氮化IC如何改變電動汽車市場

驅(qū)動器的CMTI規(guī)格最低為200 kV/μs,這是隔離驅(qū)動器的最高CMTI規(guī)格。氮化確保適應(yīng)未來變化氮化材料的能特性和無損耗處理高電壓操作的能力,為設(shè)計人員在將來設(shè)計電動汽車時提供了決定性優(yōu)勢,這
2018-07-19 16:30:38

為什么氮化(GaN)很重要?

氮化(GaN)的重要性日益凸顯,增加。因為它與傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比,不僅性能優(yōu)異,應(yīng)用范圍廣泛,而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中,傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面,已經(jīng)達(dá)到了它的物理
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為什么氮化比硅更好?

的電壓,其漏極漂移區(qū)為10-20μm,或大約40-80V/μm。這大大高于硅20V/μm的理論極限。然而,氮化器件目前仍然遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于約300V/μm的禁帶寬度極限,這為未來的優(yōu)化和改進(jìn),留下了巨大的空間
2023-06-15 15:53:16

為何碳化硅比氮化更早用于耐高壓應(yīng)用呢?

應(yīng)用范圍也越來越廣。據(jù)報道,美國特斯拉公司的馬達(dá)驅(qū)動逆變器使用的是碳化硅半導(dǎo)體。另外,很多讀者都已經(jīng)在電器市場上看到了使用了氮化半導(dǎo)體的微型 AC轉(zhuǎn)換。采用寬禁帶材料制作的電力半導(dǎo)體,其內(nèi)部電路在高壓
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什么是氮化功率芯片?

電源和信號,一直是業(yè)界無法實(shí)現(xiàn)的。因為硅器件的開關(guān)速度太慢,而且存在驅(qū)動器和 FET 之間的寄生阻抗、高電容硅 FET 以及性能不佳的電頻轉(zhuǎn)換/隔離器,導(dǎo)致了硅器件無法做到更高的頻率。氮化半橋電源芯片
2023-06-15 14:17:56

什么是氮化功率芯片?

通過SMT封裝,GaNFast? 氮化功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化器件、驅(qū)動、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16

什么是氮化技術(shù)

兩年多前,德州儀器宣布推出首款600V氮化(GaN)功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率,且易于設(shè)計,帶集成柵極驅(qū)動和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時起,我們就致力于利用這項尖端技術(shù)將功率級
2020-10-27 09:28:22

什么是氮化(GaN)?

氮化南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場多年,無論是吊打碳化硅,還是PK砷化。氮化憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì),確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03

什么是氮化(GaN)?

氮化,由(原子序數(shù) 31)和氮(原子序數(shù) 7)結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶,是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量,氮化的禁帶寬度為 3.4eV,是硅
2023-06-15 15:41:16

什么阻礙氮化器件的發(fā)展

,其中第一梯隊有、EPC等代表企業(yè)。[color=rgb(51, 51, 51) !important]然而,現(xiàn)在還有什么是阻礙氮化器件發(fā)展的不利因素呢?[color=rgb(51, 51, 51
2019-07-08 04:20:32

傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化(GaN)

組件連手改變電力電子產(chǎn)業(yè)原本由硅組件主導(dǎo)的格局。氮化材料具有低Qg、Qoss與零Qrr的特性,能為高頻電源設(shè)計帶來效率提升、體積縮小與提升功率密度的優(yōu)勢,因此在服務(wù)、通訊電源及便攜設(shè)備充電器等領(lǐng)域
2021-09-23 15:02:11

供應(yīng)氮化功率芯片NV6127+晶體管AON6268絲印6268

明佳達(dá)電子優(yōu)勢供應(yīng)氮化功率芯片NV6127+晶體管AON6268絲印6268,只做原裝,價格優(yōu)勢,實(shí)單歡迎洽談。產(chǎn)品信息型號1:NV6127絲印:NV6127屬性:氮化功率芯片封裝:QFN芯片
2021-01-13 17:46:43

隔離探頭應(yīng)用場景之—— 助力氮化(GaN)原廠FAE解決客戶問題

客戶測試后再進(jìn)行下一步溝通。作為光隔離探頭的提供方,麥科信工程師對測試過程提供了技術(shù)支持。測試背景:3C消費(fèi)類產(chǎn)品,其電源采用氮化(GaN)半橋方案。測試目的:氮化半橋上下管的Vgs及Vds,分析
2023-02-01 14:52:03

基于氮化IC的150W高效率高功率密度適配器設(shè)計

高頻150W PFC-LLC與GaN功率ic(氮化)
2023-06-19 08:36:25

如何利用氮化實(shí)現(xiàn)高性能柵極驅(qū)動?

氮化技術(shù)是功率級的真正推動者,如今可提供過去十年無法想象的性能。只有當(dāng)柵極驅(qū)動器與晶體管具有相同程度的性能和創(chuàng)新時,才能獲得GaN的最大性能和優(yōu)勢。經(jīng)過多年的研發(fā),MinDCet通過推出
2023-02-24 15:09:34

如何學(xué)習(xí)氮化電源設(shè)計從入門到精通?

材料特性對比展開,通過泰克儀器測試英飛凌GaN器件來進(jìn)行氮化特性的測量與分析。方案配置:示波器MSO5+光隔離探頭TIVH08+電壓及電流探頭+電源和IGBT town 軟件第二步:電路設(shè)計和PCB
2020-11-18 06:30:50

如何完整地設(shè)計一個高效氮化電源?

如何帶工程師完整地設(shè)計一個高效氮化電源,包括元器件選型、電路設(shè)計和PCB布線、電路測試和優(yōu)化技巧、磁性元器件的設(shè)計和優(yōu)化、環(huán)路分析和優(yōu)化、能效分析和優(yōu)化、EMC優(yōu)化和整改技巧、可靠性評估和分析。
2021-06-17 06:06:23

如何實(shí)現(xiàn)氮化的可靠運(yùn)行

我經(jīng)常感到奇怪,我們的行業(yè)為什么不在加快氮化 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度;畢竟,大潮之下,沒人能獨(dú)善其身。每年,我們都看到市場預(yù)測的前景不太令人滿意。但通過共同努力,我們就能
2022-11-16 06:43:23

如何實(shí)現(xiàn)小米氮化充電器

如何實(shí)現(xiàn)小米氮化充電器是一個c to c 的一個充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口,但這個口不可以充電,它是用來轉(zhuǎn)VGA,HDMI,DP之類了,可以外接顯示,拓展塢之類的。要用氮化
2021-09-14 06:06:21

如何用集成驅(qū)動器優(yōu)化氮化性能

導(dǎo)讀:將GaN FET與它們的驅(qū)動器集成在一起可以改進(jìn)開關(guān)性能,并且能夠簡化基于GaN的功率級設(shè)計。氮化 (GaN) 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多,從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而,當(dāng)
2022-11-16 06:23:29

如何設(shè)計GaN氮化 PD充電器產(chǎn)品?

如何設(shè)計GaN氮化 PD充電器產(chǎn)品?
2021-06-15 06:30:55

實(shí)現(xiàn)更小、更輕、更平穩(wěn)的電機(jī)驅(qū)動器氮化器件

使用更小、成本更低且更可靠的陶瓷電容器,可增加功率密度。 氮化器件使得電機(jī)驅(qū)動器在減小尺寸和重量的同時,可以實(shí)現(xiàn)更平穩(wěn)的運(yùn)行。這些優(yōu)勢對于倉儲和物流機(jī)器人、伺服驅(qū)動器、電動自行車和電動滑板車、協(xié)作
2023-06-25 13:58:54

將低壓氮化應(yīng)用在了手機(jī)內(nèi)部電路

一顆頂兩顆,SMT貼片費(fèi)用對應(yīng)降低,取代多顆時,成本下降更加明顯,并且PCB面積也得到減小。從這些方面,又?jǐn)偙×藨?yīng)用成本壓力。充電頭網(wǎng)總結(jié)氮化在PD快充上的應(yīng)用,通過高頻開關(guān),減小了變壓的尺寸,再
2023-02-21 16:13:41

展嶸電子助力布局氮化適配器方案攜手智融SW351X次級協(xié)議45W69W87W成熟方案保駕護(hù)航

氮化完整方案有深圳市展嶸電子有限公司提供,包括45W、69W單口、多口全協(xié)議輸出適配器,更有87W適配器+移動電源超級快充二合一方案??傆幸豢钸m合您。目前包括小米、OPPO、realme、三星
2021-04-16 09:33:21

微波射頻能量:工業(yè)加熱和干燥用氮化

氮化(GaN)和射頻(RF)能量應(yīng)用為工業(yè)市場帶來重大變革。以前分享過氮化如何改變烹飪、等離子體照明和醫(yī)療過程,接下來在日常生活中的射頻能量系列中分享下氮化如何用于工業(yè)加熱和干燥。從工業(yè)角度
2018-01-18 10:56:28

想要實(shí)現(xiàn)高效氮化設(shè)計有哪些步驟?

和功率因數(shù)校正 (PFC) 配置?! 『唵蔚碾娐诽峁┝藢⒐杩刂破饔糜贕aN器件的過渡能力。對于單個氮化器件,隔離式負(fù) V一般事務(wù)(關(guān)閉)EZDrive?電路是一種低成本、簡單的方法,可以使用12V驅(qū)動器
2023-02-21 16:30:09

拆解報告:橙果65W 2C1A氮化充電器

33μF400V。 另一顆規(guī)格為47μF400V。 差模電感采用磁環(huán)繞制,外套熱縮管絕緣。 橙果這款65W氮化充電器內(nèi)部采用兩路PI的電源芯片,對應(yīng)兩顆不同大小的變壓,組成兩路快充電源。其中
2023-06-16 14:05:50

支持瓦特到千瓦級應(yīng)用的氮化技術(shù)介紹

兩年多前,德州儀器宣布推出首款600V氮化(GaN)功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率,且易于設(shè)計,帶集成柵極驅(qū)動和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時起,我們就致力于利用這項尖端技術(shù)將功率級
2022-11-10 06:36:09

有關(guān)氮化半導(dǎo)體的常見錯誤觀念

沖。 由于氮化器件具備優(yōu)越的性能優(yōu)勢,支持基于氮化器件的設(shè)計的生態(tài)系統(tǒng)不斷在發(fā)展,從而有越來越多供應(yīng)商提供新型元件,例如柵極驅(qū)動器、控制和無源元件,可進(jìn)一步增強(qiáng)基于氮化器件的系統(tǒng)的性能。 此外
2023-06-25 14:17:47

求助,請問半橋上管氮化這樣的開爾文連接正確嗎?

請問半橋上管氮化這樣的開爾文連接正確嗎?
2024-01-11 07:23:47

硅基氮化與LDMOS相比有什么優(yōu)勢?

射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來,橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今,這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變,硅基氮化(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34

硅基氮化在大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化

?是提高性能和降低價值。硅襯底倒裝波LED芯片,效率會更高、工藝會更好。6英寸硅襯底上氮化基大功率LED研發(fā),有望降低成本50%以上。 目前已開發(fā)出6寸硅襯底氮化基LED的外延及先進(jìn)工藝技術(shù),光效
2014-01-24 16:08:55

請問氮化GaN是什么?

氮化GaN是什么?
2021-06-16 08:03:56

請問candence Spice能做氮化器件建模嗎?

candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎?然后提取參數(shù)想基于candence model editor進(jìn)行氮化器件的建模,有可能實(shí)現(xiàn)嗎?求教ICCAP軟件呢?
2019-11-29 16:04:02

誰發(fā)明了氮化功率芯片?

雖然低電壓氮化功率芯片的學(xué)術(shù)研究,始于 2009 年左右的香港科技大學(xué),但強(qiáng)大的高壓氮化功率芯片平臺的量產(chǎn),則是由成立于 2014 年的半導(dǎo)體最早進(jìn)行研發(fā)的。半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08

轉(zhuǎn)載 | 推高功率密度,茂睿發(fā)布氮化合封快充芯片MK2787/MK2788

,整合優(yōu)勢資源,讓客戶更加方便地用上氮化技術(shù),獲得氮化低開關(guān)損耗、高效率的優(yōu)勢,降低充電器的能耗,節(jié)能減排助力“3060雙碳”戰(zhàn)略。茂睿年初發(fā)布了業(yè)界最小體積SOT23-6的高頻QR ACDC
2021-11-12 11:53:21

迄今為止最堅固耐用的晶體管—氮化器件

工作的晶體管而言,這是一個非常重要的特性。這類器件多見于多千伏級變電站設(shè)備、醫(yī)學(xué)成像用的高能光子發(fā)生以及電動汽車和工業(yè)電機(jī)驅(qū)動器的功率逆變器中。在這類應(yīng)用中,氧化有一個天然優(yōu)勢。在這些頻率下,優(yōu)值
2023-02-27 15:46:36

采用ADMU4121來驅(qū)動氮化半橋電路,上管的驅(qū)動電壓隨輸入電壓的升高而升高是為什么?

采用ADMU4121來驅(qū)動氮化半橋電路,采樣的全隔離驅(qū)動方案,但是現(xiàn)在上管的驅(qū)動電壓隨輸入電壓的升高而升高,不知道為啥?是因為驅(qū)動芯片的原因嗎?上管是將5V的輸入電壓由B0515隔離芯片轉(zhuǎn)化
2024-01-11 06:43:50

集成氮化直驅(qū)的高頻準(zhǔn)諧振模式反激控制

電壓,可直接用于驅(qū)動氮化功率管;芯片工作于帶谷底鎖定功能的谷底開啟模式,同時集成頻率抖動功能以優(yōu)化 EMI 性能;當(dāng)負(fù)載降低時,芯片從 PFM 模式切換至 BURST 模式工作以優(yōu)化輕載效率,空載待機(jī)
2023-03-28 10:24:46

高壓氮化未來分析

就可以實(shí)現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創(chuàng)性的氮化 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動器解決方案,相對于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù),創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26

高壓氮化未來是怎么樣的

就可以實(shí)現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創(chuàng)性的氮化 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動器解決方案,相對于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù),創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50

氮化測試

氮化
jf_00834201發(fā)布于 2023-07-13 22:03:24

半導(dǎo)體的未來超級英雄:氮化和碳化硅的奇幻之旅

半導(dǎo)體氮化
北京中科同志科技股份有限公司發(fā)布于 2023-08-29 09:37:38

#氮化 #英飛凌 8.3億美元!英飛凌完成收購氮化系統(tǒng)公司 (GaN Systems)

半導(dǎo)體氮化
深圳市浮思特科技有限公司發(fā)布于 2023-10-25 16:11:22

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