工程師對(duì)電磁干擾，并行化和布局非常熟悉，但是當(dāng)從基于硅的芯片過渡到碳化硅或?qū)拵?b class="flag-6" style="color: red">器件時(shí)，需要多加注意。 芯片顯示，基于硅（Si）的半導(dǎo)體比寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體具有十多年的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，主要是碳化硅
2021-04-06 17:50:53
3168 
全球范圍內(nèi)5G技術(shù)的迅猛發(fā)展，為氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商提供新的增長(zhǎng)前景。2020年，GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為7億美元，預(yù)計(jì)2021年至2027年的復(fù)合年增長(zhǎng)率
2021-05-21 14:57:182257 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在我們談?wù)摰谌?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體的時(shí)候，常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:361220 [摘要]我們?知道?測(cè)試?寬?帶?5G IC?非常?有?挑戰(zhàn)?性，?因而?撰寫?了?《5G?半導(dǎo)體?測(cè)試?工程?師?指南》?來?幫助?您?解惑。?如果?您?是?sub-6 GHz?和?mmWave
2020-09-01 15:41:51
半導(dǎo)體器件具有導(dǎo)通電阻小、阻斷電壓高、耐高溫耐高壓等優(yōu)點(diǎn)。隨著SiC基半導(dǎo)體工藝的成熟，SiC成為工作于較高環(huán)境溫度和較大功率場(chǎng)合下的--寬禁帶半導(dǎo)體材料。近年來隨著電力電子技術(shù)在電動(dòng)汽車、風(fēng)力發(fā)電
2019-10-24 14:25:15
繼第一代和第二代半導(dǎo)體技術(shù)之后發(fā)展起來的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件，是發(fā)展大功率、高頻高溫、抗強(qiáng)輻射和藍(lán)光激光器等技術(shù)的關(guān)鍵核心。因?yàn)榈谌?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體的優(yōu)良特性，該半導(dǎo)體技術(shù)逐漸成為了近年來半導(dǎo)體研究
2023-06-25 15:59:21
半導(dǎo)體材料可實(shí)現(xiàn)比硅基表親更小，更快，更可靠的器件，并具有更高的效率，這些功能使得在各種電源應(yīng)用中減少重量，體積和生命周期成本成為可能。 Si，SiC和GaN器件的擊穿電壓和導(dǎo)通電阻。 Si，SiC
2022-08-12 09:42:07
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢(shì)
2021-03-10 08:26:03
隨著現(xiàn)代技術(shù)的發(fā)展， 功率放大器已成為無(wú)線通信系統(tǒng)中一個(gè)不可或缺的部分, 特別是寬帶大功率產(chǎn)生技術(shù)已成為現(xiàn)代通信對(duì)抗的關(guān)鍵技術(shù)。作為第三代半導(dǎo)體材料碳化硅（ SiC） , 具有寬禁帶、高熱導(dǎo)率、高
2019-08-12 06:59:10
大陸轉(zhuǎn)移的歷史浪潮之下，半導(dǎo)體材料進(jìn)口替代將成為必然趨勢(shì)，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料研究未來成長(zhǎng)空間巨大。泰克產(chǎn)品提供全套的解決方案可供電子測(cè)試工程師選擇。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)加速向中國(guó)大陸轉(zhuǎn)移，中國(guó)正成為主要承接
2020-05-09 15:22:12
寬禁帶半導(dǎo)體的介紹
2016-04-18 16:06:50
，從而支持每次充電能續(xù)航更遠(yuǎn)的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產(chǎn)品來實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎(chǔ)。與硅相比
2018-10-30 08:57:22
市場(chǎng)趨勢(shì)和更嚴(yán)格的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)推動(dòng)電子產(chǎn)品向更高能效和更緊湊的方向發(fā)展。寬禁帶產(chǎn)品有出色的性能優(yōu)勢(shì)，有助于高頻應(yīng)用實(shí)現(xiàn)高能效、高功率密度。安森美半導(dǎo)體作為頂尖的功率器件半導(dǎo)體供應(yīng)商，除了提供適合全功率
2019-07-31 08:33:30
【來源】：《電子與電腦》2010年02期【摘要】：<正>泰克公司日前宣布,為中國(guó)推出首款直流電源PWS2000-SC簡(jiǎn)體中文系列,以支持中國(guó)嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師
2010-04-23 11:27:11
`泰克全新3系列MDO和4系列MSO示波器讓測(cè)量更快、更準(zhǔn)、更無(wú)憂更緊迫的項(xiàng)目周期、更復(fù)雜的設(shè)計(jì)、更快速的技術(shù)更新、更短的產(chǎn)品上市時(shí)間、更激烈的競(jìng)爭(zhēng)，諸如此類的需求是工程師們天天要面對(duì)的課題。全新3
2019-11-12 15:09:24
SiC和GaN快速發(fā)展和應(yīng)用可以毫不夸張的說給電源行業(yè)帶來顛覆性的變化。對(duì)于設(shè)計(jì)工程師來說卻帶來了非常大的測(cè)試挑戰(zhàn),如何保證選用的高速功率器件能穩(wěn)定可靠的運(yùn)行在自己的電源產(chǎn)品中,我們需要了解功率器件
2021-05-20 11:17:57
已然趨近成熟的關(guān)鍵技術(shù)?！ 榱藥椭鷱V大工程師朋友們更好地進(jìn)行電源管理設(shè)計(jì)，電子發(fā)燒友網(wǎng)專門制作了一周回顧系列白皮書之《電源管理技術(shù)開發(fā)資料精選》，包含電源管理的關(guān)鍵技術(shù)解析及眾多電路圖設(shè)計(jì)和主流廠商解決方案。電源管理指南電源管理權(quán)威指南，開關(guān)電源技術(shù)參考，電子工程師必備知識(shí)。
2020-07-20 15:14:44
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN 半導(dǎo)體材料與器件手冊(cè)編號(hào)：JFSJ-21-059III族氮化物半導(dǎo)體的光學(xué)特性介紹III 族氮化物材料的光學(xué)特性顯然與光電應(yīng)用直接相關(guān)，但測(cè)量光學(xué)特性
2021-07-08 13:08:32
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN、ZnO和SiC的濕法化學(xué)蝕刻編號(hào)：JFKJ-21-830作者：炬豐科技摘要寬帶隙半導(dǎo)體具有許多特性，使其對(duì)高功率、高溫器件應(yīng)用具有吸引力。本文綜述了三種
2021-10-14 11:48:31
的問題，制約著工程師對(duì)于產(chǎn)品的掌握，泰克公司提供的測(cè)試儀器能有效幫助工程師解決這些問題，如安全浮地、延遲校準(zhǔn)、探頭的選擇以及最新的總線分析等。泰克公司此次為大家?guī)淼闹饕獌?nèi)容：1.電力電子測(cè)量中的注意事項(xiàng)
2012-06-01 10:32:45
轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的設(shè)計(jì)。尤其最新第三代半導(dǎo)體SiC和GaN快速發(fā)展和應(yīng)用可以毫不夸張的說給電源行業(yè)帶來顛覆性的變化。對(duì)于設(shè)計(jì)工程師來說卻帶來了非常大的測(cè)試挑戰(zhàn)，如何保證選用的高速功率器件能穩(wěn)定可靠的運(yùn)行在自己
2020-02-14 11:16:06
項(xiàng)目名稱：基于碳化硅功率器件的永磁同步電機(jī)先進(jìn)驅(qū)動(dòng)技術(shù)研究試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由：碳化硅作為最典型的寬禁帶半導(dǎo)體材料，近年來被越來越廣泛地用于高頻高溫的工作場(chǎng)合。為了提高永磁同步電機(jī)伺服控制系統(tǒng)的性能
2020-04-21 16:04:04
layout工程師，跟進(jìn)板卡的加工及焊接情況；5. 負(fù)責(zé)I/O IC應(yīng)用方案的功能驗(yàn)證、系統(tǒng)Debug等；6. 協(xié)助芯片設(shè)計(jì)工程師進(jìn)行I/O IC的DEMO系統(tǒng)及相關(guān)應(yīng)用模組的調(diào)試和優(yōu)化；7. 與公司研發(fā)部門
2016-06-27 09:22:50
市場(chǎng)趨勢(shì)和更嚴(yán)格的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)推動(dòng)電子產(chǎn)品向更高能效和更緊湊的方向發(fā)展。寬禁帶產(chǎn)品有出色的性能優(yōu)勢(shì)，有助于高頻應(yīng)用實(shí)現(xiàn)高能效、高功率密度。安森美半導(dǎo)體作為頂尖的功率器件半導(dǎo)體供應(yīng)商，除了提供適合全功率
2020-10-30 08:37:36
，從而支持每次充電能續(xù)航更遠(yuǎn)的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產(chǎn)品來實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎(chǔ)。與硅相比
2020-10-27 09:33:16
在接下來的幾周內(nèi)，安森美半導(dǎo)體的專家將在路上，幫助設(shè)計(jì)工程師在美國(guó)和加拿大的五個(gè)地點(diǎn)解決他們的電源應(yīng)用挑戰(zhàn)。安森美半導(dǎo)體的電力研討會(huì)側(cè)重于技術(shù)和技術(shù)，而非產(chǎn)品。我們邀請(qǐng)您與我們的電源專家會(huì)面，探討
2018-10-29 08:57:06
建模工具所采用?；谄浼傻牟⑿蠸PICE引擎，BSIMProPlus提供強(qiáng)大的全集成SPICE建模平臺(tái)，可以用于對(duì)各種半導(dǎo)體器件從低頻到高頻的各種器件特性的SPICE建模，包括電學(xué)特性測(cè)試、器件模型
2020-07-01 09:36:55
，從而支持每次充電能續(xù)航更遠(yuǎn)的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產(chǎn)品來實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。那么具體什么是寬禁帶技術(shù)呢？
2019-07-31 07:42:54
元件來適應(yīng)略微增加的開關(guān)頻率，但由于無(wú)功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗［2］。因此，開關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計(jì)演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力?！ 』?SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場(chǎng)多年，無(wú)論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
擴(kuò)展了其650伏(V) SiC二極管系列，提供更高的能效、更高的功率密度和更低的系統(tǒng)成本。工程師在設(shè)計(jì)用于太陽(yáng)能光伏逆變器、電動(dòng)車/混和動(dòng)力電動(dòng)車（EV / HEV）充電器、電信電源和數(shù)據(jù)中心電源等
2018-10-29 08:51:19
（GaN）原廠來說尤為常見，其根本原因是氮化鎵芯片的優(yōu)異開關(guān)性能所引起的測(cè)試難題，下游的氮化鎵應(yīng)用工程師往往束手無(wú)策。某知名氮化鎵品牌的下游客戶，用氮化鎵半橋方案作為3C消費(fèi)類產(chǎn)品的電源，因電源穩(wěn)定性
2023-02-01 14:52:03
測(cè)試對(duì)測(cè) 試系統(tǒng)的要求越來越高。通常這些器件的接觸電極尺 寸只有微米量級(jí)，這些對(duì)低噪聲源表，探針臺(tái)和顯微 鏡性能都提出了更高的要求。半導(dǎo)體分立器件I-V特性測(cè)試方案，泰克公司與合作 伙伴使用泰克吉時(shí)利
2019-10-08 15:41:37
。今天安泰測(cè)試就給大家分享一下吉時(shí)利源表在寬禁帶材料測(cè)試的應(yīng)用方案。一·寬禁帶材料介紹寬禁帶材料是指禁帶寬度大于2.3eV的半導(dǎo)體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料，SiC等最為常見。隨著電子電力的發(fā)展，功率器件
2022-01-23 14:15:50
圖靈系列之工程師設(shè)計(jì)靈感《開關(guān)電源入門》中文版
2015-01-21 11:14:36
(RFIC工程師)崗位要求：1.負(fù)責(zé)射頻芯片類產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與開發(fā)工作；2.配合質(zhì)量、測(cè)試等相關(guān)工作；3.獨(dú)立進(jìn)行問題分析及定位工作。崗位職責(zé)：1.熟悉GaAs/GaN/硅工藝，對(duì)軍、民主要射頻器件(如
2020-08-20 18:02:05
本文基于Agilent ADS仿真軟件設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)一款高效GaN寬禁帶功率放大器，詳細(xì)說明設(shè)計(jì)步驟并對(duì)放大器進(jìn)行了測(cè)試，結(jié)果表明放大器可以在2．3～2．4 GHz內(nèi)實(shí)現(xiàn)功率15W以上，附加效率超過67％的輸出。
2021-04-06 06:56:41
請(qǐng)問有人知道怎么建立基于其他材料的器件仿真模型庫(kù)，不是硅材料的，比如說，GaN,SiC等寬禁帶材料的，謝謝啦，比如SiC的功率mos，我有功率mos的數(shù)值仿真數(shù)據(jù)，但是不知道怎樣在pspice中使用，呵呵，求達(dá)人告知
2009-12-02 11:35:39
的測(cè)試，讓功率半導(dǎo)體設(shè)備更快上市并盡量減少設(shè)備現(xiàn)場(chǎng)出現(xiàn)的故障。為幫助設(shè)計(jì)工程師厘清設(shè)計(jì)過程中的諸多細(xì)節(jié)問題，泰克與電源行業(yè)專家攜手推出“氮化鎵電源設(shè)計(jì)從入門到精通“8節(jié)系列直播課，氮化鎵電源設(shè)計(jì)從入門到
2020-11-18 06:30:50
下一代電源半導(dǎo)體的方案陣容，包括針對(duì)汽車功能電子化的寬禁帶WBG（碳化硅SiC和氮化鎵GaN）、全系列電子保險(xiǎn)絲eFuse以減少線束、和免電池的智能無(wú)源傳感器以在汽車感測(cè)/車身應(yīng)用中增添功能。
2018-10-25 08:53:48
在昨天的博客《安森美半導(dǎo)體在PCIM展示寬禁帶技術(shù)的最新創(chuàng)新》中，我們談到了圍繞安森美半導(dǎo)體將于本周在歐洲PCIM展示的WBG的所有令人興奮的發(fā)展。除了WBG，該公司還將在9號(hào)廳342號(hào)展臺(tái)展示其
2018-10-30 09:06:50
`安泰測(cè)試維修泰克DPO4034示波器案例分享近期某研究所送修一臺(tái)泰克DPO4034示波器，客戶保修儀器自檢不過，下面跟著安泰維修中心的工程師一起來看看示波器是如何維修的。一、型號(hào)泰克DPO4034
2020-01-09 15:33:31
，幫助工程師避免只關(guān)注設(shè)計(jì)忽略整體效率? 可以進(jìn)行諧波標(biāo)準(zhǔn)預(yù)一致性測(cè)試，縮短產(chǎn)品的研發(fā)周期? 結(jié)合光隔離ISOVu探頭可以對(duì)寬禁帶半導(dǎo)體SiC、GaN進(jìn)行特性分析驗(yàn)證參與小調(diào)研，還有機(jī)會(huì)活動(dòng)精美禮品
2018-07-25 15:48:08
由于本人想做電腦產(chǎn)品，不同于市面上一般的電腦產(chǎn)品，故想要設(shè)計(jì)自己的電腦主板和電源，但個(gè)人不是那塊料，希望能找到有經(jīng)驗(yàn)的工程師來參與設(shè)計(jì)與制作這個(gè)產(chǎn)品。如看到請(qǐng)聯(lián)系我QQ號(hào)784647737.電話***.謝謝本人在廣州市半導(dǎo)體研究所一公司，做電子產(chǎn)品研發(fā)這一塊.
2016-05-18 20:25:32
`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用交流會(huì)”將于7月16日在浙江大學(xué)玉泉校區(qū)舉辦。寬禁帶半導(dǎo)體電力電子技術(shù)的應(yīng)用、寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子技術(shù)
2017-07-11 14:06:55
半導(dǎo)體封裝工程師發(fā)布日期2015-02-10工作地點(diǎn)北京-北京市學(xué)歷要求碩士工作經(jīng)驗(yàn)1~3年招聘人數(shù)1待遇水平面議年齡要求性別要求不限有效期2015-04-16職位描述1、半導(dǎo)體光電子學(xué)、微電子
2015-02-10 13:33:33
行業(yè)內(nèi)龍頭企業(yè)，誠(chéng)聘測(cè)試開發(fā)工程師，要求：1. 測(cè)試相關(guān)領(lǐng)域2年以上工作經(jīng)驗(yàn)，有測(cè)試程序開發(fā)經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先考慮；2. 熟悉任意一門測(cè)試程序開發(fā)語(yǔ)言，C/C++/Delphi均可；3. 了解半導(dǎo)體器件
2017-04-21 12:36:28
能力公司簡(jiǎn)介：泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體科技（北京）有限公司（以下簡(jiǎn)稱“泰科天潤(rùn)”）是中國(guó)碳化硅（SiC）功率器件產(chǎn)業(yè)化的倡導(dǎo)者之一，致力于中國(guó)半導(dǎo)體功率器件制造產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，并向全球功率器件消費(fèi)者提供優(yōu)質(zhì)的半導(dǎo)體
2018-03-12 14:55:36
一、功率器件工程師招聘條件 1、具有良好的品行，能吃苦耐勞，身體健康； 2、熱愛科研事業(yè)，專業(yè)基礎(chǔ)扎實(shí)，學(xué)風(fēng)嚴(yán)謹(jǐn)，有較高的學(xué)術(shù)造詣； 3、具有高度的敬業(yè)精神和拼搏奉獻(xiàn)精神，較強(qiáng)的團(tuán)結(jié)協(xié)作意識(shí)和良好
2017-06-07 10:04:48
，進(jìn)行模塊級(jí)以及系統(tǒng)級(jí)的功能驗(yàn)證，并能進(jìn)行調(diào)試及定位問題。和前端設(shè)計(jì)工程師，后端實(shí)現(xiàn)工程師，測(cè)試工程師等...
2021-07-26 07:20:41
`①未來發(fā)展導(dǎo)向之Sic功率元器件“功率元器件”或“功率半導(dǎo)體”已逐漸步入大眾生活，以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立（分立半導(dǎo)體）元器件備受矚目。在科技發(fā)展道路上的，“小型化”和“節(jié)能化
2017-07-22 14:12:43
； -了解器件工作原理并能夠選型； -了解研發(fā)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)和流程。 職責(zé)： 1，器件選型和評(píng)估； 2，設(shè)計(jì)硬件電路，繪制原理圖； 3，審核PCB圖； 4，調(diào)試確認(rèn)電路功能、信號(hào)、性能等。二、采購(gòu)工程師1、負(fù)責(zé)
2012-07-18 16:20:32
包裝出貨。一般來說，測(cè)試工程師需精通器件測(cè)試原理，有半導(dǎo)體行業(yè)測(cè)試經(jīng)驗(yàn)。 本文可能所用到的IC型號(hào)： 
2008-09-23 15:43:09
模擬IC設(shè)計(jì)工程師工作地點(diǎn)：上海。杭州，廣東職位職能:集成電路IC設(shè)計(jì)/應(yīng)用工程師 職位描述:職責(zé)：從事模擬電路與系統(tǒng)的規(guī)格制定、電路設(shè)計(jì)、版圖規(guī)劃與檢查、實(shí)際電路的驗(yàn)證、實(shí)際產(chǎn)品的測(cè)試方法，檢查
2013-04-22 12:11:11
在所有電力電子應(yīng)用中，功率密度是關(guān)鍵指標(biāo)之一，這主要由更高能效和更高開關(guān)頻率驅(qū)動(dòng)。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限，設(shè)計(jì)工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵（GaN）來提供方案。
2020-10-28 06:01:23
本人本科畢業(yè)，四年工作經(jīng)驗(yàn)，其中電源芯片類三年多技術(shù)經(jīng)驗(yàn)，LDO,DC-DC,AC-DC,charger iC等等技術(shù)，現(xiàn)在人在深圳，求職電子半導(dǎo)體類AE/FAE工程師。有緣人請(qǐng)聯(lián)系：M.P:***QQ:437658592，謝謝！隨時(shí)待命！
2012-06-22 17:19:38
優(yōu)化制程能力光刻工程師若干人1. 新產(chǎn)品制程工藝及產(chǎn)品生產(chǎn)流程監(jiān)控，保證制程穩(wěn)定生產(chǎn)2. 現(xiàn)場(chǎng)異常處理、原因分析及預(yù)防措施制定3. 優(yōu)化制程能力蝕刻工程師 若干人1. 新產(chǎn)品制程工藝及產(chǎn)品生產(chǎn)流程監(jiān)控
2016-11-25 14:35:58
大家好，首次發(fā)帖。本人為意法半導(dǎo)體工程師，因?yàn)橄旅嬉粋€(gè)molding工程師要辭職，繼續(xù)補(bǔ)充新鮮血液。要求：一.熟悉molding制程，需特別熟悉molding compound的性能為佳。二.2年
2012-02-15 11:42:53
之一和全球第二大功率分立器件和模塊半導(dǎo)體供應(yīng)商，提供廣泛的高能效和高可靠性的系統(tǒng)方案，并采用新型的寬禁帶材料如碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等進(jìn)行新產(chǎn)品開發(fā)，用于汽車功能電子化和HEV/EV應(yīng)用。
2019-07-23 07:30:07
求全新的測(cè)試工具和全新的方法，針對(duì)特定應(yīng)用優(yōu)化性能，確?？煽啃浴ｖ卫冢耗阌X得泰克為電源工程師及演進(jìn)方式提供了哪些支持？Seshank：泰克為功率電子設(shè)計(jì)提供完善的全套儀器和軟件解決方案，從元器件測(cè)試到
2018-06-14 14:28:19
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場(chǎng)強(qiáng)等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
`海飛樂技術(shù)目前產(chǎn)品范圍包括有：快恢復(fù)二極管、FRD模塊、肖特基二極管、SBD模塊、MOS管、MOS模塊，各種以及寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體器件，涵蓋變頻、逆變、新能源汽車、充電樁、高頻電焊、特種電源等
2019-10-24 14:21:23
泛的寬禁帶半導(dǎo)體材料之一，憑借碳化硅（SiC）陶瓷材料自身優(yōu)異的半導(dǎo)體性能，在各個(gè)現(xiàn)代工業(yè)領(lǐng)域發(fā)揮重要革新作用。是高溫、高頻、抗輻射、大功率應(yīng)用場(chǎng)合下極為理想的半導(dǎo)體材料。由于碳化硅功率器件可顯著降低
2021-01-12 11:48:45
相信對(duì)于電子工程師，示波器的功勞是不可替代的，一旦產(chǎn)品有問題就需要抓波形，抓時(shí)序，測(cè)試準(zhǔn)確數(shù)值，以幫助工程師分析，處理，一切看波形說話。泰克示波器作為80%以上工程師的首選，該如何維護(hù)保養(yǎng)您的泰克
2019-03-11 15:07:28
電子研發(fā)工程師，從硬件工程師到可靠性測(cè)試工程師......***/研究所進(jìn)行的光電器件材料，器件的驗(yàn)證、新型半導(dǎo)體材料、器件驗(yàn)證和電化學(xué)測(cè)試高校實(shí)驗(yàn)室開展的納米材料、超導(dǎo)材料、生物化學(xué)有機(jī)材料等研究
2020-02-07 15:40:19
崗位名稱：硬件工程師要求： -有參與成功產(chǎn)品電路主板開發(fā)經(jīng)歷； -良好的電路原理分析能力； -熟練使用繪圖軟件，PCB軟件； -熟悉高速電路的layout規(guī)則； -熟悉器件工作原理并能夠選型
2012-12-10 16:12:07
氧化物半導(dǎo)體（Si LDMOS，Lateral Double-diffused Metal-oxideSemiconductor）和GaAs，在基站端GaN射頻器件更能有效滿足5G的高功率、高通信頻段
2019-04-13 22:28:48
(SiC)、氮鎵(GaN)為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs
2017-06-16 10:37:22
方向?yàn)楦叩墓β拭芏?，更小的體積，更低的成本及損耗。特別是材料迭代方面，從硅Si材料逐漸向氮化鎵（GaN）等寬禁帶材料升級(jí)，使得功率器件體積和性能均有顯著提升。那么什么是第三代半導(dǎo)體GaN呢？它是由氮
2021-12-01 13:33:21
、回收、升級(jí)各類二手儀器儀表深圳市捷威信電子儀器有限公司***370 是 Tektronix 的 Curve Tracer。曲線追蹤器或曲線檢查器是工程師用來分析半導(dǎo)體器件特性的一種電子測(cè)試設(shè)備。曲線
2021-07-20 18:33:20
材料的代表，寬禁帶材料SiC和GaN相對(duì)于前兩代半導(dǎo)體材料具有可見光波段的發(fā)光特性、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、更好的大功率特性、更加抗高溫和高輻射等優(yōu)勢(shì)，可以應(yīng)用于光電器件、微波通信器件和電力電子器件。經(jīng)過多年的發(fā)展
2017-02-22 14:59:09
`泰科天潤(rùn)招聘貼~研發(fā)工程師崗位職責(zé)：1.半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)；2.半導(dǎo)體工藝開發(fā)；3.研究SiC功率器件方面的最新進(jìn)展，包括研究文獻(xiàn)、新設(shè)計(jì)、新技術(shù)、新產(chǎn)品等；4.協(xié)助小組項(xiàng)目開發(fā)。任職要求：1.本科
2018-03-12 16:24:28
獵頭職位：高級(jí)硬件工程師【上?！繊徫宦氊?zé)：1、伺服驅(qū)動(dòng)器硬件產(chǎn)品的硬件設(shè)計(jì)與優(yōu)化、元器件選擇、原理圖、PCB設(shè)計(jì)；2、配合軟件工程師進(jìn)行樣機(jī)調(diào)試工作；3、制定硬件測(cè)試方案，分析測(cè)試結(jié)果及解決技術(shù)問題
2017-06-13 10:37:12
什么才是電源測(cè)試工程師所關(guān)注的測(cè)試難點(diǎn)？直擊電源設(shè)計(jì)不同階段痛點(diǎn)是什么？
2021-06-17 11:08:44
請(qǐng)問怎么優(yōu)化寬禁帶材料器件的半橋和門驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)？
2021-06-17 06:45:48
工作職責(zé)
完成模擬電路的設(shè)計(jì)、仿真和驗(yàn)證；
與版圖工程師密切合作，優(yōu)化版圖質(zhì)量；
負(fù)責(zé)產(chǎn)品設(shè)計(jì)相關(guān)技術(shù)文檔的編寫和整理；
協(xié)作完成產(chǎn)品的測(cè)試規(guī)劃、設(shè)計(jì)驗(yàn)證、調(diào)試、失效分析等工作。
任職資格
微電子
2023-11-30 17:09:44
`上海、武漢、深圳、杭州、成都、北京、蘇州等地的工程師有在看工作機(jī)會(huì)都可以添加本人微信。本人是專業(yè)從事電子半導(dǎo)體的獵頭顧問~目前合作企業(yè)有：TI、美信、MPS等國(guó)內(nèi)外大大小小的企業(yè)。合作的崗位有
2017-09-11 14:00:02
有效期至2010-01-01公司名稱中智公司職位半導(dǎo)體工程師工作地點(diǎn)新加坡學(xué)歷要求本科 研究生 博士 專業(yè)應(yīng)用材料、機(jī)械、自動(dòng)化、（微）電子
2009-10-12 11:10:18
有效期至2010-01-01公司名稱中智公司職位半導(dǎo)體工程師工作地點(diǎn)新加坡學(xué)歷要求本科 研究生 博士 專業(yè)應(yīng)用材料、機(jī)械、自動(dòng)化、（微）電子
2009-10-12 11:15:49
本文介紹了適用于5G毫米波頻段等應(yīng)用的新興SiC基GaN半導(dǎo)體技術(shù)。通過兩個(gè)例子展示了采用這種GaN工藝設(shè)計(jì)的MMIC的性能：Ka頻段（29.5至36GHz）10W的PA和面向5G應(yīng)用的24至
2020-12-21 07:09:34
、民兩用電源管理系統(tǒng)系列產(chǎn)品。公司與軍、地院校保持密切聯(lián)系，匯聚了行業(yè)多位專家、教授、博士，瞄準(zhǔn)行業(yè)前沿技術(shù)，引領(lǐng)公司未來發(fā)展。 現(xiàn)公司誠(chéng)招高級(jí)電源工程師以及單板軟硬件工程師高級(jí)電源工程師工作職責(zé)：1.
2015-11-14 17:39:17
的改變了材料的電氣性能，這類半導(dǎo)體器件的帶隙范圍是2-4eV，而硅器件的帶隙范圍是1-1.5eV。GaN是經(jīng)過驗(yàn)證商業(yè)上可用的一個(gè)例子。寬禁帶(WBG)器件的特性在MOSFET器件中當(dāng)溫度高達(dá)100
2019-07-16 20:43:13
`這個(gè)仿真符不符合技術(shù)要求啊有什么錯(cuò)誤或者要改進(jìn)的地方啊希望各位大神幫我看看謝謝啦根據(jù)要求對(duì)電流傳感器，驅(qū)動(dòng)芯片等器件進(jìn)行選型，設(shè)計(jì)基于寬禁帶半導(dǎo)體器件（Sic或GaN等開關(guān)器件）的雙向buck
2020-04-29 14:14:35
，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料。 在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。SiC功率
2017-11-09 11:54:52
9 由于可以在較高頻率、電壓和溫度下工作且功率損耗較低，寬禁帶半導(dǎo)體（SiC 和GaN）現(xiàn)在配合傳統(tǒng)硅一同用于汽車和RF 通信等嚴(yán)苛應(yīng)用中。隨著效率的提高，對(duì)Si、SiC和GaN器件進(jìn)行安全、精確的測(cè)試
2020-11-18 10:38:0027 作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個(gè)極限，而此時(shí)以SiC和GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過一段時(shí)間的積累也正在變得很普及。所以，出現(xiàn)了以Si基器件為主導(dǎo)，SiC和GaN為"游擊"形式存在的局面。
2020-08-27 16:26:0010156 
工程師的噩夢(mèng)。 結(jié)合泰克新一代示波器，泰克針對(duì)性地推出帶寬 1Ghz、2500V 差模、120dB 共模抑制比的全面光隔離探頭，提供系統(tǒng)優(yōu)異的抗干擾能力，幫助工程師進(jìn)行第三代半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)級(jí)優(yōu)化設(shè)計(jì)。工程師在設(shè)計(jì)電源產(chǎn)品時(shí)，優(yōu)化上下管的驅(qū)動(dòng)條件，從
2020-10-30 03:52:11369
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論