晶體管驅(qū)動(dòng)電路圖

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電路圖(506727) 電路圖(506727)

評(píng)論

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8050晶體管介紹 8050晶體管的工作原理

規(guī)范的產(chǎn)品通常由硅制成，并作為推挽式應(yīng)用系統(tǒng)的一部分運(yùn)行。這些晶體管和其他晶體管如何在電化學(xué)水平上工作的機(jī)制可能有些復(fù)雜，但總的來(lái)說(shuō)，它們用一系列極化離子引導(dǎo)和引導(dǎo)電荷。它們通常與放大器電路配合使用;在

2023-02-16 18:22:30

80S51的IO該如何利用晶體管驅(qū)動(dòng)外圍設(shè)備？

時(shí)輸出電流的驅(qū)動(dòng)能力很弱，僅數(shù)十微安；低電平時(shí)吸收電流的驅(qū)動(dòng)能力較強(qiáng)，可達(dá)數(shù)毫安。這一點(diǎn)請(qǐng)參考具體器件的《數(shù)據(jù)手冊(cè)》。在圖①中，采用NPN晶體管驅(qū)動(dòng)外部設(shè)備是錯(cuò)誤的，IO無(wú)法正常驅(qū)動(dòng)晶體管，甚至?xí)焕?/div>

2012-08-17 21:33:22

晶體管電路

小日本寫的晶體管電路設(shè)計(jì)（上下冊(cè)）兩本書非常不錯(cuò)，我已經(jīng)全部看完了才來(lái)發(fā)帖的，非常不錯(cuò)，語(yǔ)言非常樸實(shí)。

2012-09-02 23:32:49

晶體管電路設(shè)計(jì)

晶體管電路設(shè)計(jì)

2012-10-25 10:14:21

晶體管電路設(shè)計(jì)

從事電子設(shè)計(jì)7年了，發(fā)覺這兩本書挺好的，發(fā)上來(lái)給大家分享一下附件晶體管電路設(shè)計(jì)（上）放大電路技術(shù)的實(shí)驗(yàn)解析.pdf42.5 MB晶體管電路設(shè)計(jì)（下）FET_功率MOS_開關(guān)電路的實(shí)驗(yàn)解析.rar.zip47.2 MB

2018-12-13 09:04:31

晶體管電路設(shè)計(jì)(下)

`非常不錯(cuò)的晶體管電路設(shè)計(jì)書籍！`

2016-11-08 14:12:33

晶體管電路設(shè)計(jì)200例

晶體管電路設(shè)計(jì)200例

2015-08-02 22:49:02

晶體管電路設(shè)計(jì)與制作

晶體管電路設(shè)計(jì)與制作

2018-10-06 09:54:46

晶體管電路設(shè)計(jì)與制作

《晶體管電路設(shè)計(jì)與制作》是“圖解實(shí)用電子技術(shù)叢書”之一。本書首先對(duì)各種模擬電路的設(shè)計(jì)和制作進(jìn)行詳細(xì)敘述；然后利用可在微機(jī)上使用的模擬器“SPICE”對(duì)設(shè)計(jì)的結(jié)果進(jìn)行模擬?！?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設(shè)計(jì)與制作》中介

2018-01-15 12:46:03

晶體管電路設(shè)計(jì)與制作資料分享

晶體管電路設(shè)計(jì)與制作

2019-01-08 15:56:45

晶體管電路設(shè)計(jì)叢書上冊(cè)

晶體管電路設(shè)計(jì)叢書上冊(cè)晶體管電路設(shè)計(jì)(pdf電子書下載):是“實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)叢書”之一，共分上下二冊(cè)。本書作為上冊(cè)主要內(nèi)容有晶體管工作原理，放大電路的性能、設(shè)計(jì)與應(yīng)用，射極跟隨器的性能與應(yīng)用電路

2009-11-20 09:41:18

晶體管電路設(shè)計(jì)（上）

晶體管電路設(shè)計(jì)

2015-05-13 19:50:18

晶體管驅(qū)動(dòng)電路的問(wèn)題？

【不懂就問(wèn)】圖中的晶體管驅(qū)動(dòng)電路，在變壓器Tr的副邊輸出電阻R3上并聯(lián)的二極管D2，說(shuō)D2的作用是在輸入端有正脈沖輸入時(shí)使得變壓器次級(jí)產(chǎn)生的的正脈沖通過(guò)D2，直接驅(qū)動(dòng)MOSFET管Q2，達(dá)到提高導(dǎo)

2018-07-09 10:27:34

晶體管ON時(shí)的逆向電流

列出使用VBE的測(cè)試方法。VBE測(cè)定法硅晶體管的情況下基極-發(fā)射極間電壓：VBE根據(jù)溫度變化。圖1. 熱電阻測(cè)量電路由此，通過(guò)測(cè)定VBE，可以推測(cè)結(jié)溫。通過(guò)圖1的測(cè)定電路，對(duì)晶體管輸入封裝功率：PC

2019-04-09 21:27:24

晶體管交直流參數(shù)對(duì)電路設(shè)計(jì)的影響是什么？

晶體管交直流參數(shù)對(duì)電路設(shè)計(jì)的影響是什么？

2021-04-23 06:25:38

晶體管共發(fā)射極電路特點(diǎn)有哪些

什么是電阻測(cè)量法？晶體管共發(fā)射極電路特點(diǎn)有哪些？

2021-09-27 08:33:35

晶體管可以作為開關(guān)使用！

通。晶體管導(dǎo)通時(shí)，開關(guān)就導(dǎo)通，并且允許電流通過(guò)該管。晶體管開關(guān)工作方式的電路通常采用集電極開路的連接方式晶體管作為電子開關(guān)使用時(shí)，能夠?qū)Ρ豢貙?duì)象進(jìn)行控制，諸如LED、電動(dòng)機(jī)、繼電器線圈等。應(yīng)為此時(shí)晶體管

2017-03-28 15:54:24

晶體管和FET實(shí)用設(shè)計(jì)教材《晶體管電路設(shè)計(jì)(下)》

`　　《晶體管電路設(shè)計(jì)（下）》是“實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)叢書”之一，共分上下二冊(cè)。本書作為下冊(cè)主要介紹晶體管／FET電路設(shè)計(jì)技術(shù)的基礎(chǔ)知識(shí)和基本實(shí)驗(yàn)，內(nèi)容包括FET放大電路、源極跟隨器電路、功率放大器

2019-03-06 17:29:48

晶體管如何表示0和1

100GHz以上。使用了晶體管以后，電子線路的結(jié)構(gòu)大大改觀，進(jìn)入了晶體管為代表的第二代電子計(jì)算機(jī)時(shí)代。1947年貝爾實(shí)驗(yàn)室的肖克利等人發(fā)明了晶體管，又叫做三極管。下面兩圖是晶體管的產(chǎn)品照片和電路符號(hào)

2021-01-13 16:23:43

晶體管射隨電路圖

晶體管射隨電路圖在很多的電子電路中,為了減少后級(jí)電路對(duì)前級(jí)電路的影響和有些前級(jí)電路的輸出要求有較強(qiáng)的帶負(fù)載能力(即要求輸出阻抗較低)時(shí),要用到緩沖電路,從而達(dá)到增強(qiáng)電路的帶負(fù)載能力和前后級(jí)阻抗匹配

2009-09-17 08:33:13

晶體管開關(guān)電路簡(jiǎn)介

一、晶體管開關(guān)電路：是一種計(jì)數(shù)地接通-斷開晶體管的集電極-發(fā)射極間的電流作為開關(guān)使用的電路，此時(shí)的晶體管工作在截止區(qū)和飽和區(qū)。當(dāng)需要輸出大的負(fù)載電流時(shí)，由于集電極電流(負(fù)載電流)是放大基極電流而來(lái)

2021-10-29 09:25:31

晶體管式電流傳感器的識(shí)別

曲線圖，它具有適應(yīng)燈泡電流的電壓補(bǔ)償特性?！　?b class="flag-6" style="color: red">圖1 晶體管式電流傳感器電路　　圖2 制動(dòng)燈燈絲斷　　圖3 晶體管式電流傳感器的特性

2018-10-31 17:13:28

晶體管性能的檢測(cè)

孔，按動(dòng)相應(yīng)的V（BR）鍵，再?gòu)谋碇凶x出反向擊穿電壓值。對(duì)于反向擊穿電壓低于50V的晶體管，也可用圖5-58中所示的電路進(jìn)行測(cè)試。將待測(cè)晶體管VT的集電極C、發(fā)射極E與測(cè)試電路的A端、B端相連（PNP

2012-04-26 17:06:32

晶體管溫控電路圖

晶體管溫控電路圖如圖是晶體管組成的繼電器延時(shí)吸合電路。剛接通電源時(shí)，16μF電容上電壓為零，兩個(gè)三極管都截止，繼電器不動(dòng)作。隨著16μF電容的充電，過(guò)一段時(shí)間后，其上電壓達(dá)到高電平，兩個(gè)三極管都導(dǎo)通，繼電器延時(shí)吸合。延時(shí)時(shí)間可達(dá)60s。延時(shí)的時(shí)間長(zhǎng)短可通過(guò)10MΩ電阻來(lái)調(diào)節(jié)。

2008-11-07 20:36:15

晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開關(guān)電路是怎樣的？

晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開關(guān)電路是怎樣的？

2021-06-07 06:25:09

晶體管的代表形狀

晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成

2019-04-10 06:20:24

晶體管的分類與特征

-發(fā)射極間流過(guò)電流。如前面的特征匯總表中所示，關(guān)于驅(qū)動(dòng)，需要根據(jù)與放大系數(shù)、集電極電流之間的關(guān)系來(lái)調(diào)整基極電流等。與MOSFET顯著不同的是，用于放大或?qū)?關(guān)斷的偏置電流會(huì)流經(jīng)晶體管（基極）。另外

2018-11-28 14:29:28

晶體管的分類與特征

是雙極晶體管，所以可能有人說(shuō)表達(dá)順序反了，不過(guò)近年來(lái)，特別是電源電路中MOSFET是主流，可能很多人都是從MOSFET用起來(lái)的，因此這里以MOSFET為主。下面言歸正傳。與雙極晶體管的導(dǎo)通電阻相對(duì)應(yīng)的是VCE

2020-06-09 07:34:33

晶體管的開關(guān)作用有哪些？

晶體管開關(guān)能力的方法。在這樣的大功率電路中，存在的主要問(wèn)題是布線。很高的開關(guān)速度能在很短的連接線上產(chǎn)生相當(dāng)高的干擾電壓。簡(jiǎn)單和優(yōu)化的基極驅(qū)動(dòng)造就的高性能今日的基極驅(qū)動(dòng)電路不僅驅(qū)動(dòng)功率晶體管，還保護(hù)功率

2018-10-25 16:01:51

晶體管的微變等效電路相關(guān)資料分享

得到了晶體管的h參數(shù)后，就可以畫出晶體管的線性等效電路，圖Z0214是晶體管的h參數(shù)等效電路。關(guān)于h參數(shù)等效電路，應(yīng)注意以下幾點(diǎn)：（1）電壓的參考極性為上正下負(fù)，電流的參考正方向是流入為正

2021-05-25 07:25:25

晶體管的由來(lái)

自來(lái)水的閥門，從而調(diào)節(jié)水龍頭噴出的巨大的水量（即集電極電流）。借此，可以通俗地領(lǐng)會(huì)這一原理。6. 正確說(shuō)明。下面通過(guò)圖1及圖2對(duì)晶體管的增幅原理作進(jìn)一步詳盡的說(shuō)明。與輸入電壓e和偏壓E1構(gòu)成的基極-發(fā)射極

2019-05-05 00:52:40

晶體管的結(jié)構(gòu)特性

之間）和發(fā)射結(jié)（B、E極之間），發(fā)射結(jié)與集電結(jié)之間為基區(qū)。根據(jù)結(jié)構(gòu)不同，晶體管可分為PNP型和NPN型兩類。在電路圖形符號(hào)上可以看出兩種類型晶體管的發(fā)射極箭頭（代表集電極電流的方向）不同。PNP型

2013-08-17 14:24:32

晶體管的選用經(jīng)驗(yàn)

型號(hào)的晶體管。 5．開關(guān)三極管的選用小電流開關(guān)電路和驅(qū)動(dòng)電路中使用的開關(guān)晶體管，其最高反向電壓低于100V，耗散功率低于1W，最大集電極電流小于1A，可選用3CK3、3DK4、3DK9、3DK12等

2012-01-28 11:27:38

晶體管簡(jiǎn)介

2019-05-09 23:12:18

晶體管詳解

級(jí)都采用晶體管的邏輯電路，叫做晶體管－晶體管邏輯電路，書刊和實(shí)用中都簡(jiǎn)稱為TTL電路，它屬于半導(dǎo)體集成電路的一種，其中用得最普遍的是TTL與非門。TTL與非門是將若干個(gè)晶體管和電阻元件組成的電路

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晶體管收音機(jī)電路手冊(cè)

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2011-06-16 10:22:19

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驅(qū)動(dòng)篇 – BJT晶體管應(yīng)用感謝閱讀本文，在接下來(lái)很長(zhǎng)的一段時(shí)間里，我將陸續(xù)分享項(xiàng)目實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)。從電源、單片機(jī)、晶體管、驅(qū)動(dòng)電路、顯示電路、有線通訊、無(wú)線通信、傳感器、原理圖設(shè)計(jì)、PCB設(shè)計(jì)、軟件設(shè)計(jì)

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2019-04-28 13:48:27

基于硅晶體管模糊電路

描述EarthQuaker Devices 污垢發(fā)射器基于硅晶體管模糊電路。除了標(biāo)準(zhǔn)的 Tone、Level 和 Dirt 旋鈕外，Dirt Transmitter 還具有一個(gè) Bias 旋鈕，用于模擬快要耗盡的電池的電壓不足，以獲得類似 Velcro 的絨毛音調(diào)。PCB+原理圖

2022-08-10 06:40:23

基本晶體管開關(guān)電路，使用晶體管開關(guān)的關(guān)鍵要點(diǎn)

）需要幾毫安才能上電，并且可以由邏輯門輸出驅(qū)動(dòng)。然而，螺線管、燈和電機(jī)等大功率電子設(shè)備比邏輯門電源需要更多的電力。輸入晶體管開關(guān)?！　?b class="flag-6" style="color: red">晶體管開關(guān)操作和操作區(qū)域　　圖 1 中圖表上的藍(lán)色陰影區(qū)域表示飽和

2023-02-20 16:35:09

如何加速晶體管的水平輸出級(jí)

本應(yīng)用指南介紹了一種采用后向設(shè)計(jì)的基本驅(qū)動(dòng)電路，它從輸出晶體管器件開始再返回到水平振蕩器，便于加速晶體管的水平輸出級(jí)。

2014-09-22 17:14:04

如何改善晶體管的損耗

　　為了改善晶體管的開關(guān)特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)上會(huì)采取一些加速措施。如下：　　　　加速電路一　　在加速電路一中，并聯(lián)在RB兩端的電容CB稱為加速電容，數(shù)值一般在1nf

2020-11-26 17:28:49

如何選擇分立晶體管？

來(lái)至網(wǎng)友的提問(wèn)：如何選擇分立晶體管？

2023-11-24 08:16:54

常用晶體管的高頻與低頻型號(hào)是什么？

晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們?cè)谛吞?hào)上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設(shè)計(jì)》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）。現(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中最常用的型號(hào)是哪些？

2017-10-11 23:53:40

常見的晶體管的電路符號(hào)有哪幾種

什么是電信號(hào)？常見的晶體管的電路符號(hào)有哪幾種？

2021-10-29 07:04:27

怎么樣看電子電路圖-電子書

怎樣看電子電路圖介紹了各種無(wú)線電元器件，如電阻器、電容器、電感線圈、變壓器、電聲器件、晶體管、電子管、集成電路及接線元件的符號(hào)和外形圖等到基礎(chǔ)知識(shí)：看無(wú)線電電路圖的基本方法：調(diào)幅晶體管、電子管收音機(jī)和調(diào)頻收音機(jī)、集成電路收音機(jī)電路的分析步驟及制作舉例等。怎樣看電子電路圖-下載

2008-12-26 10:45:14

探索晶體管驅(qū)動(dòng)負(fù)載的技巧.pdf

探索晶體管驅(qū)動(dòng)負(fù)載的技巧.pdf {:1:}

2013-05-16 09:37:25

數(shù)字晶體管的原理

)條件下，數(shù)字晶體管中流過(guò)的電流值定義為IO。如您所知，絕對(duì)最大額定值被定義為"不能同時(shí)提供2項(xiàng)以上"，僅用IC標(biāo)記沒有問(wèn)題，但結(jié)合客戶實(shí)際使用狀態(tài)，合并標(biāo)記為IO。因此電路

2019-04-22 05:39:52

數(shù)字晶體管的原理

標(biāo)記為IO。因此電路設(shè)計(jì)探討中此IO即為絕對(duì)最大額定值。GI和hFE的區(qū)別hFE: 作為晶體管的直流電流增幅率GI: 作為數(shù)字晶體管的直流電流增幅率解說(shuō)GI和hFE都表示發(fā)射極接地直流電流放大率。數(shù)字

2019-04-09 21:49:36

日本人寫的《晶體管電路設(shè)計(jì)》_非常牛逼!

` 《晶體管電路設(shè)計(jì)》`

2013-07-05 20:47:07

有什么方法可以提高晶體管的開關(guān)速度呢？

的內(nèi)部電路中也是采用這種技術(shù)。如下圖，肖特基箝位在基極-集電極之間，這種二極管開關(guān)速度快，正向壓降比PN結(jié)小，準(zhǔn)確來(lái)說(shuō)叫做肖特基勢(shì)壘二極管。由于肖特基二極管的正向壓降比晶體管的Vbe小，因此，本來(lái)應(yīng)該

2023-02-09 15:48:33

有沒有關(guān)于晶體管開關(guān)的電路分享?

有沒有關(guān)于晶體管開關(guān)的電路分享?

2021-03-11 06:23:27

概述晶體管

2019-05-05 01:31:57

氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管對(duì)分分析哪個(gè)好？

，柵極漏掉電荷Qgd并關(guān)閉時(shí)間關(guān)斷。圖4中未提及的另一個(gè)損耗是柵極驅(qū)動(dòng)損耗，它與晶體管的柵極電荷Qg有關(guān)，Qg越低，柵極驅(qū)動(dòng)損耗越低，尤其是對(duì)于高開關(guān)頻率。這種柵極驅(qū)動(dòng)損耗不容忽視。圖 4：LLC 諧振

2023-02-27 09:37:29

電流旁路對(duì)GaN晶體管并聯(lián)配置的影響

的電荷差使柵極電壓VG變?yōu)樨?fù)值，從而在硬開關(guān)應(yīng)用中關(guān)斷晶體管?！　　　?b class="flag-6" style="color: red">圖1：E模式GaN HEMT等效電路（左）和建議的驅(qū)動(dòng)方案（右）?！　‘?dāng)并聯(lián)配置CoolGaN?晶體管時(shí)，可使用相同參數(shù)的RC驅(qū)動(dòng)網(wǎng)絡(luò)

2021-01-19 16:48:15

直接驅(qū)動(dòng)GaN晶體管的優(yōu)點(diǎn)

受益于集成器件保護(hù)，直接驅(qū)動(dòng)GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級(jí)可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關(guān)特性可實(shí)現(xiàn)提高開關(guān)模式電源效率和密度的新型

2020-10-27 06:43:42