這本文中，我們提出了一種精確的，低損傷的循環(huán)刻蝕AlGaN/GaN的新方法，用于精確的勢(shì)壘凹陷應(yīng)用，使用ICP-RIE氧化和濕法刻蝕。設(shè)備功率設(shè)置的優(yōu)化允許獲得寬范圍的蝕刻速率~0.6至~11納米/周期，而相對(duì)于未蝕刻的表面，表面粗糙度沒(méi)有任何可觀察到的增加。
2021-12-13 16:07:58
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濕法蝕刻工藝的原理是利用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為liquid化合物。由于采用了高選擇性化學(xué)物質(zhì)可以非常精確地適用于每一部電影。對(duì)于大多數(shù)解決方案選擇性大于100:1。
2022-07-27 15:50:252109 
濕法刻蝕由于精度較差，只適用于很粗糙的制程，但它還是有優(yōu)點(diǎn)的，比如價(jià)格便宜，適合批量處理，酸槽里可以一次浸泡25張硅片，所以有些高校和實(shí)驗(yàn)室，還在用濕法做器件，芯片廠里也會(huì)用濕法刻蝕來(lái)顯露表面缺陷（defect），腐蝕背面多晶硅。
2023-08-28 09:47:44891 
在半導(dǎo)體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說(shuō)“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料，從而創(chuàng)建所需的微細(xì)圖案。半導(dǎo)體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設(shè)備，在其他類似工藝中也很常見。
2023-09-24 17:42:03996 
在半導(dǎo)體加工工藝中，常聽到的兩個(gè)詞就是光刻(Lithography)和刻蝕(Etching)，它們像倆兄弟一樣，一前一后的出現(xiàn)，有著千絲萬(wàn)縷的聯(lián)系，這一節(jié)介紹半導(dǎo)體刻蝕工藝。
2024-01-26 10:01:58552 
13um應(yīng)變補(bǔ)償多量子阱SLD臺(tái)面制作工藝的研究臺(tái)面制作工藝對(duì)１?３μｍ應(yīng)變補(bǔ)償多量子阱ＳＬＤ 的器件性能有重要的影響。根據(jù)外延結(jié)構(gòu)，分析比較了兩種臺(tái)面制作的方法，即選擇性濕法腐蝕法和ＩＣＰ 刻蝕
2009-10-06 09:52:24
3591A選擇性電壓表操作和維修手冊(cè)
2018-11-05 16:21:21
濕法蝕刻工藝的原理是使用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物。選擇性非常高，因?yàn)樗没瘜W(xué)藥品可以非常精確地適應(yīng)各個(gè)薄膜。對(duì)于大多數(shù)解決方案，選擇性大于100：1。
2021-01-08 10:12:57
我司是做濕法蝕刻藥水的，所以在濕法這塊有很多年的研究。所以有遇到濕法蝕刻問(wèn)題歡迎提問(wèn)，很愿意為大家解答。謝謝！QQ：278116740
2017-05-08 09:58:09
`華林科納濕法設(shè)備分類全自動(dòng)設(shè)備：全自動(dòng)RCA清洗機(jī)全自動(dòng)硅片刻蝕機(jī)全自動(dòng)片盒清洗機(jī)全自動(dòng)石英管清洗機(jī)半自動(dòng)設(shè)備：半自動(dòng)RCA清洗機(jī)半自動(dòng)硅片刻蝕機(jī)半自動(dòng)石英管清洗機(jī)半自動(dòng)有機(jī)清洗機(jī)`
2021-02-07 10:14:51
所謂選擇性發(fā)射極（SE-selectiveemiter）晶體硅太陽(yáng)電池，即在金屬柵線（電極）與硅片接觸部位進(jìn)行重?fù)诫s，在電極之間位置進(jìn)行輕摻雜。這樣的結(jié)構(gòu)可降低擴(kuò)散層復(fù)合，由此可提高光線的短波
2018-09-26 09:44:54
選擇性打開前面板
2013-10-16 15:48:13
噴涂沉積在PCB上的焊劑位置精度為±0.5mm，才能保證焊劑始終覆蓋在被焊部位上面，噴涂焊劑量的公差由供應(yīng)商提供，技術(shù)說(shuō)明書應(yīng)規(guī)定焊劑使用量，通常建議100%的安全公差范圍?！ ☆A(yù)熱工藝 在選擇性
2009-04-07 17:17:49
典型的選擇性焊接的工藝流程包括：助焊劑噴涂，PCB預(yù)熱、浸焊和拖焊。 助焊劑涂布工藝 在選擇性焊接中，助焊劑涂布工序起著重要的作用。焊接加熱與焊接結(jié)束時(shí)，助焊劑應(yīng)有足夠的活性防止橋接的產(chǎn)生并防止
2012-10-18 16:31:31
AOE刻蝕氧化硅可以，同時(shí)這個(gè)設(shè)備可以刻蝕硅嗎？大致的氣體配比是怎樣的，我這里常規(guī)的刻蝕氣體都有，但是過(guò)去用的ICP，還沒(méi)有用過(guò)AOE刻蝕硅，請(qǐng)哪位大佬指點(diǎn)一下，謝謝。
2022-10-21 07:20:28
1艾1姆1科1技全國(guó)1首家P|CB樣板打板 焊接工藝 選擇性焊接工藝有兩種不同工藝：拖焊工藝和浸焊工藝。 選擇性拖焊工藝是在單個(gè)小焊嘴焊錫波上完成的。拖焊工藝適用于在PCB上非常緊密的空間上進(jìn)
2013-09-13 10:25:12
的無(wú)鉛焊兼容，這些優(yōu)點(diǎn)都使得選擇焊接的應(yīng)用范圍越來(lái)越廣。選擇性焊接的工藝特點(diǎn)可通過(guò)與波峰焊的比較來(lái)了解選擇性焊接的工藝特點(diǎn)。兩者間最明顯的差異在于波峰焊中PCB的下部完全浸入液態(tài)焊料中，而在選擇性焊 接
2017-10-31 13:40:44
焊接。使用者可根據(jù)具體的情況來(lái)安排選擇性焊接的工藝流程。 焊接工藝 選擇性焊接工藝有兩種不同工藝：拖焊工藝和浸焊工藝。 選擇性拖焊工藝是在單個(gè)小焊嘴焊錫波上完成的。拖焊工藝適用于在PCB上
2012-10-17 15:58:37
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:51 編輯
PCB選擇性焊接技術(shù)詳細(xì) 回顧近年來(lái)電子工業(yè)工藝發(fā)展歷程，可以注意到一個(gè)很明顯的趨勢(shì)就是回流焊技術(shù)。原則上傳統(tǒng)插裝件也可用
2012-10-18 16:26:06
PCB選擇性焊接技術(shù)詳細(xì) 回顧近年來(lái)電子工業(yè)工藝發(fā)展歷程，可以注意到一個(gè)很明顯的趨勢(shì)就是回流焊技術(shù)。原則上傳統(tǒng)插裝件也可用回流焊工藝，這就是通常所說(shuō)的通孔回流焊接。其優(yōu)點(diǎn)是有可能在同一時(shí)間內(nèi)完成
2012-10-18 16:32:47
；另一種觀點(diǎn)認(rèn)為不需要預(yù)熱而直接進(jìn)行焊接。使用者可根據(jù)具體的情況來(lái)安排選擇性焊接的工藝流 程。 焊接工藝 選擇性焊接工藝有兩種不同工藝：拖焊工藝和浸焊工藝?！ ?b class="flag-6" style="color: red">選擇性拖焊工藝是在單個(gè)小焊嘴焊錫波上完成
2018-09-14 11:28:22
的情況來(lái)安排選擇性焊接的工藝流程?！ 『附庸に嚒 ?b class="flag-6" style="color: red">選擇性焊接工藝有兩種不同工藝：拖焊工藝和浸焊工藝。 選擇性拖焊工藝是在單個(gè)小焊嘴焊錫波上完成的。拖焊工藝適用于在PCB上非常緊密的空間上進(jìn)行焊接。例如
2018-09-10 16:50:02
我會(huì)冒泡排序，但是我做選擇性排序時(shí)，不知道如何將最外層for循環(huán)的每層最大值給傳遞下去，交換索引地址也出現(xiàn)了問(wèn)題
2018-03-24 14:13:24
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN、ZnO和SiC的濕法化學(xué)蝕刻編號(hào)：JFKJ-21-830作者：炬豐科技摘要寬帶隙半導(dǎo)體具有許多特性，使其對(duì)高功率、高溫器件應(yīng)用具有吸引力。本文綜述了三種
2021-10-14 11:48:31
黃金。以上只是基于實(shí)驗(yàn)的基礎(chǔ)，實(shí)驗(yàn)設(shè)備也比較簡(jiǎn)陋，如果再結(jié)合濕法清洗設(shè)備進(jìn)行蝕刻工藝，效果會(huì)有明顯的提高，南通華林科納半導(dǎo)體設(shè)備有限公司生產(chǎn)的濕法清洗設(shè)備能在各方面滿足要求，使清洗達(dá)到事半功倍的效果。 如有侵權(quán)，請(qǐng)聯(lián)系作者刪除
2021-07-09 10:23:37
測(cè)試，并且在錯(cuò)誤的情況下可能導(dǎo)致工藝失敗，因此，基于研究的重要性，不管從藥液還是設(shè)備都需選擇穩(wěn)定可靠的，而華林科納半導(dǎo)體設(shè)備有限公司在濕法刻蝕領(lǐng)域已有十幾年的經(jīng)驗(yàn)，其生產(chǎn)的設(shè)備功能完善，并能針對(duì)客戶的需求給出一系列的解決辦法跟方案。 如有侵權(quán)，請(qǐng)聯(lián)系作者刪除
2021-07-06 09:39:22
在PCB上的焊劑位置精度為±0.5mm，才能保證焊劑始終覆蓋在被焊部位上面，噴涂焊劑量的公差由供應(yīng)商提供，技術(shù)說(shuō)明書應(yīng)規(guī)定焊劑使用量，通常建議100%的安全公差范圍。預(yù)熱工藝在選擇性焊接工藝中的預(yù)熱
2018-06-28 21:28:53
暴露于OH-離子時(shí)，在刻蝕中硅表面會(huì)變粗糙。鋁膜濕法刻蝕對(duì)于鋁和鋁合金層有選擇性的刻蝕溶液是居于磷酸的。遺憾的是，鋁和磷酸反應(yīng)的副產(chǎn)物是微小的氫氣泡。這些氣泡附著在晶圓表面，并阻礙刻蝕反應(yīng)。結(jié)果既可
2018-12-21 13:49:20
選擇性焊接的流程包括哪些？選擇性焊接工藝有哪幾種？
2021-04-25 10:00:18
我是南通華林科納半導(dǎo)體的，主要做半導(dǎo)體，太陽(yáng)能，液晶LED，電子器件濕法工藝，各種清洗，濕制程設(shè)備。我們3月14日—16日去上海新國(guó)際博覽中心參加2017慕尼黑上海半導(dǎo)體展，有其他去的公司嗎，應(yīng)該
2017-03-04 11:50:42
選擇性焊接的工藝特點(diǎn)是什么典型的選擇性焊接的工藝流程包括哪幾個(gè)步驟
2021-04-25 08:59:39
蘇州晶淼半導(dǎo)體設(shè)備有限公司致力于向客戶提供濕法制程刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備、高端PP/PVC通風(fēng)柜/廚、CDS化學(xué)品集中供液系統(tǒng)等一站式解決方案。我們的產(chǎn)品廣泛應(yīng)用與微電子、半導(dǎo)體、光伏、光通信、LED等
2016-09-06 13:53:08
北京華林嘉業(yè)科技有限公司(簡(jiǎn)稱CGB)，公司致力于為以下行業(yè)提供蝕刻、清洗、顯影、去膜、制絨、減薄等高品質(zhì)設(shè)備：半導(dǎo)體LED：硅片清洗機(jī)；硅片腐蝕機(jī)；硅片清洗腐蝕設(shè)備；基片濕處理設(shè)備；硅片清洗刻蝕
2011-04-13 13:23:10
蘇州華林科納半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司成立于2008年3月，投資4500萬(wàn)元。主要從事半導(dǎo)體、太陽(yáng)能、FPD領(lǐng)域濕制程設(shè)備的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)及銷售；同時(shí)代理半導(dǎo)體、太陽(yáng)能、FPD領(lǐng)域其它國(guó)外設(shè)備，負(fù)責(zé)
2015-04-02 17:21:04
怎么對(duì)labview的數(shù)據(jù)庫(kù)中的數(shù)據(jù)，按時(shí)間選擇性讀取啊
2016-01-25 13:03:07
怎么對(duì)兩個(gè)寄存器的數(shù)據(jù)進(jìn)行有選擇性的合并，大致電路框圖怎么實(shí)現(xiàn)？
2018-01-30 17:51:36
招聘蘇州華林科納半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司職位月薪：面議工作地點(diǎn)：蘇州工作性質(zhì)：全職工作經(jīng)驗(yàn)：1年以上最低學(xué)歷：大專招聘人數(shù)：5人 職位類別：銷售經(jīng)理職位描述要求：工作經(jīng)驗(yàn)：1年以上崗位職責(zé)：1、負(fù)責(zé)
2015-07-28 11:38:16
就能對(duì)層上的特定部分進(jìn)行選擇性地移除。在有的情況中，罩的材料為光阻性的，這和光刻中利用的原理類似。而在其他情況中，刻蝕罩需要耐受某些化學(xué)物質(zhì)，氮化硅就可以用來(lái)制造這樣的“罩”。“干法”（等離子）刻蝕用于
2017-10-09 19:41:52
目前手上有個(gè)應(yīng)用程序，生成的數(shù)據(jù)可以復(fù)制到剪貼板中，在Excel中選擇“選擇性粘貼”-》“粘貼鏈接”功能后，excel中顯示的數(shù)據(jù)是前面那個(gè)軟件的實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)。現(xiàn)在我想把這個(gè)功能在labview里實(shí)現(xiàn)，請(qǐng)大俠們指點(diǎn)。
2014-01-12 11:43:58
影響的問(wèn)題，選擇焊接還能夠與將來(lái)的無(wú)鉛焊兼容，這些優(yōu)點(diǎn)都使得選擇焊接的應(yīng)用范圍越來(lái)越廣。麥|斯|艾|姆|P|CB樣板貼片,麥1斯1艾1姆1科1技全國(guó)1首家P|CB樣板打板 選擇性焊接的工藝特點(diǎn)
2013-09-23 14:32:50
蘇州華林科納半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司成立于2008年3月，投資4500萬(wàn)元。主要從事半導(dǎo)體、太陽(yáng)能、FPD領(lǐng)域濕制程設(shè)備的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)及銷售；同時(shí)代理半導(dǎo)體、太陽(yáng)能、FPD領(lǐng)域其它國(guó)外設(shè)備，負(fù)責(zé)
2015-04-02 17:23:36
蘇州華林科納半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司成立于2008年3月，投資4500萬(wàn)元。主要從事半導(dǎo)體、太陽(yáng)能、FPD領(lǐng)域濕制程設(shè)備的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)及銷售；同時(shí)代理半導(dǎo)體、太陽(yáng)能、FPD領(lǐng)域其它國(guó)外設(shè)備，負(fù)責(zé)
2015-04-02 17:26:21
公司名稱：蘇州華林科納半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司公司地址：蘇州工業(yè)園區(qū)啟月街288號(hào)公司電話：0512-62872541蘇州華林科納半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司主要從事半導(dǎo)體、太陽(yáng)能、FPD領(lǐng)域濕制程設(shè)備
2016-10-26 17:05:04
蘇州華林科納半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司成立于2008年3月，投資4500萬(wàn)元。主要從事半導(dǎo)體、太陽(yáng)能、FPD領(lǐng)域濕制程設(shè)備的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)及銷售；同時(shí)代理半導(dǎo)體、太陽(yáng)能、FPD領(lǐng)域其它國(guó)外設(shè)備，負(fù)責(zé)
2015-04-02 17:22:46
選擇性控制系統(tǒng)屬于復(fù)雜控制系統(tǒng)之一，昌暉儀表與大家分享選擇性控制系統(tǒng)口訣、選擇性控制系統(tǒng)分類和選擇性控制系統(tǒng)應(yīng)用的相關(guān)專業(yè)技術(shù)知識(shí)。選擇性控制系統(tǒng)儀表工口訣 常用的控制系統(tǒng)通常只能在一定工況下工
2019-04-21 16:40:03
除犧牲氧化物，從而釋放MEMS機(jī)械結(jié)構(gòu)。SVR蝕刻方法可以完全地去除犧牲材料而不損害機(jī)械結(jié)構(gòu)或?qū)е吗じ?，它同時(shí)提供了高度的可選擇性、可重復(fù)性和均勻性。SVR保留有干燥的表面，沒(méi)有任何殘留物或水汽，這也省去
2013-11-04 11:51:00
的大小，最好的使用辦法是將一個(gè)齊納管與一個(gè)正向偏置的二極管串聯(lián)。齊納管電壓的選擇，是為使其具有正溫度系數(shù)，以抵消二極管的負(fù)溫度系數(shù)（-2.1 mV/C）。為什么齊納管有正溫度系數(shù)而二極管有負(fù)溫度系數(shù)，如果
2024-01-26 23:28:52
本文介紹了選擇性控制系統(tǒng)的工作原理和設(shè)計(jì)方法;選擇器是選擇性控制系統(tǒng)的關(guān)鍵部件，本文給出了確定選擇器型式的一種方法— 靜態(tài)特性交叉法。本方法簡(jiǎn)單、形象、直觀，并以
2010-01-12 17:19:59
33 釋放MEMS機(jī)械結(jié)構(gòu)的干法刻蝕技術(shù)
濕法刻蝕是MEMS 器件去除犧牲材料的傳統(tǒng)工藝，總部位于蘇格蘭的Point 35 Microstructures在SEMICON C
2009-11-18 09:17:32880 選擇性焊接的工藝特點(diǎn) 可通過(guò)與波峰焊的比較來(lái)了解選擇性焊接的工藝特點(diǎn)。兩者間最明顯的差異在于波峰焊中PCB的下部完全浸入液態(tài)焊料中，而在選擇性
2010-09-20 01:07:22690 SLM選擇性激光融化
2016-12-25 22:12:070 反刻是在想要把某一層膜的總的厚度減小時(shí)采用的（如當(dāng)平坦化硅片表面時(shí)需要減小形貌特征）。光刻膠是另一個(gè)剝離的例子?？偟膩?lái)說(shuō)，有圖形刻蝕和無(wú)圖形刻蝕工藝條件能夠采用干法刻蝕或濕法腐蝕技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)。為了復(fù)制硅片表面材料上的掩膜圖形，刻蝕必須滿足一些特殊的要求。
2018-12-14 16:05:2768523 清洗不當(dāng)造成的表面缺陷的形成機(jī)理，并通過(guò)合理的實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)和分析，給出了具體的解決方案。 熱磷酸濕法刻蝕已經(jīng)在半導(dǎo)體制造工藝中應(yīng)用了幾十年了。由于熱磷酸對(duì)氮化硅和氮氧化硅刻蝕具有良好的均勻性和較高的選擇比，一直到
2020-12-29 14:36:072510 
在集成電路的制造過(guò)程中，刻蝕就是利用化學(xué)或物理方法有選擇性地從硅片表面去除不需要的材料的過(guò)程。從工藝上區(qū)分，刻蝕可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕。前者的主要特點(diǎn)是各向同性刻蝕；后者是利用等離子體來(lái)進(jìn)行
2020-12-29 14:42:588547 
我們華林科納開發(fā)了一種可控、平滑的氫氧化鉀基濕法刻蝕技術(shù)，AlN和AlxGa1xN之間的高選擇性被發(fā)現(xiàn)對(duì)于基于AlGaN的深紫外發(fā)光二極管實(shí)現(xiàn)有效的襯底減薄或去除至關(guān)重要，從而提高光提取效率
2022-01-05 16:10:51564 
高，而各向同性蝕刻(如高頻)會(huì)在所有方向上進(jìn)行。使用氫氧化鉀工藝是因?yàn)樗谥圃熘械目芍貜?fù)性和均勻性，同時(shí)保持低生產(chǎn)成本。異丙醇(IPA)經(jīng)常被添加到溶液中，以改變從{110}壁到{100}壁的選擇性，并提高表面光滑度。 使用氫氧化鉀蝕
2022-01-11 11:50:332152 
蝕刻的濕法蝕刻技術(shù)的方法。本文分析了玻璃濕法刻蝕工藝的基本要素，如:玻璃成分的影響、刻蝕速率、掩膜層殘余應(yīng)力的影響、主要掩膜材料的表征、濕法刻蝕工藝產(chǎn)生的表面質(zhì)量。通過(guò)分析的結(jié)果，提出了一種改進(jìn)的玻璃深度濕
2022-01-19 16:13:401873 
摘要 FeCl3·6h2o用于單晶氧化鋅薄膜的濕法蝕刻。該方法對(duì)抑制用酸蝕刻氧化鋅薄膜時(shí)通常觀察到的“W”形蝕刻輪廓有很大的影響。通過(guò)觸控筆輪廓儀和掃描電子顯微鏡證實(shí)，在廣泛的蝕刻速率下獲得了
2022-01-26 14:46:48307 
北京時(shí)間2022年2月10日，泛林集團(tuán) （NASDAQ： LRCX） 宣布推出一系列新的選擇性刻蝕產(chǎn)品，這些產(chǎn)品應(yīng)用突破性的晶圓制造技術(shù)和創(chuàng)新的化學(xué)成分，以支持芯片制造商開發(fā)環(huán)柵 （GAA） 晶體管結(jié)構(gòu)。
2022-02-10 14:45:401102 
性，單片濕法刻蝕法是一種有用的技術(shù)。其進(jìn)一步推進(jìn)應(yīng)得到理論計(jì)算的支持。 因此，在我們之前的研究中開發(fā)了使用單晶片濕法蝕刻機(jī)進(jìn)行二氧化硅膜蝕刻的數(shù)值計(jì)算模型。首先，通過(guò)水流可視化獲得旋轉(zhuǎn)晶片上的整個(gè)水運(yùn)動(dòng)，并進(jìn)行評(píng)估
2022-03-02 13:58:36751 
通過(guò)與客戶、技術(shù)專家和產(chǎn)品團(tuán)隊(duì)的合作，他們已經(jīng)在選擇性刻蝕創(chuàng)新方面實(shí)現(xiàn)突破，這將使世界領(lǐng)先的芯片制造商得以提供下一代3D邏輯和存儲(chǔ)設(shè)備。
2022-03-22 09:26:071836 
泛林集團(tuán)推三款開創(chuàng)性的選擇性刻蝕產(chǎn)品 泛林集團(tuán)深信創(chuàng)新不僅來(lái)自于創(chuàng)新者，更需要共同合作、精確細(xì)致和努力交付才能實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新。我們助力第四次工業(yè)革命，也是世界領(lǐng)先半導(dǎo)體企業(yè)值得信賴的伙伴。 日前泛林集團(tuán)
2022-03-22 14:35:592667 濕式蝕刻過(guò)程的原理是利用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物，選擇性非常高，因?yàn)樗褂玫幕瘜W(xué)物質(zhì)可以非常精確地適應(yīng)于單個(gè)薄膜。對(duì)于大多數(shù)溶液的選擇性大于100：1。液體化學(xué)必須滿足以下要求：掩模
2022-04-15 14:56:572049 
）、掃描電子顯微鏡（SEM）和光致發(fā)光（PL）光譜進(jìn)行表征，以允許對(duì)它們的結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)進(jìn)行檢查。XRD結(jié)果表明，當(dāng)薄膜在不同的氫氮濃度下刻蝕不同的時(shí)間時(shí)，ZnO的強(qiáng)度降低。上述觀察歸因于氧化鋅的溶解
2022-04-24 14:58:20930 
ZnO是一種寬帶隙半導(dǎo)體，可摻雜為透明導(dǎo)電氧化物(TCO)，用于無(wú)機(jī)和有機(jī)光伏器件，為了更好地理解ZnO薄膜的腐蝕過(guò)程，我們華林科納發(fā)現(xiàn)了一種原子力顯微鏡(AFM)重新排列腐蝕步驟的方法，使用這種
2022-05-09 13:28:32423 
本文介紹了我們華林科納研究了蝕刻時(shí)間和氧化劑對(duì)用氫氧化銨(銨根OH)形成的多孔氧化鋅（氧化鋅）薄膜的表面形貌和表面粗糙度的影響。在本工作中，射頻磁控管濺射的ZnO薄膜在氫氧化銨(NH4OH)溶液中腐蝕，全面研究了刻蝕時(shí)間和添加H2O2溶液對(duì)多孔ZnO薄膜表面形貌和粗糙度的影響。
2022-05-09 15:19:34560 
我們華林科納研究了TMAH溶液中摩擦誘導(dǎo)選擇性蝕刻的性能受蝕刻溫度、刻蝕時(shí)間和刮刻載荷的影響，通過(guò)對(duì)比試驗(yàn)，評(píng)價(jià)了硅摩擦誘導(dǎo)的選擇性蝕刻的機(jī)理，各種表面圖案的制造被證明與控制尖端痕跡劃傷。 蝕刻時(shí)間
2022-05-20 16:37:451683 
刻蝕室半導(dǎo)體IC制造中的至關(guān)重要的一道工藝，一般有干法刻蝕和濕法刻蝕兩種，干法刻蝕和濕法刻蝕一個(gè)顯著的區(qū)別是各向異性，更適合用于對(duì)形貌要求較高的工藝步驟。
2022-06-13 14:43:316 本文描述了我們華林科納一種新的和簡(jiǎn)單的方法，通過(guò)監(jiān)測(cè)腐蝕過(guò)程中薄膜的電阻來(lái)研究濕法腐蝕ITO薄膜的動(dòng)力學(xué)，該方法能夠研究0.1至150納米/分鐘之間的蝕刻速率。通?？梢詤^(qū)分三種不同的狀態(tài)：(1)緩慢
2022-07-01 14:39:132242 
寬帶隙半導(dǎo)體具有許多特性，這些特性使其對(duì)高功率、高溫器件應(yīng)用具有吸引力。本文綜述了三種重要材料的濕法腐蝕，即ZnO、GaN和SiC。雖然ZnO在包括HNO3/HCl和HF/HNO3的許多酸性溶液
2022-07-06 16:00:211643 
本文介紹了我們華林科納在半導(dǎo)體制造過(guò)程中進(jìn)行的濕法蝕刻過(guò)程和使用的藥液，在晶圓表面，為了形成LSI布線，現(xiàn)在幾乎所有的半導(dǎo)體器件都使用干蝕刻方式，這是因?yàn)楦煞ㄎg刻與濕法蝕刻相比，各向異性較好，對(duì)于形成細(xì)微的布線是有利的。
2022-07-06 16:50:321539 
（也稱為 HNA 腐蝕劑）；對(duì)硅的刻蝕速率和對(duì)掩模材料的刻蝕選擇性可通過(guò)各組分比例的不同來(lái)調(diào)節(jié)。目前，各向同性濕法刻蝕的實(shí)際應(yīng)用較少。
2022-10-08 09:16:323581 選擇性波峰焊的出現(xiàn)主要是為了替代傳統(tǒng)的手工焊接，主要用于PCB板其他元器件組裝完成后對(duì)個(gè)別插腳元器件進(jìn)行焊接。選擇性波峰焊的優(yōu)點(diǎn)是它的適用性很強(qiáng)，可以點(diǎn)焊、線焊和雙面焊接，可以很好的焊接不同位
2022-10-18 15:52:093882 
濕法刻蝕是集成電路制造工藝最早采用的技術(shù)之一。雖然由于受其刻蝕的各向同性的限制，使得大部分的濕法刻蝕工藝被具有各向異性的干法刻蝕替代，但是它在尺寸較大的非關(guān)鍵層清洗中依然發(fā)揮著重要的作用。
2022-11-11 09:34:187251 源漏選擇性外延一般采用氮化硅或二氧化硅作為硬掩模遮蔽層，利用刻蝕氣體抑制遮蔽層上的外延生長(zhǎng)，僅在曝露出硅的源漏極區(qū)域?qū)崿F(xiàn)外延生長(zhǎng)。
2022-11-29 16:05:151708 刻蝕是移除晶圓表面材料，達(dá)到IC設(shè)計(jì)要求的一種工藝過(guò)程。刻蝕有兩種:一種為圖形 化刻蝕，這種刻蝕能將指定區(qū)域的材料去除，如將光刻膠或光刻版上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底薄膜 上
2023-02-01 09:09:351748 濕法刻蝕利用化學(xué)溶液溶解晶圓表面的材料，達(dá)到制作器件和電路的要求。濕法刻蝕化學(xué)反應(yīng)的生成物是氣體、液體或可溶于刻蝕劑的固體。
2023-02-10 11:03:184085 前言 濕法制程工藝即制造過(guò)程中需要使用化學(xué)藥液的工藝，被廣泛使用于集成電路、平板顯示、太陽(yáng)能光伏等領(lǐng)域的制造過(guò)程中。以集成電路領(lǐng)域?yàn)槔A制造過(guò)程中，去膠、顯影、刻蝕、清洗都屬于濕法
2023-02-22 17:07:00371 
對(duì)于濕法刻蝕，大部分刻蝕的終點(diǎn)都取決于時(shí)間，而時(shí)間又取決于預(yù)先設(shè)定的刻蝕速率和所需的刻蝕厚度。由于缺少自動(dòng)監(jiān)測(cè)終點(diǎn)的方法，所以通常由操作員目測(cè)終點(diǎn)。濕法刻蝕速率很容易受刻蝕劑溫度與濃度的影響，這種影響對(duì)不同工作站和不同批量均有差異，因此單獨(dú)用時(shí)間決定刻蝕終點(diǎn)很困難，一般釆用操作員目測(cè)的方式。
2023-03-06 13:56:031773 壓力主要控制刻蝕均勻性和刻蝕輪廓，同時(shí)也能影響刻蝕速率和選擇性。改變壓力會(huì)改變電子和離子的平均自由程(MFP),進(jìn)而影響等離子體和刻蝕速率的均勻性。
2023-04-17 10:36:431922 但是，HCl為基體的刻蝕溶液，會(huì)嚴(yán)重地侵蝕Ni（Pt）Si或Ni（Pt）SiGe，使金屬硅化物阻值升高。這就要求有一種刻蝕劑是無(wú)氯基體，而且對(duì)Ni（Pt）Si或Ni（Pt）SiGe無(wú)傷害、對(duì)金屬選擇性又高。這就是目前常用的高溫硫酸和雙氧水混合液
2023-05-29 10:48:271462 
刻蝕硅，硅的均勻剝離，同時(shí)帶走表面顆粒。隨著器件尺寸縮減會(huì)引入很多新材料（如高介電常數(shù)和金屬柵極），那么在后柵極制程，多晶硅的去除常用氫氧化氨或四甲基羥胺（TMAH）溶液，制程關(guān)鍵是控制溶液的溫度和濃度，以調(diào)整刻蝕對(duì)多晶硅和其他材料的選擇比。
2023-06-05 15:10:011598 光刻工藝后，在硅片或晶圓上形成了光刻膠的圖形，下一步就是刻蝕。
2023-06-08 10:52:353321 
5月18日-5月19日，由華林科納舉辦的2023泛半導(dǎo)體濕法交流會(huì)第五期：化學(xué)流體系統(tǒng)技術(shù)與應(yīng)用交流會(huì)在江蘇南通市成功召開。會(huì)議共邀請(qǐng)42家企業(yè)參會(huì)，參會(huì)人員96人。本期交流會(huì)安排了學(xué)術(shù)技術(shù)交流報(bào)告、流體展示及實(shí)操等多種形式的活動(dòng)，交流高純流體在濕法領(lǐng)域的技術(shù)與應(yīng)用，并展示了超100種高純流體產(chǎn)品。
2023-06-09 17:30:34418 在半導(dǎo)體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說(shuō)“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料，從而創(chuàng)建所需的微細(xì)圖案。半導(dǎo)體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設(shè)備，在其他類似工藝中也很常見。
2023-06-15 17:51:571181 
：使用特定的化學(xué)溶液進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)來(lái)去除氧化膜的濕法刻蝕，以及使用氣體或等離子體的干法刻蝕。1、濕法刻蝕使用化學(xué)溶液去除氧化膜的濕法刻蝕具有成本低、刻蝕速度快和生產(chǎn)率高
2022-07-12 15:49:251454 
國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的行業(yè)盛會(huì)將在上海如期舉行，華林科納將為您帶來(lái)超全面且領(lǐng)先的濕法解決方案，并攜泛半導(dǎo)體濕法裝備服務(wù)平臺(tái)亮相SEMICON China，與上下游企業(yè)進(jìn)行一對(duì)一交流，為企業(yè)發(fā)展瓶頸找到
2023-07-04 17:01:30251 
由華林科納舉辦的2023泛半導(dǎo)體濕法交流會(huì)第五期：化學(xué)流體系統(tǒng)技術(shù)與應(yīng)用交流會(huì)在江蘇南通市成功召開。會(huì)議共邀請(qǐng)42家企業(yè)參會(huì)，參會(huì)人員96人。本期交流會(huì)安排了學(xué)術(shù)技術(shù)交流報(bào)告、流體展示
2023-07-14 08:47:03357 PVP可以在刻蝕過(guò)程中形成一層保護(hù)性的膜，降低刻蝕劑對(duì)所需刻蝕材料的腐蝕作用。它可以填充材料表面的裂縫、孔洞和微小空隙，并防止刻蝕劑侵入。這樣可以減少不需要的蝕刻或損傷，提高刻蝕的選擇性。
2023-08-17 15:39:392859 很多半導(dǎo)體、光伏行業(yè)的制造企業(yè)在選擇化學(xué)品酸堿輸送供應(yīng)管道時(shí)，都喜歡選擇華林科納的高純PFA管，選擇華林科納生產(chǎn)的高純PFA管作為化學(xué)品酸堿輸送供應(yīng)管道有以下幾個(gè)重要原因： 1、優(yōu)異的化學(xué)穩(wěn)定性
2023-09-13 17:29:48266 在半導(dǎo)體制造中，刻蝕工序是必不可少的環(huán)節(jié)。而刻蝕又可以分為干法刻蝕與濕法刻蝕，這兩種技術(shù)各有優(yōu)勢(shì)，也各有一定的局限性，理解它們之間的差異是至關(guān)重要的。
2023-09-26 18:21:003307 
刻蝕（或蝕刻）是從晶圓表面去除特定區(qū)域的材料以形成相應(yīng)微結(jié)構(gòu)。但是，在目標(biāo)材料被刻蝕時(shí)，通常伴隨著其他層或掩膜的刻蝕。
2023-10-07 14:19:252073 
半導(dǎo)體前端工藝（第四篇）：刻蝕——有選擇性地刻蝕材料，以創(chuàng)建所需圖形
2023-11-27 16:54:26256 
濕法刻蝕由于成本低、操作簡(jiǎn)單和一些特殊應(yīng)用，所以它依舊普遍。
2023-11-27 10:20:17454 
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