電子發(fā)燒友網(wǎng)訊【編譯/Triquinne】 ：賽靈思公司（Xilinx）今天發(fā)布公告，宣布其20nm產(chǎn)品系列發(fā)展戰(zhàn)略，包括下一代8系列All Programmable FPGA以及第二代3D IC和SoC。20nm產(chǎn)品系列建立在業(yè)經(jīng)驗(yàn)證
2012-11-14 15:32:29
1076 20nm能讓我們超越什么？對(duì)于像賽靈思（Xilinx）這樣剛剛在28nm上花了巨資量產(chǎn)的公司，為什么又要去追20nm呢？20nm FPGA會(huì)帶給我們什么樣的科技進(jìn)步？20nm FPGA背后到底蘊(yùn)藏了哪些巨大能量？
2013-01-22 08:36:341317 臺(tái)積電（TSMC）的高管對(duì)即將來(lái)臨的20nm芯片生產(chǎn)與銷(xiāo)售信心滿(mǎn)滿(mǎn)，臺(tái)積電CEO張忠謀上周就曾做過(guò)一個(gè)預(yù)測(cè)，他說(shuō)最新的20nm工藝芯片2014年的成績(jī)會(huì)比先前28nm芯片頭兩年賣(mài)得還要好。
2013-01-23 08:57:45699 賽靈思公司今天宣布下一代20nm All Programmable器件推出的三大里程碑事件。賽靈思20nm產(chǎn)品系列建立在其業(yè)經(jīng)驗(yàn)證的28nm突破性技術(shù)基礎(chǔ)之上，在系統(tǒng)性能、低功耗和可編程系統(tǒng)集成方面擁有著領(lǐng)先一代的優(yōu)勢(shì)。
2013-01-31 15:52:16893 臺(tái)積電的20nm芯片生產(chǎn)設(shè)施或?qū)⑴c本月20日開(kāi)始安裝,有可能在今年第2季度末期拿出20nm SoC產(chǎn)品樣品,正常情況下將在2014年進(jìn)入量產(chǎn)。
2013-04-07 09:41:26910 Altera公司今天宣布，公司展出了業(yè)界首款具有32-Gbps收發(fā)器功能的可編程器件，在收發(fā)器技術(shù)上樹(shù)立了另一關(guān)鍵里程碑。此次展示使用了基于TSMC 20SoC工藝技術(shù)的20 nm器件，該成果證實(shí)了20nm硅片的性能。
2013-04-09 10:38:431249 Mentor CEO認(rèn)為：進(jìn)入20nm、14/16nm及10nm工藝時(shí)代后，摩爾定律可能會(huì)失效，每個(gè)晶體管成本每年的下降速度不到30%，這導(dǎo)致企業(yè)面臨的成本挑戰(zhàn)會(huì)更加嚴(yán)峻。
2013-09-20 10:06:001635 All Programmable FPGA、SoC和3D IC的全球領(lǐng)先企業(yè)賽靈思公司 （Xilinx， Inc. （NASDAQ:XLNX） ）今天宣布推出其20nm All Programmable UltraScale?產(chǎn)品系列，并提供相關(guān)產(chǎn)品技術(shù)文檔和Vivado?設(shè)計(jì)套件支持。
2013-12-10 22:50:33935 有消息稱(chēng)，這款蘋(píng)果A8芯片將會(huì)采用臺(tái)積電的20nm制程工藝。出于貨源穩(wěn)定性的考慮，不會(huì)采用年底更為超前的16nm。盡管16nm的芯片會(huì)在明年正式量產(chǎn)，但是產(chǎn)能和技術(shù)上仍不慎穩(wěn)定。
2013-12-16 08:56:431870 蘋(píng)果A7處理器推出后，高通也迅速推出了64位移動(dòng)處理器驍龍410，由于該處理器定位中低端，因此，它的風(fēng)頭反被NVIDIA推出的Tegra K1所搶去。對(duì)此，外媒傳來(lái)消息稱(chēng)，高通將在2014年下半年推出高端產(chǎn)品驍龍810，其將采用20nm工藝制造，GPU也升級(jí)為Adreno 430。
2014-01-23 09:35:182462 據(jù)報(bào)道AMD明年代號(hào)“北極群島”的GPU家族將完全跳過(guò)有問(wèn)題的20nm工藝節(jié)點(diǎn)，北極群島系列GPU將直接采用14nm FinFE工藝生產(chǎn)，希望實(shí)現(xiàn)更高的效率。
2015-04-24 11:15:501150 在歷經(jīng)16nm/14nm閘極成本持續(xù)增加后，可望在10nm時(shí)降低。雖然IBS并未預(yù)期工藝技術(shù)停止微縮，但預(yù)計(jì)試錯(cuò)成本（cost penalty）將出現(xiàn)在采用20nm bulk CMOS HKMG和16/14nm FinFET之際。
2015-06-23 10:39:271246 據(jù)三星官網(wǎng)新聞，韓國(guó)巨頭宣布推出業(yè)界首款8GB LPDDR4 DRAM成片。此次的8GB LPDDR4內(nèi)存芯片采用16Gb顆粒，10nm級(jí)（10nm~20nm之間）工藝制造，可實(shí)現(xiàn)與20nm級(jí)4GB
2016-10-20 10:55:481662 著稱(chēng)，三星為了趕超臺(tái)積電選擇直接跳過(guò)20nm工藝而直接開(kāi)發(fā)14nmFinFET工藝，臺(tái)積電雖然首先開(kāi)發(fā)出16nm工藝不過(guò)由于能效不佳甚至不如20nm工藝只好進(jìn)行改進(jìn)引入FinFET工藝，就此三星成功實(shí)現(xiàn)了領(lǐng)先。
2017-03-02 01:04:491675 此前曾經(jīng)報(bào)道ARM的下一代架構(gòu)Cortex A15將提供雙倍于Cortex A9的性能，產(chǎn)品采用TSMC的28nm工藝，不過(guò)就在今天ARM和TSMC聯(lián)合宣布已經(jīng)成功流片20nm ARM Cortex-A15 MPCore芯片。
2011-10-19 09:10:401463 電子發(fā)燒友網(wǎng)訊：“熟悉FPGA行業(yè)和對(duì)賽靈思有一定了解的業(yè)界人士都知道，賽靈思在28nm技術(shù)上取得了多項(xiàng)重大突破， 其產(chǎn)品組合處于整整領(lǐng)先一代?；?8nm技術(shù)突破之上的20nm產(chǎn)品系列
2012-11-19 09:27:483587 ，從而不需要更小的工藝就可以使密度增加。這可能意味著會(huì)有更好的可靠性和更長(zhǎng)的耐用性。據(jù)報(bào)道，三星的工藝是40nm的，而現(xiàn)代SSD的制造工藝小于20nm。很長(zhǎng)時(shí)間以來(lái)，三星是唯一能夠生產(chǎn)3D NAND閃存
2017-11-17 14:30:57
的DVD ，藍(lán)光DVD提供了更為清晰的高清片源，尤其是3D片源，藍(lán)光DVD的接口由HDMI1.3 發(fā)展到了支持3D格式信源設(shè)計(jì)的HDMI1.4標(biāo)準(zhǔn)。本文著重介紹了一種實(shí)現(xiàn)能夠播放3D片源，還可以將2D信號(hào)
2011-07-11 18:05:22
這段時(shí)間以來(lái)，最熱的話(huà)題莫過(guò)于iPhone X的Face ID，關(guān)于用它刷臉的段子更是滿(mǎn)天飛。其實(shí)iPhone X 實(shí)現(xiàn)3D視覺(jué)刷臉是采用了深度機(jī)器視覺(jué)技術(shù)(亦稱(chēng)3D機(jī)器視覺(jué))。由于iPhone X的推動(dòng)，3D視覺(jué)市場(chǎng)或許將被徹底的激活。
2019-07-25 07:05:48
什么是3D圖形芯片？3D圖像生成算法的原理是什么？
2021-06-04 06:29:06
快速制造優(yōu)勢(shì)。采用3D打印技術(shù)制造的原型產(chǎn)品大大縮短了研發(fā)和實(shí)驗(yàn)時(shí)間，加快了企業(yè)研發(fā)生產(chǎn)進(jìn)度，同時(shí)還避免了許多創(chuàng)意想法受限于傳統(tǒng)制造工藝無(wú)法實(shí)現(xiàn)的窘境。在這方面，研發(fā)了中國(guó)首臺(tái)自產(chǎn)噴頭砂型3D打印機(jī)風(fēng)暴
2018-08-11 11:25:58
全稱(chēng)加工需要人工介入0，遇到中空結(jié)構(gòu)更是難上加難。但對(duì)于3d打印來(lái)說(shuō)，任何的結(jié)構(gòu)形狀都不成問(wèn)題，無(wú)論多么復(fù)雜的裝飾，都是可以用層層堆疊方式的原理輕松實(shí)現(xiàn)的。Olivier正式利用的這點(diǎn)，把大自然的藝術(shù)
2019-12-13 11:02:46
`3D打印機(jī)到底有什么用處和優(yōu)點(diǎn)？什么樣的三維打印機(jī)比較好隨著創(chuàng)新速度日益加快，3D 打印解決方案將實(shí)現(xiàn)更快的設(shè)計(jì)周期、更簡(jiǎn)單的供應(yīng)鏈和更具可持續(xù)性的實(shí)踐。協(xié)助用戶(hù)快速應(yīng)對(duì)市場(chǎng)變化，快速制定明智
2018-09-13 11:38:06
3D顯示技術(shù)的原理是什么？3D顯示技術(shù)有哪些應(yīng)用？3D拍好了到底怎么樣傳輸？
2021-05-31 06:53:03
3D模型基礎(chǔ)
2021-01-28 07:50:30
的減輕產(chǎn)品重量呢？采用新型的塑料成型技術(shù)：3D混合制造 可以到達(dá)要求，3D混合制造步驟是3D打印成型/激光LDS選擇性沉積金屬。采用這種工藝的好處是節(jié)省了制造時(shí)間和實(shí)現(xiàn)了復(fù)雜的饋源/波導(dǎo)等器件的一體化免安裝調(diào)試，且?guī)?lái)的另外好處是大幅度減輕了產(chǎn)品重量。下面舉例說(shuō)明：
2019-07-08 06:25:50
浩辰3D作為由浩辰CAD公司研發(fā)的高端3D設(shè)計(jì)軟件，能夠提供更完備的2D+3D一體化解決方案，基于人們的實(shí)際應(yīng)用需求，幫助設(shè)計(jì)師更智能高效地進(jìn)行創(chuàng)新設(shè)計(jì)，以高精確、強(qiáng)交互的設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)來(lái)銜接工藝制造等
2021-06-04 14:11:29
上面，3D打印發(fā)光字形狀會(huì)更隨心所欲一些，可以操作的空間會(huì)更大一些。而傳統(tǒng)發(fā)光字在形狀上就會(huì)受到一些工藝上面的阻礙而達(dá)不到所期待的效果。雕刻機(jī)為了節(jié)省材料，一般在切割之前，都要通過(guò)移動(dòng)、旋轉(zhuǎn)等功能，把
2018-08-27 08:51:51
下圖。 硅通孔TSV型堆疊 硅通孔TSV型堆疊一般是指將相同的芯片通過(guò)硅通孔TSV進(jìn)行電氣連接，這種技術(shù)對(duì)工藝要求較高，需要對(duì)芯片內(nèi)部的電路和結(jié)構(gòu)有充分的了解，因?yàn)楫吘挂?b class="flag-6" style="color: red">芯片上打孔，一不小心就會(huì)損壞
2020-11-27 16:39:05
10nm、7nm等到底是指什么？芯片工藝從目前的7nm升級(jí)到3nm后，到底有多大提升呢？
2021-06-18 06:43:04
正在從二維走向三維世界——芯片設(shè)計(jì)、芯片封裝等環(huán)節(jié)都在向3D結(jié)構(gòu)靠攏。晶體管架構(gòu)發(fā)生了改變當(dāng)先進(jìn)工藝從28nm向22nm發(fā)展的過(guò)程中，晶體管的結(jié)構(gòu)發(fā)生了變化——傳統(tǒng)的平面型晶體管技術(shù)（包括體硅技術(shù)
2020-03-19 14:04:57
`AD16的3D封裝庫(kù)問(wèn)題以前采用封裝庫(kù)向?qū)傻?b class="flag-6" style="color: red">3D元件庫(kù)，都有芯片管腳的，如下圖：可是現(xiàn)在什么設(shè)置都沒(méi)有改變，怎么生成的3D庫(kù)就沒(méi)有管腳了呢？請(qǐng)問(wèn)是什么原因？需要怎么處理，才能和原來(lái)一樣？謝謝！沒(méi)管腳的就是下面的樣子：`
2019-09-26 21:28:33
Altium designer summer 09 怎么建立3D庫(kù)，及PCB怎么導(dǎo)出3D圖，請(qǐng)教各位前輩們
2016-11-23 19:48:22
FPGA在先進(jìn)工藝路上的狂飚猛進(jìn)帶來(lái)了如影隨形的挑戰(zhàn)：一方面，進(jìn)入20nm和14nm階段后，不光是FPGA復(fù)雜度提升，對(duì)其外圍的電源管理等芯片也提出了“與時(shí)俱進(jìn)”的要求。另一方面，隨著SoC
2019-08-30 07:56:58
XX nm制造工藝是什么概念？為什么說(shuō)7nm是物理極限？
2021-10-20 07:15:43
功耗。 o 新一代布線技術(shù)支持快速時(shí)序收斂?！ 增強(qiáng)型邏輯基礎(chǔ)架構(gòu)最大化性能和器件的利用率?！ ∑渌盗刑赜械墓δ馨ǎ骸 多達(dá)440萬(wàn)個(gè)邏輯單元、采用20nm工藝以及第二代3D IC技術(shù)
2013-12-17 11:18:00
。Tontop成功推出并已量產(chǎn)兩個(gè)季度的的全新工藝制程LRP，可實(shí)現(xiàn)比FPC更強(qiáng)的3D性能，價(jià)格比LDS大幅下降。而且是不需要化鍍的環(huán)保3D-MID技術(shù)3D-MID是英文“Three –dimensional
2013-07-25 22:51:17
三星電子近日在國(guó)際學(xué)會(huì)“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開(kāi)發(fā)發(fā)表了演講。演講中稱(chēng)，三星此次試制出了20nm工藝的DRAM，并表示可以“采用同樣的方法，達(dá)到10nm工藝”。 國(guó)際電子器件
2015-12-14 13:45:01
：“BeSang創(chuàng)立于三年前，是家專(zhuān)門(mén)做3D IC技術(shù)的公司， BeSang即將實(shí)現(xiàn)單芯片3D IC工藝的商業(yè)化應(yīng)用。通過(guò)在邏輯器件頂部使用低溫工藝和縱向存儲(chǔ)設(shè)備，每個(gè)晶圓可以制造更多的裸片，這就是裸片
2008-08-18 16:37:37
裸眼3D該如何去實(shí)現(xiàn)呢？如何讓模擬出來(lái)的3D世界與真實(shí)的3D世界盡量接近呢？
2021-06-01 07:20:25
偽3D能否實(shí)現(xiàn)低成本？本文將為你詳細(xì)解答這個(gè)問(wèn)題。
2021-05-10 07:16:11
使用DLP技術(shù)的3D打印光固化成形法 (SLA)，一個(gè)常見(jiàn)的3D打印工藝，與傳統(tǒng)打印很相似。與硒鼓將碳粉沉積在紙張上很類(lèi)似，3D打印機(jī)在連續(xù)的2D橫截面上沉淀數(shù)層材料，這些材料一層層的疊加
2022-11-18 07:32:23
如何使用新款TI DLP Pico芯片組實(shí)現(xiàn)高精度臺(tái)式3D打印和便攜式3D掃描？
2021-06-02 06:34:48
怎么創(chuàng)建3D模型
2019-09-17 05:35:50
`3D打印技術(shù)運(yùn)用到廣告標(biāo)識(shí)行業(yè)，預(yù)示著廣告制作工藝的由復(fù)雜到簡(jiǎn)易化的發(fā)展方向，只要圖形設(shè)計(jì)出來(lái)，那就可以3D打印出來(lái)，這種優(yōu)勢(shì)是任何技術(shù)都比擬不了的。3D打印是一項(xiàng)可以顛覆廣告行業(yè)的新興技術(shù)。利用
2018-10-14 16:56:30
達(dá)到300億美元的規(guī)模，2014年更可望成長(zhǎng)10%-20%。對(duì)此，趙甘鳴預(yù)測(cè)，2014年將是晶圓代工產(chǎn)業(yè)20納米技術(shù)與3D NAND起飛量產(chǎn)的一年，3D存儲(chǔ)器的發(fā)展將導(dǎo)致芯片代工企業(yè)的主要支出由光刻向
2014-07-12 17:17:04
`如何把3D文件(STEP)添加到3D庫(kù)?復(fù)制到3D庫(kù)不能用.`
2013-08-21 12:42:02
MOSFET：在硅上采用硅鍺結(jié)構(gòu)是改善性能的一種方法。Intel近期展示了一款高速低功耗量子阱場(chǎng)效應(yīng)晶體管。這種P溝道結(jié)構(gòu)將基于40nm InSb材料。5. 基于通孔硅技術(shù)的3D芯片：Sematech近期透露了建立基于通孔硅技術(shù)的300mm 3D芯片研發(fā)計(jì)劃。
2014-01-04 09:52:44
3D打印技術(shù)是綜合了三維數(shù)字技術(shù)、控制技術(shù)、信息技術(shù)眾多技術(shù)的創(chuàng)新研發(fā)技術(shù)，具有設(shè)計(jì)樣式多元化、試制成本低、制作材料豐富等特點(diǎn)。通過(guò)數(shù)字化設(shè)計(jì)工具+3D打印技術(shù)相結(jié)的模式，可以幫助企業(yè)高效實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新
2021-05-27 19:05:15
，TSMC宣稱(chēng)，其20 nm技術(shù)“…速度比28 nm技術(shù)高出30%…?！边@并沒(méi)有達(dá)到我們工藝代之間翻倍的預(yù)期，但并不說(shuō)明這不重要。在整個(gè)模塊上實(shí)現(xiàn)這么高的速率而不是在幾個(gè)關(guān)鍵通路上，那么，可能會(huì)需要大量
2014-09-01 17:26:49
3D打印過(guò)程中，由于速度、距離、材料等特性的不同，在粉末逐層堆疊累積的過(guò)程中，溫度會(huì)出現(xiàn)異常，如跳變、過(guò)高、過(guò)低、不均勻等，造成打印后的結(jié)構(gòu)件性能下降，韌度差、彈性不夠、變脆、隱紋等。使用大師之選系列熱像儀在可以為金屬打印過(guò)程中，提供有效的檢測(cè)方案。
2020-05-08 07:21:17
`華爾街日?qǐng)?bào)發(fā)布文章稱(chēng)，科技產(chǎn)品下一個(gè)重大突破將在芯片堆疊領(lǐng)域出現(xiàn)。Apple Watch采用了先進(jìn)的的3D芯片堆疊封裝技術(shù)作為幾乎所有日常電子產(chǎn)品最基礎(chǔ)的一個(gè)組件，微芯片正出現(xiàn)一種很有意思的現(xiàn)象
2017-11-23 08:51:12
像我們看到的Xilinx 28nm Virtex 7 28mm或者20nm 的UltraScale啊。nm在FPGA里面具體指什么呢
2018-10-08 17:18:18
在3D模式下能不能隱藏元件的3D，就是3D模式下只能看見(jiàn)PCB板
2019-04-18 05:51:13
的低功耗 MSP430 嵌入式處理器，將層曝光與電機(jī)控制同步，以便實(shí)現(xiàn)精確的漸進(jìn)式 3D 打印。 特性集成電機(jī)驅(qū)動(dòng)例程通過(guò)自適應(yīng) GUI 自定義層疊順序采用模塊化系統(tǒng)設(shè)計(jì)，方便移植到其他 DLP 芯片組
2022-09-26 07:03:30
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高清圖詳解英特爾最新22nm 3D晶體管
2012-08-05 21:48:28
三維（3D）掃描是一種功能強(qiáng)大的工具，可以獲取各種用于計(jì)量設(shè)備、檢測(cè)設(shè)備、探測(cè)設(shè)備和3D成像設(shè)備的體積數(shù)據(jù)。當(dāng)設(shè)計(jì)人員需要進(jìn)行毫米到微米分辨率的快速高精度掃描時(shí)，經(jīng)常選擇基于TI DLP?技術(shù)的結(jié)構(gòu)光系統(tǒng)。
2019-08-06 08:09:48
臺(tái)積電又跳過(guò)22nm工藝 改而直上20nm
為了在競(jìng)爭(zhēng)激烈的半導(dǎo)體代工行業(yè)中提供最先進(jìn)的制造技術(shù)，臺(tái)積電已經(jīng)決定跳過(guò)22nm工藝的研
2010-04-15 09:52:16867 GlobalFoundries日前試產(chǎn)了20nm測(cè)試芯片，該芯片采用Cadence，Magma，Mentor Graphics和Synopsys的設(shè)計(jì)工具。此次試制的測(cè)試芯片使用了雙重圖形(Double Patterning)，每家EDA合作伙伴都提供了大量的布局
2011-09-01 09:53:111269 Sondrel公司近日將在IIC-China 2012現(xiàn)場(chǎng)展示20nm的模擬和數(shù)碼設(shè)計(jì)技術(shù)。Sondrel在歐洲不同國(guó)家，以及以色列和中國(guó)有強(qiáng)大的設(shè)計(jì)服務(wù)團(tuán)隊(duì)，包括前端，驗(yàn)證，DFT等全套設(shè)計(jì)服務(wù)。
2012-02-23 09:49:46994 晶圓代工巨擘臺(tái)積電（TSMC）日前表示，將在 20nm 節(jié)點(diǎn)提供單一製程，這與該公司過(guò)去針對(duì)不同製程節(jié)點(diǎn)均提供多種製程服務(wù)的策略稍有不同。
2012-04-22 11:09:441076 GlobalFoundries 已開(kāi)始在紐約的 Fab 8 廠房中安裝硅穿孔（TSV）設(shè)備。如果一切順利，該公司希望在2013下半年開(kāi)始採(cǎi)用 20nm 及 28nm 製程技術(shù)製造3D堆疊晶片。
2012-05-01 10:13:121039 據(jù)報(bào)道，2012年臺(tái)積電準(zhǔn)備為其R&D投入13億美元，作為本年度資本支出預(yù)算中的一部分。去年，臺(tái)積電的R&D預(yù)算首次突破10億美元。而今年多出的30%將會(huì)用于20nm和14nm工藝研發(fā)。20nm工藝預(yù)計(jì)
2012-05-15 10:18:21675 據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，臺(tái)積電（TSMC）預(yù)計(jì)會(huì)在下月試產(chǎn)20nm芯片制程，即將成為全球首家進(jìn)入20nm技術(shù)的半導(dǎo)體公司。若該芯片試產(chǎn)成功，將超越英特爾（Intel）的22nm制程，拉開(kāi)與三星電子（
2012-07-18 09:44:33840 8月14日消息，ARM和芯片工廠Globalfoundries日前宣布，雙方將聯(lián)手研發(fā)20nm工藝節(jié)點(diǎn)和FinFET技術(shù)。 ARM之前和臺(tái)積電進(jìn)行了緊密合作，在最近發(fā)布了若干使用臺(tái)積電28nm工藝節(jié)點(diǎn)制作的硬宏處理
2012-08-14 08:48:11636 每一代硅片新技術(shù)既帶來(lái)了新機(jī)遇，也意味著挑戰(zhàn)，因此，當(dāng)我們?cè)O(shè)計(jì)系統(tǒng)時(shí)，需要重新審視最初所作出的成本和功耗決定。20 nm以及今后的硅片技術(shù)亦是如此。 Altera在 20nm 制造節(jié)點(diǎn)的
2012-09-07 09:41:08477 臺(tái)積電積極開(kāi)發(fā)20nm制程，花旗環(huán)球證券指出，在技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)下，未來(lái)1~2年內(nèi)有機(jī)會(huì)獨(dú)吞蘋(píng)果（Apple）A7處理器訂單。野村證券評(píng)估，臺(tái)積電明年第1季開(kāi)始試產(chǎn)A7，順利的話(huà)，后年上半
2012-09-28 09:40:061048 Mentor Graphics公司日前宣布Calibre LFD（光刻友好設(shè)計(jì)）光刻檢查工具已獲得TSMC的20nm IC制造工藝認(rèn)證。 Calibre LFD可對(duì)熱點(diǎn)進(jìn)行識(shí)別，還可對(duì)設(shè)計(jì)工藝空間是否充足進(jìn)行檢查。光學(xué)臨近校正法
2012-09-29 10:30:461761 電子發(fā)燒友網(wǎng)核心提示 :Mentor Graphics公司日前宣布Calibre LFD（光刻友好設(shè)計(jì)）光刻檢查工具已獲得TSMC的20nm IC制造工藝認(rèn)證。 Calibre LFD可對(duì)熱點(diǎn)進(jìn)行識(shí)別，還可對(duì)設(shè)計(jì)工藝空間是否充足進(jìn)
2012-10-08 16:00:14915 近期，Altera發(fā)布其下一代20nm產(chǎn)品中規(guī)劃的幾項(xiàng)關(guān)鍵創(chuàng)新技術(shù)，延續(xù)在硅片融合上的承諾，克服了20nm設(shè)計(jì)五大挑戰(zhàn)，實(shí)現(xiàn)了系統(tǒng)集成、串行帶寬、DSP性能三大突破。
2012-10-16 11:29:101077 電子發(fā)燒友網(wǎng)核心提示： 本文就可編程邏輯廠商阿爾特拉（Altera）公司首次公開(kāi)的20nm創(chuàng)新技術(shù)展開(kāi)調(diào)查以及深入的分析；深入闡述了FPGA邁向20nm工藝，Altera憑借其異構(gòu)3D IC、高速收發(fā)器
2012-11-01 13:48:581993 電子發(fā)燒友網(wǎng)訊：關(guān)于摩爾定律的經(jīng)濟(jì)活力問(wèn)題，有很多的討論。在過(guò)去的一年中，20nm節(jié)點(diǎn)進(jìn)入到這個(gè)辯論的前沿和中心。無(wú)論說(shuō)辭如何，包括賽靈思在內(nèi)的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)在20nm研發(fā)上的積極
2012-11-14 11:19:521196 據(jù)《韓國(guó)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，NVIDIA在新制造工藝上已經(jīng)選中了臺(tái)積電的20nm，雙方的長(zhǎng)期合作將繼續(xù)深入下去，而這也意味著，NVIDIA代號(hào)麥克斯韋（Maxwell）的下代GPU仍將出自臺(tái)積電之手。
2012-12-07 17:00:14839 Xilinx公布其在20nm產(chǎn)品的表現(xiàn)上還將保持領(lǐng)先一代的優(yōu)勢(shì)，究竟在20 nm制程上，Xilinx的產(chǎn)品有哪些演進(jìn)使其保持領(lǐng)先競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手一代的優(yōu)勢(shì)？詳見(jiàn)本文
2013-01-10 09:33:43961 臺(tái)灣半導(dǎo)體制造公司(TSMC)將為蘋(píng)果提供AP/ GPU集成的解決方案，并且采用20nm Soc片上系統(tǒng)工藝為蘋(píng)果代工。
2013-01-17 20:58:171257 賽靈思公司今天宣布，延續(xù)28nm工藝一系列行業(yè)創(chuàng)新，在20nm工藝節(jié)點(diǎn)再次推出兩大行業(yè)第一：投片半導(dǎo)體行業(yè)首款20nm器件，也是可編程邏輯器件(PLD)行業(yè)首款20nm All
2013-07-09 20:01:503807 017年20nm、16nm及以下的先進(jìn)工藝將成為主流，這對(duì)我們?cè)O(shè)計(jì)業(yè)、制造業(yè)是一個(gè)很大的啟示：我們?cè)趺礃舆m應(yīng)全球先進(jìn)工藝。
2013-12-16 09:40:211925 2014年12月22日，中國(guó)北京 - All Programmable 技術(shù)和器件的全球領(lǐng)先企業(yè)賽靈思公司（Xilinx， Inc. （NASDAQ:XLNX））今天宣布其 Kintex? UltraScale? KU040 FPGA成為業(yè)界首款投入量產(chǎn)的20nm器件。
2014-12-22 17:36:13967 在絕大部分使用電池供電和插座供電的系統(tǒng)中，功耗成為需要考慮的第一設(shè)計(jì)要素。Xilinx決定使用20nm工藝的UltraScale器件來(lái)直面功耗設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)，本文描述了在未來(lái)的系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，使用Xilinx 20nm工藝的UltraScale FPGA來(lái)降低功耗的19種途徑。
2018-07-14 07:21:005058 了，SK Hynix和美光這時(shí)候還掙扎在20nm工藝DRAM芯片量產(chǎn)中呢。不過(guò)昨天一紙傳聞稱(chēng)三星18nm工藝的DRAM芯片惹禍了，可能會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)藍(lán)屏，三星正在召回——不過(guò)三星官方日前回應(yīng)稱(chēng)這是謠言。
2017-03-03 14:22:572482 在28nm技術(shù)突破的基礎(chǔ)上，賽靈思又宣布推出基于20nm節(jié)點(diǎn)的兩款業(yè)界首創(chuàng)產(chǎn)品。賽靈思是首家推出20nm商用芯片產(chǎn)品的公司。此外，該新型器件也是賽靈思將向市場(chǎng)推出的首款采用UltraScale技術(shù)
2018-01-12 05:49:45706 梁孟松是臺(tái)積電前研發(fā)處長(zhǎng)，是臺(tái)積電FinFET工藝的技術(shù)負(fù)責(zé)人，而FinFET工藝是芯片制造工藝從28nm往20nm工藝以下演進(jìn)的關(guān)鍵，2014年臺(tái)積電研發(fā)出16nm工藝之后因制程能效甚至不
2018-09-02 09:00:133310 在近日舉行的英特爾“架構(gòu)日”活動(dòng)中，英特爾不僅展示了基于10納米的PC、數(shù)據(jù)中心和網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)，支持人工智能和加密加速功能的下一代“Sunny Cove”架構(gòu)，還推出了業(yè)界首創(chuàng)的3D邏輯芯片封裝技術(shù)——Foveros。這一全新的3D封裝技術(shù)首次引入了3D堆疊的優(yōu)勢(shì)，可實(shí)現(xiàn)在邏輯芯片上堆疊邏輯芯片。
2018-12-14 15:35:327850 ADI Guneet Chadha探討電源系統(tǒng)管理(PSM)如何確定Intel Arria ARM Cortex 20nm SoC FPGA上8個(gè)電源的時(shí)序或按照預(yù)定順序開(kāi)啟各電源
2019-07-24 06:16:001618 “臺(tái)積公司是我們?cè)?28nm、20nm 和 16nm 實(shí)現(xiàn)‘三連冠（3 Peat）’成功的堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。其出色的工藝技術(shù)、3D 堆疊技術(shù)和代工廠服務(wù)，讓賽靈思在出色的產(chǎn)品、優(yōu)異的品質(zhì)、強(qiáng)大的執(zhí)行力以及領(lǐng)先的市場(chǎng)地位上享有了無(wú)與倫比的聲譽(yù)。
2019-08-01 09:24:522209 困于10nm的Intel也在這方面尋找新的機(jī)會(huì)，其在去年年底的“架構(gòu)日”活動(dòng)中，推出其業(yè)界首創(chuàng)的3D邏輯芯片封裝技術(shù)——Foveros，F(xiàn)overos首次引入3D堆疊的優(yōu)勢(shì)，可實(shí)現(xiàn)在邏輯芯片上堆疊
2020-01-28 16:10:003031 賽靈思UltraScale架構(gòu)：行業(yè)第一個(gè)ASIC級(jí)可編程架構(gòu)，可從20nm平面晶體管結(jié)構(gòu) （planar）工藝向16nm乃至FinFET晶體管技術(shù)擴(kuò)展，從單芯片（monolithic）到3D IC擴(kuò)展。
2019-12-18 15:30:23801 根據(jù)報(bào)道，華為將在國(guó)內(nèi)建設(shè)一家45nm制程工藝起步的芯片工廠，計(jì)劃在2021年底為物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備制造28nm的芯片，并在2022年底之前為5G設(shè)備供應(yīng)20nm的芯片。
2020-11-02 17:41:302770 ，計(jì)劃在2021年年底為物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備制造28nm芯片，且預(yù)計(jì)在2022年底之前為5G設(shè)備供應(yīng)20nm芯片。 該報(bào)道稱(chēng)，由于華為此前并沒(méi)有制造芯片的經(jīng)驗(yàn)，因此該工廠將由上海市政府支持的上海集成電路研發(fā)中心有限公司（ICRD）運(yùn)營(yíng)。 對(duì)此華為未予置評(píng)。無(wú)論華為
2020-11-05 16:50:3410357 
UltraScale是基于20nm工藝制程的FPGA，而UltraScale+則是基于16nm工藝制程的FPGA。
2023-03-09 14:12:544129 在3D實(shí)現(xiàn)方面，存儲(chǔ)器比邏輯更早進(jìn)入實(shí)用階段。NAND閃存率先邁向3D 。隨著目前量產(chǎn)的20-15nm工藝，所有公司都放棄了小型化，轉(zhuǎn)而轉(zhuǎn)向存儲(chǔ)單元的三維堆疊，以提高每芯片面積的位密度。它被稱(chēng)為“ 3D（三維）NAND ” 。
2023-12-02 16:38:40786 
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