在本系列的前幾篇文章中[1-7]，我們介紹了基于安森美豐富的SiC功率模塊和其他功率器件開(kāi)發(fā)的25 kW EV快充系統(tǒng)。
2022-06-29 11:30:50
5045 在很寬的范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)對(duì)器件制造所需的p型和n型的控制。因此，SiC被認(rèn)為是有望超越硅極限的功率器件材料。SiC具有多種多型（晶體多晶型），并且每種多型顯示不同的物理特性。對(duì)于功率器件，4H-SiC被認(rèn)為是理想的，其單晶4英寸到6英寸之間的晶圓目前已量產(chǎn)。
2022-11-22 09:59:261373 SiC MOSFET器件的集成化、高頻化和高效化需求，對(duì)功率模塊封裝形式和工藝提出了更高的要求。本文中總結(jié)了近年來(lái)封裝形式的結(jié)構(gòu)優(yōu)化和技術(shù)創(chuàng)新，包括鍵合式功率模塊的金屬鍵合線長(zhǎng)度、寬度和并聯(lián)
2023-01-07 10:24:371062 為滿足快速發(fā)展的電動(dòng)汽車行業(yè)對(duì)高功率密度 SiC 功率模塊的需求，進(jìn)行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全橋 SiC 功率模塊設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā)，提出了一種基于多疊層直接鍵合銅單元的功率模塊封裝方法來(lái)并聯(lián)更多的芯片。
2024-03-13 10:34:03377 
半導(dǎo)體器件具有導(dǎo)通電阻小、阻斷電壓高、耐高溫耐高壓等優(yōu)點(diǎn)。隨著SiC基半導(dǎo)體工藝的成熟，SiC成為工作于較高環(huán)境溫度和較大功率場(chǎng)合下的--寬禁帶半導(dǎo)體材料。近年來(lái)隨著電力電子技術(shù)在電動(dòng)汽車、風(fēng)力發(fā)電
2019-10-24 14:25:15
802.11n的技術(shù)核心是什么？802.11n技術(shù)關(guān)鍵點(diǎn)是什么？
2021-05-21 07:07:52
基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體的新型高效率、超快速功率轉(zhuǎn)換器已經(jīng)開(kāi)始在各種創(chuàng)新市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域攻城略地——這類應(yīng)用包括太陽(yáng)能光伏逆變器、能源存儲(chǔ)、車輛電氣化（如充電器
2019-07-31 06:16:52
晶體生長(zhǎng)和器件加工技術(shù)的額外動(dòng)力。在20世紀(jì)80年代后期，世界各地正在進(jìn)行大量努力，以提高SiC襯底和六方SiC外延的質(zhì)量 - 垂直SiC功率器件所需 - 從日本的京都大學(xué)和AIST等機(jī)構(gòu)到俄羅斯
2023-02-27 13:48:12
家公司已經(jīng)建立了SiC技術(shù)作為其功率器件生產(chǎn)的基礎(chǔ)。此外，幾家領(lǐng)先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來(lái)基于SiC的產(chǎn)品的路線圖奠定了基礎(chǔ)。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開(kāi)關(guān);性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
SiC-DMOS的特性現(xiàn)狀是用橢圓圍起來(lái)的范圍。通過(guò)未來(lái)的發(fā)展，性能有望進(jìn)一步提升。從下一篇開(kāi)始，將單獨(dú)介紹與SiC-MOSFET的比較。關(guān)鍵要點(diǎn):?功率晶體管的特征因材料和結(jié)構(gòu)而異。?在特性方面各有優(yōu)缺點(diǎn)，但SiC-MOSFET在整體上具有優(yōu)異的特性。＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞MOSFETSiC-DMOS
2018-11-30 11:35:30
的交流/直流雙向轉(zhuǎn)換器，其中ADSP-CM419F的軟件在正確控制 SiC/GaN功率開(kāi)關(guān)方面起著關(guān)鍵作用。
2018-10-30 11:48:08
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢(shì)
2021-03-10 08:26:03
的不是全SiC功率模塊特有的評(píng)估事項(xiàng)，而是單個(gè)SiC-MOSFET的構(gòu)成中也同樣需要探討的現(xiàn)象。在分立結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)中，該信息也非常有用。“柵極誤導(dǎo)通”是指在高邊SiC-MOSFET＋低邊
2018-11-30 11:31:17
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開(kāi)始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-25 06:20:09
。例如，SiC功率模塊的尺寸可達(dá)到僅為Si的1/10左右。關(guān)于“高速工作”，通過(guò)提高開(kāi)關(guān)頻率，變壓器、線圈、電容器等周邊元件的體積可以更小。實(shí)際上有能做到原有1/10左右的例子?！案邷毓ぷ鳌笔侵溉菰S在
2018-11-29 14:35:23
二極管的恢復(fù)損耗非常小。主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中。2. 標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻SiC的絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實(shí)現(xiàn)高耐壓。因此，在相同的耐壓值
2019-05-07 06:21:55
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開(kāi)始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
載流子器件（肖特基勢(shì)壘二極管和MOSFET）去實(shí)現(xiàn)高耐壓，從而同時(shí)實(shí)現(xiàn) "高耐壓"、"低導(dǎo)通電阻"、"高頻" 這三個(gè)特性。另外，帶隙較寬，是Si的3倍，因此SiC功率器件即使在高溫下也可以穩(wěn)定工作。
2019-07-23 04:20:21
具有成本效益的大功率高溫半導(dǎo)體器件是應(yīng)用于微電子技術(shù)的基本元件。SiC是寬帶隙半導(dǎo)體材料，與Si相比，它在應(yīng)用中具有諸多優(yōu)勢(shì)。由于具有較寬的帶隙，SiC器件的工作溫度可高達(dá)600℃，而Si器件
2018-09-11 16:12:04
WInSiC4AP的主要目標(biāo)是什么？SiC技術(shù)在WInSiC4AP中有什么應(yīng)用？
2021-07-15 07:18:06
在未來(lái)幾年投入使用SiC技術(shù)來(lái)應(yīng)對(duì)汽車電子技術(shù)挑戰(zhàn)是ECSEL JU 的WInSiC4AP項(xiàng)目所要達(dá)到的目標(biāo)之一。ECSEL JU和ESI協(xié)同為該項(xiàng)目提供資金支持，實(shí)現(xiàn)具有重大經(jīng)濟(jì)和社會(huì)影響的優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)的研發(fā)活動(dòng)。
2019-07-30 06:18:11
SBD串聯(lián)技術(shù)，實(shí)現(xiàn)6支器件串聯(lián)，研制了39 kV/100 A SiC SBD組件，并在24 kV換流閥功率模塊中得到應(yīng)用。 圖1 ZPOC封裝示意圖 應(yīng)用ZPOC封裝技術(shù)的模塊使用了焊接與壓接
2023-02-27 14:22:06
隨著現(xiàn)代技術(shù)的發(fā)展， 功率放大器已成為無(wú)線通信系統(tǒng)中一個(gè)不可或缺的部分, 特別是寬帶大功率產(chǎn)生技術(shù)已成為現(xiàn)代通信對(duì)抗的關(guān)鍵技術(shù)。作為第三代半導(dǎo)體材料碳化硅（ SiC） , 具有寬禁帶、高熱導(dǎo)率、高
2019-08-12 06:59:10
與Si的比較開(kāi)發(fā)背景SiC的優(yōu)點(diǎn)SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）與Si二極管比較采用示例SiC-MOSFET與各種功率MOSFET比較運(yùn)用事例全SiC模塊模塊的構(gòu)成開(kāi)關(guān)損耗運(yùn)用要點(diǎn)SiC是在熱、化學(xué)
2018-11-29 14:39:47
SiC-SBD的特征，下面將介紹一些其典型應(yīng)用。主要是在電源系統(tǒng)應(yīng)用中，將成為代替以往的Si二極管，解決當(dāng)今的重要課題——系統(tǒng)效率提高與小型化的關(guān)鍵元器件之一。＜應(yīng)用例＞PFC（功率因數(shù)改善）電路電機(jī)驅(qū)動(dòng)器電路
2018-12-04 10:26:52
半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙，能帶動(dòng)電子進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實(shí)現(xiàn)更高功率，更高開(kāi)關(guān)速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導(dǎo)體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
基于SiC HEMT技術(shù)的GaN輸出功率> 250W預(yù)匹配的輸入阻抗極高的效率-高達(dá)80％在100ms，10％占空比脈沖條件下進(jìn)行了100％RF測(cè)試IGN0450M250功率晶體管
2021-04-01 10:35:32
) MOSFET功率模塊的極低電感封裝 這款全新封裝專為用于公司SP6LI 產(chǎn)品系列 而開(kāi)發(fā)，經(jīng)設(shè)計(jì)提供適用于SiC MOSFET技術(shù)的2.9 nH雜散電感，同時(shí)實(shí)現(xiàn)高電流、高開(kāi)關(guān)頻率以及高效率。美高森美將在德國(guó)
2018-10-23 16:22:24
，很高興能與APEX Microtechnology開(kāi)展合作。ROHM作為SiC功率元器件的先進(jìn)企業(yè)，能夠提供與柵極驅(qū)動(dòng)器IC相結(jié)合的功率系統(tǒng)解決方案，并且已經(jīng)在該領(lǐng)域取得了巨大的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。我們將與
2023-03-29 15:06:13
是PCB繪制中有些問(wèn)題沒(méi)有注意。請(qǐng)問(wèn)一下，TL6748f核心板+TL2515模塊的PCB繪制上有哪些需要注意的關(guān)鍵點(diǎn)？
2019-07-29 15:01:24
項(xiàng)目名稱：特種電源開(kāi)發(fā)試用計(jì)劃：在I項(xiàng)目開(kāi)發(fā)中，有一個(gè)關(guān)鍵電源，需要在有限空間，實(shí)現(xiàn)高壓、大電流脈沖輸出。對(duì)開(kāi)關(guān)器件的開(kāi)關(guān)特性和導(dǎo)通電阻都有嚴(yán)格要求。隨著SIC產(chǎn)品的技術(shù)成熟度越來(lái)越高，計(jì)劃把IGBT開(kāi)關(guān)器件換成SIC器件。
2020-04-24 17:57:09
SiC模塊，對(duì)比相同充放電功率情況下SiC與MOSFET或者IGBT的溫升。預(yù)計(jì)成果：在性能滿足要求，價(jià)格可接受范圍內(nèi)，后續(xù)適用到產(chǎn)品中
2020-04-24 18:09:35
項(xiàng)目名稱：全SiC MMC實(shí)驗(yàn)平臺(tái)設(shè)計(jì)——功率子模塊驅(qū)動(dòng)選型試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由本人在電力電子領(lǐng)域有三年多的學(xué)習(xí)和開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)，曾設(shè)計(jì)過(guò)基于半橋級(jí)聯(lián)型拓?fù)涞膬?chǔ)能系統(tǒng)，通過(guò)電力電子裝置實(shí)現(xiàn)電池單元的間接
2020-04-21 16:02:34
700VDC以上。另一方面，由于系統(tǒng)回路內(nèi)雜散電感的存在，在功率器件開(kāi)關(guān)時(shí)會(huì)在模塊主端子上產(chǎn)生尖峰電壓，因此在傳統(tǒng)的APS系統(tǒng)中不得已采用1.7kV的混合SiC模塊，該模塊由普通IGBT和SiC SBD組成
2017-05-10 11:32:57
前言
碳化硅（SiC）材料是功率半導(dǎo)體行業(yè)主要進(jìn)步發(fā)展方向，用于制作功率器件，可顯著提高電能利用率。SiC器件的典型應(yīng)用領(lǐng)域包括：新能源汽車、5G通訊、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)等現(xiàn)代工業(yè)領(lǐng)域，在
2023-10-07 10:12:26
和更快的切換速度與傳統(tǒng)的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅(qū)動(dòng)在設(shè)計(jì)過(guò)程中必須仔細(xì)考慮需求。本應(yīng)用程序說(shuō)明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動(dòng)IC時(shí)的關(guān)鍵參數(shù)。
2023-06-16 06:04:07
。設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)然而，SiC MOSFET 技術(shù)可能是一把雙刃劍，在帶來(lái)改進(jìn)的同時(shí)，也帶來(lái)了設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。在諸多挑戰(zhàn)中，工程師必須確保：以最優(yōu)方式驅(qū)動(dòng) SiC MOSFET，最大限度降低傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗。最大
2017-12-18 13:58:36
元件來(lái)適應(yīng)略微增加的開(kāi)關(guān)頻率，但由于無(wú)功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗［2］。因此，開(kāi)關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計(jì)演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力?！ 』?SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無(wú)反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開(kāi)關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。安森美半導(dǎo)體
2018-10-29 08:51:19
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無(wú)反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開(kāi)關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。
2020-07-30 07:14:58
功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機(jī)型。之后計(jì)劃依次介紹其特點(diǎn)、性能、應(yīng)用案例和使用方法。何謂全SiC功率模塊ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全
2018-11-27 16:38:04
ROHM為參戰(zhàn)2017年12月2日開(kāi)幕的電動(dòng)汽車全球頂級(jí)賽事“FIAFormula E錦標(biāo)賽2017-2018（第4賽季）”的文圖瑞Formula E車隊(duì)提供全SiC功率模塊。ROHM在上個(gè)賽季（第
2018-12-04 10:24:29
SiC-MOSFET的量產(chǎn)。SiC功率模塊已經(jīng)采用了這種溝槽結(jié)構(gòu)的MOSFET，使開(kāi)關(guān)損耗在以往SiC功率模塊的基礎(chǔ)上進(jìn)一步得以降低。右圖是基于技術(shù)規(guī)格書(shū)的規(guī)格值，對(duì)1200V/180A的IGBT模塊、采用第二代
2018-11-27 16:37:30
SiC功率模塊的柵極驅(qū)動(dòng)，可實(shí)現(xiàn)更低損耗的清潔運(yùn)行。關(guān)鍵要點(diǎn):?“柵極誤導(dǎo)通”的抑制方法有三種：①使關(guān)斷時(shí)的Vgs為負(fù)電壓，②增加外置CGS，③增加米勒鉗位MOSFET。?通過(guò)優(yōu)化全SiC功率模塊的柵極驅(qū)動(dòng)，可實(shí)現(xiàn)更低損耗的清潔運(yùn)行。
2018-11-27 16:41:26
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無(wú)反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開(kāi)關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。
2019-07-25 07:51:59
設(shè)計(jì)方面，SiC功率模塊被認(rèn)為是關(guān)鍵使能技術(shù)?！ 榱颂岣?b class="flag-6" style="color: red">功率密度，通常的做法是設(shè)計(jì)更高開(kāi)關(guān)頻率的功率轉(zhuǎn)換器?！ C/DC 轉(zhuǎn)換器和應(yīng)用簡(jiǎn)介 在許多應(yīng)用中，較高的開(kāi)關(guān)頻率會(huì)導(dǎo)致濾波器更小，電感和電容值
2023-02-20 15:32:06
部分及其評(píng)估而進(jìn)行調(diào)整，是以非常高的速度進(jìn)行高電壓和大電流切換的關(guān)鍵。尤其在電路設(shè)計(jì)的初步評(píng)估階段，使用評(píng)估板等工具可使開(kāi)發(fā)工作順利進(jìn)行。關(guān)鍵要點(diǎn):?使用專用柵極驅(qū)動(dòng)器和緩沖模塊，可顯著抑制浪涌和振鈴。?在損耗方面，Eon增加，Eoff減少。按總損耗（Eon + Eoff）來(lái)比較，當(dāng)前損耗減少。
2018-11-27 16:36:43
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:14:32
問(wèn)題的關(guān)鍵在于找出適宜高溫工作的連接材料，匹配封裝中不同材料的熱性能。此外，多功能集成封裝技術(shù)以及先進(jìn)的散熱技術(shù)在提升功率密度等方面也起著關(guān)鍵作用。本文重點(diǎn)就低雜散電感封裝、高溫封裝以及多功能集成封裝 3
2023-02-22 16:06:08
手機(jī)在向雙模/多模發(fā)展的同時(shí)集成了越來(lái)越多的RF技術(shù)。手機(jī)射頻模塊有哪些基本構(gòu)成？它們又將如何集成？RF收發(fā)器，功率放大器，天線開(kāi)關(guān)模塊，前端模塊，雙工器，SAW濾波器……跟著本文，來(lái)一一認(rèn)識(shí)手機(jī)射頻技術(shù)和射頻模塊的關(guān)鍵元件們吧！
2019-08-12 06:44:47
手機(jī)在向雙模/多模發(fā)展的同時(shí)集成了越來(lái)越多的RF技術(shù)。手機(jī)射頻模塊有哪些基本構(gòu)成？它們又將如何集成？RF收發(fā)器，功率放大器，天線開(kāi)關(guān)模塊，前端模塊，雙工器，SAW濾波器……跟著本文，來(lái)一一認(rèn)識(shí)手機(jī)射頻技術(shù)和射頻模塊的關(guān)鍵元件們吧！
2019-08-26 07:15:19
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開(kāi)始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
，并提供驅(qū)動(dòng)功率開(kāi)關(guān)柵極所需的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。在隔離系統(tǒng)中，它們還可實(shí)現(xiàn)隔離，將系統(tǒng)帶電側(cè)的高電壓信號(hào)與在安全側(cè)的用戶和敏感低電壓電路分離。為了充分利用GaN/SiC技術(shù)能夠提供更高開(kāi)關(guān)頻率的功能，柵極
2018-10-16 21:19:44
，并提供驅(qū)動(dòng)功率開(kāi)關(guān)柵極所需的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。在隔離系統(tǒng)中，它們還可實(shí)現(xiàn)隔離，將系統(tǒng)帶電側(cè)的高電壓信號(hào)與在安全側(cè)的用戶和敏感低電壓電路分離。為了充分利用GaN/SiC技術(shù)能夠提供更高開(kāi)關(guān)頻率的功能，柵極
2018-10-16 06:20:46
，并提供驅(qū)動(dòng)功率開(kāi)關(guān)柵極所需的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。在隔離系統(tǒng)中，它們還可實(shí)現(xiàn)隔離，將系統(tǒng)帶電側(cè)的高電壓信號(hào)與在安全側(cè)的用戶和敏感低電壓電路分離。為了充分利用GaN/SiC技術(shù)能夠提供更高開(kāi)關(guān)頻率的功能，柵極驅(qū)動(dòng)器
2018-10-24 09:47:32
。但是，SiC器件需要對(duì)其關(guān)鍵規(guī)格和驅(qū)動(dòng)要求有新的了解才能充分發(fā)揮其優(yōu)勢(shì)。本文概述了EV和HEV的功率要求，解釋了為什么基于SiC的功率器件非常適合此功能，并闡明了其輔助器件驅(qū)動(dòng)器的功能。在簡(jiǎn)要討論了
2019-08-11 15:46:45
`①未來(lái)發(fā)展導(dǎo)向之Sic功率元器件“功率元器件”或“功率半導(dǎo)體”已逐漸步入大眾生活，以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立（分立半導(dǎo)體）元器件備受矚目。在科技發(fā)展道路上的，“小型化”和“節(jié)能化
2017-07-22 14:12:43
，一直被視為“理想器件”而備受期待。然而，相對(duì)以往的Si材質(zhì)器件，SiC功率器件在性能與成本間的平衡以及其對(duì)高工藝的需求，將成為SiC功率器件能否真正普及的關(guān)鍵。近年來(lái)，隨著國(guó)內(nèi)多品牌的進(jìn)入，SiC技術(shù)
2019-09-17 09:05:05
的快速充電器等的功率因數(shù)校正電路（PFC電路）和整流橋電路中。2. SiC-SBD的正向特性SiC-SBD的開(kāi)啟電壓與Si-FRD相同，小于1V。開(kāi)啟電壓由肖特基勢(shì)壘的勢(shì)壘高度決定，通常如果將勢(shì)壘高度
2019-05-07 06:21:51
，LeapersSemiconductor使用其專利的電弧鍵合?技術(shù)（圖2）。 與許多汽車級(jí)功率半導(dǎo)體制造商使用的傳統(tǒng)鋁引線鍵合技術(shù)不同，電弧鍵合?專利芯片表面連接技術(shù)可確保滿足汽車應(yīng)用要求的SiC模塊的可靠性，同時(shí)顯著降低寄生電阻
2023-02-20 16:26:24
功率開(kāi)關(guān)技術(shù)也是如此，特別是用SiC和GaN制作的寬帶隙器件。SiC已經(jīng)從5年前的商業(yè)起步躍升到今天的第三代，價(jià)格已與硅開(kāi)關(guān)相當(dāng)，特別是在考慮到連鎖效益的情況下?！ ‰S著電動(dòng)汽車、可再生能源和5G等
2023-02-27 14:28:47
在未來(lái)幾年投入使用SiC技術(shù)來(lái)應(yīng)對(duì)汽車電子技術(shù)挑戰(zhàn)是ECSEL JU的WInSiC4AP專案所要達(dá)成的目標(biāo)之一。ECSEL JU和ESI攜手為該專案提供資金支援，實(shí)現(xiàn)具有重大經(jīng)濟(jì)和社會(huì)影響的優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)
2019-06-27 04:20:26
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
逆變器、電動(dòng)汽車牽引逆變器和充電器市場(chǎng)）在創(chuàng)新中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。預(yù)計(jì)未來(lái)五年太陽(yáng)能市場(chǎng)將以10%的年復(fù)合增長(zhǎng)率增長(zhǎng)，非常樂(lè)觀，而光伏系統(tǒng)價(jià)格預(yù)計(jì)將再下降20%。這很可能是光伏逆變器電子元件技術(shù)進(jìn)步的結(jié)果
2018-10-22 17:01:41
SiC功率器件的封裝技術(shù)要點(diǎn)
具有成本效益的大功率高溫半導(dǎo)體器件是應(yīng)用于微電子技術(shù)的基本元件。SiC是寬帶隙半導(dǎo)體材料，與S
2009-11-19 08:48:432355 三菱電機(jī)株式會(huì)社定于7月31日開(kāi)始，依次提供5個(gè)品種的SiC功率半導(dǎo)體模塊，以滿足家電產(chǎn)品與工業(yè)設(shè)備對(duì)應(yīng)用SiC材料的新一代SBD和MOSFET等功率半導(dǎo)體的需要。在這5種產(chǎn)品中，3種適用于
2012-07-25 15:59:27718 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM面向工業(yè)設(shè)備和太陽(yáng)能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開(kāi)發(fā)出額定1200V/300A的“全SiC”功率模塊“BSM300D12P2E001”。
2015-05-05 14:07:44737 羅姆在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載羅姆生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低損耗。
2018-05-17 09:33:1313514 使用SiC的新功率元器件技術(shù)
2018-06-26 17:56:005775 隨著我國(guó)新能源汽車市場(chǎng)的不斷擴(kuò)大，充電樁市場(chǎng)發(fā)展前景廣闊。SiC材料的功率器件可以實(shí)現(xiàn)比Si基功率器件更高的開(kāi)關(guān)頻繁，可以提供高功率密度、超小的體積，因此SiC功率器件在充電樁電源模塊中的滲透率不斷增大。
2019-03-02 09:35:1813799 
據(jù)外媒報(bào)道，比利時(shí)Cissoid公司推出一款三相SiC智能功率模塊（IPM），可用于電動(dòng)出行。
2020-04-22 15:54:253711 該模塊符合AQG 324汽車功率模塊標(biāo)準(zhǔn)。B2 SiC模塊結(jié)合燒結(jié)技術(shù)用于裸片連接和銅夾，壓鑄模工藝用于實(shí)現(xiàn)強(qiáng)固的封裝。其SiC芯片組采用安森美的M1 SiC技術(shù)，從而提供高電流密度、強(qiáng)大的短路保護(hù)、高阻斷電壓和高工作溫度，在EV主驅(qū)應(yīng)用中帶來(lái)領(lǐng)先同類的性能。
2022-05-06 09:27:27943 
當(dāng)前功率器件的研究已經(jīng)進(jìn)入一個(gè)新高度，而SiC功率模塊就是其中的熱門(mén)研究方向。
2022-10-19 09:22:23899 碳化硅（SiC）被認(rèn)為是未來(lái)功率器件的革命性半導(dǎo)體材料;許多SiC功率器件已成為卓越的替代電源開(kāi)關(guān)技術(shù)，特別是在高溫或高電場(chǎng)的惡劣環(huán)境中。
2022-11-06 18:50:471289 SiC MOSFET器件的集成化、高頻化和高效化需求，對(duì)功率模塊封裝形式和工藝提出了更高的要求。本文中總結(jié)了近年來(lái)封裝形式的結(jié)構(gòu)優(yōu)化和技術(shù)創(chuàng)新，包括鍵合式功率模塊的金屬鍵合線長(zhǎng)度、寬度和并聯(lián)
2022-12-12 13:57:581468 一、SiC模塊的特征 電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開(kāi)始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。 由IGBT
2023-01-12 16:35:47489 1. SiC模塊的特征 大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開(kāi)始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。 由IGBT
2023-02-07 16:48:23646 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來(lái)介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機(jī)型。
2023-02-08 13:43:21685 
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開(kāi)關(guān)損耗、2）開(kāi)關(guān)頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優(yōu)勢(shì)。
2023-02-08 13:43:22673 
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:081333 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來(lái)介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機(jī)型。之后計(jì)劃依次介紹其特點(diǎn)、性能、應(yīng)用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08430 
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來(lái)的優(yōu)異性能。本文將對(duì)開(kāi)關(guān)損耗進(jìn)行介紹，開(kāi)關(guān)損耗也可以說(shuō)是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。
2023-02-24 11:51:28496 
隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，硅碳化物（SiC）功率模塊逐漸在各領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。SiC功率模塊具有優(yōu)越的電性能、熱性能和機(jī)械性能，為高性能電子設(shè)備提供了強(qiáng)大的支持。本文將重點(diǎn)介紹SiC功率模塊的封裝技術(shù)及其在實(shí)際應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)。
2023-04-23 14:33:22850 
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全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM的SiC MOSFET和SiC肖特基勢(shì)壘二極管(以下簡(jiǎn)稱“SiC SBD”)已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商Apex?Microtechnology的功率模塊
2023-09-14 19:15:14353 解更多公司，建議查詢相關(guān)網(wǎng)站。 sic功率半導(dǎo)體技術(shù)如何實(shí)現(xiàn)成果轉(zhuǎn)化 SIC功率半導(dǎo)體技術(shù)的成果轉(zhuǎn)化可以通過(guò)以下途徑實(shí)現(xiàn)： 與現(xiàn)有產(chǎn)業(yè)合作：尋找現(xiàn)有的使用SIC功率半導(dǎo)體技術(shù)的企業(yè)，與他們合作，共同研究開(kāi)發(fā)新產(chǎn)品，將技術(shù)轉(zhuǎn)化為商業(yè)化
2023-10-18 16:14:30586 2023-10-23 16:49:36372 
1、SiC MOSFET對(duì)器件封裝的技術(shù)需求
2、車規(guī)級(jí)功率模塊封裝的現(xiàn)狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來(lái)模塊封裝發(fā)展趨勢(shì)及看法
2023-10-27 11:00:52419 
等領(lǐng)域。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和成本的降低，SiC驅(qū)動(dòng)器模塊將進(jìn)一步提升性能，擴(kuò)大市場(chǎng)份額，并推動(dòng)下一代功率器件的發(fā)展。
2023-11-16 15:53:30257 
關(guān)鍵技術(shù)-SiC門(mén)驅(qū)動(dòng)回路/電容器
通過(guò)SiC門(mén)驅(qū)動(dòng)回路優(yōu)化設(shè)計(jì)提升性能和強(qiáng)化保護(hù)功能通過(guò)采用電容器P-N BUSBAR疊層設(shè)計(jì)減少寄生電感
2024-01-02 11:36:24116 
采用多芯片并聯(lián)的SiC功率模塊，會(huì)產(chǎn)生較嚴(yán)重的電磁干擾和額外損耗，無(wú)法發(fā)揮SiC器件的優(yōu)良性能；SiC功率模塊雜散參數(shù)較大，可靠性不高。 （2）SiC功率高溫封裝技術(shù)發(fā)展滯后。
2024-03-04 10:35:49132 
SiC器件的核心優(yōu)勢(shì)在于其寬禁帶、高熱導(dǎo)率、以及高擊穿電壓。具體來(lái)說(shuō)，SiC的禁帶寬度是硅的近3倍，這意味著在高溫下仍可保持良好的電性能；其熱導(dǎo)率是硅的3倍以上，有利于高功率應(yīng)用中的熱管理。
2024-03-08 10:27:1542 
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