內(nèi)存最高可擴(kuò)充至16GB

因?yàn)?a target="_blank">Intel E7505芯片組采取處理器總線與內(nèi)存總線同步化（1:1）的設(shè)計(jì)，因此，只有DDR266內(nèi)存才適合在這個(gè)平臺(tái)上使用。875芯片組擁有雙內(nèi)存控制器，理論上來說，它可以133 MHz的運(yùn)作速度來達(dá)到每秒4.2 GB的效能。因?yàn)橄到y(tǒng)的安全扮演著更重要的角色，這也是Intel的內(nèi)存整合 ECC（Error Checking and Correction內(nèi)存實(shí)時(shí)修正）功能的原因。

升級(jí)：ECC功能需要每列額外多加一顆芯片

跟875芯片組一樣， E7505同樣可以管理八個(gè)單面列選擇（一般通稱單面模塊）。注：一般內(nèi)存模塊大致分為單面模塊（single page）或雙面模塊（double page）。以下表格介紹了在該平臺(tái)上各種內(nèi)存升級(jí)的搭配組合。

可是如果買家想在一個(gè)既安全又可以切換ECC模式下使用的主機(jī)板，就必須要在每單一列內(nèi)加入額外的芯片。而這顆芯片對(duì)于內(nèi)存最大可以升級(jí)并沒有影響，因?yàn)樗皇且C以上的數(shù)字，對(duì)內(nèi)存的升級(jí)是沒有任何影響的。

Corsair內(nèi)存，時(shí)序?yàn)镃L 2.0-3-2-6

Mushkin的registered/ECC功能的內(nèi)存，時(shí)序?yàn)镃L 2.0-3-2

Legacy Electronics的registered及有ECC功能的內(nèi)存，時(shí)序?yàn)镃L2.5

Infineon（英飛凌）的DDR333 registered內(nèi)存，附ECC功能，時(shí)序?yàn)?.5

這個(gè)是最極端的例子，16GB ECC系統(tǒng)內(nèi)存可以含有144顆內(nèi)存顆粒，因此，對(duì)內(nèi)存控制器來說可說是負(fù)荷非常大。不過，其實(shí)這144個(gè)顆粒中的128顆是為了真正的存取之用，而其余的則是作管理之用。

Registered Vs Unbuffered內(nèi)存

傳統(tǒng)的內(nèi)存都屬于unbuffered版本的類型，最新的則是registered memory（之前被稱為buffered內(nèi)存）。如果內(nèi)存控制器要管理愈多的顆粒，它的數(shù)據(jù)就會(huì)愈不明確。

廠商運(yùn)用的小技倆：如果你在單面模塊的一群內(nèi)存顆粒面前，放一組小的管理芯片，每一個(gè)列選擇就會(huì)讓內(nèi)存控制器以為內(nèi)存只有一個(gè)芯片。當(dāng)然，這個(gè)小把戲也可以改善數(shù)據(jù)的傳輸?shù)钠焚|(zhì)跟安全性。不過，這個(gè)做法會(huì)影響到內(nèi)存的運(yùn)作速度，因?yàn)?a target="_blank">電子訊號(hào)會(huì)延遲，因此也影響到內(nèi)存的運(yùn)轉(zhuǎn)速度。