安森美發(fā)布新的600 V SUPERFETò V MOSFET系列。
2021-12-08 11:46:03
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`深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng)03N10 100V 3A SOT-89 MOS管 HN03N10D，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷HN03N10D參數(shù)：100V 3ASOT-89 N溝道 MOS管/場效應(yīng)管品牌
2021-03-24 10:44:05
型號： 05N10VDS：100VIDS：5A封裝：SOT-23/SOT-89溝道：N溝道05N10原裝正品,05N10現(xiàn)貨熱銷供應(yīng)100V MOS管05N10產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定，廣泛運(yùn)用于LED電源
2020-08-13 11:37:37
`深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) 10N10 100V 10A 香薰機(jī)MOS管 ,原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷10N10參數(shù)： TO-252/SOT-89100V10AN溝道 MOS場效應(yīng)管
2020-07-31 14:50:51
（TO-252）低開啟電壓1.6V低內(nèi)阻低結(jié)電容低開啟電壓溫升低轉(zhuǎn)換效率高過電流大抗沖擊能力強(qiáng)公司主營產(chǎn)品：30V、60V、100V、150V全系列nmos管，2N10、3N10、4N10、5N
2020-11-11 17:10:06
, 100V/5A MOS管 , 100V/8A MOS管，大量現(xiàn)貨。30V、60V、100V、150V全系列nmos管，2N10、3N10、4N10、5N10、10N10、15N10、17N
2020-11-14 14:19:22
深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) 40N10 霧化器用MOS管 HN40N10KA 100V 40A MOS，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷HN40N10KA 參數(shù) 100V40A TO-252低開啟電壓N溝道
2020-08-13 11:20:37
惠海半導(dǎo)體 供應(yīng) 4N10 100V MOS，替代型號HN0501，mos原廠，庫存現(xiàn)貨熱銷 4N10 ：100V 4A SOT-23 N溝道MOS管/場效應(yīng)管 HC0551010參數(shù)：100V
2020-11-20 14:48:03
`深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) 100V 15A 汽車LED燈MOS管 HN15N10DA，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷HN15N10DA參數(shù)：100V 15A TO-252 N溝道 MOS管/場效應(yīng)管品牌
2021-05-08 15:39:38
型號：HC160N1038VDS：100VIDS：3A封裝：SOT-23溝道：N溝道100V MOS管HC160N1038 原廠mos，庫存現(xiàn)貨熱銷可以替代SI2328DS售后服務(wù)：公司免費(fèi)提供樣品，并提供產(chǎn)品運(yùn)用的技術(shù)上
2020-11-20 13:54:17
10LS運(yùn)用在香薰機(jī)MOS管上。HC160N10LS參數(shù)：100V 4A SOT-23 N溝道MOS管/場效應(yīng)管品牌：惠海半導(dǎo)體型號：HC160N10LSVDS：100VIDS：4A封裝：SOT-23溝道：N
2020-10-09 15:36:45
低內(nèi)阻小節(jié)電容發(fā)熱小中低壓MOS大全TO-252 SOT23-3封裝100V MOS管100V 30A 35A 50A 23 23L SOP8 TO-252 N溝道MOS管【低電壓開啟低內(nèi)阻】主營
2021-03-13 09:34:36
：型號：HC160N10L N溝道場效應(yīng)管100V10A(10N10)TO-252封裝，可用于霧化器、車燈電源等型號：HC080N10L N溝道場效應(yīng)管 100V17A(17N10)TO-252封裝
2020-09-25 15:55:42
, 100V/5A MOS管 , 100V/8A MOS管，大量現(xiàn)貨。30V、60V、100V、150V全系列nmos管，2N10、3N10、4N10、5N10、10N10、15N10、17N
2020-11-02 15:15:36
SOT-89 N溝道MOS管/場效應(yīng)管HN03N10D參數(shù)：100V MOS管100V 3A SOT-89 N溝道 MOS管/場效應(yīng)管HN0801產(chǎn)品應(yīng)用于：小家電，霧化器，加濕器，電源，LED。品牌
2021-05-08 15:10:13
`型號:HC160N10L參數(shù)：100V 10A 類型：N溝道場效應(yīng)管內(nèi)阻135mR(Vgs=10V)低結(jié)電容405pF 封裝：TO-252低開啟電壓1.6V主要應(yīng)用領(lǐng)域：加濕器霧化器美容儀香薰機(jī)
2020-12-04 14:09:20
。型號：HC160N10LS參數(shù)：100V5A，絲?。篐C510，類型：N溝道場效應(yīng)管，內(nèi)阻155mR，低結(jié)電容400pF，封裝：SOT23-3，低開啟電壓1.5V，低內(nèi)阻，結(jié)電容小。型號：HC160N10L參數(shù)
2020-11-14 13:54:14
HC240N10LS參數(shù)：100V 3A SOT23-3N溝道 MOS管/場效應(yīng)管品牌：惠海半導(dǎo)體型號：HC240N10LSVDS：100V IDS：3ARDS(on)Max：215mΩ封裝
2020-10-09 16:45:54
`<p><font face="Verdana">N溝道MOSFET概述<br/&
2010-08-17 09:21:57
為正時(shí)，它充當(dāng)增強(qiáng)型MOSFET。N溝道場效應(yīng)管與P溝道場效應(yīng)管介紹N溝道MOSFET的源極接地，漏極連接到負(fù)載，當(dāng)柵極施加正電壓時(shí)，F(xiàn)ET導(dǎo)通。N 溝道 MOSFET是最常用且最容易使用的。它們
2023-02-02 16:26:45
[table=98%]N溝道增強(qiáng)型MOSFET TDM3550[/td][td=363]一般描述一般特征該TDM3550采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)◆40V/ 100A[tr]提供優(yōu)異的RDS（ON）和低門電荷。[td=331]◆RDS（ON）
2018-11-16 13:42:48
:100V，N溝道，大電流，小封裝MOS，實(shí)際電壓可以達(dá)到100V，可以滿足LED電源，充電器，小家電等需要低壓，大電流，小封裝的要求。HC510參數(shù)：100V 5A SOT-23 N溝道MOS管
2020-07-24 17:25:11
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過程中，選擇N管還是P管，要針對實(shí)際的應(yīng)用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
） ?。?） 圖5是NCL30161典型應(yīng)用的能效曲線。其外部MOSFET是安森美半導(dǎo)體的60 V NTTFS5826.左圖是300 mA輸出時(shí)不同LED數(shù)的效率曲線；右圖是1 A輸出時(shí)不同LED數(shù)
2018-09-29 16:45:10
快速增長的電動(dòng)汽車市場，安森美半導(dǎo)體推出了許多IGBT、低中高壓MOSFET、高壓整流器、汽車模塊和數(shù)字隔離柵極驅(qū)動(dòng)器以及一個(gè)用于48V系統(tǒng)的80 V 和100V MOSFET。最新增加到汽車電源
2018-10-25 08:53:48
外部器件的高性價(jià)比方案。安森美半導(dǎo)體還將展出新的NCD570x系列門極驅(qū)動(dòng)器，具有高驅(qū)動(dòng)電流以提供寶貴的、更高的系統(tǒng)能效，和充分集成多種保護(hù)功能的能力以增強(qiáng)安全性。安森美半導(dǎo)體的汽車產(chǎn)品陣容不斷擴(kuò)展
2018-10-30 09:06:50
Ω, 30A, 雙N溝道WLCSP8該N溝道功率MOSFET采用安森美半導(dǎo)體的溝槽技術(shù)制造，專為充分減少門極電荷和超低導(dǎo)通阻抗而設(shè)計(jì)。該器件適用于無人機(jī)或筆記本電腦應(yīng)用。KAI-08052: Interline
2018-10-22 09:08:52
NCP16x及汽車變體器件NCV81x，實(shí)現(xiàn)超低噪聲，是用于這類應(yīng)用的理想電源管理方案。 安森美半導(dǎo)體的超高PSRR LDO穩(wěn)壓器系列采用了一種新的專利架構(gòu)，從而實(shí)現(xiàn)業(yè)界最佳的PSRR（最高達(dá)98 dB
2020-10-27 09:02:17
1.0 x 0.6 x 0.4mm SOT-883的封裝等。最新的器件，如安森美半導(dǎo)體的N溝道 NTNS3193NZ及P溝道 NTNS3A91PZ充分利用極纖薄導(dǎo)線架平面網(wǎng)格陣列（XLLGA）亞芯片級
2018-09-29 16:50:56
納斯達(dá)克上市代號：ONNN)擴(kuò)充高性能電荷耦合器件(CCD)圖像傳感器產(chǎn)品陣容，推出針對工業(yè)成像應(yīng)用的最新器件。安森美半導(dǎo)體先進(jìn)的CCD圖像傳感器系列新增860萬像素先進(jìn)攝影系統(tǒng)H型(APS-H)光學(xué)制式KAI-08670圖像傳感器，提供最嚴(yán)格應(yīng)用所要求的關(guān)鍵成像性能。
2020-04-26 09:46:34
半導(dǎo)體提供的1,500多款通過汽車電子協(xié)會(AEC)認(rèn)證的保護(hù)器件之一。 此外，安森美半導(dǎo)體還將展示高性價(jià)比的全面MOSFET系列，用于各種汽車應(yīng)用，如發(fā)動(dòng)機(jī)、底盤及車身控制、信息娛樂系統(tǒng)，及更多
2013-01-07 16:46:18
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-01 09:54:05
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-09 09:09:18
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-12 09:12:51
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-13 09:16:34
BSS123 - 晶體管, MOSFET, N溝道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 VBSS123 N溝道MOSFET 100V 170mA/0.17A
2019-11-13 11:00:58
深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng)NCE0140KA新潔能NCE0140KA原裝100V N溝道 MOS，原裝正品，庫存現(xiàn)貨熱銷NCE0140KA參數(shù)：100V40ATO-252 MOS管/場效應(yīng)管 N
2019-11-20 11:02:40
的功率MOSFET，從而形成垂直的PNP雙極結(jié)型晶體管。該附加的p+區(qū)域產(chǎn)生PNP雙極結(jié)型晶體管與表面n溝道MOSFET的級聯(lián)連接?！ GBT將MOSFET的簡單柵極驅(qū)動(dòng)特性與雙極晶體管的高電流和低飽和
2020-07-07 08:40:25
子的歐姆區(qū)域（ohmic region），MOSFET“完全導(dǎo)通”。在對比圖中，N溝道歐姆區(qū)的VGS是7V，而P溝道的是-4.5V。隨著柵極電壓增加，歐姆曲線的斜率變得更陡，表明器件導(dǎo)電能力更強(qiáng)。施加
2018-03-03 13:58:23
深圳市聚能芯半導(dǎo)體有限公司是一家集芯片代理、芯片生產(chǎn)、技術(shù)服務(wù)為一體的綜合性電子元器件公司。供應(yīng)中低壓MOS管，替代AO系列。 可提供技術(shù)支持，DEMO測試及設(shè)計(jì)方案?【100V MOS管 N溝道
2020-06-05 10:24:53
AO系列MOS管。SL2060場效應(yīng)管 20V85A N溝道功率MOS管【100V MOS管 N溝道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封裝N溝道SL3N10 100V3A SOT23-3L
2020-06-13 11:47:55
10場效應(yīng)管100V25A N溝道 TO-252 功率MOS管【100V MOS管 N溝道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封裝N溝道SL3N10 100V3A SOT23-3L 封裝N溝道
2020-06-09 10:23:37
`深圳市聚能芯半導(dǎo)體有限公司是一家集芯片代理、芯片生產(chǎn)、技術(shù)服務(wù)為一體的綜合性電子元器件公司。供應(yīng)中低壓MOS管，替代AO系列。 可提供技術(shù)支持，DEMO測試及設(shè)計(jì)方案?【100V MOS管 N溝道
2020-06-05 10:20:57
10場效應(yīng)管100V35A N溝道 TO-252 功率MOS管【100V MOS管 N溝道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封裝N溝道SL3N10 100V3A SOT23-3L 封裝N溝道
2020-06-09 10:36:41
深圳市聚能芯半導(dǎo)體有限公司是一家集芯片代理、芯片生產(chǎn)、技術(shù)服務(wù)為一體的綜合性電子元器件公司。供應(yīng)中低壓MOS管，替代AO系列。 可提供技術(shù)支持，DEMO測試及設(shè)計(jì)方案?【100V MOS管 N溝道
2020-06-05 10:23:09
`SL4430 30V18A 4.5毫歐SOP-8SL4430 N溝道耐壓30V18A系列中低壓MOS管 【100V MOS管 N溝道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封裝N溝道
2020-08-03 14:48:45
溝道 MOS管HN50N06DA：60V50A TO-252N溝道 MOS管HN9940L 60V20ATO-251N溝道 MOS管【100V MOS 】 HN0501:100V 5A SOT-23
2021-04-07 15:06:41
℃STH4612SP完美替代安森美EFC4612R雙N溝道功率MOS，24V6A，內(nèi)阻45mΩSTH4618SP完美替代安森美EFC4618R雙N溝道功率MOS，20V6A，內(nèi)阻15mΩSTH1227SP完美替代松下FCAB21490L雙N溝道功率MOS，12V27A，內(nèi)阻2.5mΩ
2021-07-21 17:09:05
溝道 MOS管HN50N06DA：60V50A TO-252N溝道 MOS管HN9940L 60V20ATO-251N溝道 MOS管【100V MOS 】 HN0501:100V 5A SOT-23
2021-03-24 10:35:56
MOSFET作為開關(guān)使用串聯(lián)在電池負(fù)極和開關(guān)電源負(fù)極之間，但總是燒壞MOSFET，MOSFET選用的是IXFN420N10T，Ids可達(dá)420A，Vds最大100V，而開關(guān)電源是適配48V，電池是鉛酸電池
2016-09-06 12:51:58
````低壓100V貼片MOS管100V4A 4N10 SOT23-3封裝MOS管型號：HC510中壓MOS:100V，N溝道，大電流，小封裝MOS，實(shí)際電壓可以達(dá)到100V，可以滿足LED電源
2020-07-25 14:36:55
`惠海原廠直銷LED汽車大燈電源、電動(dòng)車燈電源、摩托車燈電源MOS管，30V 60V 100V 150V系列100V10A 100V17A100V40A 150V8A 60V30A60V
2020-09-23 11:38:52
`惠海原廠直銷LED汽車大燈電源、電動(dòng)車燈電源、摩托車燈電源MOS管，30V 60V 100V 150V系列100V10A 100V17A100V40A 150V8A 60V30A60V
2020-10-14 15:18:58
溝道 MOS管60V 50A TO-252 N溝道 MOS管【100V MOS N溝道 】 100V 5A SOT-23 N溝道 MOS管100V 8A SOT-89 N溝道MOS管100V 3A
2020-11-02 16:02:10
N溝道和P溝道MOSFET哪個(gè)常用?增強(qiáng)型和耗盡型的哪個(gè)常用?
2019-05-13 09:00:00
`霧化器、美容儀、加濕器、香薰機(jī)MOS 100V 調(diào)光LED燈MOS管 5N10【SOT23-3】，10N1012N10 15N10 TO-252HC510中壓MOS:100V，N溝道，大電流，小封
2020-09-23 09:42:17
，N溝道歐姆區(qū)的VGS是7V，而P溝道的是-4.5V。隨著柵極電壓增加，歐姆曲線的斜率變得更陡，表明器件導(dǎo)電能力更強(qiáng)。施加的柵極電壓越高，MOSFET的RDS(on)就越小。在某些應(yīng)用中
2021-04-09 09:20:10
型號如下：型號：HC160N10L N溝道場效應(yīng)管100V10A(10N10)TO-252封裝，可用于霧化器、車燈電源等型號：HC080N10L N溝道場效應(yīng)管100V17A(17N10)TO-252封裝
2020-11-02 15:36:23
安森美ONSEMI 擴(kuò)充汽車驅(qū)動(dòng)器系列安森美半導(dǎo)體，推出兩款為堅(jiān)固的汽車和工業(yè)應(yīng)用而特別設(shè)計(jì)的新型驅(qū)動(dòng)器。NCV7513是可編程六通道低端MOSFET預(yù)驅(qū)動(dòng)器，用于控制各種負(fù)載類型。NC
2010-02-06 10:41:39
15 全新高密度溝槽MOSFET（安森美）
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出24款新的30伏(V)、N溝道溝槽(Trench)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。這些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、µ
2009-11-02 09:16:32947 安森美推出符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的自保護(hù)低端MOSFET驅(qū)動(dòng)IC
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ONNN)推出高度集成保護(hù)的NCV840x系列低端自保護(hù)MOSFET。這系列
2010-01-13 11:32:40548 安森美半導(dǎo)體推出12款新N溝道功率MOSFET系列
經(jīng)過100%雪崩測試的MOSFET提供業(yè)界領(lǐng)先的雪崩額定值，能承受電源和電機(jī)控制應(yīng)用中的大電壓尖峰
2010年2月2日 – 應(yīng)用
2010-02-03 10:13:151095 安森美半導(dǎo)體推出高壓MOSFET系列
應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能
2010-02-23 10:06:56831 帶集成肖特基二極管的30V N溝道功率MOSFET(ON)
應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)充N溝道功率MOSFET器件
2010-04-10 10:32:52519 安森美推出帶集成肖特基二極管的30V 擴(kuò)充N溝道功率MOSFET
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)充N溝道功率MOSFET器件陣容，新推出帶集成肖特基二極管的30V產(chǎn)品。
NTMFS4897
2010-04-12 10:23:161107 安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出新系列的100伏(V)溝槽型低正向壓降肖特基整流器(LVFR)，用于筆記本適配器或平板顯示器的開關(guān)電源等.
2011-12-15 09:24:20819 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）專門為助聽器設(shè)備應(yīng)用而設(shè)計(jì)RHYTHM?系列預(yù)配置數(shù)字信號處理（DSP）系統(tǒng)，最新增加了兩款新器件。
2014-03-28 09:19:462323 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）推出新系列的6款N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET），它們經(jīng)過設(shè)計(jì)及優(yōu)化，提供領(lǐng)先業(yè)界能效，優(yōu)于市場現(xiàn)有器件。
2014-05-21 11:36:44909 LTC4444MP-5 - 100V 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器在 -55°C 至 125°C 的溫度范圍內(nèi)工作
2021-03-18 22:10:113 100V 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器在 -40°C 至 150°C 的溫度范圍內(nèi)工作
2021-03-19 06:51:081 NP30P10G(100V P溝道增強(qiáng)模式MOSFE)
2022-07-14 09:53:46855 
NP16P10G(100V P溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
2022-07-18 09:06:001414 
NP2P10MR(100V P溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
2022-07-18 09:14:57946 
采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100V、10.9mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN011-100YSF
2023-02-20 19:50:190 100 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D385-100E
2023-02-20 19:57:310 100 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN280ENEA
2023-02-20 20:01:430 100 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV280ENEA
2023-02-20 20:01:560 D2PAK 中的 N 溝道 100 V、3.95 mΩ、標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN3R7-100BSE
2023-02-21 18:48:040 LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、153 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y153-100E
2023-02-21 19:38:260 雙 N 溝道 100 V、33 mΩ 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9K32-100E
2023-02-21 19:40:460 LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、22 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y22-100E
2023-02-21 19:45:120 LFPAK33 中的 N 溝道 100 V、156 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9M156-100E
2023-02-21 19:49:290 雙 N 溝道 100 V、27.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-山毛櫸7K32-100E
2023-02-22 18:41:140 雙 N 溝道 100 V、82.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-山毛櫸7K89-100E
2023-02-22 18:42:540 雙 N 溝道 100 V、121 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7K134-100E
2023-02-22 18:43:220 LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、19 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN019-100YL
2023-02-22 18:51:500 LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、21 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN021-100YL
2023-02-22 18:52:060 N 溝道 100 V、26.8 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 TO220-PSMN027-100PS
2023-02-22 19:03:500 采用 TO220 封裝的 NextPower 100 V、18 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN018-100PSF
2023-02-23 18:45:230 采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100 V、7 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN6R9-100YSF
2023-02-23 18:52:290 D2PAK 中的 N 溝道 100V 6.8 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET。-PSMN7R0-100BS
2023-03-03 18:53:300 D2PAK 中的 N 溝道 100V 26.8 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET。-PSMN027-100BS
2023-03-03 19:00:210 D2PAK 中的 N 溝道 100V 16 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN016-100BS
2023-03-03 19:01:500 N 溝道 100V 8.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 TO220F (SOT186A)-PSMN8R5-100XS
2023-03-03 20:12:570 安森美半導(dǎo)體怎么樣？安森美是哪國的？ 有人問小編安森美半導(dǎo)體怎么樣？安森美是哪國的？其實(shí)行業(yè)內(nèi)人士都知道美國公司安森美半導(dǎo)體實(shí)力很強(qiáng)悍，安森美是美國公司；并且在納斯達(dá)克上市。 安森美是哪國
2023-03-28 18:37:265914 
點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè) 安森美 （ onsemi ，美國納斯達(dá)克上市代號：ON），將于美國時(shí)間2023年6月20日星期二開市前被納入 納斯達(dá)克100指數(shù) 。安森美已連續(xù)
2023-06-13 10:35:02262 
之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本系列文章將概述安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關(guān)鍵特性及驅(qū)動(dòng)條件對它的影響，作為安森美提供的全方位寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)的一部分，還將提供
2023-06-16 14:39:39538 
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