NAND Flash是一種非易失存儲(chǔ)器,也就是掉電不丟失類型,現(xiàn)在我們常見(jiàn)的存儲(chǔ)設(shè)備基本都是NAND Flash,比如U盤(pán)、固態(tài)硬盤(pán),手機(jī)存儲(chǔ)等等,電腦傳統(tǒng)硬盤(pán)除外。
2022-11-10 17:08:321684 AM29LV040B-70JF能替代MX29LV040CQI-70G嗎?是否要調(diào)整周邊阻容參數(shù)進(jìn)行匹配
2018-03-01 17:29:05
問(wèn)題一:位圖都存儲(chǔ)在哪了?都在程序存儲(chǔ)器里嗎問(wèn)題二:能不能將位圖存儲(chǔ)到外部?jī)?nèi)存中?問(wèn)題三:F429的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器有多大?
2020-05-20 04:37:13
概念理解:FLASH存儲(chǔ)器又成為閃存,它與EEPROM都是掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲(chǔ)器,但是FLASH得存儲(chǔ)容量都普遍的大于EEPROM,,在存儲(chǔ)控制上,最主要的區(qū)別是FLASH芯片只能一大片一大片
2022-03-02 07:20:19
存儲(chǔ)空間是如何進(jìn)行配置的?存儲(chǔ)器的特點(diǎn)是什么?FLASH和OTP存儲(chǔ)器的功耗模式有哪幾種狀態(tài)?
2021-10-21 08:28:25
Flash存儲(chǔ)器分為哪幾類?Flash存儲(chǔ)器有什么特點(diǎn)?Flash與DRAM有什么區(qū)別?
2021-06-18 07:03:45
嵌入式系統(tǒng)的海量存儲(chǔ)器多采用Flash存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)擴(kuò)展,由于Flash存儲(chǔ)器具有有限寫(xiě)入次數(shù)的壽命限制,因此對(duì)于Flash存儲(chǔ)器局部的頻繁操作會(huì)縮短Flash存儲(chǔ)器的使用壽命。如何設(shè)計(jì)出一個(gè)合理
2019-08-16 07:06:12
Flash存儲(chǔ)器是一種基于浮柵技術(shù)的非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,一般有NOR、NAND、 DINOR和AND 等幾種類型。作為一類非易失性存儲(chǔ)器 ,Flash存儲(chǔ)器具有自己獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn):不需要特殊的外部高
2020-11-16 14:33:15
最近工作上需要對(duì)英飛凌XC886這款單片機(jī)的Flash進(jìn)行讀寫(xiě),以下為簡(jiǎn)要的幾點(diǎn)總結(jié):一、Flash存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu):XC886共有32KFlash,地址映射如下圖所示:共三塊P-Flash用來(lái)存儲(chǔ)程序
2022-01-26 06:46:26
1.存儲(chǔ)器和總線架構(gòu)1.1系統(tǒng)架構(gòu)圖1I總線:此總線用于將 Cortex?-M4F 內(nèi)核的指令總線連接到總線矩陣。內(nèi)核通過(guò)此總線獲取指令。此總線訪問(wèn)的對(duì)象是包含代碼的存儲(chǔ)器(內(nèi)部 Flash
2021-08-05 07:41:43
, 每塊區(qū)域的大小是 512MB(1)Block0 內(nèi)部區(qū)域功能劃分Block0 主要用于設(shè)計(jì)片內(nèi)的 FLASH,0x0000 0000-0x0007FFFF:取決于 BOOT 引腳,為 FLASH、系統(tǒng)存儲(chǔ)器、 SRAM 的別名。0x08000000-0x0807FFFF:片內(nèi) FLASH,我們編寫(xiě).
2022-01-20 08:21:34
地址從低到高順序依次介紹。0x0000 0000-0x0007 FFFF:取決于 BOOT 引腳,為 FLASH、系統(tǒng)存儲(chǔ)器、SRAM 的別名。0x0008 0000-0x07FF FFFF:預(yù)留
2021-01-14 17:37:08
目錄【1】存儲(chǔ)器的層次結(jié)構(gòu)【2】存儲(chǔ)器的分類【3】SRAM基本原理:結(jié)構(gòu):芯片參數(shù)與引腳解讀:CPU與SRAM的連接方式【4】DRAM基本原理:結(jié)構(gòu)芯片引腳解讀:【5】存儲(chǔ)器系統(tǒng)設(shè)計(jì)【6】存儲(chǔ)器擴(kuò)展
2021-07-29 06:21:48
單片機(jī)內(nèi)部結(jié)構(gòu)分析存儲(chǔ)器的工作原理
2021-02-04 07:46:15
單片機(jī)內(nèi)部結(jié)構(gòu)分析存儲(chǔ)器的工作原理
2021-02-04 07:51:10
存儲(chǔ)器可劃分為哪幾類?存儲(chǔ)器的層次結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的?存儲(chǔ)器芯片與CPU芯片是怎樣進(jìn)行連接的?
2021-09-16 07:12:10
S29AL016D是SPANSION公司生產(chǎn)的16兆位的3V單一供電的FLASH存儲(chǔ)器。它為T(mén)SOP貼片48腳封裝和SOP 44腳封裝形式。
2021-04-23 07:16:05
STM32 F7 概述? STM32總線架構(gòu)和存儲(chǔ)器映射? 總線架構(gòu)? 存儲(chǔ)器映射? Cache? STM32F7性能? Boot模式? 片上閃存(Flash)? 系統(tǒng)配置控制器(SYSCFG)? 復(fù)位和時(shí)鐘控制(RCC)? 電源管理(PWR)
2023-09-08 06:53:32
STM32F系列單片機(jī)內(nèi)部含有較大容量的FLASH存儲(chǔ)器
2021-08-05 07:43:37
大家好,之前玩過(guò)51,知道程序存在ROM,數(shù)據(jù)存在RAM,現(xiàn)在接觸STM32,在讀STM32F103ZET6的數(shù)據(jù)手冊(cè)時(shí)看到,BOOTLOADER存在系統(tǒng)存儲(chǔ)器,手冊(cè)上寫(xiě)STM32F103ZET6有
2014-11-26 21:05:35
。RM0008文檔中可以看出,STM32采用的是Cortex-M3內(nèi)核,因此,有必要了解Cortex-M3的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)。圖中還可以看出,Cortex-M3是通過(guò)各個(gè)總線和Flash、SROM相連接的。2
2018-08-14 09:22:26
本文檔適用于STM32F1系列微控制器。介紹了外部EEPROM和嵌入式Flash存儲(chǔ)器之間的不同,描述了使用STM32F10x片內(nèi)的Flash存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)軟件模擬EEPROM的方法。
2022-12-01 06:16:17
關(guān)于數(shù)Gpbs高速存儲(chǔ)器接口設(shè)計(jì)的分析,看完你就懂了
2021-05-19 06:38:12
計(jì)算機(jī)的組成結(jié)構(gòu)中,有一個(gè)很重要的部分,就是存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器是用來(lái)存儲(chǔ)程序和數(shù)據(jù)的部件,對(duì)于計(jì)算機(jī)來(lái)說(shuō),有了存儲(chǔ)器,才有記憶功能,才能保證正常工作。存儲(chǔ)器的種類很多,按其用途可分為主存儲(chǔ)器和輔助存儲(chǔ)器...
2021-07-30 07:51:04
flash中運(yùn)行。嵌入式系統(tǒng)多用一個(gè)小容量的nor flash存儲(chǔ)引導(dǎo)代碼,用一個(gè)大容量的nand flash存放文件系統(tǒng)和內(nèi)核。
1.2 存儲(chǔ)器RAM介紹
RAM有兩大類,一種稱為靜態(tài)RAM(Static
2023-05-19 15:59:37
內(nèi)部存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)分析 我們來(lái)思考一個(gè)問(wèn)題,當(dāng)我們?cè)诰幊?b class="flag-6" style="color: red">器中把一條指令寫(xiě)進(jìn)單片要內(nèi)部,然后取下單片機(jī),單片機(jī)就可以執(zhí)行這條指令,那么這條指令一定保存在單片機(jī)的某個(gè)地方,并且這個(gè)地方在單片機(jī)掉電后依然可以保持
2017-03-25 10:22:51
3課:單片機(jī)存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)單片機(jī)內(nèi)部存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)分析1.當(dāng)我們?cè)诰幊?b class="flag-6" style="color: red">器中把一條指令寫(xiě)進(jìn)單片要內(nèi)部,然后取下單片機(jī),單片機(jī)就可以執(zhí)行這條指令,那么這條指令一定保存在單片機(jī)的某個(gè)地方,并且這個(gè)地方在單片機(jī)掉電后
2021-11-30 07:42:34
單片機(jī)內(nèi)部存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)分析存儲(chǔ)器的工作原理半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的分類
2021-04-02 07:01:26
。Flash存儲(chǔ)器是20世紀(jì)80年代末逐漸發(fā)展起來(lái)的一種新型的半導(dǎo)體不揮發(fā)存儲(chǔ)器,它兼有RAM和ROM的特點(diǎn),既可在線擦除。改寫(xiě),又能在掉電后保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失。F29C51004是5V CMOS
2018-07-26 13:01:24
通過(guò)quad SPI接口選擇FLASH存儲(chǔ)器與RT1172一起使用時(shí),應(yīng)該將其設(shè)置為Buffer Read模式還是Continuous Read模式?
2023-04-27 06:03:21
我正在學(xué)習(xí)如何在微控制器斷電后使用 STM32L431CC FLASH 存儲(chǔ)器存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。通過(guò)Keil編譯,我得到:程序大小:Code=34316 RO-data=1228 RW-data=364
2023-01-12 07:47:33
Flash類型與技術(shù)特點(diǎn)有哪些?如何去選擇uClinux的塊驅(qū)動(dòng)器?如何去設(shè)計(jì)Flash存儲(chǔ)器?
2021-04-27 06:20:01
以HY29LV160為例的Flash接口電路的使用方法下面,我們使用HY29LV160來(lái)構(gòu)建存儲(chǔ)系統(tǒng)。由于ARM微處理器的體系結(jié)構(gòu)支持8位/16位/32位的存儲(chǔ)器系統(tǒng),對(duì)應(yīng)的可以構(gòu)建8位、16位
2019-06-10 05:00:01
FLASH芯片的結(jié)構(gòu)與特點(diǎn)FLASH存儲(chǔ)器測(cè)試程序原理
2021-04-14 06:03:00
我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲(chǔ)器(而不是 EEPROM)。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲(chǔ)器,如果可能,我們?nèi)绾问褂?。?qǐng)指導(dǎo)我們實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)
2023-04-04 08:16:50
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器各有什么區(qū)別?特點(diǎn)?小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器包含三部分,片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
四、51單片機(jī)存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)1.存儲(chǔ)器總體結(jié)構(gòu)概述一般微機(jī)通常是程序和數(shù)據(jù)共用一個(gè)存儲(chǔ)空間,即ROM和RAM統(tǒng)一編址,屬于“馮諾依曼”結(jié)構(gòu)。而單片機(jī)的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)則把存儲(chǔ)空間和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)空間嚴(yán)格區(qū)分開(kāi)來(lái),即
2021-12-01 08:24:14
STM32F103處理器內(nèi)部存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)及映射???STM32F103存儲(chǔ)器映像為預(yù)定義形式,嚴(yán)格規(guī)定了哪個(gè)位置使用哪條總線。???STM32F103的程序存儲(chǔ)器、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、寄存器和IO端口被組織到
2021-12-09 07:51:09
用SPI接口擴(kuò)展外部Flash存儲(chǔ)器本應(yīng)用例使用SPMC75F2413A的SPI(Serial Peripheral Interface)功能實(shí)現(xiàn)對(duì)具有SPI接口的Flash存儲(chǔ)設(shè)備進(jìn)行操作。完成
2009-09-21 09:19:30
深入分析STM32單片機(jī)的RAM和FLASH學(xué)習(xí)2019-9-272642閱讀97點(diǎn)贊8評(píng)論最近在一個(gè)問(wèn)答社區(qū)回答了一個(gè)問(wèn)題,關(guān)于單片機(jī)存儲(chǔ)器的,于是有了想專門(mén)寫(xiě)一篇關(guān)于單片機(jī)存儲(chǔ)器的想法。作為
2022-01-26 08:09:05
隨機(jī)存儲(chǔ)器的特點(diǎn)及結(jié)構(gòu)。SRAM隨機(jī)存儲(chǔ)器的特點(diǎn)隨機(jī)存儲(chǔ)器最大的特點(diǎn)就是可以隨時(shí)對(duì)它進(jìn)行讀寫(xiě)操作,但當(dāng)電源斷開(kāi)時(shí),存儲(chǔ)信息便會(huì)消失。隨機(jī)存儲(chǔ)器依照數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方式的不同,主要可以分為動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2022-11-17 16:58:07
有兩個(gè)問(wèn)題請(qǐng)教板上各位大牛,謝謝了。
1、6657芯片中是不是沒(méi)有程序存儲(chǔ)器,是不是必須要外接flash才能存入程序?
2、如果使用外接的flash程序存儲(chǔ)器,如何從外部設(shè)備啟動(dòng)呢?有沒(méi)有這樣的例程或者手冊(cè)可以供我參考?我想外接一個(gè)flash存儲(chǔ)器(通過(guò)SPI或者EMIF外接)作為程序存儲(chǔ)器,謝謝!
2018-06-21 18:24:08
怎樣去設(shè)計(jì)DSP自動(dòng)引導(dǎo)裝載系統(tǒng)的硬件?對(duì)FLASH存儲(chǔ)器進(jìn)行燒寫(xiě)有哪些步驟?怎樣使用FLASH存儲(chǔ)器去設(shè)計(jì)引導(dǎo)裝載系統(tǒng)?
2021-04-27 07:13:39
和閃存)結(jié)合起來(lái)。鐵電存儲(chǔ)器是一種特殊工藝的非易失性的存儲(chǔ)器,是采用人工合成的鉛鋯鈦(PZT) 材料形成存儲(chǔ)器結(jié)晶體。 FRAM的結(jié)構(gòu)FRAM記憶元件使用了鐵電膜(Ferroelectric film
2020-05-07 15:56:37
閃速存儲(chǔ)器AT29C040與單片機(jī)的接口設(shè)計(jì)應(yīng)用
2009-10-10 11:28:00
數(shù)據(jù)信息。它們都是電子可寫(xiě)和可擦除存儲(chǔ)器,用以存儲(chǔ)單片機(jī)的應(yīng)用程序及數(shù)據(jù)信息。這些數(shù)據(jù)可在芯片上或芯片外存儲(chǔ)信息。盡管Flash和EEPROM設(shè)備都可以存儲(chǔ)嵌入式設(shè)備中使用的信息,但是它們的體系結(jié)構(gòu)
2023-04-07 16:42:42
The AT29C040A is a 5-volt only in-system Flash Programmable and Erasable ReadOnly Memory (PEROM
2008-09-08 17:44:0224 從C8 0 5 1F0 2 x Fl a s h 存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)可以知道,C8051F02x 的Flash 存儲(chǔ)器中,不僅具有64KB 的Flash 存儲(chǔ)器(其地址為0x0000~0xFFFF,該存儲(chǔ)器可以用來(lái)存儲(chǔ)程序代碼和非易失性數(shù)據(jù)),還有一
2009-04-15 10:50:33124 以基于TMS320C32 DSP 開(kāi)發(fā)的故障錄波裝置為模型,介紹AMD公司的Flash 存儲(chǔ)器Am29F040的原理和應(yīng)用;利用它的操作過(guò)程實(shí)現(xiàn)斷電后仍然可以將子程序保存在Flash存儲(chǔ)器內(nèi)的特性, 結(jié)合TMS320C
2009-04-16 09:52:5111 以基于TMS320C32 DSP 開(kāi)發(fā)的故障錄波裝置為模型,介紹AMD公司的Flash 存儲(chǔ)器Am29F040的原理和應(yīng)用;利用它的操作過(guò)程實(shí)現(xiàn)斷電后仍然可以將子程序保存在Flash存儲(chǔ)器內(nèi)的特性, 結(jié)合TMS320C
2009-05-15 14:20:5321 This application note provides library source code in C for theM29F040 and the M29W040 Flash
2009-05-19 16:19:2523 海爾29T9B-P存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)
2009-06-01 08:59:0910 海爾29F1A-P永新管存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)
2009-06-02 09:52:0524 海爾29F7A-T存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)
2009-06-02 10:31:5548 海爾29F9K-P(9373)存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)
2009-06-03 13:06:13140 海爾29FV6H-B存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)
2009-06-03 13:08:0526 海爾29T1A-S存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)
2009-06-03 13:08:5546 海爾29T2A-P(8843)存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)
2009-06-03 13:09:4232 文中簡(jiǎn)要介紹了AM29F016D 閃速存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、使用方法,并以LED 大屏幕顯示控制系統(tǒng)為例,說(shuō)明AM29F016D 與單片機(jī)的接口及使用方法,并給出實(shí)用的硬件接口電路。AM29F016D 在該
2009-08-15 08:55:4823 論述了基于Freescale 32 位ColdFire 系列微處理器MCF5249 的Flash 存儲(chǔ)器擴(kuò)展技術(shù),以MCF5249對(duì)MX29LV160BT Flash 存儲(chǔ)器的擴(kuò)展為例,介紹了擴(kuò)展的原理,MCF5249 與MX29LV160BT 的硬件接口設(shè)計(jì),Flash
2009-08-29 10:27:5835 NAND FLASH開(kāi)始廣泛應(yīng)用于星載存儲(chǔ)器,針對(duì)FLASH的數(shù)據(jù)高效管理成為該類存儲(chǔ)器研究的重要組成部分。本文以商用文件系統(tǒng)YAFFS2為基礎(chǔ),結(jié)合空間應(yīng)用的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)特點(diǎn),引入文件系統(tǒng)的概
2010-02-24 14:41:2610 LM3S 系列微控制器Flash 存儲(chǔ)器應(yīng)用
在眾多的單片機(jī)中都集成了 Flash 存儲(chǔ)器系統(tǒng),該存儲(chǔ)器系統(tǒng)可用作代碼和數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)。它在整個(gè)存儲(chǔ)器中所處的位置在最起始
2010-03-27 15:29:5848 NAND FLASH開(kāi)始廣泛應(yīng)用于星載存儲(chǔ)器,針對(duì)FLASH的數(shù)據(jù)高效管理成為該類存儲(chǔ)器研究的重要組成部分。本文以商用文件系統(tǒng)YAFFS2為基礎(chǔ),結(jié)合空間應(yīng)用的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)特點(diǎn),引入文件系統(tǒng)的概
2010-07-17 18:06:2914 內(nèi)建自測(cè)試是一種有效的測(cè)試存儲(chǔ)器的方法。分析了NOR型flash存儲(chǔ)器的故障模型和測(cè)試存儲(chǔ)器的測(cè)試算法,在此基礎(chǔ)上,設(shè)計(jì)了flash存儲(chǔ)器的內(nèi)建自測(cè)試控制器??刂破鞑捎昧艘环N23
2010-07-31 17:08:5435 基于DSP的系統(tǒng)設(shè)計(jì)中,由于部分DSP內(nèi)部無(wú)非易失性存儲(chǔ)器,為了保證該系統(tǒng)設(shè)計(jì)掉電時(shí)程序不丟失,因此必須外部擴(kuò)展ROM或Flash用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。以TMS320C6713型浮點(diǎn)DSP和AM29LV800B型Flash存
2010-12-23 16:40:3331 摘要:NAND結(jié)構(gòu)Flash數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器件是超大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的理想選擇,當(dāng)前被廣泛應(yīng)用于U盤(pán)、MP3和數(shù)碼相機(jī)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。本文對(duì)該類型Flash的基本操作進(jìn)行研究并對(duì)實(shí)際
2006-03-11 11:47:191206 MCP存儲(chǔ)器,MCP存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)原理
當(dāng)前給定的MCP的概念為:MCP是在一個(gè)塑料封裝外殼內(nèi),垂直堆疊大小不同的各類存儲(chǔ)器或非存儲(chǔ)器芯片,
2010-03-24 16:31:282241 存儲(chǔ)器的層次結(jié)構(gòu)原理圖解分析
學(xué)習(xí)目錄:
理解多級(jí)存儲(chǔ)層次的思想及其作用;
掌
2010-04-13 16:16:1212759 Flash 存儲(chǔ)器的簡(jiǎn)介
在眾多的單片機(jī)中都集成了 Flash 存儲(chǔ)器系統(tǒng),該存儲(chǔ)器系統(tǒng)可用作代碼和數(shù)據(jù)
2010-11-11 18:25:094564 介紹了AM29F010B的編程要求,結(jié)合M68HC11上電自動(dòng)引導(dǎo)功能,針對(duì)發(fā)動(dòng)機(jī)控制單元設(shè)計(jì)中編程的問(wèn)題,提供了一種Flash存儲(chǔ)器在系統(tǒng)編程的方案,并給出了相應(yīng)環(huán)節(jié)的程序流程圖和部分操作的程序
2011-09-14 10:33:073121 ARM嵌入式應(yīng)用程序架構(gòu)設(shè)計(jì)實(shí)例精講--ARM基礎(chǔ)應(yīng)用實(shí)驗(yàn)05Flash存儲(chǔ)器
2016-07-08 11:08:190 AT29C040數(shù)據(jù)手冊(cè),又需要的下來(lái)看看。
2016-12-09 20:15:130 Am29F040B是一種4Mbit、僅5.0V的閃存,由524288 KB組成,每個(gè)8位。這個(gè)512 KB的數(shù)據(jù)分為8個(gè)扇區(qū),每個(gè)扇區(qū)64個(gè)字節(jié)每個(gè)字節(jié)具有靈活的擦除功能。的8位數(shù)據(jù)出現(xiàn)在DQ0
2022-07-13 09:50:4818 FLASH存儲(chǔ)器(也就是閃存)就 是非易失隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器(NVRAM),特點(diǎn)是斷電后數(shù)據(jù)不消失,因此可以作為外部存儲(chǔ)器使用。而所謂的內(nèi)存是揮發(fā)性存儲(chǔ)器,分為DRAM和SRAM兩大類,其中常說(shuō)的內(nèi)存
2017-10-11 14:39:468295 Flash存儲(chǔ)器技術(shù)趨于成熟,應(yīng)用廣泛,它結(jié)合了OTP存儲(chǔ)器的成本優(yōu)勢(shì)和EEPROM的可再編程性能,是目前比較理想的存儲(chǔ)器。Flash存儲(chǔ)器具有電可擦除、無(wú)需后備電源來(lái)保護(hù)數(shù)據(jù)、可在線編程、存儲(chǔ)密度
2017-10-11 18:57:413776 FLASH存儲(chǔ)器又稱閃存,是一種長(zhǎng)壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息)的存儲(chǔ)器,由于其斷電時(shí)仍能保存數(shù)據(jù),FLASH存儲(chǔ)器通常被用來(lái)保存設(shè)置信息,如在電腦的BIOS(基本輸入輸出
2017-10-13 16:34:3020879 FLASH(閃速存儲(chǔ)器)作為一種安全、快速的存儲(chǔ)體,具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù)據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點(diǎn),已成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)和程序最主要的載體。由于FLASH在結(jié)構(gòu)和操作方式上與硬盤(pán)
2017-10-15 10:15:546 flash存儲(chǔ)器,及閃速存儲(chǔ)器,這一類型的存儲(chǔ)器具有速度快、方便等特點(diǎn),是人們使用電腦辦公或者娛樂(lè)時(shí)必備的工具。
2017-10-30 08:54:3431401 ,存儲(chǔ)器內(nèi)的信息仍然存在,主要是閃存(Nand FLASH 和 NOR FLASH),NOR 主要應(yīng)用于代碼存儲(chǔ)介質(zhì)中,而 NAND 則用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
2018-04-09 15:45:33109972 相信有很多人都對(duì)計(jì)算機(jī)里的各種存儲(chǔ)器(ROM、RAM、FLASH 等等)傻傻分不清,就會(huì)存在,內(nèi)存條是 dram 還是 nand?nand flash 和 nor flash 的區(qū)別又是什么?程序
2020-12-17 14:56:3810522 Nand flash是flash存儲(chǔ)器的其中一種,Nand flash其內(nèi)部采用非線性宏單元模式以及為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND FLASH存儲(chǔ)器具有容量較大和改寫(xiě)速度快
2020-11-03 16:12:083855 介紹了 Flash 存儲(chǔ)器的特性和應(yīng)用場(chǎng)合 ,在16 位地址總線中擴(kuò)展大容量存儲(chǔ)的一般方法。討論了 MCS-51 系列單片機(jī)與 Flash 存儲(chǔ)器的硬件接口方式和軟件編程過(guò)程 ,以及在應(yīng)用中應(yīng)該注意的問(wèn)題 ,并以 W29C040為例 ,給出了實(shí)際原理圖和有關(guān)實(shí)現(xiàn)。
2021-03-18 09:50:047 FLASH存儲(chǔ)器是一種電擦除與再編程的快速存儲(chǔ)器,又稱為閃速存儲(chǔ)器。它可以分為兩大類:并行Flash和串行FLASH。串行產(chǎn)品能節(jié)約空間和成本,但存儲(chǔ)量小,又由于是串行通信,所以速度較慢,開(kāi)發(fā)編程
2021-03-20 11:04:485650 文章目錄內(nèi)存結(jié)構(gòu)程序存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器通用寄存器區(qū)位尋址區(qū)一般RAM區(qū)特殊功能寄存器區(qū)內(nèi)存結(jié)構(gòu)MCS-51單片機(jī)在物理結(jié)構(gòu)上有四個(gè)存儲(chǔ)空間:片內(nèi)程序存儲(chǔ)器、片外程序存儲(chǔ)器、MCS-51單片機(jī)在物理結(jié)構(gòu)
2021-11-23 09:36:0513 AN4767_在STM32微控制器中Flash存儲(chǔ)器雙頻帶結(jié)構(gòu)的優(yōu)化使用
2022-11-21 17:07:070 Flash存儲(chǔ)器是一種非易失性存儲(chǔ)器,即使在供電電源關(guān)閉后仍能保持片內(nèi)信息。
2023-09-09 16:22:282620 摘要:本文主要對(duì)兩種常見(jiàn)的非易失性存儲(chǔ)器——NAND Flash和NOR Flash進(jìn)行了詳細(xì)的比較分析。從存儲(chǔ)容量、性能、成本等方面進(jìn)行了深入探討,以幫助讀者更好地理解這兩種存儲(chǔ)器的特性和應(yīng)用。
2023-09-27 17:46:06490 隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求日益增長(zhǎng)。作為一種新型的非易失性存儲(chǔ)器,NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢(shì),在各個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將對(duì)NAND Flash存儲(chǔ)器的工作原理、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、性能指標(biāo)及應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行詳細(xì)解析,以期為讀者提供一個(gè)全面的了解。
2023-09-27 18:26:171446 ,包括其結(jié)構(gòu)、特點(diǎn)以及如何寫(xiě)入數(shù)據(jù)。 一、STM32 Flash的結(jié)構(gòu) STM32 Flash存儲(chǔ)器通常被分為多個(gè)扇區(qū),每個(gè)扇區(qū)大小為2KB到256KB不等,根據(jù)不同的型號(hào)有所不同。每個(gè)扇區(qū)可以獨(dú)立進(jìn)行
2024-01-31 15:46:03421
評(píng)論
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