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華潤(rùn)上華第三代超高壓700V BCD系列工藝開(kāi)發(fā)成功

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2010-03-18 09:55:0417

Intel Xeon?鉑金處理器(第三代

Intel Xeon?鉑金處理器(第三代)Intel? Xeon?鉑金處理器(第三代)是安全、敏捷、數(shù)據(jù)中心的基礎(chǔ)。這些處理器具有內(nèi)置AI加速、先進(jìn)的安全技術(shù)和出色的多插槽處理性能,設(shè)計(jì)用于任務(wù)關(guān)鍵
2024-02-27 11:57:15

Intel Xeon?金牌處理器(第三代

Intel Xeon?金牌處理器(第三代)Intel? Xeon?金牌處理器(第三代)支持高內(nèi)存速度和增加內(nèi)存容量。Intel? Xeon?金牌處理器具有更高性能、先進(jìn)的安全技術(shù)以及內(nèi)置工作負(fù)載加速
2024-02-27 11:57:49

Intel Xeon?可擴(kuò)展處理器(第三代

Intel Xeon?可擴(kuò)展處理器(第三代)Intel?Xeon?可擴(kuò)展處理器(第三代)針對(duì)云、企業(yè)、HPC、網(wǎng)絡(luò)、安全和IoT工作負(fù)載進(jìn)行了優(yōu)化,具有8到40個(gè)強(qiáng)大的內(nèi)核和頻率范圍、功能和功率級(jí)別
2024-02-27 11:58:54

簡(jiǎn)單的超高壓發(fā)生器制作DIY教程

超高壓發(fā)生器輸出幾十千伏超高壓、應(yīng)用負(fù)粒子、點(diǎn)火、臭氧。簡(jiǎn)易超高壓發(fā)生器,圖1-1的電路可輸出
2017-09-21 16:51:00792

簡(jiǎn)易超高壓發(fā)生器電路圖

簡(jiǎn)易超高壓發(fā)生器電路圖:此電路可輸出幾十千伏超高壓,當(dāng)接通電源時(shí),電源經(jīng)R向C2充電至2CTS導(dǎo)通,即觸發(fā)SCR導(dǎo)通。原來(lái)C1被電源充滿(mǎn)的電荷立即經(jīng)SCR放電,升壓
2007-12-18 22:33:557420

Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET,采

Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET,采用TurboFET技術(shù) 日前,Vishay Intertechnology推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件,從而擴(kuò)展其第三代 TrenchFET 功率MOSFET 系列。這些器件首次采用 T
2008-12-08 11:55:09635

為什么我們要重視第三代半導(dǎo)體!#半導(dǎo)體 #硬聲創(chuàng)作季

半導(dǎo)體第三代半導(dǎo)體
Hello,World!發(fā)布于 2022-10-06 00:30:27

超高壓模塊電路原理圖

超高壓模塊電路原理圖
2009-05-13 13:15:146847

第三代移動(dòng)通信常識(shí)

第三代移動(dòng)通信常識(shí) 1、3G定義   3G是英文3rd Generation的縮寫(xiě),指第三代移動(dòng)通信技術(shù)。相對(duì)
2009-06-01 21:03:572479

什么是第三代移動(dòng)通信系統(tǒng)

什么是第三代移動(dòng)通信系統(tǒng) 第三代移動(dòng)通信系統(tǒng)IMT2000,是國(guó)際電信聯(lián)盟(ITU)在1985年提出的,當(dāng)時(shí)稱(chēng)為陸地移動(dòng)系
2009-06-13 22:20:55948

檢測(cè)超高壓球形汞燈的啟輝

檢測(cè)超高壓球形汞燈的啟輝
2009-08-08 17:41:29671

見(jiàn)證LG產(chǎn)電超高壓事業(yè)邁向新臺(tái)階

見(jiàn)證LG產(chǎn)電超高壓事業(yè)邁向新臺(tái)階 成功開(kāi)發(fā)出出口專(zhuān)用gas絕緣開(kāi)關(guān)裝置由荷蘭嘎擠梓博士參與的第一項(xiàng)產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)應(yīng)用了目前在
2009-08-31 11:44:32612

第三代半導(dǎo)體戰(zhàn)略意義重大 #芯片 #第三代半導(dǎo)體 #碳化硅 #氮化鎵 #SiC 芯球崛起#硬聲創(chuàng)作季

SiC碳化硅第三代半導(dǎo)體時(shí)事熱點(diǎn)
電子師發(fā)布于 2022-10-20 09:12:31

什么是超高壓汞燈

什么是超高壓汞燈   用于產(chǎn)生液晶投影器的光源,原燈管通過(guò)
2010-02-08 10:56:24697

谷歌發(fā)布Android手機(jī)NDK第三代版本

谷歌發(fā)布Android手機(jī)NDK第三代版本 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,3月8日,谷歌公司發(fā)布Android本機(jī)開(kāi)發(fā)程序包(Native Developer Kit,簡(jiǎn)稱(chēng)NDK)第三代版本。該版本NDK的發(fā)布,使得第三
2010-03-09 09:16:39578

高壓輸電與超高壓輸電經(jīng)濟(jì)性比較

高壓輸電與超高壓輸電經(jīng)濟(jì)性比較,一般用輸電成本進(jìn)行比較,比較2個(gè)電壓等級(jí)輸送同樣的功率和同樣的距離所用的輸電成本。
2011-02-15 09:54:351390

萊迪思半導(dǎo)體推出第三代LatticeECP3系列FPGA

 LatticeECP3系列是來(lái)自萊迪思半導(dǎo)體公司的第三代高價(jià)值的FPGA,在業(yè)界擁有SERDES功能的FPGA器件中,它具有最低的功耗和價(jià)格
2011-03-23 10:41:36981

超高壓系統(tǒng)的電控設(shè)計(jì)

設(shè)計(jì)了超高壓系統(tǒng)的主電路及控制電路。通過(guò)仿真分析研究了該系統(tǒng)的特性與各主要參數(shù)之間的關(guān)系,對(duì)系統(tǒng)的推廣應(yīng)用具有一定意義。
2011-10-19 15:04:3895

第三代iPad今夏來(lái)襲?

據(jù)一向不靠譜的臺(tái)灣媒體DigiTimes報(bào)道,蘋(píng)果將于今年夏季發(fā)布新款第三代iPad。新款第三代iPad將配備來(lái)自夏普的IGZO顯示屏,這種技術(shù)將使iPad變得更薄,電池更耐用。在第三代iPad發(fā)布之
2012-06-30 11:48:16625

日本制成耐2萬(wàn)伏超高壓的半導(dǎo)體器件

 日本京都大學(xué)工學(xué)院須田淳準(zhǔn)教授和木本恒暢教授的研究組近日利用碳化硅(SiC)材料成功開(kāi)發(fā)出可耐2萬(wàn)伏超高壓的半導(dǎo)體器件。10月23日該研究組宣布了這一消息。該研究小組于今年
2012-11-15 11:42:523653

IOT_Shield -機(jī)智云第三代開(kāi)發(fā)板的原理圖

機(jī)智云第三代開(kāi)發(fā)板的原理圖,我還有機(jī)智云其他的質(zhì)料,需要的話(huà)可以找我!
2015-11-24 10:32:1933

超高壓直流輸電系統(tǒng)預(yù)測(cè)

本文提出了超高壓直流輸電系統(tǒng)可靠性預(yù)測(cè)的數(shù)學(xué)模型及工程方法。采用能量可用率評(píng)價(jià)超高壓直流輸電系統(tǒng)的可靠性,使用從統(tǒng)計(jì)期間扣除計(jì)劃停運(yùn)小時(shí)的能量可用率與檢修系數(shù)評(píng)價(jià)超高壓直流輸電系統(tǒng)的固有可靠性,采用
2018-03-28 10:21:000

第三代半導(dǎo)體材料特點(diǎn)及資料介紹

本文首先介紹了第三代半導(dǎo)體的材料特性,其次介紹了第三代半導(dǎo)體材料性能應(yīng)用及優(yōu)勢(shì),最后分析了了我國(guó)第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展面臨著的機(jī)遇挑戰(zhàn)。
2018-05-30 12:37:3334365

什么是第三代半導(dǎo)體?第三代半導(dǎo)體受市場(chǎng)關(guān)注

繼5G、新基建后,第三代半導(dǎo)體概念近日在市場(chǎng)上的熱度高居不下。除了與5G密切相關(guān)外,更重要是有證券研報(bào)指出,第三代半導(dǎo)體有望納入重要規(guī)劃,消息傳出后多只概念股受到炒作。證券業(yè)人士提醒,有個(gè)人投資者
2020-09-21 11:57:553812

超高壓海纜公司220KV光纖復(fù)合海底電纜研制成功

【大比特導(dǎo)讀】近期,從超高壓海纜公司技術(shù)研發(fā)部傳來(lái)喜訊:220KV光纖復(fù)合海底電纜(含軟接頭)研發(fā)成功,各項(xiàng)指標(biāo)均達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)要求,并經(jīng)上海電纜研究所(以下簡(jiǎn)稱(chēng)上纜所)派遣專(zhuān)家檢驗(yàn)合格,目前已送上
2018-10-22 20:20:01379

華潤(rùn)微電子宣布已成功開(kāi)發(fā)第三代0.18微米BCD工藝平臺(tái)

2018年11月5日,華潤(rùn)微電子有限公司(“華潤(rùn)微電子”)旗下的華潤(rùn)上華科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“華潤(rùn)上華”)宣布,公司已成功開(kāi)發(fā)第三代0.18微米BCD工藝平臺(tái)。新一代BCD工藝平臺(tái)在降低導(dǎo)通電
2018-11-06 16:44:336002

華潤(rùn)微電子已完成第三代0.18微米BCD工藝平臺(tái)的開(kāi)發(fā)

近日,華潤(rùn)微電子有限公司(“華潤(rùn)微電子”)旗下的華潤(rùn)上華科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“華潤(rùn)上華”)宣布,公司已成功開(kāi)發(fā)第三代0.18微米BCD工藝平臺(tái)。
2018-11-10 11:27:317473

AMD宣布第三代銳龍3000系列處理器將在今年年中正式發(fā)布上市

AMD已經(jīng)官方宣布了基于7nm工藝、Zen 2架構(gòu)的第三代銳龍3000系列處理器,將在今年年中正式發(fā)布上市,而在3月18-22日的GDC 2019游戲開(kāi)發(fā)者大會(huì)上,AMD會(huì)專(zhuān)門(mén)為大家講解三代銳龍。
2019-02-12 15:01:3711970

三星宣布開(kāi)發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片

3月21日,三星電子宣布開(kāi)發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片,將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過(guò)去16個(gè)月。
2019-03-21 16:43:083251

華虹半導(dǎo)體宣布第三代90納米嵌入式閃存工藝平臺(tái)已成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

華虹半導(dǎo)體有限公司(“華虹半導(dǎo)體”)宣布其第三代90納米嵌入式閃存(90nm eFlash)工藝平臺(tái)已成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
2019-06-27 16:22:383721

超高壓氧化皮清洗機(jī)的特點(diǎn)是什么

超高壓氧化皮清洗機(jī)的這些特點(diǎn)你肯定不了解 力泰科技資訊:熱軋鋼廠針對(duì)氧化皮問(wèn)題采取了各種辦法,其中高壓水除磷原理成為較為可行的辦法,超高壓氧化皮清洗機(jī)就是采用高壓水除磷原理設(shè)計(jì),已經(jīng)成為熱軋鋼廠生產(chǎn)
2020-10-05 10:20:00324

超高壓水除磷設(shè)備的應(yīng)用,它的優(yōu)勢(shì)是什么

怎樣選擇一個(gè)靠譜的超高壓除磷設(shè)備商 鋼坯從加熱爐中出爐后,其表面覆蓋的氧化皮技術(shù)冷卻,爐內(nèi)生成的氧化皮呈現(xiàn)網(wǎng)狀裂紋。若沒(méi)有及時(shí)進(jìn)行氧化皮處理,被鍛打壓入鋼坯表面后會(huì)形成點(diǎn)狀、條紋狀、面狀等表面缺陷
2020-08-29 11:56:31827

中歐“大咖”齊聚深圳,共話(huà)第三代半導(dǎo)體發(fā)展

第三屆“中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇”在深圳五洲賓館成功舉辦。
2019-09-23 10:32:171019

第三代半導(dǎo)體的發(fā)展研究

據(jù)了解,我國(guó)計(jì)劃把大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),寫(xiě)入十四五規(guī)劃,計(jì)劃在2021-2025年期間,在教育、科研、開(kāi)發(fā)、融資、應(yīng)用等等各個(gè)方面,大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),以期實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)獨(dú)立自主
2020-11-04 15:12:374305

第三代半導(dǎo)體將駛?cè)氤砷L(zhǎng)快車(chē)道

最近,“我國(guó)將把發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)寫(xiě)入‘十四五’規(guī)劃”引爆全網(wǎng)。什么是第三代半導(dǎo)體?發(fā)展第三代半導(dǎo)體的意義在哪兒?它憑什么一夜爆火
2020-12-14 11:02:443296

第三代半導(dǎo)體將迎來(lái)應(yīng)用大爆發(fā)?

,什么材料會(huì)再領(lǐng)風(fēng)騷?記者采訪(fǎng)了專(zhuān)家。? 禁帶寬度,是用來(lái)區(qū)分不同代際半導(dǎo)體的關(guān)鍵參數(shù)。? 作為第三代半導(dǎo)體,氮化鎵和碳化硅的禁帶寬度分別為3.39電子伏特和3.26電子伏特,較高的禁帶寬度非常適合高壓器件應(yīng)用。氮化鎵電子飽和速度
2021-01-07 14:19:483427

高德地圖正式發(fā)布第三代車(chē)載導(dǎo)航 第三代車(chē)載導(dǎo)航首搭于小鵬汽車(chē)

1月22日,高德地圖正式發(fā)布第三代車(chē)載導(dǎo)航,小鵬汽車(chē)成為首款搭載第三代車(chē)載導(dǎo)航的企業(yè)。 第三代車(chē)載導(dǎo)航能力從“導(dǎo)人”升級(jí)為“人車(chē)共導(dǎo)”,利用AI視覺(jué)技術(shù)和高精地圖,實(shí)現(xiàn)車(chē)道導(dǎo)航,讓道路規(guī)劃以及引導(dǎo)
2021-01-22 18:05:143606

瀾起科技重磅發(fā)布全新第三代津逮CPU!

數(shù)據(jù)處理和計(jì)算力日益提升的需求。 第三代津逮CPU是面向中國(guó)市場(chǎng)設(shè)計(jì)的本土服務(wù)器處理器,適用于x86通用服務(wù)器平臺(tái),其功能、性能及可靠性與第三代英特爾至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器(Ice Lake)一致。相較上一代產(chǎn)品,第三代津逮CPU采用先進(jìn)的10nm制程工藝,支
2021-04-12 14:26:292879

國(guó)星光電正式推出一系列第三代半導(dǎo)體新產(chǎn)品

第三代半導(dǎo)體Central issue 2020年10月,國(guó)星光電成功舉辦了首屆國(guó)星之光論壇,論壇上國(guó)星光電宣布將緊抓國(guó)產(chǎn)化機(jī)遇,迅速拓展第三代半導(dǎo)體新賽道。近期,國(guó)星光電正式推出一系列第三代半導(dǎo)體
2021-04-22 11:47:102719

如何化解第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用痛點(diǎn)

又以碳化硅和氮化鎵材料技術(shù)的發(fā)展最為成熟。與第一代、第二代半導(dǎo)體材料相比,第三代半導(dǎo)體材料通常具備更寬的禁帶寬度、更高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)、更高的熱導(dǎo)率,電子飽和速率和抗輻射能力也更勝一籌,在高溫、高壓、高頻、高功率等嚴(yán)苛環(huán)境下,依然能夠保證性能穩(wěn)定。
2023-05-18 10:57:361018

SLP10N70C美浦森高壓MOSFET 700V 10A

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLP10N70C美浦森高壓MOSFET 700V 10A.pdf》資料免費(fèi)下載
2022-04-29 14:00:090

SLP7N70C美浦森高壓MOSFET 700V 7A

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLP7N70C美浦森高壓MOSFET 700V 7A.pdf》資料免費(fèi)下載
2022-04-29 14:03:300

超高壓MOS在變頻器上的應(yīng)用

在工業(yè)變頻器上的應(yīng)用,反激式輔助電源設(shè)計(jì)線(xiàn)路,推薦使用瑞森半導(dǎo)體超高壓MOS系列
2023-12-28 15:11:19132

超高壓MOS在變頻器上的應(yīng)用

在工業(yè)變頻器上的應(yīng)用,反激式輔助電源設(shè)計(jì)線(xiàn)路,推薦使用瑞森半導(dǎo)體超高壓MOS系列
2023-12-28 16:23:08120

如何判斷超高壓瓷介電容的好壞

如何判斷超高壓瓷介電容的好壞? 超高壓瓷介電容器是一種常見(jiàn)的電力設(shè)備,用于電力系統(tǒng)中的電能傳輸和維護(hù)電網(wǎng)穩(wěn)定性。因此,判斷超高壓瓷介電容器的好壞對(duì)確保電力系統(tǒng)的安全和穩(wěn)定至關(guān)重要。本文將從以下幾個(gè)
2024-02-02 15:43:58171

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