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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲技術(shù)>長江存儲64層3D NAND閃存量產(chǎn)

長江存儲64層3D NAND閃存量產(chǎn)

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最高的643D NAND芯片。據(jù)techweb的消息顯示,長江存儲今年年底預(yù)計正式量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存,明年開始逐步提升產(chǎn)能,預(yù)計2020年底有望將產(chǎn)能提升至月產(chǎn)6萬片晶圓的規(guī)模。
2019-08-27 09:32:512187

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2016-11-09 11:35:16833

長江存儲3D NAND存儲器研發(fā)領(lǐng)域取得標(biāo)志性進展

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2017-02-17 07:48:231529

PK三星閃存 紫光2019年將量產(chǎn)643D NAND閃存

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2017-05-09 15:10:042255

三星量產(chǎn)全球最快3D NAND閃存 64層速率高達1Gbps

電子發(fā)燒友早八點訊:三星今天在韓國宣布,開始大規(guī)模量產(chǎn)64層堆疊、256Gb(32GB)、3bit的V-NAND閃存芯片,是為第四代3D閃存
2017-06-16 06:00:002000

Xtacking? 架構(gòu)取得三大技術(shù)突破,643D NAND預(yù)計明年批量出貨

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2018-09-20 10:22:075376

慧榮科技宣布全系列主控芯片全面支持長江存儲Xtacking 3D NAND

Xtacking 3D NAND閃存,包括長江存儲最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲3D NAND技術(shù)迅速
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2020-11-19 09:09:58

三星、西部數(shù)據(jù)、英特爾、美光、長江存儲探討3D NAND技術(shù)

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2018-09-20 17:57:05

國內(nèi)NAND Flash產(chǎn)業(yè)崛起撬動全球市場,但需求不足跌價成必然 精選資料分享

減少NAND閃存產(chǎn)能投資,以便減少NAND供應(yīng),緩解市場對降價的預(yù)期。 64和96堆棧閃存命運各不同今年將是963D閃存爆發(fā)的元年。在64堆棧之后,2018年下半年各大廠商也開始量產(chǎn)96堆棧
2021-07-13 06:38:27

芯片的3D化歷程

128甚至更高,外圍電路可能會占到芯片Xtacking技術(shù)將外圍電路連接到存儲單元之上,從而實現(xiàn)比傳統(tǒng)3D NAND更高的存儲密度。據(jù)悉,長江存儲643D NAND閃存產(chǎn)品將在2020年進入
2020-03-19 14:04:57

3D NAND的不同架構(gòu)淺析 #存儲技術(shù)

NANDIC設(shè)計存儲技術(shù)3d nand
EE_Voky發(fā)布于 2022-06-28 17:29:27

長江存儲32層NAND閃存預(yù)計2018年內(nèi)量產(chǎn)

NAND閃存芯片是智能手機、SSD硬盤等行業(yè)中的基礎(chǔ),也是僅次于DRAM內(nèi)存的第二大存儲芯片,國內(nèi)的存儲芯片幾乎100%依賴進口。好在國產(chǎn)NAND閃存目前已經(jīng)露出了曙光,紫光集團旗下的長江存儲正在
2018-05-16 10:06:003750

長江存儲正式裝機:3D NAND量產(chǎn)還有多遠?

4月11日,長江存儲以芯存長江,智儲未來為主題,慶賀存儲器基地正式移入生產(chǎn)設(shè)備。 2017年9月長江存儲新建的國家存儲器基地項目(一期)一號生產(chǎn)及動力廠房實現(xiàn)提前封頂,2018年2月份進行廠內(nèi)潔凈室裝修和空調(diào)、消防等系統(tǒng)安裝,正是為4月搬入機臺設(shè)備而準(zhǔn)備,預(yù)計很快就可以實現(xiàn) 3D NAND 量產(chǎn)。
2018-04-15 10:08:009280

長江存量產(chǎn)NAND Flash芯片 打響中國在存儲芯片領(lǐng)域的第一槍

日前,長江存儲以“芯存長江,智儲未來”為主題,慶賀存儲器基地正式移入生產(chǎn)設(shè)備。目前,長江存儲新建的廠房已經(jīng)完成廠內(nèi)潔凈室裝修和空調(diào)、消防等系統(tǒng)的安裝。只要生產(chǎn)設(shè)備搬入并完成調(diào)試之后,就可以量產(chǎn)NAND Flash芯片,打響中國在存儲芯片領(lǐng)域的第一槍。
2018-05-30 02:28:007739

三星開始量產(chǎn)第五代V-NAND閃存,了解其性價比

面對2018年各大閃存顆粒廠商已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)64層堆棧3D NAND的情況,三星正式宣布開始量產(chǎn)第五代V-NAND閃存顆粒,堆棧數(shù)將超過90層。
2018-07-24 14:36:327167

長江存儲將首次公布3D NAND閃存技術(shù),實現(xiàn)閃存行業(yè)的劃時代躍進

紫光旗下的長江存儲(YMTC)宣布,將首次參加8月份在美舉行的閃存峰會(Flash Memory Summit)。
2018-07-30 17:57:274031

看看長江存儲新型架構(gòu)為3D NAND帶來哪些性能?

作為3D NAND閃存產(chǎn)業(yè)的新晉者,紫光集團旗下長江存儲科技有限責(zé)任公司(長江存儲)今年將首次參加閃存峰會(Flash Memory Summit),并發(fā)表備受期待的主題演講,闡述其即將發(fā)布的突破性技術(shù)XtackingTM。
2018-07-31 14:17:014486

美光第二代3D NAND閃存大規(guī)模量產(chǎn),容量更大成本更低

,第一代3D NAND閃存的成本也符合預(yù)期,堆棧層數(shù)達到64層的第二代3D NAND閃存也在路上了,今年底就要大規(guī)模量產(chǎn)了。
2018-08-03 16:15:031188

長江存儲32層三維NAND閃存芯片與今年第四季度實現(xiàn)量產(chǎn)

在位于武漢東湖高新區(qū)的長江存儲科技有限責(zé)任公司(國家存儲器基地),紫光集團聯(lián)席總裁刁石京透露,中國首批擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于今年第四季度在此實現(xiàn)量產(chǎn)
2018-08-07 14:35:145523

長江存儲推全新3D NAND架構(gòu) 挑戰(zhàn)三星存儲

長江存儲科技公司表示,盡管仍采用3D分層,但速度卻可提升三倍。
2018-08-09 09:33:163466

中國首批32層3D NAND閃存芯片即將量產(chǎn)

昨日長江存儲正式公開了其突破性技術(shù)——XtackingTM。據(jù)悉,該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能,更高的存儲密度,以及更短的產(chǎn)品上市周期。
2018-08-10 09:14:394625

長江存儲643D NAND芯片專利研發(fā)完成,預(yù)計明年完成生產(chǎn)線建置

紫光集團旗下長江存儲發(fā)展儲存型快閃存儲器(NAND Flash)報捷,已自主開發(fā)完成最先進的643D NAND芯片專利,預(yù)計明年完成生產(chǎn)線建置、2020年量產(chǎn),震撼業(yè)界。
2018-08-13 09:45:002185

長江存儲發(fā)布突破性技術(shù),將大大提升3D NAND的性能

作為NAND行業(yè)的新晉者,長江存儲科技有限責(zé)任公司(以下簡稱:長江存儲)昨日公開發(fā)布其突破性技術(shù)——Xtacking?。該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能,更高的存儲密度,以及更短的產(chǎn)品上市周期。
2018-08-13 09:54:001665

長江存儲推全新3D NAND架構(gòu)——XtackingTM

作為NAND行業(yè)的新晉者,長江存儲今天公開發(fā)布其突破性技術(shù)——XtackingTM。據(jù)知情人士透露,這之前存儲一直都是三星的強項。
2018-08-13 16:08:273366

長江存儲3D NAND閃存堆棧結(jié)構(gòu)Xtacking,獲得了“最佳展示獎”

日本PC Watch網(wǎng)站日前刊發(fā)了長江存儲CEO楊士寧博士在FMS會議上的演講,我們之前也做過簡單的報道,這次他們的介紹更加詳細,我們可以一窺長江存儲3D NAND閃存現(xiàn)在到底進行到那一步了。
2018-08-15 10:50:164885

半導(dǎo)體行業(yè)3D NAND Flash

32-48層,廠商們還在研發(fā)64層甚至更高層數(shù)的堆棧技術(shù)。四大NAND豪門的3D NAND閃存及特色在主要的NAND廠商中,三星最早量產(chǎn)3D NAND,其他幾家公司在3D NAND閃存量產(chǎn)上要落后三星
2018-10-08 15:52:39395

長江存儲預(yù)計在2019年全速量產(chǎn) 2020年會趕超國際領(lǐng)先的閃存公司

NAND閃存芯片被三星、東芝、SK Hynix、美光、Intel等少數(shù)公司壟斷,中國公司在此領(lǐng)域毫無話語權(quán),甚至連收購、合作外資公司都沒可能,想獲得突破還得靠國產(chǎn)公司自立。紫光公司主導(dǎo)的長江存儲
2018-11-23 08:45:2812115

長江存儲計劃量產(chǎn)643D NAND閃存芯片 閃存市場將迎來一波沖擊

國產(chǎn)存儲芯片再下一城,日前有產(chǎn)業(yè)鏈方面的消息稱,中國長江存儲將如期在今年年底量產(chǎn)643D NAND閃存芯片,這對價格本就在不斷下探的閃存市場無疑又將帶來一波新的沖擊。
2019-04-01 16:53:121582

與DRAM領(lǐng)域不同 長江存儲NAND領(lǐng)域取得了進展

(CITE2019)上展示了企業(yè)級P8260硬盤,使用的就是長江存儲的32層3D NAND閃存長江存儲并不打算大規(guī)模生產(chǎn)32層堆棧的3D NAND閃存,該公司CTO程衛(wèi)華在接受采訪時表示今年下半年量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存,目前計劃進展順利,沒有任何障礙。
2019-04-18 16:18:522080

國產(chǎn)存儲廠商長江存儲預(yù)計在第三季度量產(chǎn)643D閃存

據(jù)Digitimes報道,長江存儲(YMTC)將于年底前投入643D閃存量產(chǎn)工作。其中風(fēng)險試產(chǎn)預(yù)計三季度啟動,目前良率已經(jīng)實現(xiàn)了顯著爬升。
2019-05-08 09:18:442618

長江存儲將推出Xtacking2.0閃存技術(shù) 與DRAMDDR4的I/O速度相當(dāng)

目前NAND閃存主要掌握在三星、東芝、美光、西數(shù)等公司中,國內(nèi)主要有紫光旗下的長江存儲專攻NAND閃存,小批量量產(chǎn)了32層堆棧的3D閃存,但對市場影響有限,今年該公司將量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存,產(chǎn)能將會積極擴張。
2019-05-16 10:18:143302

長江存儲直追國際技術(shù) NAND陷入全球混戰(zhàn)

長江存儲在 2018 年成功研發(fā)32層3D NAND芯片后,進一步規(guī)劃在2019年8月開始生產(chǎn)新一代的643D NAND芯片,等于宣告加入全球NAND Flash戰(zhàn)局,對比今年三星、SK海力士(SK Hynix )進入90層3D NAND芯片生產(chǎn),長江存儲追趕世界大廠的步伐又大幅邁進一步。
2019-05-17 14:13:281277

長江存儲主要精力轉(zhuǎn)移到128層閃存芯片上 有望在2020年大規(guī)模投產(chǎn)

近日,獲悉,紫光集團旗下的長江存儲計劃于今年年底前投入643D閃存量產(chǎn)工作。其中風(fēng)險試產(chǎn)預(yù)計三季度啟動,目前良率已經(jīng)實現(xiàn)了顯著爬升。
2019-05-22 14:22:164315

基于Xtacking架構(gòu)的643D NAND閃存已實現(xiàn)量產(chǎn)

現(xiàn)在,長江存儲聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級副總裁程衛(wèi)華接受采訪時表示,公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存,以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。
2019-09-02 16:30:002263

長江存儲64層堆棧3D閃存亮相,年底實現(xiàn)量產(chǎn)

根據(jù)官網(wǎng)資料,長江存儲是紫光集團收購武漢新芯科技之后成立的,于2016年7月在中國武漢成立,是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲器公司。長江存儲為全球工商業(yè)客戶提供存儲器產(chǎn)品,廣泛應(yīng)用于移動設(shè)備、計算機、數(shù)據(jù)中心和消費電子產(chǎn)品等領(lǐng)域。
2019-08-29 14:28:002164

中國首款64層3DNAND閃存即將亮相 將推動高速大容量存儲解決方案市場的快速發(fā)展

2019年9月2日,紫光集團旗下長江存儲科技有限責(zé)任公司(以下簡稱“長江存儲”)在IC China 2019前夕宣布,公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D
2019-09-02 16:27:503468

長江存儲推出了全球首款基于Xtacking架構(gòu)的643D NAND閃存

長江存儲643D NAND閃存是全球首款基于Xtacking?架構(gòu)設(shè)計并實現(xiàn)量產(chǎn)閃存產(chǎn)品,擁有同代產(chǎn)品②中最高的存儲密度。Xtacking?可實現(xiàn)在兩片獨立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲
2019-09-03 10:07:021051

長江存儲成功研發(fā)國產(chǎn)高性能第三代閃存

紫光旗下的長江存儲邁出了國產(chǎn)閃存的重要一步,已經(jīng)開始量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存,基于長江存儲研發(fā)的Xstacking技術(shù),核心容量256Gb。
2019-09-06 16:26:451585

長江存儲推出第二代Xtacking 3D NAND存儲架構(gòu)

Xtacking是長江存儲在去年FMS(閃存技術(shù)峰會)首次公開的3D NAND架構(gòu),榮獲當(dāng)年“Best of Show”獎項。其獨特之處在于,采用Xtacking,可在一片晶圓上獨立加工負責(zé)數(shù)據(jù)I/O及記憶單元操作的外圍電路。
2019-09-06 16:30:372625

基于Xtacking架構(gòu)的643D NAND存儲

長江存儲科技(YMTC)本周早些時候表示,已經(jīng)開始批量生產(chǎn)采用專有Xtacking架構(gòu)的643D NAND存儲器。
2019-09-09 10:22:161661

紫光旗下長江存儲643D NAND閃存芯片首次公開亮相

據(jù)悉,長江存儲是紫光集團收購武漢新芯科技之后成立的,于2016年7月在中國武漢成立,是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲器公司。
2019-10-01 17:23:002612

我國首次實現(xiàn)64層3DNAND閃存芯片的量產(chǎn) 將大幅縮短與國際先進水平的差距

近日,紫光集團旗下長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布,開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。產(chǎn)品將應(yīng)用于固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用。這是中國首次實現(xiàn)643D NAND閃存芯片的量產(chǎn),將大幅拉近中國與全球一線存儲廠商間的技術(shù)差距。
2019-09-17 11:45:193516

中國首次量產(chǎn)643D NAND閃存芯片會有什么市場影響

紫光集團旗下長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布,開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:09682

中國量產(chǎn)643D NAND閃存芯片會帶來什么影響

紫光集團旗下長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布,開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241028

長江存儲的新技術(shù)宣布著國產(chǎn)第三代閃存的到來

紫光旗下的長江存儲邁出了國產(chǎn)閃存的重要一步,已經(jīng)開始量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存,基于長江存儲研發(fā)的Xstacking技術(shù),核心容量256Gb。
2019-10-02 14:38:001495

中國首款64層的3DNAND閃存已經(jīng)開始量產(chǎn)

紫光集團旗下長江存儲正式宣布,公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking?架構(gòu)的中國首款64層256Gb TLC 3D NAND閃存,以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。
2019-10-08 11:29:181357

長江存儲投產(chǎn)64層堆棧3D閃存 將在年底提高產(chǎn)能到6萬片

今年一季度,紫光旗下的長江存儲(YMTC)開始投產(chǎn) 64 層堆棧 3D 閃存,容量 256Gb,TLC 芯片,初期的月產(chǎn)能僅有 5000 片。
2019-10-25 16:53:33824

明年長江存儲將實現(xiàn)加大3D閃存芯片產(chǎn)能

 國產(chǎn)存儲芯片終于“抬起了頭”。   在被美日韓掌控的存儲芯片市場上,終于有中國公司可以殺進去跟國際大廠正面競爭了。據(jù)報道,今年一季度,紫光旗下的長江存儲(YMTC)開始投產(chǎn) 64 層堆棧 3D 閃存,容量 256Gb,TLC 芯片,初期的月產(chǎn)能僅有 5000 片。
2019-10-29 09:46:243065

長江存儲存儲巨頭們發(fā)起挑戰(zhàn),3D NAND實現(xiàn)突破性的創(chuàng)新

長江存儲打破全球3D NAND技術(shù)壟斷,作為國家重點打造的存儲器大項目,經(jīng)歷多年的研發(fā),終于走向市場正式向存儲巨頭們挑戰(zhàn)。
2019-11-29 15:39:052849

中微中標(biāo)9臺長江存儲蝕刻機,國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備也很好

紫光旗下的長江存儲在2019年9月份正式量產(chǎn)了國內(nèi)首個64層堆棧的3D閃存,容量256Gb,TLC芯片,2020年長江存儲還會進一步提升產(chǎn)能,年底將達到每月6萬片晶圓的水平,是初期產(chǎn)能的10倍。
2020-01-09 09:38:533905

長江存儲月產(chǎn)能達成10萬片,64層三維閃存產(chǎn)品實現(xiàn)量產(chǎn)

根據(jù)消息報道,長江存儲科技有限責(zé)任公司副董事長楊道虹表示,國家存儲器基地項目經(jīng)過3年的建設(shè)已經(jīng)取得了階段性成效,自主開發(fā)的64層三維閃存產(chǎn)品實現(xiàn)量產(chǎn)
2020-01-15 14:11:143033

長江存儲64閃存量產(chǎn) 預(yù)計會有更多的儲存產(chǎn)品用上國產(chǎn)芯片

長江存儲科技有限責(zé)任公司副董事長楊道虹表示,國家存儲器基地項目經(jīng)過 3 年的建設(shè)已經(jīng)取得了階段性成效,自主開發(fā)的 64 層三維閃存產(chǎn)品實現(xiàn)量產(chǎn)。
2020-01-16 10:27:211332

長江存儲643D NAND實現(xiàn)量產(chǎn) 意圖打破全球壟斷局面

1 月 16 日訊,據(jù)悉,長江存儲科技有限責(zé)任公司 副董事長楊道虹表示,2019 年,國家存儲器基地項目基于自主知識產(chǎn)權(quán)研發(fā)生產(chǎn)的 64 層三維閃存產(chǎn)品已實現(xiàn)量產(chǎn)。
2020-01-16 14:06:02905

長江存儲64閃存存儲密度全球第一

今天,長江存儲召開市場合作伙伴新春溝通會,紫光、群聯(lián)、威剛、慧榮等知名大廠前來站臺,其中威剛還宣布將會率先推出搭載長江存儲閃存的消費級SSD產(chǎn)品?,F(xiàn)在根據(jù)科創(chuàng)板電報的消息,長江存儲64閃存存儲密度是全球第一,絕不是低端產(chǎn)品。
2020-01-17 10:26:083034

搭載長江存儲3D NAND閃存的SSD產(chǎn)品性能達到國際領(lǐng)先水平

根據(jù)國科微官方的消息,國科微搭載長江存儲3D NAND閃存的固態(tài)硬盤產(chǎn)品已完成批量測試。
2020-01-17 15:17:495053

長江存儲表示128層3D NAND技術(shù)會按計劃推出

據(jù)證券時報消息,長江存儲CEO楊士寧在接受采訪時談及了該公司最先進的128層3D NAND技術(shù)的研發(fā)進度。楊士寧表示,128層3D NAND技術(shù)研發(fā)進度短期確實會有所波及。但目前長江存儲已實現(xiàn)全員復(fù)工,從中長期來看,這次疫情并不會影響總體進度。128層技術(shù)會按計劃在2020年推出。
2020-04-08 15:09:152377

長江存儲宣布將跳過96層堆疊閃存技術(shù)直接投入128層閃存研發(fā)和量產(chǎn)

今年初,長江存儲市場與銷售資深副總裁龔翔曾公開表示,長江存儲將跳過如今業(yè)界常見的96層堆疊閃存技術(shù),直接投入128層閃存的研發(fā)和量產(chǎn)工作。
2020-04-08 16:38:21861

長江存儲宣布成功研制128層QLC 3D閃存 將是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格3D NAND

今日(4月13日),長江存儲重磅宣布,其128層QLC 3D閃存(X2-6070)研制成功,并已在多家主控商場SSD等終端產(chǎn)品上通過驗證。
2020-04-13 09:23:09805

長江存儲推出 128 層 QLC 閃存,單顆容量達 1.33Tb

2020年4月13日,中國武漢,長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布其128層QLC 3D NAND閃存(型號:X2-6070)研發(fā)成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗證。作為業(yè)內(nèi)
2020-04-13 09:29:415557

業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存有哪些特點?

2020年4月13日,長江存儲科技有限責(zé)任公司(以下簡稱“長江存儲”)宣布其128層QLC 3D NAND 閃存(型號:X2-6070)研發(fā)成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗證。
2020-04-13 14:41:522653

長江存儲首推128層QLC閃存,單顆容量可達1.33Tb

4月13日,紫光集團旗下的長江存儲科技有限責(zé)任公司(長江存儲)宣布其128層QLC 3D NAND閃存(型號:X2-6070)研發(fā)成功。
2020-04-13 17:14:491128

長江存儲的技術(shù)創(chuàng)新,128層3D NAND閃存芯片問世

長江存儲科技有限責(zé)任公司(以下簡稱“長江存儲”)在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片 X2-6070研發(fā)成功,已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗證。
2020-05-04 10:39:002648

群聯(lián)全系列控制芯片支持長江存儲3D NAND

閃存控制芯片及儲存解決方案整合服務(wù)領(lǐng)導(dǎo)廠商 群聯(lián)電子 (PHISON; TPEx:8299) 與長江存儲自2016年開始接洽合作,從最早期的32層 3D NAND導(dǎo)入驗證群聯(lián)eMMC控制芯片PS8226,至近期的643D NAND,群聯(lián)全系列的NAND控制芯片均有支持且已進入量產(chǎn)階段。
2020-05-07 14:48:091032

長江存儲128層NAND閃存研發(fā)成功,跳過了96層

長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布,128層QLC?3D?NAND閃存研發(fā)成功,這標(biāo)志著國產(chǎn)存儲廠商向世界最先進技術(shù)水準(zhǔn)又邁進了一步。
2020-05-07 14:59:224866

長江存儲128層QLC閃存,1.6Gbps單顆容量1.33Tb

長江存儲科技有限責(zé)任公司(以下簡稱“長江存儲”)宣布其128層QLC 3D NAND 閃存(型號:X2-6070)研發(fā)成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗證。
2020-05-12 09:54:014145

長江存儲首發(fā)128層QLC閃存

長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布其128層QLC 3D NAND閃存(型號:X2-6070)研發(fā)成功。同時發(fā)布的還有128層512Gb TLC(3 bit/cell)規(guī)格閃存芯片(型號:X2-9060),用以滿足不同應(yīng)用場景的需求。
2020-07-06 16:49:421372

淺談QLC閃存顆粒的固態(tài)硬盤的使用壽命

最近關(guān)于QLC閃存的消息不斷,最勁爆的莫過于武漢長江存儲成功研發(fā)全球首款128層QLC 3D NAND閃存,多項技術(shù)世界領(lǐng)先,最快年底量產(chǎn)。
2020-07-30 11:40:1017363

官宣!致鈦科技將發(fā)布SSD新品,配備長江存儲3D閃存

9月9日下午,致鈦科技正式宣布,9月10日14時將舉行線上發(fā)布會,屆時會正式推出致鈦品牌的SSD新品,使用的是長江存儲自己生產(chǎn)的3D閃存。
2020-09-10 10:02:33850

慧榮科技宣布全系列主控芯片全面支持長江存儲Xtacking 3D NAND

Xtacking 3D NAND閃存,包括長江存儲最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:161889

慧榮科技宣布全系列主控 芯片全面支持長江存儲Xtacking 3D NAND

Xtacking 3D NAND閃存,包括長江存儲最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:191922

慧榮科技宣布全系列主控 芯片全面支持長 江 存 儲Xtacking 3D NAND

Xtacking 3D NAND閃存,包括長江存儲最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:341883

長江存儲將提高NAND閃存芯片的出貨量

據(jù)國外媒體報道,專注于3D NAND閃存設(shè)計制造的長江存儲,將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:492025

美光發(fā)布176層3D NAND閃存

存儲器廠商美光宣布,其第五代3D NAND閃存技術(shù)達到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu),可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲
2020-11-12 16:02:552599

長江存儲證實華為Mate40用上國產(chǎn)閃存

長江存儲去年9月份國內(nèi)第一個宣布量產(chǎn)64層堆棧3D閃存,一提到國產(chǎn)閃存,很多人都說沒看見,實際上已經(jīng)有多款產(chǎn)品用上了國產(chǎn)閃存,華為Mate40系列手機現(xiàn)在也使用了長江存儲閃存。 日前,長江存儲
2020-11-20 18:15:272685

長江存儲已打入華為供應(yīng)鏈

楊士寧表示,很多人反映很少看到國產(chǎn)內(nèi)存, 實際上華為Mate 40系列手機現(xiàn)在也使用了長江存儲643D NAND閃存。 他強調(diào),與國際存儲大廠6年的路程相比, 長江存儲僅用了短短3年時間實現(xiàn)了3D NAND的32層、64層、128層的跨越。 會議上, 他還展示了長江存儲 先進的Xt
2020-11-23 11:59:264351

長江存儲的首款消費級固態(tài)品牌,基于3D NAND顆粒打造

大咖來答疑欄目給出了相關(guān)技術(shù)答復(fù),讓大家更加的了解致鈦品牌固態(tài)。 背景介紹: 長江存儲于2014年,開始3D NAND flash的研發(fā),技術(shù)團隊從最初開始研發(fā)相關(guān)技術(shù)到現(xiàn)在已經(jīng)有六年的時間,并在,2016年注冊公司,短短的時間內(nèi)就做到了從閃存顆粒,到X
2020-11-24 09:56:483572

長江存儲科普SSD、3D NAND的發(fā)展史

作為國產(chǎn)存儲行業(yè)的佼佼者,長江存儲近兩年憑借在3D NAND閃存領(lǐng)域的突飛猛進,引發(fā)普遍關(guān)注,尤其是獨創(chuàng)了全新的Xtacking閃存架構(gòu),最近還打造了首個消費級SSD品牌“致鈦”。
2020-11-24 10:12:314014

不要過于關(guān)注3D NAND閃存層數(shù)

? ? NAND非易失性閃存存儲器作為存儲行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史,隨著2D NAND容量達到極限,以及晶體管越來越小,NAND的編程時間變長,擦寫次數(shù)變少,能夠?qū)?nèi)存顆粒堆疊起來的3D
2020-12-09 10:35:492766

3D NAND技術(shù)堆疊將走向何方?

3D NAND;長江存儲于今年4月份宣布推出128層堆棧的3D NAND閃存。轉(zhuǎn)眼來到2020年末,美光和SK海力士相繼發(fā)布了176層3D NAND。這也是唯二進入176層的存儲廠商。不得不說,存儲之戰(zhàn)沒有最烈,只有更烈。
2020-12-09 14:55:373659

回顧長江存儲3D NAND技術(shù)的發(fā)展進程

日前,有媒體報道稱,消息人士透露,長江存儲計劃到2021年下半年將存儲芯片的月產(chǎn)量提高一倍至10萬片晶圓,并準(zhǔn)備最早將于2021年年中試產(chǎn)第一批192層3D NAND閃存芯片,不過為確保量產(chǎn)芯片質(zhì)量,該計劃有可能會被推遲至今年下半年。
2021-01-13 13:59:274468

長江存儲計劃今年將產(chǎn)量提高一倍

此前4月13日,長江存儲宣布其128層QLC 3D NAND閃存研發(fā)成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗證。這標(biāo)志著國內(nèi)3D NAND領(lǐng)域正式進入國際先進水平。
2021-01-17 10:19:202851

盤點2020年存儲行業(yè)十大事件

2020年4月13日,長江存儲宣布其128層QLC 3D NAND閃存研發(fā)成功,這也是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存。同年8月14日,長江存儲128層QLC 3D NAND閃存芯片在紫光集團展臺上正式亮相展出。
2021-02-05 15:17:362093

長江存儲推出UC023閃存芯片 專為5G時代打造

  昨日消息,國內(nèi)專注于3D NAND閃存存儲器解決方案的半導(dǎo)體集成電路企業(yè)長江存儲宣布推出UFS 3.1通用閃存-UC023。
2022-04-20 11:47:521812

長江正式打破三星壟斷,192層3D NAND閃存實現(xiàn)年底量產(chǎn)

長江存儲一直是我國優(yōu)秀的存儲芯片企業(yè),從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展?fàn)顟B(tài),用短短3年的時間,接連推出了32層NAND閃存,以及64層堆棧3D NAND閃存,成功進入了華為Mate40手機的供應(yīng)鏈。
2022-06-17 10:56:216521

蘋果欲與長江存儲合作來降低NAND閃存的價格

蘋果公司將長江存儲(YTMC)納入供應(yīng)商名單。蘋果與YTMC合作的目的是通過使供應(yīng)商多樣化來降低NAND閃存的價格。
2022-09-08 11:55:23529

傳蘋果暫停長江存儲閃存芯片計劃

即便長江存儲的這些芯片產(chǎn)品已經(jīng)通過認證,但在新 iPhone 開始量產(chǎn)時,這些 NAND Flash 并沒有跟著進入產(chǎn)線中。
2022-10-20 15:01:271613

對比韓企存儲技術(shù),長江存儲發(fā)展如何

據(jù)外媒報道,長江存儲去年7月生產(chǎn)了232層3D NAND閃存樣機,同年11月開始投入量產(chǎn)。
2023-02-28 10:51:251662

什么是3D NAND閃存?

我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來了,理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147

起訴美光!長江存儲反擊

訴訟旨在解決以下問題的一個方面:美光試圖通過迫使長江存儲退出3D NAND Flash(閃存)市場來阻止競爭和創(chuàng)新。
2023-11-13 15:47:51289

長江存儲起訴美光!

長江存儲在以上起訴書中稱,長江存儲不再是新秀(upstart),而已成為全球3D NAND市場的重要參與者。長江存儲表示,去年11月,分析和跟蹤閃存市場的TechInsights公司得出結(jié)論:長江存儲3D NAND閃存領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者,超過了美光。
2023-11-13 16:53:04531

8項專利被侵權(quán)!美光與長江存儲陷入專利之爭

長江存儲與美光芯片戰(zhàn)升級。3D NAND閃存制造商長江存儲,已于9日在美國加州北區(qū)地方法院對美國記憶芯片龍頭美光科技提告,指控美光侵犯了長江存儲8項與3D NAND相關(guān)的美國專利。
2023-11-13 17:24:51547

首次亮相!長江存儲128 層3D NAND 現(xiàn)身CITE 2020

在CITE 2020上,紫光集團帶來了大量產(chǎn)品,其中包括長江存儲的128層QLC三維閃存和新華三半導(dǎo)體高端路由器芯片EasyCore等。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存長江存儲X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144019

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