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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>全球NAND閃存市場(chǎng)聞風(fēng)而動(dòng) 韓國(guó)對(duì)日制裁產(chǎn)生了一系列的影響

全球NAND閃存市場(chǎng)聞風(fēng)而動(dòng) 韓國(guó)對(duì)日制裁產(chǎn)生了一系列的影響

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2018-09-13 14:36:33

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2018-07-17 11:58:00681

3D NAND與2D NAND之間的區(qū)別聯(lián)系對(duì)比

如果用一個(gè)詞來描述2016年的固態(tài)硬盤市場(chǎng)的話,那么閃存顆粒絕對(duì)是會(huì)被提及的一個(gè)關(guān)鍵熱詞。在過去的2016年里,圍繞著閃存顆粒發(fā)生了一系列大事,包括閃存顆粒的量產(chǎn)引發(fā)固態(tài)漲價(jià),閃存顆粒的制程問題引發(fā)的廠商競(jìng)爭(zhēng),以及“日經(jīng)貼”般的MLC/TLC顆粒的優(yōu)劣問題。、
2018-06-06 20:36:003593

什么是閃存顆粒?2D NAND和3D NAND間的區(qū)別跟聯(lián)系又是什么?

如果用一個(gè)詞來描述2016年的固態(tài)硬盤市場(chǎng)的話,那么閃存顆粒絕對(duì)是會(huì)被提及的一個(gè)關(guān)鍵熱詞。在過去的2016年里,圍繞著閃存顆粒發(fā)生了一系列大事,包括閃存顆粒的量產(chǎn)引發(fā)固態(tài)漲價(jià),閃存顆粒的制程問題引發(fā)的廠商競(jìng)爭(zhēng),以及“日經(jīng)貼”般的MLC/TLC顆粒的優(yōu)劣問題。
2018-06-12 12:13:0014755

隆達(dá)發(fā)表一系列Mini LED產(chǎn)品,未來將力拼市場(chǎng)滲透率達(dá)兩位數(shù)

臺(tái)LED垂直整合廠隆達(dá)昨(14)日發(fā)表一系列Mini LED產(chǎn)品,預(yù)估明年?duì)I收占比將低于10%,未來市場(chǎng)滲透率力拼兩位數(shù);由于調(diào)整產(chǎn)品組合并集中產(chǎn)能,今年?duì)I收恐持平,但毛利率將改善。
2018-08-15 10:40:00686

美光昨天發(fā)布了最新款的5210 ION系列企業(yè)級(jí)SSD 也是全球首款QLC閃存產(chǎn)品

美光昨天發(fā)布了最新款的5210 ION系列企業(yè)級(jí)SSD,采用美光與Intel聯(lián)合開發(fā)的新一代QLC NAND閃存顆粒。這也是全球首款QLC閃存產(chǎn)品。
2018-05-23 16:51:002537

深入解析NAND閃存

吸引力。 NAND閃存陣列分為一系列128kB的區(qū)塊(block),這些區(qū)塊是NAND器件中最小的可擦除實(shí)體。擦除一個(gè)區(qū)塊就是把所有的位(bit)設(shè)置為“1”(而所有字節(jié)(byte)設(shè)置為 FFh
2018-06-06 12:27:009847

Intersil一系列的通信電源解決方案

來自Intersil公司的David Zhan介紹了該公司一系列通信電源解決方案
2018-06-23 10:20:003588

NAND閃存市場(chǎng)持續(xù)走低的原因:NAND組件過于求了

2017年經(jīng)歷市況樂觀的一年后,NAND閃存(flash)市場(chǎng)在2018年將繼續(xù)明顯降溫。根據(jù)分析師表示,去年持續(xù)一整年的NAND組件短缺現(xiàn)象已經(jīng)轉(zhuǎn)為供過于求了,從而導(dǎo)致價(jià)格持續(xù)走低。
2018-08-07 11:44:063572

你知道NAND閃存的種類和對(duì)比?

由于閃存的成本取決于其裸片面積,如果可以在同樣的面積上存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù),閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型:?jiǎn)螌訂卧?SLC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義,在相同
2019-04-17 16:32:345462

NAND閃存連跌6個(gè)季度 上游廠商認(rèn)為5月會(huì)回暖

2019年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)從牛市進(jìn)入了熊市,領(lǐng)跌的就是DRAM內(nèi)存及NAND閃存兩大存儲(chǔ)芯片,其中NAND閃存芯片從2018年初就開始跌價(jià),迄今已經(jīng)連跌了6個(gè)季度。
2019-05-12 09:37:222630

日本對(duì)韓國(guó)制裁將對(duì)整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)生哪些影響

當(dāng)?shù)貢r(shí)間7月1日,日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省宣布從7月4日起,修訂對(duì)韓國(guó)進(jìn)口管理的政策,對(duì)OLED材料氟聚酰亞胺、半導(dǎo)體材料光刻膠和高純氟化氫氣體3種產(chǎn)品實(shí)行進(jìn)口限制。此舉對(duì)日韓兩國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)造成怎樣的影響?對(duì)整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)生哪些影響?
2019-07-08 16:21:284838

韓國(guó)半導(dǎo)體受日制裁影響 半導(dǎo)體廠慘不忍睹

在中美貿(mào)易戰(zhàn)背景下,全球芯片市場(chǎng)一直走跌,利潤(rùn)大幅下滑。韓國(guó)半導(dǎo)體突然遭遇日本的貿(mào)易制裁,生存狀況堪憂。
2019-07-11 10:56:594880

韓國(guó)排名前30家韓企高管將反擊日本制裁

據(jù)路透社報(bào)道,韓國(guó)總統(tǒng)文在寅在周三與韓國(guó)排名前30家的企業(yè)集團(tuán)高管會(huì)晤時(shí)表示,日本對(duì)韓國(guó)科技公司需要的關(guān)鍵半導(dǎo)體材料出口限制可能會(huì)延長(zhǎng),對(duì)此韓國(guó)政府將大幅增加支出,以幫助韓國(guó)企業(yè)減少對(duì)日本供應(yīng)商的依賴。
2019-07-12 17:07:303294

SK海力士擬減產(chǎn)NAND閃存 以應(yīng)對(duì)出口管制措施

.據(jù)日經(jīng)新聞報(bào)道,韓國(guó)內(nèi)存大廠SK海力士今日表明,為了應(yīng)對(duì)日本對(duì)韓國(guó)部分關(guān)鍵半導(dǎo)體材料的出口管制,該公司在2019年NAND閃存產(chǎn)量將比2018年時(shí)減產(chǎn)15%。
2019-07-26 15:39:412550

韓國(guó)對(duì)日進(jìn)口依賴超90%,對(duì)日本進(jìn)口依賴超50%達(dá)158.5億美元

去年韓國(guó)對(duì)日進(jìn)口依賴超90%的產(chǎn)品共48項(xiàng),其總進(jìn)口額達(dá)27.8億美元。韓國(guó)共從日本進(jìn)口產(chǎn)品4227項(xiàng),去年對(duì)日本進(jìn)口依賴超50%的產(chǎn)品共253項(xiàng),這些產(chǎn)品的進(jìn)口額達(dá)158.5億美元。
2019-08-04 10:46:343972

三星打造全球最大閃存生產(chǎn)基地 大力投資西安占據(jù)中國(guó)市場(chǎng)

三星是全球最大的存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)商、供應(yīng)商,僅僅是NAND閃存就占了全球1/3的份額,不過韓國(guó)本土的工廠已經(jīng)不是最大的閃存生產(chǎn)基地了,三星這幾年來大力投資中國(guó)西安,一期及正在建設(shè)中的二期投資已經(jīng)將西安工廠變成了全球最大的閃存基地。
2019-12-11 15:25:071030

5G通信引領(lǐng),DRAM和NAND閃存市場(chǎng)需求將增加

據(jù)韓媒BusinessKorea報(bào)道,市場(chǎng)研究公司預(yù)測(cè),基于固態(tài)硬盤(SSD)密度和性能提升,明年全球NAND閃存需求將增加,5G通信、人工智能、深度學(xué)習(xí)和虛擬現(xiàn)實(shí)將引領(lǐng)明年全球DRAM和NAND閃存市場(chǎng)的增長(zhǎng)。
2019-12-20 15:18:463156

三星鎧俠率先擴(kuò)產(chǎn),NAND閃存市場(chǎng)要變天?

的投資額就達(dá)8萬億韓元(約合470億元人民幣)。新冠肺炎疫情導(dǎo)致NAND市場(chǎng)的不確定性大增。然而,三星電子過往多選擇在景氣低迷時(shí)大舉投資,以此增強(qiáng)其在存儲(chǔ)器領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力,此次再度大舉投資擴(kuò)產(chǎn),或?qū)?dòng)其他NAND閃存廠商的跟進(jìn),再掀NAND閃存的擴(kuò)產(chǎn)浪潮。
2020-06-16 10:07:173162

解析NAND閃存和NOR閃存

無論消費(fèi)者還是企業(yè)機(jī)構(gòu),大多數(shù)人在談到閃存時(shí),首先想到的就是NAND閃存。從一定的現(xiàn)實(shí)意義上來講,NAND閃存可以說已經(jīng)成為固態(tài)硬盤的代名詞?;趬K尋址結(jié)構(gòu)和高密度,使其成為磁盤的完美替代品。
2020-07-30 11:09:0314751

NAND閃存類型機(jī)選擇技巧

通常情況下,固態(tài)硬盤(SSD)的底層NAND架構(gòu)會(huì)因模型而異。NAND 閃存的每種類型——SLC、MLC、eMLC和TLC——都有不同的特性,并因此對(duì)您的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)產(chǎn)生不同的影響,在這篇文章中,我們會(huì)討論這些差異。
2020-08-28 11:15:46716

“中國(guó)制造”讓韓國(guó)產(chǎn)生了緊張感

%)。但是,三星電子、SK海力士這些韓國(guó)的巨型半導(dǎo)體廠家卻依舊按照初始計(jì)劃積極進(jìn)行設(shè)備投資。 三星電子繼續(xù)投資存儲(chǔ)半導(dǎo)體 在2019年年末三星電子就已經(jīng)積極致力于對(duì)DRAM和NAND閃存進(jìn)行設(shè)備投資。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">韓國(guó)三星電子認(rèn)為度過2019年的半導(dǎo)體的不景氣、
2020-09-03 17:35:492075

慧榮科技宣布全系列主控芯片全面支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)Xtacking 3D NAND

全球NAND閃存主控芯片設(shè)計(jì)與營(yíng)銷領(lǐng)導(dǎo)品牌慧榮科技(Silicon Motion Technology Corporation,NASDAQ:SIMO)宣布該公司全系列主控芯片全面支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)
2020-09-11 11:12:161889

慧榮科技宣布全系列主控 芯片全面支持長(zhǎng) 江 存 儲(chǔ)Xtacking 3D NAND

Xtacking 3D NAND閃存,包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場(chǎng)注入更完整及更多元化的存儲(chǔ)解決方案。 隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)在3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:341883

NAND閃存芯片有哪些類型

我們都知道,構(gòu)成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存,目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯(lián)合的ToggleDDR陣營(yíng)和英特爾與美光為首的ONFI陣營(yíng),今天小編就來你了解閃存產(chǎn)品的核心—NAND閃存芯片的分類。
2020-09-18 14:34:527052

DRAM和NAND閃存價(jià)格出現(xiàn)暴跌?

市場(chǎng)跟蹤數(shù)據(jù)顯示,DRAM和NAND閃存相關(guān)產(chǎn)品在10月份的價(jià)格暴跌,韓國(guó)科技媒體THE ELEC指出,出現(xiàn)這一現(xiàn)象的原因可能在于美國(guó)對(duì)華為的制裁生效。
2020-11-02 17:26:252140

美光科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存

IT之家11月12日消息 今日,美光科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存,刷新行業(yè)紀(jì)錄,實(shí)現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的提升。 IT之家了解到,這款 176 層 NAND 產(chǎn)品采用
2020-11-12 13:04:571857

美光發(fā)布176層3D NAND閃存

的應(yīng)用效能。 據(jù)了解,176層3D NAND閃存是美光第二代替換閘(Replacement Gate)架構(gòu),是目前全球技術(shù)最為先進(jìn)的NAND節(jié)點(diǎn),相較于前代3D NAND相比,美光176層3D NAND閃存
2020-11-12 16:02:552599

全球NAND Flash三季度閃存市場(chǎng)情況曝光

日前,TrendForce公布了三季度全球NAND Flash閃存市場(chǎng)的主要情況。
2020-11-27 09:00:131799

趕日超美,韓國(guó)如何制霸全球存儲(chǔ)芯片 27 年

存儲(chǔ)芯片千年老二,SK 海力士一直在老大三星的光環(huán)下承壓前行。這兩家韓國(guó)公司的版圖,已覆蓋超過 72% 的全球 DRAM 市場(chǎng)和超過 45% 的全球 NAND 閃存市場(chǎng)。 憑借暴利的存儲(chǔ)芯片,三星和 SK 海力士一路賺得體滿缽滿,不斷擴(kuò)充疆域、擴(kuò)大投資,付諸各種努力捍衛(wèi)這塊血賺的地盤。
2021-01-02 10:01:002770

鎧俠開發(fā)出約170層的NAND閃存

日本芯片制造商Kioxia開發(fā)了大約170層的NAND閃存,加入了與美國(guó)同行Micron Technology和韓國(guó)的SK Hynix的競(jìng)賽。
2021-02-20 11:10:002580

三星在NAND閃存市場(chǎng)將面臨哪些挑戰(zhàn)?

眾所周知,三星電子在NAND閃存芯片市場(chǎng)上一直保持領(lǐng)先地位,占有30%以上的份額。但是,由于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手開始表現(xiàn)出更好的工藝,它們似乎在挑戰(zhàn)三星的技術(shù)能力。
2021-02-26 15:49:372217

2020年Q4英特爾NAND閃存銷售額12億美元,市場(chǎng)份額占比11.5%

市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce近日發(fā)布全球NAND閃存市場(chǎng)報(bào)告。報(bào)告顯示,三星電子NAND芯片在2020年第四季度銷售額達(dá)到了46.44億美元,市場(chǎng)份額全球占比達(dá)32.9%。該季度銷售額環(huán)比降低3.4%,市場(chǎng)份額占比也下降了1.5%。
2021-03-08 09:38:532265

蘋果WWDC 2022大會(huì):一系列最新技術(shù)和平臺(tái)分享

分享Apple一系列最新技術(shù)和平臺(tái),這一系列平臺(tái)及驅(qū)動(dòng)的各類產(chǎn)品將為開發(fā)者帶來不同體驗(yàn)和機(jī)會(huì)。
2022-06-07 09:40:18764

NAND閃存市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)愈發(fā)激烈

 在3D NAND技術(shù)賽跑中,三星長(zhǎng)期處于領(lǐng)先地位,截至目前,其3D NAND閃存已經(jīng)陸續(xù)演進(jìn)至128層。
2022-06-14 15:21:152100

開放式NAND閃存接口規(guī)范

本規(guī)范定義了標(biāo)準(zhǔn)化的NAND閃存設(shè)備接口,該接口提供了以下方法:用于設(shè)計(jì)支持一系列NAND閃存設(shè)備而無需直接設(shè)計(jì)的系統(tǒng)關(guān)聯(lián)前。該解決方案還提供了系統(tǒng)無縫利用的方法在設(shè)計(jì)系統(tǒng)時(shí)可能不存在的新NAND設(shè)備。
2022-09-09 16:10:2415

NAND閃存的應(yīng)用中的磨損均衡

NAND閃存的應(yīng)用中,程序/擦除周期存在一個(gè)限制,稱為“P/E周期”。在NAND閃存中,當(dāng)每個(gè)塊的P/E周期達(dá)到最大值時(shí),這些塊將變得不可工作,需要一個(gè)備用塊來替換它。當(dāng)這些備用塊用完時(shí),此NAND閃存將無法再使用。
2022-10-24 14:30:111230

NAND閃存應(yīng)用中的磨損均衡介紹

NAND閃存的應(yīng)用中,編程/擦除周期存在限制,稱為“P/E周期”。在NAND閃存中,當(dāng)每個(gè)塊的P/E周期達(dá)到最大值時(shí),這些塊變得不可工作,需要一個(gè)備用塊來替換它。當(dāng)這些備用塊用完時(shí),此NAND閃存將無法再使用。
2022-11-30 15:00:431519

開放式NAND閃存接口規(guī)范說明書

本規(guī)范定義了標(biāo)準(zhǔn)化NAND閃存設(shè)備接口,該接口提供了設(shè)計(jì)的系統(tǒng)支持一系列NAND閃存設(shè)備,無需直接設(shè)計(jì)預(yù)關(guān)聯(lián)。該解決方案還為系統(tǒng)提供了無縫利用在系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)可能不存在的新NAND器件。
2022-12-13 16:50:450

Yole:NAND閃存及控制器的市場(chǎng)趨勢(shì)

一、NAND閃存市場(chǎng)分析 據(jù)歐洲知名半導(dǎo)體分析機(jī)構(gòu)Yole發(fā)布的報(bào)告顯示,2020年起,NAND閃存市場(chǎng)發(fā)展趨勢(shì)保持穩(wěn)定增長(zhǎng),2021年,NAND閃存市場(chǎng)份額達(dá)到了近670億美元(見圖1),同年
2022-12-26 18:13:09991

什么是3D NAND閃存?

我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來了,理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147

SK海力士發(fā)布全球首款321層NAND!

SK海力士宣布將首次展示全球首款321層NAND閃存,成為業(yè)界首家開發(fā)出300層以上NAND閃存的公司。他們展示了321層1Tb TLC 4D NAND閃存的樣品,并介紹了開發(fā)進(jìn)展情況。
2023-08-10 16:01:47704

三星計(jì)劃暫停平澤工廠部分NAND閃存生產(chǎn)

三星已經(jīng)減少了主要nand閃存生產(chǎn)基地的晶圓投入額。這就是韓國(guó)的平澤、華城和中國(guó)的西安。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為,三星的nand閃存產(chǎn)量可能會(huì)減少10%左右。但在今年4月公布的2023年q1業(yè)績(jī)中,由于市場(chǎng)持續(xù)低迷,三星電子正式公布了存儲(chǔ)器減產(chǎn)計(jì)劃。
2023-08-16 10:23:58423

韓國(guó)NAND閃存芯片出口額恢復(fù)增長(zhǎng)

據(jù)韓國(guó)貿(mào)易部16日公布的資料顯示,韓國(guó)9月份的nand閃存出口額比去年同期增加了5.6%,但8月份減少了8.9%。存儲(chǔ)器半導(dǎo)體業(yè)界的另一個(gè)支柱——3.3354萬dram的出口在同期減少了24.6%。這比上個(gè)月的35.2%有所減少。
2023-10-16 14:17:21244

AMD在CES 2024上宣布推出一系列新處理器AMD Ryzen 8040系列

AMD 在 CES 2024 上與英特爾就日益重要的筆記本電腦處理器市場(chǎng)展開了最新的交鋒,宣布推出一系列新處理器 AMD Ryzen 8040 系列
2024-01-12 14:02:15762

阿里云在海外市場(chǎng)發(fā)布一系列AI大數(shù)據(jù)產(chǎn)品

近日,阿里云宣布面向海外市場(chǎng)發(fā)布一系列AI計(jì)算及大數(shù)據(jù)產(chǎn)品,進(jìn)一步擴(kuò)大其在全球市場(chǎng)的份額。這一系列新產(chǎn)品涵蓋了serverless模式的AI服務(wù)平臺(tái)、整合向量引擎技術(shù)的大數(shù)據(jù)產(chǎn)品等,旨在為用戶提供更高效、更智能的解決方案。
2024-02-05 11:30:42566

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