在22nm，或許是16nm節(jié)點(diǎn)，我們將需要全新的晶體管。而在這其中，爭(zhēng)論的焦點(diǎn)在于究竟該采用哪一種技術(shù)。這場(chǎng)比賽將關(guān)乎到晶體管的重新定義。在22/20nm邏輯制程的開(kāi)發(fā)中，業(yè)界都爭(zhēng)先
2012-03-06 10:08:16
1819 ，證明了聯(lián)電22納米工藝的穩(wěn)健性。 新的芯片設(shè)計(jì)可使用22nm設(shè)計(jì)準(zhǔn)則或遵循28nm到22nm的轉(zhuǎn)換流程（Porting Methodology），無(wú)需更改現(xiàn)有的28nm設(shè)計(jì)架構(gòu)，因此客戶可放心地使用新的芯片設(shè)計(jì)或直接從28nm移轉(zhuǎn)到更先進(jìn)的22nm制程。 聯(lián)電知識(shí)產(chǎn)權(quán)開(kāi)發(fā)與設(shè)計(jì)支持部總監(jiān)陳永輝表示
2019-12-03 09:59:414518 臺(tái)積電在芯片工藝制成方面的進(jìn)展相當(dāng)不錯(cuò)，不僅率先實(shí)現(xiàn)了7nm的量產(chǎn)，而且5nm也馬上實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)，并進(jìn)行商用。
2020-01-22 11:38:446553 8月21日，臺(tái)積電在其官方博客上宣布，自2018年開(kāi)始量產(chǎn)的7nm工藝，其所生產(chǎn)的芯片已經(jīng)超過(guò)10億顆。此外，臺(tái)積電官網(wǎng)還披露了一個(gè)消息，其6nm工藝制程于8月20日開(kāi)始量產(chǎn)。 先看7nm
2020-08-23 08:23:005212 Intel Ivy Bridge處理器只是一次制程升級(jí)，對(duì)CPU性能來(lái)說(shuō)沒(méi)什么特別的，但是就制造工藝而言，Ivy Bridge不啻于一場(chǎng)革命，因?yàn)樗粌H是首款22nm工藝產(chǎn)品，更重要的是Intel將從22nm工藝節(jié)點(diǎn)開(kāi)
2012-04-18 14:02:29936 
英特爾也完成了旗下所有桌面級(jí)處理器22nm制程的升級(jí)，在這樣一個(gè)具有歷史意義的時(shí)刻，也是時(shí)候來(lái)研究一下為什么intel如此看重制程升級(jí)的原因了。
2013-02-26 10:04:232024 Achronix Semiconductor公司宣布將其業(yè)界領(lǐng)先的22nm Speedster22i HD1000系列FPGA發(fā)運(yùn)給客戶，實(shí)現(xiàn)了又一個(gè)重大里程碑。22nm Speedster22
2013-03-04 13:47:581543 美國(guó)英特爾發(fā)布了新低功耗版CPU內(nèi)核“Silvermont”的內(nèi)部構(gòu)造。Silvermont主要用于智能手機(jī)、低功耗服務(wù)器、車(chē)載信息終端等多種產(chǎn)品采用的“凌動(dòng)”（Atom）處理器的新系列。在微細(xì)化至22nm工藝的同時(shí)，還更新了內(nèi)部構(gòu)造，大幅提高了功率效率
2013-05-29 09:43:005214 據(jù)《中國(guó)科學(xué)報(bào)》最新消息，中國(guó)科學(xué)院微電子研究所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心（以下簡(jiǎn)稱先導(dǎo)工藝研發(fā)中心）通過(guò)4年的艱苦攻關(guān)，在22納米關(guān)鍵工藝技術(shù)先導(dǎo)研究與平臺(tái)建設(shè)上，實(shí)現(xiàn)了重要突破，在國(guó)內(nèi)首次采用后高K工藝成功研制出包含先進(jìn)高K/金屬柵模塊的22納米柵長(zhǎng)MOSFETs，器件性能良好。
2013-07-09 13:48:301933 在摩爾定律的指引下，集成電路的線寬不斷縮小，基本上是按每?jī)赡昕s小至原尺寸的70%的步伐前進(jìn)。如2007年達(dá)到45nm，2009年達(dá)到32nm，2011年達(dá)到22nm。但是到了2013年的14nm時(shí)開(kāi)始出現(xiàn)偏差，英特爾原先承諾的量產(chǎn)時(shí)間推遲。
2014-04-01 09:46:268429 今日，格芯 與 eVaderis共同宣布，將共同開(kāi)發(fā)超低功耗MCU參考設(shè)計(jì)方案，該方案基于格芯22nm FD-SOI（22FDX?）平臺(tái)的嵌入式磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器（eMRAM）技術(shù)。雙方合作所提供的技術(shù)
2018-03-01 14:52:0611225 2023年1月13日 ，知名物理IP提供商銳成芯微（Actt）宣布在22nm工藝上推出雙模藍(lán)牙射頻IP。 近年來(lái)，隨著藍(lán)牙芯片各類應(yīng)用對(duì)功耗、靈敏度、計(jì)算性能、協(xié)議支持、成本的要求越來(lái)越高，22nm
2023-01-13 09:50:431811 今天分享另一篇網(wǎng)上流傳很廣的22nm 平面 process flow. 有興趣的可以與上一篇22nm gate last FinFET process flow 進(jìn)行對(duì)比學(xué)習(xí)。 言歸正傳，接下來(lái)介紹平面工藝最后一個(gè)節(jié)點(diǎn)22nm process flow。
2023-11-28 10:45:514262 
引入不同的氣態(tài)化學(xué)物質(zhì)進(jìn)行的，這些化學(xué)物質(zhì)通過(guò)與基材反應(yīng)來(lái)改變表面。IC最小特征的形成被稱為前端制造工藝（FEOL），本文將集中簡(jiǎn)要介紹這部分，將按照如下圖所示的 22 nm 技術(shù)節(jié)點(diǎn)制造 FinFET 的工藝流程，解釋了 FEOL 制造過(guò)程中最重要的工藝步驟。
2023-12-06 18:17:331132 
格芯今日宣布基于其22nm FD-SOI(22FDX)平臺(tái)的嵌入式、磁阻型非易失性存儲(chǔ)器(eMRAM)已投入生產(chǎn)。格芯正在接洽多家客戶，計(jì)劃2020年安排多次生產(chǎn)流片。 此次公告是一個(gè)重要的行業(yè)
2020-02-29 08:30:004854 2022年9月26日，廣東高云半導(dǎo)體科技股份有限公司隆重發(fā)布其最新工藝節(jié)點(diǎn)的晨熙家族第5代(Arora V)高性能FPGA產(chǎn)品。晨熙家族第5代(Arora V)產(chǎn)品采用22nm SRAM工藝，集成
2022-09-26 14:57:421537 
隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)的不斷發(fā)展，芯片制程工藝已從90nm、65nm、45nm、32nm、22nm、14nm升級(jí)到到現(xiàn)在比較主流的10nm、7nm，而最近據(jù)媒體報(bào)道，半導(dǎo)體的3nm工藝研發(fā)制作也啟動(dòng)
2019-12-10 14:38:41
英特爾首座全自動(dòng)化300 mm晶圓高量產(chǎn)廠。45 nm芯片的即將量產(chǎn)意味著32 nm/22 nm工藝將提到議事日程上，英特爾將于2009年推出32nmMPU，2011年推出22 nm MPU。IBM與特許
2019-07-01 07:22:23
Intel正在野心勃勃地打造22nm新工藝、Silvermont新架構(gòu)的智能手機(jī)、平板機(jī)處理器，而接下來(lái)的14nm路線圖也已經(jīng)曝光了?！ 「鶕?jù)規(guī)劃，在平板機(jī)平臺(tái)上，Intel將于2014年
2013-08-21 16:49:33
XX nm制造工藝是什么概念？為什么說(shuō)7nm是物理極限？
2021-10-20 07:15:43
迅為RK3568開(kāi)發(fā)板是基于瑞芯微 RK3568 芯片，采用 22nm 制程工藝，集成4核arm架構(gòu) A55 處理器和 Mali G52 2EE 圖形處理器，支持 4K 解碼和 1080P 編碼
2022-03-23 16:10:04
早有計(jì)劃。 2017年，三星與NXP達(dá)成代工合同，從這一年起，NXP的IoT SoC i.MX系列將通過(guò)三星28nm FD-SOI工藝批量生產(chǎn)，并計(jì)劃2018年將三星的eMRAM嵌入式存儲(chǔ)器技術(shù)將用于下一代
2023-03-21 15:03:00
封裝測(cè)試所有環(huán)節(jié)的純國(guó)產(chǎn)化和自主化，并已成功量產(chǎn)，標(biāo)志著國(guó)內(nèi)SLCNANDFlash產(chǎn)品正式邁入24nm先進(jìn)制程工藝時(shí)代。該創(chuàng)新技術(shù)產(chǎn)品有助于進(jìn)一步豐富兆易創(chuàng)新的存儲(chǔ)類產(chǎn)品線，為客戶提供更優(yōu)化的大容量代碼存儲(chǔ)解決方案。
2020-11-26 06:29:11
、65nm、45nm、32nm、22nm、14nm、10nm、到現(xiàn)在的7nm（對(duì)應(yīng)都是MOS管柵長(zhǎng)），目前也有了很多實(shí)驗(yàn)室在進(jìn)行一些更小尺寸的研究。隨著MOS管的尺寸不斷的變小，溝道的不斷變小，出現(xiàn)各種
2020-12-10 06:55:40
SRAM存儲(chǔ)單元的寫(xiě)裕度(WM)。同時(shí),可以優(yōu)化SRAM存儲(chǔ)單元的抗PVT波動(dòng)能力,并且可以降低SRAM存儲(chǔ)單元的最小操作電壓。 基于SMIC 28nm工藝節(jié)點(diǎn)仿真結(jié)果顯示,新型10T單元結(jié)構(gòu)在電源電壓為
2020-04-01 14:32:04
的8吋廠。在8吋方面，從0.35μm 到0.11μm，很多都屬于特殊工藝。而在12吋方面，無(wú)論是40nm，還是28nm，以及接下來(lái)的22nm，目前都是以邏輯制程工藝為主，同時(shí)也有不斷成熟的特殊工藝，如
2018-06-11 16:27:12
40nm等工藝節(jié)點(diǎn)推出藍(lán)牙IP解決方案，并已進(jìn)入量產(chǎn)。此次推出的22nm雙模藍(lán)牙射頻IP將使得公司的智能物聯(lián)網(wǎng)IP平臺(tái)更具特色。結(jié)合銳成芯微豐富的模擬IP、存儲(chǔ)IP、接口IP、IP整合及芯片定制服務(wù)、專業(yè)及時(shí)的技術(shù)支持，銳成芯微期待為廣大物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用市場(chǎng)提供更完善的技術(shù)解決方案。
2023-02-15 17:09:56
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高清圖詳解英特爾最新22nm 3D晶體管
2012-08-05 21:48:28
臺(tái)積電計(jì)劃于2012年Q3開(kāi)始試產(chǎn)22nm HP制程芯片
據(jù)臺(tái)積電公司負(fù)責(zé)開(kāi)發(fā)的高級(jí)副總裁蔣尚義透露，他們計(jì)劃于2012年第三季度開(kāi)始試產(chǎn)22nm HP(高性能)制程的芯片產(chǎn)品，并
2010-02-26 12:07:17847 Intel 22nm光刻工藝背后的故事
去年九月底的舊金山秋季IDF 2009論壇上，Intel第一次向世人展示了22nm工藝晶圓，并宣布將在2011年下半年發(fā)布相關(guān)產(chǎn)品。
2010-03-24 08:52:581085 臺(tái)積電又跳過(guò)22nm工藝 改而直上20nm
為了在競(jìng)爭(zhēng)激烈的半導(dǎo)體代工行業(yè)中提供最先進(jìn)的制造技術(shù)，臺(tái)積電已經(jīng)決定跳過(guò)22nm工藝的研
2010-04-15 09:52:16867 22nm以后的晶體管技術(shù)領(lǐng)域，靠現(xiàn)行Bulk MOSFET的微細(xì)化會(huì)越來(lái)越困難的，為此，人們關(guān)注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件與基于立體通道的FinFET。由于這些技術(shù)都不需要向通
2010-06-23 08:01:42559 在22nm，或許是16nm節(jié)點(diǎn)，我們將需要全新的晶體管。而在這其中，爭(zhēng)論的焦點(diǎn)在于究竟該采用哪一種技術(shù)。這場(chǎng)比賽將關(guān)乎到晶體管的重新定義。在22/20nm邏輯制程的開(kāi)發(fā)中，業(yè)界都爭(zhēng)先
2012-03-25 10:52:161423 
據(jù)英特爾的首席財(cái)政官 Stacy Smith 在一次新聞發(fā)布會(huì)上討論公司的第一季度財(cái)務(wù)情況時(shí)稱，英特爾的22nm制造工藝技術(shù)的FinFET晶體管將占英特爾半導(dǎo)體第二季度出貨量的25%。
2012-04-19 08:41:23507 Achronix 半導(dǎo)體公司今日宣布了其 Speedster22i HD和HP產(chǎn)品系列的細(xì)節(jié)，它們是將采用英特爾22nm 3D晶體管技術(shù)工藝制造的首批現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列（FPGA）產(chǎn)品。Speedster22i FPGA產(chǎn)品是業(yè)內(nèi)唯一
2012-04-25 09:12:051184 Achronix的高端視點(diǎn)： Speedster22i 功耗和成本僅為28nm高端FPGA的一半 Speedster22i 集成業(yè)界最好的、經(jīng)芯片驗(yàn)證過(guò)的硬核IP Achronix的發(fā)展趨勢(shì)： Speedster22i 有針對(duì)不同目標(biāo)應(yīng)用的兩個(gè)產(chǎn)品系列
2012-05-25 11:38:061455 22nm工藝投產(chǎn)同期的健康度超過(guò)了32
nm，也超出了我們的預(yù)期。這讓Ivy Bridge已經(jīng)占據(jù)了PC(處理器出貨量)的接近四分之一，是有史以來(lái)速度最快的?！?/div>
2012-07-20 11:51:50951 
本文通過(guò)高清圖詳解Intel最新22nm 3D 晶體管 。業(yè)界一直傳說(shuō)3D三柵級(jí)晶體管技術(shù)將會(huì)用于下下代14nm的半導(dǎo)體制造，沒(méi)想到英特爾竟提前將之用于22nm工藝，并且于上周四向全世界表示將在
2012-08-03 17:09:18
0 本文核心議題： 本文是對(duì)Intel 22nm三柵技術(shù)的后續(xù)追蹤報(bào)道，為此，這里搜集了多位業(yè)界觀察家、分析家對(duì)此的理解和意見(jiàn)，以便大家I更深入的了解ntel 22nm三柵技術(shù)。 鰭數(shù)可按需要進(jìn)行
2012-08-15 09:46:031270 
本文核心議題： 通過(guò)本文介紹，我們將對(duì)Intel 22nm 3D三柵極晶體管技術(shù)有著詳細(xì)的了解。業(yè)界一直傳說(shuō)3D三柵級(jí)晶體管技術(shù)將會(huì)用于下下代14nm的半導(dǎo)體制造，沒(méi)想到英特爾竟提前將之用
2012-08-15 10:45:277281 
英特爾已經(jīng)準(zhǔn)備把第一個(gè)3D晶體管結(jié)構(gòu)導(dǎo)入大量生產(chǎn)，它將是首款使用3-D Tri-Gate晶體管的量產(chǎn)芯片。22納米處理器，代號(hào)為Ivy Bridge。3-D晶體管和2-D平面晶體管有本質(zhì)性的區(qū)別，它不只可
2012-08-15 11:23:244845 據(jù)《愛(ài)爾蘭時(shí)報(bào)》報(bào)道，Intel已經(jīng)決定，將其都柏林萊克斯利普（Leixlip）晶圓廠升級(jí)14nm工藝的計(jì)劃推遲半年，暫時(shí)仍舊停留在22nm。 為了部署新工藝，Intel還調(diào)集了大約600名愛(ài)爾蘭員工，
2012-11-12 09:39:40730 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所（IMECAS）宣布在22奈米 CMOS 制程上取得進(jìn)展，成功制造出高K金屬閘 MOSFET 。中科院指出，中國(guó)本土設(shè)計(jì)與制造的22nm元件展現(xiàn)出更高性能與低功耗。
2012-12-26 09:01:491655 英特爾在4月23日正式發(fā)布Ivy Bridge處理器。Ivy Bridge是英特爾首款22nm工藝處理器，采用革命性的三柵極3D晶體管工藝制造。緊隨其后，美國(guó)FPGA廠商Achronix在次日便宣布發(fā)布全球首款22nm工藝
2013-01-16 16:55:131421 intel的22nm 3D工藝牛，到底牛到什么程度，到底對(duì)業(yè)界有神馬影響，俺也搞不太清楚。這不，一封email全搞定了。
2017-02-11 10:47:111288 AMD剝離出來(lái)的代工廠GlobalFoundries(經(jīng)常被戲稱為AMD女友)近日迎來(lái)好消息，上海復(fù)旦微電子已經(jīng)下單采納其22nm FD-SOI工藝(22FDX)。
2017-07-11 08:56:22912 雙方共同開(kāi)發(fā)的技術(shù)解決方案將大幅降低物聯(lián)網(wǎng)及穿戴式產(chǎn)品的耗電及芯片尺寸 今日，格芯與eVaderis共同宣布，將共同開(kāi)發(fā)超低功耗MCU參考設(shè)計(jì)方案，該方案基于格芯22nm FD-SOI（22
2018-03-02 15:29:01133 加利福尼亞州圣克拉拉，2018年5月23日——格芯宣布，其22nm FD-SOI (22FDX?)技術(shù)平臺(tái)已通過(guò)AEC-Q100(2級(jí))認(rèn)證，準(zhǔn)備投入量產(chǎn)。作為業(yè)內(nèi)符合汽車(chē)標(biāo)準(zhǔn)的先進(jìn)FD-SOI
2018-05-25 11:20:001424 曾經(jīng)，Intel Tick-Tock工藝、架構(gòu)隔年交替升級(jí)的戰(zhàn)略成就了半導(dǎo)體行業(yè)的一大奇跡，32nm、22nm、14nm一路走下來(lái)成就了孤獨(dú)求敗，不過(guò)到了10nm工藝上卻遭遇了前所未有的困難，遲遲無(wú)法量產(chǎn)。
2019-01-18 16:11:251244 XX nm制造工藝是什么概念？芯片的制造工藝常常用90nm、65nm、40nm、28nm、22nm、14nm來(lái)表示?，F(xiàn)在的CPU內(nèi)集成了以億為單位的晶體管，這種晶體管由源極、漏極和位于他們之間的柵極所組成，電流從源極流入漏極，柵極則起到控制電流通斷的作用。
2019-02-20 11:08:0231991 三星宣布已經(jīng)開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)首款商用EMRAM產(chǎn)品，該產(chǎn)品基于28nm FD-SOI工藝技術(shù)，并計(jì)劃在今年擴(kuò)大高密度新興的非易失存儲(chǔ)器解決方案，包括1Gb EMRAM芯片。
2019-03-09 09:26:58964 ，都是采用22nm工藝制造，而不像B360等其他300系列芯片組一樣是新的14nm，而更早的H310C也是退回到22nm工藝的產(chǎn)物，應(yīng)該是14nm生產(chǎn)線產(chǎn)能太緊張的緣故。
2019-04-06 16:32:002911 繼2017年推出國(guó)內(nèi)首款28nm全球?qū)Ш叫l(wèi)星系統(tǒng)最小芯片UFirebird后，5月23日在北京發(fā)布新十年芯片戰(zhàn)略，布局開(kāi)發(fā)22nm高精度車(chē)規(guī)級(jí)定位芯片Nebulas-IV和22nm超低功耗雙頻雙核定位芯片F(xiàn)irebird-II。
2019-08-08 11:19:538705 7億臺(tái)了，而北斗芯片最新一代也用上了22nm工藝。 近期，中國(guó)衛(wèi)星導(dǎo)航定位協(xié)會(huì)在京發(fā)布《2020中國(guó)衛(wèi)星導(dǎo)航與位置服務(wù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展白皮書(shū)》，其中披露，國(guó)產(chǎn)北斗兼容型芯片及模塊銷量已突破1億片，國(guó)內(nèi)衛(wèi)星導(dǎo)航定位終端產(chǎn)品總銷量突破4.6億臺(tái)，其中具有衛(wèi)星
2020-06-07 21:43:0013630 三星宣布已經(jīng)開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)首款商用EMRAM產(chǎn)品，該產(chǎn)品基于28nm FD-SOI工藝技術(shù)，并計(jì)劃在今年擴(kuò)大高密度新興的非易失存儲(chǔ)器解決方案，包括1Gb EMRAM芯片。
2019-09-16 16:18:591051 在一片復(fù)古潮流之下，Intel宣布2013年的古董級(jí)22nm處理器全面復(fù)產(chǎn)，2020年3季度發(fā)售。
2019-12-10 17:16:194694 今年3月份，三星宣布全球第一家商業(yè)化規(guī)模量產(chǎn)eMRAM（嵌入式磁阻內(nèi)存），基于28nm FD-SOI（全耗盡型絕緣層上硅）成熟工藝，內(nèi)存容量8Mb，可廣泛應(yīng)用于MCU微控制器、IoT物聯(lián)網(wǎng)、AI人工智能領(lǐng)域。
2019-12-27 16:07:533649 由于在7nm節(jié)點(diǎn)激進(jìn)地采用了EUV工藝，三星的7nm工藝量產(chǎn)時(shí)間比臺(tái)積電要晚了一年，目前采用高通的驍龍765系列芯片使用三星7nm EUV工藝量產(chǎn)。在這之后，三星已經(jīng)加快了新工藝的進(jìn)度，日前6nm工藝也已經(jīng)量產(chǎn)出貨，今年還會(huì)完成3nm GAE工藝的開(kāi)發(fā)。
2020-01-06 16:13:073254 由于在7nm節(jié)點(diǎn)激進(jìn)地采用了EUV工藝，三星的7nm工藝量產(chǎn)時(shí)間比臺(tái)積電要晚了一年，目前采用高通的驍龍765系列芯片使用三星7nm EUV工藝量產(chǎn)。
2020-01-06 16:31:033215 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，存在著明顯的金字塔模型。市場(chǎng)上的主流制程工藝節(jié)點(diǎn)從22nm、16/14nm一直到目前最先進(jìn)7nm，越往上玩家越少，即將到來(lái)的5nm更是只有臺(tái)積電和三星才玩得起。
2020-01-14 10:58:5310693 據(jù)外媒報(bào)道稱，GlobalFoundries（格芯）今天宣布已經(jīng)完成了22FDX（22 nm FD-SOI）技術(shù)開(kāi)發(fā)，而這項(xiàng)技術(shù)用于生產(chǎn)嵌入式磁阻非易失性存儲(chǔ)器（eMRAM）。
2020-02-28 11:24:282405 Globalfoundries正在22nm FD-SOI上提供eMRAM技術(shù)，該公司正在與幾個(gè)客戶合作，計(jì)劃在2020年實(shí)現(xiàn)多個(gè)流片。
2020-03-03 15:10:302185 據(jù)外媒報(bào)道稱，美國(guó)半導(dǎo)體晶圓代工廠商GlobalFoundries（格芯）宣布已經(jīng)完成了22FDX（22 nm FD-SOI）技術(shù)開(kāi)發(fā)，而這項(xiàng)技術(shù)用于生產(chǎn)嵌入式磁阻非易失性存儲(chǔ)器（eMRAM）。
2020-03-03 15:57:27490 格芯（GLOBALFOUNDRIES）的22nm FD-SOI（22FDX）平臺(tái)上的嵌入式磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（eMRAM）已正式投入生產(chǎn)。同時(shí)格芯正與多家客戶共同合作，計(jì)劃于2020年實(shí)現(xiàn)多重下線生產(chǎn)
2020-03-04 17:27:352218 在半導(dǎo)體工藝上，Intel的10nm已經(jīng)量產(chǎn)，但是官方也表態(tài)其產(chǎn)能不會(huì)跟22nm、14nm那樣大，這或許是一個(gè)重要的信號(hào)。此前業(yè)界多次傳出Intel也會(huì)外包芯片給臺(tái)積電，最新爆料稱2022年Intel也會(huì)上臺(tái)積電3nm。
2020-03-08 14:11:232542 GlobalFoundries、Everspin聯(lián)合宣布，雙方已經(jīng)達(dá)成新的合作，將利用GF 12LP（12nm FinFET）工藝來(lái)制造新一代STT-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻內(nèi)存），包括獨(dú)立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-16 08:57:142310 eMRAM屬于新型存儲(chǔ)技術(shù)，同目前占據(jù)市場(chǎng)主流的NAND閃存相比較，其具有更快的存取速度和更高的耐用性，在邊緣設(shè)備中具有替代NAND閃存和部分SRAM芯片的潛質(zhì)。它在22nm的工藝下投產(chǎn)，將會(huì)
2020-04-07 17:21:131175 近日，DigiTimes在一份報(bào)告中稱，三星3nm工藝量產(chǎn)時(shí)間可能已經(jīng)延期至2022年。
2020-04-07 08:39:492024 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，在5nm工藝即將大規(guī)模量產(chǎn)的情況下，3nm工藝就成了臺(tái)積電和三星這兩大芯片代工商關(guān)注的焦點(diǎn)，三星電子旗下的三星晶圓代工，此前設(shè)定的目標(biāo)是在2021年大規(guī)模量產(chǎn)3nm工藝。
2020-04-07 17:43:512095 盡管2020年全球半導(dǎo)體行業(yè)會(huì)因?yàn)橐咔閷?dǎo)致下滑，但臺(tái)積電的業(yè)績(jī)不降反升，掌握著7nm、5nm先進(jìn)工藝的他們更受客戶青睞。今天的財(cái)報(bào)會(huì)上，臺(tái)積電也首次正式宣布3nm工藝詳情，預(yù)定在2022年下半年量產(chǎn)。
2020-04-17 08:59:213898 據(jù)悉，國(guó)產(chǎn)北斗系統(tǒng) 28nm 工藝芯片已量產(chǎn)，支持北斗三號(hào)新信號(hào)的 22 納米工藝射頻基帶一體化導(dǎo)航定位芯片，體積更小、功耗更低、精度更高，已具備批量生產(chǎn)能力。
2020-08-07 15:02:261586 ，應(yīng)用范圍也將會(huì)更廣。例如，北斗在小型無(wú)人系統(tǒng)中的應(yīng)用，需要北斗芯片在全系統(tǒng)全頻點(diǎn)基帶射頻一體化SoC基礎(chǔ)上，進(jìn)一步集成視覺(jué)以及場(chǎng)景識(shí)別等小型智能處理器，因此采用22nm工藝制程是最為合適的?！?中國(guó)衛(wèi)星導(dǎo)航協(xié)會(huì)秘書(shū)長(zhǎng)張全德的說(shuō)道。
2020-08-18 10:33:293078 作為一種新型存儲(chǔ)，eMRAM 具有非易失性、讀寫(xiě)速度快、能耗低、集成密度高、耐久力強(qiáng)、天然抗輻射和隨工藝節(jié)點(diǎn)等比微縮等優(yōu)點(diǎn)。
2020-09-27 11:54:334196 在先進(jìn)半導(dǎo)體工藝上，臺(tái)積電已經(jīng)一騎絕塵了，其他人望不到尾燈了，今年量產(chǎn)了5nm，明年就輪到3nm了。在說(shuō)法會(huì)上，臺(tái)積電公布了先進(jìn)工藝的最新進(jìn)展，5nm工藝已經(jīng)量產(chǎn)，良率很好，同時(shí)還在提升EUV工藝
2020-10-19 11:17:452179 前進(jìn)。如 2007 年達(dá)到 45nm，2009 年達(dá)到 32nm，2011 年達(dá)到 22nm。28nm 工藝處于 32nm 和 22nm 之間，業(yè)界在更早的 45nm（HKMG）工藝，在 32nm
2020-12-03 17:02:252414 領(lǐng)先的移動(dòng)和汽車(chē)SoC半導(dǎo)體IP提供商Arasan Chip Systems今天宣布，用于臺(tái)積公司22nm工藝技術(shù)的eMMC PHY IP立即可用 加利福尼亞州圣何塞2021年1月21
2021-01-21 10:18:232385 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供何種技術(shù)領(lǐng)跑22nm時(shí)代？資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-17 08:42:0815 臺(tái)積電還談到了未來(lái)的新工藝的進(jìn)度，3nm工藝將在今年下半年量產(chǎn)，而2025年則會(huì)量產(chǎn)2nm工藝。
2022-04-15 09:58:241618 、SKG122S，SKG122Y等。本篇SKYLAB小編帶大家了解一款即將推出的支持UBX協(xié)議，22nm工藝的超低功耗單頻北斗三號(hào)定位模塊SKG123Q。 SKG123Q SKG123Q是一款工業(yè)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)
2022-05-27 18:13:263955 是什么呢？ 這款北斗22nm芯片是由北京北斗星通導(dǎo)航技術(shù)股份有限公司所發(fā)布的最新一代導(dǎo)航系統(tǒng)芯片，其全稱為全系統(tǒng)全頻厘米級(jí)高精度GNSS芯片和芯星云Nebulas Ⅳ，GNSS即是全球?qū)Ш叫l(wèi)星系統(tǒng)的英文縮寫(xiě)。 和芯星云Nebulas Ⅳ由22nm制程工藝所打造，北斗星
2022-06-27 11:56:362762 據(jù)芯片行業(yè)來(lái)看，目前22nm和28nm的芯片工藝技術(shù)已經(jīng)相當(dāng)成熟了，很多廠商也使用22nm、28nm的芯片居多，主要原因就是價(jià)格便宜，那么這兩個(gè)芯片之間有什么性能差異呢？
2022-06-29 09:47:467987 ，北斗導(dǎo)航系統(tǒng)也在不斷進(jìn)步。 北斗星通以不斷進(jìn)步的技術(shù)為基礎(chǔ)，于2020年成功自主研發(fā)出了22nm工藝的全系統(tǒng)全頻厘米級(jí)高精度GNSS芯片，該芯片采用了定位系統(tǒng)領(lǐng)域最為先進(jìn)的22nm制程，在尺寸、功耗及性能方面都有著巨大的進(jìn)步。 據(jù)
2022-06-29 09:58:501278 之前北斗星通所宣布的22nm定位芯片在業(yè)界引起了巨大的轟動(dòng)，北斗星通的創(chuàng)始人周儒欣表示：這顆芯片應(yīng)該是全球衛(wèi)星導(dǎo)航領(lǐng)域最先進(jìn)的一顆芯片了。 有人就對(duì)這句話感到懷疑了，北斗星通22nm芯片先進(jìn)
2022-06-29 10:11:402522 我國(guó)在半導(dǎo)體行業(yè)一直都處于落后狀態(tài)，不過(guò)近幾年已經(jīng)慢慢地開(kāi)始追趕上來(lái)了，在半導(dǎo)體設(shè)備這方面，我國(guó)的上海微電子已經(jīng)成功研發(fā)出了深紫外光光刻機(jī)，這種光刻機(jī)能夠進(jìn)行22nm制程工藝的加工，也就是說(shuō)
2022-06-29 10:37:361806 的技術(shù)呢？ 據(jù)了解，全球芯片巨頭Intel在2011年發(fā)布了22nm工藝，而在2012年第三季度，臺(tái)積電也開(kāi)始了22nmHP制程的芯片研發(fā)工作，因此可得出22nm芯片最早在2011年被發(fā)布出來(lái)，是2011年的技術(shù)。 不過(guò)這并不代表著我國(guó)這些22nm芯片就很落后，相反，在導(dǎo)航定位領(lǐng)
2022-06-29 11:06:174790 據(jù)此前消息，國(guó)產(chǎn)企業(yè)昕原半導(dǎo)體主導(dǎo)建設(shè)的國(guó)內(nèi)首條28/22nmReRAM生產(chǎn)線建成并成功完成了裝機(jī)驗(yàn)收，實(shí)現(xiàn)了中試線全線流程的貫通。
2022-07-01 16:03:161196 北斗星通的22nm工藝的全系統(tǒng)全頻厘米級(jí)高精度GNSS芯片，在單顆芯片上實(shí)現(xiàn)了基帶+射頻+高精度算法一體化。
2022-07-04 15:53:481438 聯(lián)發(fā)科 Wi-Fi 6 平臺(tái)支持 2x2 雙頻天線，具有更高的吞吐量性能；基于 22nm 制程，擁有更高的性能和更低的功耗；擁有更低的延遲與硬件增強(qiáng)功能，可提供更好的信號(hào)傳輸以支持超遠(yuǎn)程連接。
2022-07-04 15:53:291724 臺(tái)積電首度推出采用GAAFET技術(shù)的2nm制程工藝，將于2025年量產(chǎn)，其采用FinFlex技術(shù)的3nm制程工藝將于2022年內(nèi)量產(chǎn)。
2022-07-04 18:13:312636 3nm工藝是繼5nm技術(shù)之后的下一個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)，臺(tái)積電、三星都已經(jīng)宣布了3nm的研發(fā)和量產(chǎn)計(jì)劃，預(yù)計(jì)可在2022年實(shí)現(xiàn)。
2022-07-07 09:44:0426210 來(lái)源：TechWeb 近日，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，正如此前所報(bào)道的一樣，晶圓代工商臺(tái)積電，在他們旗下的晶圓十八廠，舉行了3nm制程工藝的量產(chǎn)及產(chǎn)能擴(kuò)張儀式，宣布3nm制程工藝以可觀的良品率成功量產(chǎn)
2022-12-30 17:13:11917 2023年1月13日，知名物理IP提供商銳成芯微（Actt）宣布在22nm工藝上推出雙模藍(lán)牙射頻IP。 近年來(lái)，隨著藍(lán)牙芯片各類應(yīng)用對(duì)功耗、靈敏度、計(jì)算性能、協(xié)議支持、成本的要求越來(lái)越高，22nm
2023-01-13 14:18:10221 瑞薩電子今日宣布推出基于 22nm 制程的首顆微控制器（MCU）。通過(guò)采用先進(jìn)工藝技術(shù)，提供卓越性能，并通過(guò)降低內(nèi)核電壓來(lái)有效降低功耗。先進(jìn)的工藝技術(shù)還提供更豐富的集成度（比如 RF 等），能夠在更小的裸片面積上實(shí)現(xiàn)相同的功能，從而實(shí)現(xiàn)了外設(shè)和存儲(chǔ)的更高集成度。
2023-04-12 10:07:19456 此次采用全新22nm工藝生產(chǎn)的首顆MCU，擴(kuò)展了瑞薩廣受歡迎的基于32位Arm Cortex-M內(nèi)核的RA產(chǎn)品家族。該新型無(wú)線MCU支持低功耗藍(lán)牙5.3 (BLE)，并集成了軟件定義無(wú)線電（SDR）。
2023-04-14 11:08:23628 這座晶圓廠于2022年4月開(kāi)始新建，大樓主結(jié)構(gòu)已完工，且辦公室部分區(qū)域也在今年8月啟用。將生產(chǎn)N28 28nm級(jí)工藝芯片，這是日本目前最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝。22ULP工藝也會(huì)在這里生產(chǎn)，但注意它不是22nm，而是28nm的一個(gè)變種，專用于超低功耗設(shè)備。
2024-01-03 15:53:27433 
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