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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>漏電流和寄生電容引起的DRAM故障識(shí)別

漏電流和寄生電容引起的DRAM故障識(shí)別

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2009-09-30 15:13:3326465

電源設(shè)計(jì)小貼士51:了解寄生電容

電源紋波和瞬態(tài)規(guī)格會(huì)決定所需電容器的大小,同時(shí)也會(huì)限制電容器的寄生組成設(shè)置。低頻下,所有三種電容器均未表現(xiàn)出寄生分量,因?yàn)樽杩姑黠@只與電容相關(guān)。
2013-03-14 11:12:331052

如何消除寄生電容的電路設(shè)計(jì)方案

在被測(cè)點(diǎn)阻抗較高時(shí),即使該點(diǎn)僅有較小的電容,其帶寬也會(huì)受限。在基于磁簧繼電器的多路選擇器中,由于各磁簧繼電器的寄生電容會(huì)在輸出端并聯(lián),加大了輸出端的電容,使得電路的帶寬變窄。
2018-12-14 15:14:4721354

如何處理好電源中的寄生電容才能獲得符合EMI標(biāo)準(zhǔn)的電源

從開關(guān)節(jié)點(diǎn)到輸入引線的少量寄生電容(100毫微微法拉)會(huì)讓您無(wú)法滿足電磁干擾(EMI)需求。那100fF電容器是什么樣子的呢?在Digi-Key中,這種電容器不多。即使有,它們也會(huì)因寄生問(wèn)題而提
2019-04-09 13:56:011373

寄生電容對(duì)三極管產(chǎn)生怎樣的影響?

首先,我們介紹設(shè)計(jì)寄生電容對(duì)三極管產(chǎn)生的影響;然后,我們學(xué)習(xí)上拉電阻和下拉電阻的含義以及在電路中的使用方法。
2019-05-20 07:28:009439

MOSFET寄生電容參數(shù)如何影響開關(guān)速度

我們應(yīng)該都清楚,MOSFET 的柵極和漏源之間都是介質(zhì)層,因此柵源和柵漏之間必然存在一個(gè)寄生電容CGS和CGD,溝道未形成時(shí),漏源之間也有一個(gè)寄生電容CDS,所以考慮寄生電容時(shí),MOSFET
2021-01-08 14:19:5915831

PCB寄生電容的影響 PCB寄生電容計(jì)算 PCB寄生電容怎么消除

寄生電容有一個(gè)通用的定義:寄生電容是存在于由絕緣體隔開的兩個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間的虛擬電容(通常不需要的),是PCB布局中的一種效應(yīng),其中傳播的信號(hào)表現(xiàn)得好像就是電容,但其實(shí)并不是真正的電容
2024-01-18 15:36:14868

寄生電容器是什么?

低頻下,所有三種電容器均未表現(xiàn)出寄生分量,因?yàn)樽杩姑黠@只與電容相關(guān)。但是,鋁電解電容器阻抗停止減小,并在相對(duì)低頻時(shí)開始表現(xiàn)出電阻特性。這種電阻特性不斷增加,直到達(dá)到某個(gè)相對(duì)高頻為止(電容器出現(xiàn)電感)。鋁聚合物電容器為與理想狀況不符的另一種電容器。
2019-08-15 06:33:32

寄生電容器知識(shí)詳解

紋波電壓波形中都能看到其某些部分。圖2:電容器及其寄生要素在連續(xù)同步降壓調(diào)節(jié)器中形成不同的紋波電壓圖3顯示了一個(gè)深度連續(xù)反激或者降壓調(diào)節(jié)器的波形,其輸出電容電流可以為正和負(fù),而具體狀態(tài)會(huì)不斷快速變化
2018-09-29 09:22:17

寄生電容有什么含義?

寄生電容一般是指電感,電阻,芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來(lái)的電容特性。實(shí)際上,一個(gè)電阻等效于一個(gè)電容,一個(gè)電感,和一個(gè)電阻的串聯(lián),在低頻情況下表現(xiàn)不是很明顯,而在高頻情況下,等效值會(huì)增大,不能忽略。
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寄生電容的影響是什么?

寄生電容的影響是什么?焊接對(duì)無(wú)源器件性能的影響是什么?
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漏電流的測(cè)試

任何超級(jí)電容器都會(huì)在通電的情況下,通過(guò)內(nèi)部并聯(lián)電阻EPR放電,這個(gè)放電電流稱為漏電流,它會(huì)影響超級(jí)電容器單元的自放電。由于漏電流的存在,內(nèi)部并聯(lián)電阻的大小將決定串聯(lián)的超級(jí)電容器單元上的電壓分配,當(dāng)
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LTC6268-10為了使寄生電容降到最低,對(duì)電路板的材料類型和厚度有什么要求嗎?

在LTC6268-10芯片手冊(cè)中,為了減小寄生反饋電容的影響,采用反饋電阻分流的方式減小寄生電容。 請(qǐng)問(wèn),在這種工作方式下,為了使寄生電容降到最低,對(duì)電路板的材料類型和厚度有什么要求嗎?
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2018-11-21 15:52:43

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感性負(fù)載下,電流相位上會(huì)超前電壓,因此保證了MOSFET運(yùn)行的ZVS。要保證MOSFET運(yùn)行在感性區(qū),諧振電感上的諧振電流必須足夠大,以確保MOSFET源漏間等效的寄生電容上存儲(chǔ)的電荷可以在死區(qū)時(shí)間內(nèi)被
2018-07-13 09:48:50

mos管寄生電容是什么

  寄生電容是指電感,電阻,芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來(lái)的電容特性。實(shí)際上,一個(gè)電阻等效于一個(gè)電容,一個(gè)電感,一個(gè)電阻的串聯(lián),低頻情況下表現(xiàn)不明顯,而高頻情況下,等效值會(huì)增大。在計(jì)算中我們要考慮
2021-01-11 15:23:51

【高速PCB布線指南(2)】寄生效應(yīng)

學(xué)習(xí)進(jìn)步。寄生效應(yīng)所謂寄生效應(yīng)就是那些溜進(jìn)你的PCB并在電路中大施破壞、令人頭痛、原因不明的小故障。它們就是滲入高速電路中隱藏的寄生電容寄生電感。其中包括由封裝引腳和印制線過(guò)長(zhǎng)形成的寄生電感;焊盤到
2018-10-19 13:46:56

關(guān)于電源中使用寄生電容的總結(jié)

紋波電壓波形中都能看到其某些部分。圖2:電容器及其寄生要素在連續(xù)同步降壓調(diào)節(jié)器中形成不同的紋波電壓圖3顯示了一個(gè)深度連續(xù)反激或者降壓調(diào)節(jié)器的波形,其輸出電容電流可以為正和負(fù),而具體狀態(tài)會(huì)不斷快速變化
2018-09-10 08:16:02

關(guān)于車用BMS高壓電路中做絕緣電阻檢測(cè)時(shí)如何考慮高壓正負(fù)極對(duì)地的寄生電容對(duì)AD采集影響?

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2020-07-27 23:14:10

如何處理好電源中的寄生電容獲得符合EMI標(biāo)準(zhǔn)的電源?

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VDMOS的基本原理一種減小寄生電容的新型VDMOS結(jié)構(gòu)介紹
2021-04-07 06:58:17

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本人最近在學(xué)習(xí)自舉電容的選擇方法, 期間查閱資料,說(shuō)到影響自舉電容大小,要考慮的因素包括一條是驅(qū)動(dòng)芯片所接MOS管的柵源極間正向漏電流。 一直對(duì)于漏電流不清楚其含義,原來(lái)只知道反向漏電流,現(xiàn)在又來(lái)了正向漏電流, 所以想請(qǐng)教一下漏電流的意義,包括正反漏電流,希望講的詳細(xì)些,謝謝!
2020-04-16 00:14:19

請(qǐng)問(wèn)如何用一種能夠遠(yuǎn)程或者通過(guò)一個(gè)大寄生電容降低光電二極管帶寬和噪聲影響的電路?

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走線越長(zhǎng)對(duì)開關(guān)的寄生電容效用越明顯,過(guò)大的寄生電容會(huì)使開關(guān)不能正常工作。如果寄生電容太大,當(dāng)手指與觸摸開關(guān)接觸時(shí),過(guò)大的寄生電容使MCU不能檢測(cè)到開關(guān)狀態(tài)的變化。通常,根據(jù)不同的開關(guān)圖形與所用的材料不同,觸摸開關(guān)感應(yīng)電容一般控制在2~15pF之間是比較合理的。
2017-05-31 09:02:123194

一文讀懂二極管在寄生電容處理間的妙用

大家最熟悉的就是二極管的單向?qū)щ娦?,二極管如何減少寄生電容。正向接入方法,二極管接在信號(hào)線與附件功能模塊之間,這表示附加功能模塊使能時(shí)是高電平輸出的。
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2017-12-28 15:13:490

如何消除寄生電容的影響

寄生電容一般是指電感,電阻,芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來(lái)的電容特性。實(shí)際上,一個(gè)電阻等效于一個(gè)電容,一個(gè)電感,和一個(gè)電阻的串連,在低頻情況下表現(xiàn)不是很明顯,而在高頻情況下,等效值會(huì)增大,不能忽略。
2018-01-31 10:09:2921526

什么是“寄生電容”?寄生電容與三種電容器!

寄生電容一般是指電感,電阻,芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來(lái)的電容特性。實(shí)際上,一個(gè)電阻等效于一個(gè)電容,一個(gè)電感,和一個(gè)電阻的串連,在低頻情況下表現(xiàn)不是很明顯,而在高頻情況下,等效值會(huì)增大,不能忽略。
2018-01-31 10:57:5626012

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本文開始闡述了寄生電感的概念和和寄生元件危害,其次闡述了寄生電感測(cè)量?jī)x的設(shè)計(jì)和寄生電感產(chǎn)生原因或產(chǎn)生方式,最后介紹了PCB過(guò)孔的寄生電容和電感的計(jì)算以及使用。
2018-03-28 14:50:4239049

可提高開關(guān)速度與動(dòng)態(tài)性能的減少VDMOS寄生電容新結(jié)構(gòu)的研究

區(qū)大。因此,不論是開關(guān)應(yīng)用還是線性應(yīng)用,VDMOS都是理想的功率器件。VDMOS的開關(guān)速度是在高頻應(yīng)用時(shí)的一個(gè)重要的參數(shù),因此提出一種減小寄生電容的新型VDMOS結(jié)構(gòu)。
2019-07-08 08:17:002675

電容器的漏電流是什么意思?影響電容器的漏電流的因素有哪些

電容器的漏電流時(shí)電容的一個(gè)負(fù)面的指標(biāo)。在理想的情況下電容兩個(gè)極板間是不能夠有電流流通的,但是哲學(xué)里面講任何的事物都不是絕對(duì)的,所以電容的兩端會(huì)存在電流,這種電流就是我們通常所說(shuō)的漏電流。影響電容器的漏電流的因素有哪些?
2018-11-15 18:50:0857412

為什么運(yùn)算放大器反相引腳的寄生電容會(huì)引起不穩(wěn)定

ADI公司的Matt Duff講解為什么運(yùn)算放大器反相引腳的寄生電容會(huì)引起不穩(wěn)定。
2019-06-11 06:11:004700

寄生電容產(chǎn)生的原因_寄生電容產(chǎn)生的危害

本文首先介紹了寄生電容的概念,其次介紹了寄生電容產(chǎn)生的原因,最后介紹了寄生電容產(chǎn)生的危害。
2019-04-30 15:39:3728588

寄生電容與分布電容的區(qū)別

分布電容強(qiáng)調(diào)的是均勻性。寄生跟強(qiáng)調(diào)的是意外性,指不是專門設(shè)計(jì)成電容,卻有著電容作用的效應(yīng),比如三極管極間電容。單點(diǎn)說(shuō),兩條平行走線之間會(huì)產(chǎn)生分布電容,元器件間在高頻下表現(xiàn)出來(lái)的容性叫寄生電容。
2019-04-30 15:56:3019503

陶瓷電容漏電流如何解決

要避免陶瓷電容漏電的情況出現(xiàn),選擇有品質(zhì)保障的廠家,質(zhì)量好的陶瓷電容,漏電流小,損耗小,容量的一致性非常精準(zhǔn)。盡可能的減少不必要的危險(xiǎn)和損失。
2019-07-01 16:14:219434

磁芯對(duì)電感寄生電容有哪些影響

減小電感寄生電容的方法 如果磁芯是導(dǎo)體,首先: 用介電常數(shù)低的材料增加繞組導(dǎo)體與磁芯之間的距離
2019-07-18 08:00:001

什么是寄生電感_PCB寄生電容和電感計(jì)算

寄生電感一半是在PCB過(guò)孔設(shè)計(jì)所要考慮的。在高速數(shù)字電路的設(shè)計(jì)中,過(guò)孔的寄生電感帶來(lái)的危害往往大于寄生電容的影響。它的寄生串聯(lián)電感會(huì)削弱旁路電容的貢獻(xiàn),減弱整個(gè)電源系統(tǒng)的濾波效用。我們可以用下面的公式來(lái)簡(jiǎn)單地計(jì)算一個(gè)過(guò)孔近似的寄生電感。
2019-10-11 10:36:3319064

什么是寄生電容_寄生電容的危害

寄生的含義就是本來(lái)沒有在那個(gè)地方設(shè)計(jì)電容,但由于布線之間總是有互容,互容就好像是寄生在布線之間的一樣,所以叫寄生電容,又稱雜散電容。
2020-09-17 11:56:1127673

mos管寄生電容是什么看了就知道

寄生電容是指電感,電阻,芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來(lái)的電容特性。實(shí)際上,一個(gè)電阻等效于一個(gè)電容,一個(gè)電感,一個(gè)電阻的串聯(lián),低頻情況下表現(xiàn)不明顯,而高頻情況下,等效值會(huì)增大。在計(jì)算中我們要考慮進(jìn)去。
2020-10-09 12:04:1734949

硬開關(guān)轉(zhuǎn)換器中的寄生電容資料下載

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供硬開關(guān)轉(zhuǎn)換器中的寄生電容資料下載的電子資料下載,更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶指南、解決方案等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-14 08:48:3511

二極管是如何減少寄生電容的?資料下載

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2021-04-24 08:40:343

AN39-升壓變壓器設(shè)計(jì)中的寄生電容效應(yīng)

AN39-升壓變壓器設(shè)計(jì)中的寄生電容效應(yīng)
2021-04-28 17:42:254

基于寄生電容的MOS等效模型

的,今天我們就來(lái)講解一下,對(duì)于理想的MOS器件來(lái)說(shuō),我們只考慮器件本身,而不考慮MOS的寄生電容的話,那么是無(wú)需考慮驅(qū)動(dòng)電流的大小的。相信大家都聽過(guò)一個(gè)名詞,叫寄生電容,也叫雜散電容,是電路中電子元件
2022-04-07 09:27:124967

什么是寄生電容,什么是寄生電感

本來(lái)沒有在那個(gè)地方設(shè)計(jì)電容,但由于布線之間總是有互容,互容就好像是寄生在布線之間的一樣,所以叫寄生電容 寄生電容: 本質(zhì)上還是電容,滿足i=c*du/dt。 電容是用來(lái)衡量?jī)?chǔ)存電荷能力的物理量。根據(jù)
2022-07-27 14:23:5515292

MOSFET結(jié)構(gòu)及寄生電容的分布

對(duì)于MOSFET,米勒效應(yīng)(Miller Effect)指其輸入輸出之間的分布電容(柵漏電容)在反相放大作用下,使得等效輸入電容值放大的效應(yīng)。由于米勒效應(yīng),MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)過(guò)程中,會(huì)形成平臺(tái)電壓,引起開關(guān)時(shí)間變長(zhǎng),開關(guān)損耗增加,給MOS管的正常工作帶來(lái)非常不利的影響。
2022-10-28 10:18:378282

過(guò)孔的兩個(gè)寄生參數(shù)是什么?它有什么影響?應(yīng)該怎么消除?

過(guò)孔的兩個(gè)寄生參數(shù)是寄生電容寄生電感。 過(guò)孔本身存在著對(duì)地的寄生電容,如果已知過(guò)孔在鋪地層上的隔離孔直徑為D2,過(guò)孔焊盤的直徑為D1,PCB板的厚度為T,板基材介電常數(shù)為ε,則過(guò)孔的寄生電容可以
2022-10-30 13:15:182725

MOSFET的寄生電容及其溫度特性

繼前篇的Si晶體管的分類與特征、基本特性之后,本篇就作為功率開關(guān)被廣為應(yīng)用的Si-MOSFET的特性作補(bǔ)充說(shuō)明。MOSFET的寄生電容:MOSFET在結(jié)構(gòu)上存在下圖所示的寄生電容。
2023-02-09 10:19:241996

引入空氣間隙以減少前道工序中的寄生電容

作者:泛林集團(tuán)半導(dǎo)體工藝與整合工程師 Sumant Sarkar 使用Coventor SEMulator3D?創(chuàng)建可以預(yù)測(cè)寄生電容的機(jī)器學(xué)習(xí)模型 減少柵極金屬和晶體管的源極/漏極接觸之間的寄生電容
2023-03-28 17:19:08559

引入空氣間隙以減少前道工序中的寄生電容

來(lái)源:《半導(dǎo)體芯科技》雜志 作者:Sumant Sarkar, 泛林集團(tuán)半導(dǎo)體工藝與整合工程師 使用Coventor SEMulator3D? 創(chuàng)建可以預(yù)測(cè)寄生電容的機(jī)器學(xué)習(xí)模型 減少柵極金屬
2023-06-02 17:31:46305

技術(shù)資訊 | 在高速設(shè)計(jì)中如何消除寄生電容

本文要點(diǎn)寄生電容的定義寄生電容影響電路機(jī)理消除寄生電容的方法當(dāng)你想到寄生蟲時(shí),你可能會(huì)想到生物學(xué)上的定義——一種生活在宿主身上或在宿主體內(nèi)的有機(jī)體,從宿主身上吸取食物。從這個(gè)意義上說(shuō),寄生蟲可能是
2022-05-31 11:09:011733

寄生漏電電流(休眠電流

寄生漏電電流需要進(jìn)行長(zhǎng)時(shí)間的測(cè)試
2022-03-02 17:08:271725

AMAZINGIC晶焱科技考慮寄生電容的高速接口中的TVS選擇以及方案應(yīng)用

AMAZINGIC晶焱科技考慮寄生電容的高速接口中的TVS選擇以及方案應(yīng)用由授權(quán)一級(jí)代理分銷KOYUELEC光與電子0755-82574660,82542001為ODM研發(fā)設(shè)計(jì)工程師提供技術(shù)選型和方案應(yīng)用支持。
2023-07-05 09:28:47530

引入空氣間隙以減少前道工序中的寄生電容

使用Coventor SEMulator3D?創(chuàng)建可以預(yù)測(cè)寄生電容的機(jī)器學(xué)習(xí)模型
2023-07-06 17:27:02187

PCB寄生電容的影響、計(jì)算公式和消除措施

寄生電容有一個(gè)通用的定義:寄生電容是存在于由絕緣體隔開的兩個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間的虛擬電容(通常不需要的),是 PCB 布局中的一種效應(yīng),其中傳播的信號(hào)表現(xiàn)得好像就是電容,但其實(shí)并不是真正的電容。
2023-07-24 16:01:365440

pcb連線寄生電容一般多少

pcb連線寄生電容一般多少 隨著電子產(chǎn)品制造技術(shù)的成熟和發(fā)展,隨之而來(lái)的是布線技術(shù)的迅速發(fā)展。不同的 PCB 布線技術(shù)對(duì)于電路性能的影響不同,而其中最常見的問(wèn)題之一就是 PCB 連線寄生電容。這種
2023-08-27 16:19:441608

y電容漏電流的計(jì)算

y電容漏電流的計(jì)算? 電容是電學(xué)中的一種重要的元件,它可以在電路中儲(chǔ)存電荷,并在需要時(shí)將其釋放。在許多應(yīng)用中,電容被用來(lái)濾波、穩(wěn)壓,以及作為時(shí)序電路的元件。然而,電容也會(huì)引起漏電流的問(wèn)題,影響電路
2023-08-27 16:43:332963

寄生電容對(duì)MOS管快速關(guān)斷的影響

寄生電容對(duì)MOS管快速關(guān)斷的影響 MOS(Metal Oxide Semiconductor)管是一種晶體管,它以其高性能和可靠性而廣泛應(yīng)用于許多電子設(shè)備,如功率放大器和開關(guān)電源。盡管MOS管具有
2023-09-17 10:46:581244

SiC MOSFET 和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對(duì)比

SiC MOSFET 和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對(duì)比
2023-12-05 14:31:21258

如何計(jì)算安規(guī)電容漏電流?

如何計(jì)算安規(guī)電容漏電流
2023-12-15 16:54:55526

漏電保護(hù)開關(guān)的漏電動(dòng)作電流為多少

漏電保護(hù)開關(guān)的漏電動(dòng)作電流為多少? 漏電保護(hù)開關(guān)是一種用于監(jiān)測(cè)和保護(hù)電氣設(shè)備和人身安全的重要電器設(shè)備。當(dāng)電氣系統(tǒng)發(fā)生漏電故障時(shí),漏電保護(hù)開關(guān)能夠及時(shí)檢測(cè)到漏電電流,并迅速切斷電路,以避免漏電電流
2024-02-03 09:13:15787

如何解決貼片電容漏電流的問(wèn)題呢?

如何解決貼片電容漏電流的問(wèn)題呢? 貼片電容漏電流電容器在正常工作條件下發(fā)生的一種特殊現(xiàn)象,會(huì)導(dǎo)致電路工作不穩(wěn)定甚至損壞。要解決貼片電容漏電流問(wèn)題,需要找出漏電流的原因,并采取相應(yīng)的措施進(jìn)行修復(fù)
2024-02-03 14:37:45250

詳解MOS管的寄生電感和寄生電容

寄生電容寄生電感是指在電路中存在的非意圖的電容和電感元件。 它們通常是由于電路布局、線路長(zhǎng)度、器件之間的物理距離等因素引起的。
2024-02-21 09:45:35246

寄生電容器的基礎(chǔ)知識(shí)詳解

電源紋波和瞬態(tài)規(guī)格會(huì)決定所需電容器的大小,同時(shí)也會(huì)限制電容器的寄生組成設(shè)置。
2024-03-17 15:45:39243

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