?近日，國內第三代半導體新銳企業(yè)芯塔電子正式宣布推出新一代1200V 40-80mΩ SiC MOSFET，器件各項性能達到國際領先水平。此舉標志著芯塔電子在第三代半導體領域取得了重大進展，進一步豐富了公司的產品系列，彰顯了芯塔電子在國內SiC領域的競爭力。目前，該產品已經(jīng)給國內軍工、新能源汽車、光伏儲能、充電樁等領域頭部企業(yè)進行了銷售。

芯塔電子新一代SiC MOSFET晶圓及器件

? ?芯塔電子新一代SiC MOSFET基于XM2.0自主技術平臺。技術團隊歷經(jīng)數(shù)月的辛苦研究，針對芯片布局、結構、工藝進行全方面的設計優(yōu)化，并與國內合作單位進行了多輪技術討論、調試工作，快速完成芯片流片，取得預期的芯片測試結果。新一代產品的材料、設計、代工等環(huán)節(jié)均在國內完成，是真正意義上的純國產化產品，加快了中國SiC MOSFET器件的國產化進程。

芯塔電子新一代SiC MOSFET選型表

? ?技術團隊通過優(yōu)化設計，結合先進的晶圓減薄技術，進一步提高了器件的功率密度和效率，可以應用在更高頻的環(huán)境，從而大幅降低外圍電路電感、電容、濾波器和變壓器的尺寸，對比前一代產品具有更小的芯片尺寸、更低的米勒電容、更高的抗干擾能力。新一代產品不但獲得了更高的性價比，同時也改善了器件動態(tài)特性，獲得了更低的開關損耗，以便滿足市場對高性能、高可靠性的新能源汽車及高端工業(yè)領域功率半導體器件需求。

芯塔電子1200V/40mΩ SiC MOSFET性能參數(shù)

? ? 芯塔電子本次發(fā)布的 SiC MOSFET 器件低優(yōu)值因子QG?x?RDS(ON)?是產品最大的亮點之一。優(yōu)值因子數(shù)值越低說明器件的綜合損耗越小，效率更高。在相同的測試條件下，芯塔電子?1200V/40mΩ?SiC MOSFET的優(yōu)值因子比國外C品牌低25%，在一眾同類品牌中優(yōu)勢盡顯。

芯塔電子MOS產品優(yōu)值因子對比

?? ?通過與國外知名友商C公司競品性能參數(shù)對比圖可以看出，芯塔電子新一代1200V/40mΩ SiC MOSFET在導通電阻、柵電荷等方面展示出優(yōu)良特性。在TJ=150℃時，芯塔電子產品的導通電阻的變化率為1.3、C公司為1.7，相對競品更具優(yōu)勢和性價比。

1200V 40mΩ?SiC MOSFET雙脈沖對比測試波形圖

1200V 40mΩ?SiC MOSFET雙脈沖對比測試數(shù)據(jù)

? ?雙脈沖測試結果來看，芯塔電子1200V/40mΩ? SiC MOSFET與國外知名友商C公司的最新一代同規(guī)格競品相比開通和關斷更快，開通損耗降低14%，關斷損耗降低18%。從短路電流測試結果來看，芯塔電子1200V/80mΩ SiC MOSFET在VDD?= 600 V ,?VGS?= 20 V ,?VGD?= -5 V ,?RG?= 25 Ω的測試條件下，短路時間≤5μs，短路電流為279A，達到國際一線品牌產品性能。

1200V?80mΩ?SiC MOSFET短路電流測試

? ?整體而言，芯塔電子 SiC MOSFET具有業(yè)內領先的優(yōu)值因子系數(shù)，在應用環(huán)境中，具備損耗低、整體效率高的明顯優(yōu)勢,器件多項性能及各項技術已經(jīng)達到國際一流水平，可以很好的實現(xiàn)國產化替代。

芯塔電子新一代SiC MOSFET晶圓

? ?SiC MOSFET是具有代表性的碳化硅功率器件，其高頻、高效、高溫的特性特別適合對效率或溫度要求嚴苛的應用場景。相比于傳統(tǒng)的硅基IGBT，SiC MOSFET可帶來一系列系統(tǒng)級優(yōu)化，包括提高效率、提升功率密度、降低冷卻要求以及降低系統(tǒng)級成本，可廣泛應用于新能源汽車、光伏儲能、UPS、充電樁、功率電源等領域。下游需求不斷擴大的態(tài)勢下，芯塔電子的SiC器件將以國際先進的性能和高可靠性，滿足諸多目標應用的需求，公司未來的發(fā)展前景也將會愈發(fā)廣闊。 ?

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???在行業(yè)競爭風起云涌的今天，賦予芯塔電子全新的戰(zhàn)略定位。在全球化競爭的舞臺上，芯塔人銳意進取，以全球化的視野和前瞻的思路，創(chuàng)新求變，順應潮流。未來，芯塔電子將依托中國廣闊的市場優(yōu)勢、強大的團隊科研實力和行業(yè)資源植根安徽，打造新一代功率半導體民族品牌。不斷加強國內產業(yè)鏈的合作和協(xié)同創(chuàng)新，持續(xù)推動第三代半導體產業(yè)技術進步，助力國家“雙碳”戰(zhàn)略。