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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲技術(shù)>3D NAND的溝道通孔刻蝕工藝步驟

3D NAND的溝道通孔刻蝕工藝步驟

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2016-07-12 22:48:20

芯片的3D化歷程

自上而下穿過圓柱,形成統(tǒng)一的 3D 電荷擷取閃存 (CTF) 單元實現(xiàn)的。東芝方面,東芝的BiCS閃存是Bit Cost Scaling,強調(diào)的就是隨NAND規(guī)模而降低成本,號稱在所有3D NAND
2020-03-19 14:04:57

請教碳化硅刻蝕工藝

最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅,采用的是ICP系列設備,刻蝕氣體使用的是SF6+O2,碳化硅上面沒有做任何掩膜,就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50

請問AD導出什么3D格式給結(jié)構(gòu)工程師好?

元器件的實體。不需要匹配。但是有個問題就是,元器件的定位信息沒有了,比如固定沒有圓形。沒法捕捉了。也不方便裝配。請問大家關(guān)于AD格式導出3D文件給結(jié)構(gòu)工程師有什么好的方法?
2019-03-26 07:36:21

請問在3D模式下能隱藏元件的3D嗎?

3D模式下能不能隱藏元件的3D,就是3D模式下只能看見PCB板
2019-04-18 05:51:13

鴻蒙有3D顯示組件嗎?

鴻蒙有3D顯示組件嗎?
2021-11-13 07:33:10

3D NAND的不同架構(gòu)淺析 #存儲技術(shù)

NANDIC設計存儲技術(shù)3d nand
EE_Voky發(fā)布于 2022-06-28 17:29:27

3D NAND電學特性 #存儲技術(shù)

NANDIC設計存儲技術(shù)3d nand行業(yè)芯事經(jīng)驗分享
EE_Voky發(fā)布于 2022-06-28 17:29:51

3D NAND與2D NAND性能對比

NANDIC設計存儲技術(shù)3d nand行業(yè)芯事經(jīng)驗分享
EE_Voky發(fā)布于 2022-06-28 17:30:15

#硬聲創(chuàng)作季 3D打印技術(shù)及應用:3D打印后處理工藝

工藝3D打印3D打印技術(shù)
Mr_haohao發(fā)布于 2022-10-23 05:21:54

#硬聲創(chuàng)作季 3D打印技術(shù)及應用:1.33D打印工藝的分類

工藝3D打印3D打印技術(shù)
Mr_haohao發(fā)布于 2022-10-23 10:49:03

3D打印技術(shù)及應用: 3D打印-FDM打印演示#3d打印

3D打印
學習硬聲知識發(fā)布于 2022-11-10 21:58:30

3D打印技術(shù)及應用: 3D打印工藝的分類#3d打印

3D打印
學習硬聲知識發(fā)布于 2022-11-10 22:04:40

3D NAND路線圖#硬聲創(chuàng)作季

3D
電子學習發(fā)布于 2022-11-20 21:02:09

3D NAND的微觀構(gòu)造#硬聲創(chuàng)作季

3D
電子學習發(fā)布于 2022-11-20 21:23:10

12-1SLA工藝3D打印材料

3D打印
jf_75936199發(fā)布于 2023-01-21 21:16:31

12-2SLA工藝3D打印原理

3D打印
jf_75936199發(fā)布于 2023-01-21 21:17:25

3D NAND新產(chǎn)品技術(shù)進入市場之際加快發(fā)展步伐

的平面閃存,3D存儲器的關(guān)鍵技術(shù)是薄膜和刻蝕工藝,技術(shù)工藝差別較大,而且相對2D NAND來說,國際大廠在3D存儲器布局方面走得并不遠。
2018-06-20 17:17:494303

干法刻蝕工藝介紹

刻蝕室半導體IC制造中的至關(guān)重要的一道工藝,一般有干法刻蝕和濕法刻蝕兩種,干法刻蝕和濕法刻蝕一個顯著的區(qū)別是各向異性,更適合用于對形貌要求較高的工藝步驟。
2022-06-13 14:43:316

詳解三維NAND集成工藝(3D-NAND Integration Technology)

存儲單元中,電荷的存儲層可以是浮柵或氮化硅電荷俘獲層(Charge-Trapping Layer, CTL)。三維CTL垂直溝道NAND 閃存(3D NAND 或 V-NAND)基于無結(jié)型 (Junctionless, JL)薄膜場效應晶體管(TFT),具有更好的可靠性。
2023-02-03 09:16:578266

干法刻蝕工藝介紹 硅的深溝槽干法刻蝕工藝方法

第一種是間歇式刻蝕方法(BOSCH),即多次交替循環(huán)刻蝕和淀積工藝,刻蝕工藝使用的是SF6氣體,淀積工藝使用的是C4F8氣體
2023-07-14 09:54:463215

北方華創(chuàng)公開“刻蝕方法和半導體工藝設備”相關(guān)專利

該專利詳細闡述了一種針對含硅有機介電層的高效刻蝕方法及相應的半導體工藝設備。它主要涉及到通過交替運用至少兩個刻蝕步驟刻蝕含硅有機介電層。這兩個步驟分別為第一刻蝕步驟和第二刻蝕步驟
2023-12-06 11:58:16370

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