今年NOR閃存營業(yè)收入預(yù)計從2012年的34.8億美元降到34.1億美元。NAND閃存已經(jīng)成為手機與平板電腦等移動產(chǎn)品所青睞的存儲解決方案。甚至在NOR市場內(nèi)部，兩種NOR也在自相殘殺。由于串行外圍接口（SPI） NOR的設(shè)計相對簡單，而且制造成本較低，所以正在奪取并行NOR的市場份額。
2013-04-10 16:15:51
2664 盧志遠分析，NOR型快閃存儲器市場有同業(yè)退出，整體供給保守，需求又明顯成長下，明年供需吃緊狀況還可能加劇。至于大陸擴產(chǎn)主要是供應(yīng)低端市場，對旺宏不會有所影響。
2017-07-26 08:12:14787 閃速存儲器 （Flash Memory）簡稱閃存器或閃存，是一種非易失性存儲器(Non-volatile Memory， NVM)。目前常用的兩種閃存器是或非閃存器 (NOR Flash）和與非閃存
2023-11-23 09:36:17917 
現(xiàn)狀及未來趨勢》數(shù)據(jù)顯示，2016年全球LED照明市場規(guī)模約346.4億美元，以產(chǎn)值計滲透率為31.3%，較2015年高出4.1個百分點；在LED組件發(fā)光效率提升、價格下降至接近傳統(tǒng)光源，以及照明燈
2017-11-07 11:17:22
。2009年以來，電子閱讀器在全球市場由溫和發(fā)展轉(zhuǎn)變?yōu)榭焖俚陌l(fā)展。根據(jù)《2017全球電子閱讀器行業(yè)市場研究報告》觀點：北美是最大的消費市場，2016年的市場份額約為68.48%，歐洲和中國分別以
2017-11-09 14:05:37
劃分》表示，全球壓力感測器市場的產(chǎn)值在2011年為51.1億美元，預(yù)計到2017年達到73.4億美元，2012至2017年的年均復(fù)合增長率為6.3%。壓力感測器在2011年的總出貨量為87億個，預(yù)計到
2012-12-12 15:56:00
劃分》表示，全球壓力感測器市場的產(chǎn)值在2011年為51.1億美元，預(yù)計到2017年達到73.4億美元，2012至2017年的年均復(fù)合增長率為6.3%。壓力感測器在2011年的總出貨量為87億個，預(yù)計到
2012-12-12 15:57:25
NOR Flash 和 NAND Flash是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR Flash 技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM(Electrically
2021-07-22 08:16:03
使用角度來看，NOR閃存與NAND閃存是各有特點的：（1）NOR的存儲密度低，所以存儲一個字節(jié)的成本也較高，而NAND閃存的存儲密度和存儲容量均比較高；（2）NAND型閃存在擦、寫文件（特別是連續(xù)
2013-04-02 23:02:03
的設(shè)計早已普遍應(yīng)用于手機、PocketPC、PDA及電子詞典等設(shè)備中了。在選擇存儲解決方案時，設(shè)計師必須在多種因素之間進行權(quán)衡，以獲得較高的性價比。以手機為例，采用支持XIP技術(shù)的NOR閃存能夠
2014-04-23 18:24:52
壞塊，并將壞塊標記為不可用。在已制成的器件中，如果通過可靠的方法不能進行這項處理，將導(dǎo)致高故障率。5、易于使用: 可以非常直接地使用基于NOR的閃存，可以像其他存儲器那樣連接，并可以在上面直接運行代碼
2018-08-09 10:37:07
39.16%。而市占方面，2018年一季度，三星、海力士、美光三家廠商在DRAM產(chǎn)業(yè)的市場占有率分別為44.9%、27.9%及22.6%，合計共占有95.4%的市占率。時間來到5月底，根據(jù)舉報，中國
2018-11-22 14:49:22
閃存被廣泛用于移動存儲、數(shù)碼相機、 MP3 播放器、掌上電腦等新興數(shù)字設(shè)備中。由于受到數(shù)碼設(shè)備強勁發(fā)展的帶動， NAND 閃存一直呈現(xiàn)指數(shù)級的超高速增長， NAND 可望在近期超過 NOR 成為閃存技術(shù)的主導(dǎo)。
2018-06-14 14:34:31
。其結(jié)構(gòu)簡單，因而常用于存儲各種固化程序和數(shù)據(jù)?？梢杂糜诖娣舃oot-----FlashFLASH EEPROM 又稱閃存，快閃。flash可擦寫，在單片機中用于存儲程序。因為歷史原因，很多人還是將 Flash 叫做 ROM.....種類有nandflash ，norflash等等...
2021-12-10 06:34:11
： 這種存儲器的特點是：從原理上看，它們屬于ROM型存儲器，從功能上看，它們又可以隨時改寫信息，作用又相當(dāng)于RAM。所以，ROM、RAM的定義和劃分已逐漸的失去意義?！ ?、快擦寫存儲器（FLASH
2017-10-24 14:31:49
： 這種存儲器的特點是：從原理上看，它們屬于ROM型存儲器，從功能上看，它們又可以隨時改寫信息，作用又相當(dāng)于RAM。所以，ROM、RAM的定義和劃分已逐漸的失去意義?！ ?、快擦寫存儲器（FLASH
2017-12-21 17:10:53
”擦寫，二者尋址方法不同，存儲單元的結(jié)構(gòu)也不同，F(xiàn)LASH的電路結(jié)構(gòu)較簡單，同樣容量占芯片面積較小，成本自然比EEPROM低，因而適合用作程序存儲器，EEPROM則更多的用作非易失的數(shù)據(jù)存儲器。今天的科普就到這里，日后有關(guān)于存儲芯片的問題可以找宏旺半導(dǎo)體！
2019-12-05 14:02:53
蘋果則是NVME呢？什么是UFS？UFS全稱為Universal Flash Storage，即“通用閃存存儲”，是一種內(nèi)嵌式存儲器的標準規(guī)格。據(jù)宏旺半導(dǎo)體了解，UFS采用串行數(shù)據(jù)傳輸技術(shù)，只有兩個
2019-11-26 11:21:07
居5成以上表現(xiàn)，而在Nand flash產(chǎn)品，目前Kingston全球排名第二，2012年市占率約在30~35%的水準，2013年則上看40%。他指出，2012年Kingston若以出貨量而言
2022-02-10 12:26:44
大家好，問候。我一直在使用EEPROM在我的工作生活的印象中EEPROM是用來存儲數(shù)據(jù)不經(jīng)常使用。如配置參數(shù)等。最近，我已經(jīng)被權(quán)力要求，以評估替代NAND閃存，因此，我已經(jīng)開始看NOR閃存。老實說
2019-02-14 13:28:02
。無論是在容量、兼容性、良品率還是性能等方面，只要有存儲需求，ICMAX都能滿足。專業(yè)的研發(fā)團隊與FAE技術(shù)支持，提供與供應(yīng)商一對一對接服務(wù)。要做到客制化并不是一件簡單的事，宏旺半導(dǎo)體數(shù)十年的努力，堅持
2019-07-26 19:41:57
占率有機會逼近新帝。NAND Flash領(lǐng)域中的優(yōu)盤方面，由于與快閃記憶卡市場屬性相異，其中，快閃記憶卡是標準化規(guī)格，優(yōu)盤則講求客制化，因此，金士頓切入市場后很快取代新帝成為全球龍頭，市占率約30
2022-02-09 13:42:40
的普及應(yīng)用將大致分為兩個階段。第一階段,它將取代車載MCU中應(yīng)用的嵌入式存儲器，其后在第二階段,它將取代手機中的MCP以及獨立DRAM和獨立NOR閃存等。圖1 65nm產(chǎn)品會取代嵌入式存儲器，45nm
2023-04-07 16:41:05
占比達54.25%，NAND Flash及其他占比約45.75%。威剛表示，今年存儲器市場因上游芯片大廠持續(xù)調(diào)整產(chǎn)品線及出貨量，導(dǎo)致第1季出現(xiàn)供不應(yīng)求景況，現(xiàn)貨價也呈大幅反彈狀態(tài)。為了解決之前庫存偏低
2022-02-19 12:09:58
超高畫質(zhì)電視等消費性產(chǎn)品。以及后續(xù)2020年受惠游戲機卡匣、5G基地臺、資料中心及筆電用存儲器出貨強勁成長，旺宏的19nm SLC NAND FLASH將在眾多產(chǎn)品中成為中流砥柱。截至目前為止，19nm
2020-11-19 09:09:58
當(dāng)系統(tǒng)運行了一個嵌入式實時操作系統(tǒng)時（RTOS），操作系統(tǒng)通常都是使用非易失的
存儲器來運行軟件以及采集數(shù)據(jù)。
存儲器的選擇面很廣闊，其中包括電池供電的SRAM（靜態(tài)隨機訪問儲存
器），各種各樣的
閃存以及串口EEPROM（電可擦的，可編程的只讀
存儲器）?！ ?/div>
2019-06-28 08:29:29
幾乎所有微控制器都使用內(nèi)部 NOR 閃存作為隨機存取指令或數(shù)據(jù)存儲器。NAND 內(nèi)存是從起始頁面地址開始的順序訪問，不支持直接獲取指令（必須先將內(nèi)容復(fù)制到 RAM）。這是閃存架構(gòu)的根本區(qū)別。我不記得 ST 明確聲明內(nèi)部閃存是基于 NOR 的，但這等同于聲明 ST 控制器使用基于半導(dǎo)體的門來實現(xiàn)邏輯。
2023-01-31 07:34:49
我已經(jīng)在 Touchgfx 和 FREERTOS 中實現(xiàn)了我的整個應(yīng)用程序，并使用 NOR 閃存作為外部存儲設(shè)備?，F(xiàn)在，有沒有辦法將存儲在 NOR 中的整個代碼復(fù)制到 SDRAM 并從那里運行執(zhí)行
2022-12-28 06:50:11
支持的話，NOR閃存的讀操作可以是同步的，而寫操作仍然是異步的。當(dāng)對一個同步的NOR閃存編程時，存儲器會自動地在同步與異步之間切換；因此，必須正確地設(shè)置所有的參數(shù)程序分析 /*-- FSMC
2015-01-22 15:56:51
：●CLKDIV：時鐘分頻系數(shù)●DATLAT：數(shù)據(jù)延時如果存儲器支持的話，NOR閃存的讀操作可以是同步的，而寫操作仍然是異步的。當(dāng)對一個同步的NOR閃存編程時，存儲器會自動地在同步與異步之間切換；因此，必須正確地
2015-01-22 15:56:51
描述Sitara AM437x 處理器上的 QSPI 接口允許系統(tǒng)設(shè)計人員連接 NOR 閃存。該接口非常快，足以支持就地執(zhí)行 (XIP)。此設(shè)計通過使用成本更低的 NOR 閃存或更少的 DDR 內(nèi)存
2018-12-13 11:40:34
大, 容量大，讀寫快。eMMC與SSD聯(lián)系eMMC和SSD主要是滿足不同需求而發(fā)展出來的NAND應(yīng)用，相同點都是控制器加NAND顆粒組成的存儲介質(zhì)，我們可以這樣理解，單顆閃存芯片制作的eMMC，相當(dāng)于
2019-06-24 17:04:56
我正在使用 i.MXRT1176 并計劃使用 FlexSPI 模塊將固件更新寫入外部 NOR 閃存。該應(yīng)用程序?qū)耐煌獠?b class="flag-6" style="color: red">存儲器運行，但是，更新將寫入不同的部分。我以前沒有使用過帶有外部程序存儲器
2023-03-24 08:08:30
：Molex）總結(jié)雖然閃存 microSDHC 卡過去常用于數(shù)據(jù)存儲，但目前正在尋求改進，以支持嵌入式操作系統(tǒng)在芯片內(nèi)執(zhí)行程序存儲器的獨特需求。此演進過程的一部分包括開發(fā)可支持持續(xù)讀取請求的更快閃存。此外
2019-07-30 11:19:18
啟動模式講完了，我們知道是主閃存存儲器啟動的。主閃存存儲器被映射到啟動空間(0x0000 0000)，但仍然能夠在它原有的地址(0x0800 0000)訪問它。 接下來，再看一下它的啟動流程是怎樣
2021-08-20 07:29:53
作者：李建勛 樊曉光 禚真福來源：什么是基于閃存平臺的存儲管理策略？在嵌入式系統(tǒng)中，由于閃存成本低、容量大、非易失、訪問速度高和機械故障少的優(yōu)勢已逐漸成為最流行的存儲大量數(shù)據(jù)的存儲器。然而，閃存常見
2019-07-31 08:17:49
據(jù)統(tǒng)計，去年第1季DRAM（動態(tài)隨機存儲器）報價上漲26%，同期增長45%，至于NAND Flash（資料儲存型閃存）報價首季報價季增8%，年增率也高達4成之多。而手機內(nèi)存中，普通的8G DDR4
2018-10-12 14:24:20
。 2、硬盤存儲器 信息可以長期保存，可以讀寫，容量大，但是不方便攜帶。 3、移動存儲器 主要包括閃存盤（優(yōu)盤）、移動硬盤、固態(tài)硬盤（SSD）?！ ?、閃存盤（優(yōu)盤） 采用Flash存儲器（閃存
2019-06-05 23:54:02
代碼執(zhí)行應(yīng)用則要求存儲器的隨機訪存速度更快。經(jīng)過研究人員對浮柵存儲技術(shù)的堅持不懈的研究，現(xiàn)有閃存的技術(shù)能力在2010年底應(yīng)該有所提升，盡管如此，現(xiàn)在人們越來越關(guān)注有望至少在2020年末以前升級到更小
2019-06-26 07:11:05
?。?）雙極型存儲器特點：運算速度比磁芯存儲器速度約快 3個數(shù)量級，而且與雙極型邏輯電路型式相同，使接口大為簡化?！ 。?）MOS晶體管存儲器特點：集成度高、容量大、體積小、存取速度快、功耗低
2020-12-25 14:50:34
的產(chǎn)業(yè)現(xiàn)況。今年以來，汽車、工業(yè)、物聯(lián)網(wǎng)及數(shù)據(jù)中心等下游產(chǎn)業(yè)需求激增，從而拉動對上游存儲器、邏輯、模擬IC、分立器件等各類半導(dǎo)體產(chǎn)品的需求增長，進而傳導(dǎo)至材料、設(shè)備、代工等產(chǎn)業(yè)鏈各個環(huán)節(jié)，維持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
2018-08-21 18:31:47
在單板設(shè)計中，無論是涉及到一個簡易的CPU、MCU小系統(tǒng)或者是復(fù)雜的單板設(shè)計，都離不開存儲器設(shè)計：
1、存儲器介紹
存儲器的分類大致可以劃分如下：
ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲器，ROM在系統(tǒng)
2023-05-19 15:59:37
單片機如何寫一段宏來控制外部存儲器的訪問？
2021-10-29 06:24:53
，NOR閃存一直以來仍然是較受青睞的非易失性內(nèi)存，NOR器件的低延時特性可以接受代碼執(zhí)行和數(shù)據(jù)存儲在一個單一的產(chǎn)品。雖然NAND記憶體已成為許多高密度應(yīng)用的首選解決方案，但NOR仍然是低密度解決方案的首選
2012-12-12 10:35:19
市場2018年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模達到1，500億美元，其中NAND Flash超過570億美元，而中國市場消耗了全球產(chǎn)能的32％，這意味著中國已成為全球主要的市場，為了擺脫長期對外采購的依賴，國內(nèi)存儲器
2021-07-13 06:38:27
闡述YAFFS文件系統(tǒng)在C51系統(tǒng)上的實現(xiàn)過程。1 NAND Flash的特點非易失性閃速存儲器Flash具有速度快、成本低、密度大的特點，被廣泛應(yīng)用于嵌入式系統(tǒng)中。Flash存儲器主要有NOR
2019-06-20 07:25:24
存儲設(shè)備中。NAND Flash和NOR Flash是目前市場上兩種主要的非易失閃存芯片。與NOR F1ash相比，NAND Flash在容量、功耗、使用壽命等方面的優(yōu)勢使其成為高數(shù)據(jù)存儲密度的理想
2019-07-19 07:15:07
1. 嵌入式的外部存儲器嵌入式系統(tǒng)中，外部的存儲器一般是Nand flash和Nor flash，都稱為非易失存儲器。存儲器的物理構(gòu)成包含頁內(nèi)地址，頁（Page），塊（Block）?？梢缘贸?b class="flag-6" style="color: red">存儲器
2021-12-10 08:26:49
作者：王烈洋 黃小虎 占連樣 珠海歐比特控制工程股份有限公司隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展， 存儲器的種類日益繁多，每一種存儲器都有其獨有的操作時序，為了提高存儲器芯片的測試效率，一種多功能存儲器芯片
2019-07-26 06:53:39
新，市占率約5.68%，與第4名Taiyo僅有約0.4%市占差距。 深耕車用領(lǐng)域有成 奇力新總經(jīng)理鐘世英信心表示，除智能型手機等應(yīng)用市場外，奇力新近年強攻車用領(lǐng)域有成，產(chǎn)能需求大增，業(yè)績穩(wěn)健成長，3年
2016-10-08 11:51:11
大家好， 我的項目有一個閃存，用于將Xilinx FPGA配置為SPI模式。同時，我想將閃存用作內(nèi)存。這意味著閃存有兩個功能：配置FPGA和數(shù)據(jù)存儲器。那么，我該怎么辦呢？閃存中的配置引腳是否用作數(shù)據(jù)存儲器引腳？謝謝。最好的祝福。
2020-06-08 12:20:31
配置歷史回顧當(dāng)FPGA首次面世時，可選擇的配置存儲器是并行EPROM或并行EEPROM產(chǎn)品。隨著時間的推移，NOR閃存技術(shù)應(yīng)運而生，同時因其系統(tǒng)內(nèi)可重復(fù)編程性和高性價比而被廣泛采用。在第二次革命性轉(zhuǎn)折
2021-05-26 07:00:00
你好，我正在使用XUPV5-LX110T評估平臺，我想將數(shù)據(jù)存儲和讀取到一個緊湊型閃存（CF），CF存儲器插槽就在平臺上。關(guān)于如何實現(xiàn)它的任何想法？謝謝，普拉卡什。
2019-08-19 07:59:53
Skyworks 技轉(zhuǎn)) ,全球產(chǎn)生量市占率約20% ,代工市場市占率50% 以上,目前月產(chǎn)能約24000 片。產(chǎn)品應(yīng)用為手機相關(guān)營收50-55 %, WiFi 比重30-35 %,利基型產(chǎn)品
2019-05-27 09:17:13
是將多種功能芯片，包括處理器、存儲器等功能芯片集成在一個封裝內(nèi)，從而實現(xiàn)一個基本完整的功能。SIP封裝廣泛應(yīng)用于無線通訊、汽車電子、醫(yī)療電子、計算機、軍用電子等領(lǐng)域。綜上來說，封裝是存儲芯片成品的重要
2019-12-09 16:16:51
AVR單片機的外部RAM擴展是什么樣的？怎樣利用宏來控制AVR外部存儲器的訪問？有哪些應(yīng)用示例？利用宏去控制外部存儲器的訪問時需要注意哪些事項？
2021-07-07 07:19:20
的存儲空間，即通常理解的64GB、128GB等。但是實則不然，今天宏旺半導(dǎo)體就和大家來科普一下真正的手機內(nèi)存是指什么？運行內(nèi)存與機身存儲內(nèi)存之前宏旺半導(dǎo)體在一篇文章里曾提到過內(nèi)存與閃存的區(qū)別，這里我們
2019-12-11 15:10:59
市場的商機2018年全球4,780億美元的半導(dǎo)體市場，其實有65.5%來自非存儲器市場，但南韓擅長存儲器，在非存儲器領(lǐng)域的市占率不到5%，不僅不如英特爾的20.3%，也不如高通(Qualcomm
2018-12-24 14:28:00
在過去幾年里，汽車應(yīng)用對 NOR 閃存的需求不斷增加。NOR 閃存最初應(yīng)用在信息娛樂和引擎控制等方面。然而，隨著汽車電腦化進程的步伐不斷加快，NOR 閃存在汽車領(lǐng)域中的應(yīng)用越來越廣泛。尤其是在高級駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS)、數(shù)字儀表盤和信息娛樂等系統(tǒng)對NOR 閃存的市場需求迅猛增長。
2019-08-09 06:31:34
切換期間存儲信息。非易失性存儲器用于存儲可執(zhí)行代碼或常量數(shù)據(jù)、校準數(shù)據(jù)、安全性能和防護安全相關(guān)信息等重要數(shù)據(jù)，以作將來檢索用途。目前市場上主要包含這幾種不同類型的非易失性存儲器，如NOR 閃存
2019-07-23 06:15:10
能以及豐富的圖像功能。該儀表盤所采用的 FL-S 存儲器基于賽普拉斯專有的 MirrorBit NOR 閃存工藝，每個儲存單元能存儲 2 個字節(jié)，是業(yè)內(nèi)密度最高的串行 NOR 閃存。2017 款豐田凱美瑞
2017-09-22 10:39:11
方便移動設(shè)備應(yīng)用.存儲器系統(tǒng)設(shè)計必須支持增長的帶寬需求及更少的功耗.非易失性固態(tài)存儲器與傳統(tǒng)的NOR閃存相比，被證實可以減少功耗。存儲器子系統(tǒng)架構(gòu)存儲器子系統(tǒng)架構(gòu)是嵌入式設(shè)計者面臨的主要挑戰(zhàn).存儲器參數(shù)
2018-05-17 09:45:35
年首先開發(fā)出NOR Flash 技術(shù)(實際上是東芝的富士雄率先開發(fā)出來的)，徹底改變了原先由EPROM(Erasable Programmable Read-Only-Memory電可編程序只讀存儲器
2022-06-16 17:22:00
的壽命(耐用性) 在NAND閃存中每個塊的最大擦寫次數(shù)是一百萬次，而NOR的擦寫次數(shù)是十萬次。NAND存儲器除了具有10比1的塊擦除周期優(yōu)勢，典型的NAND塊尺寸要比NOR器件小8倍，每個NAND
2023-02-17 14:06:29
等豐富的新形式。2017年天貓雙11,所有商品的詳情頁、商品展示和評論圖片和視頻、VR/AR活動頁圖片視頻素材，100%地存儲在OSS上。而這些海量的網(wǎng)頁、圖片、視頻，吸引了全球消費的訪問。OSS
2018-01-03 10:47:56
是非易失性存儲器，關(guān)電以后，內(nèi)容是可以存儲的；DDR是易失性存儲器，關(guān)電以后，數(shù)據(jù)內(nèi)容是丟失的。綜上，雖然兩者都是存儲器，但卻大相徑庭，在使用過程中發(fā)揮的功能區(qū)別也很大。容量差別大eMMC的容量一般
2019-09-24 11:22:45
的單元都是并聯(lián)的。NOR閃速存儲器以讀取速度 100ns的高速在隨機存取中受到人們的青睞。但由于其單元尺寸大于NAND閃速存儲器，存在著難以進行高度集成的問題。寫人時采用CHE（Channel
2018-04-09 09:29:07
與釋放來進行的。例如，一般的NOR閃速存儲器在寫人時提高控制柵的電壓，向浮置柵注人電荷（圖 2）。而數(shù)據(jù)的擦除可以通過兩種方法進行。一種方法是通過給源極加上＋12V左右的高電壓，釋放浮置柵中的電荷
2018-04-10 10:52:59
集成鐵電存儲器的MCU，由于在MCU上集成了鐵電存儲器，該產(chǎn)品數(shù)據(jù)寫入速度比基于閃存和EEPROM的MCU快100倍,功耗降低250倍。它還可在所有的電源模式中提供數(shù)據(jù)保存功能、支持超過100萬億次
2021-11-10 08:28:08
和用于讀取，寫入和擦除數(shù)據(jù)的操作略有不同。而EEPROM指的是電可擦可編程只讀存儲器是一種存儲器，可以在字節(jié)級別讀取，寫入和擦除數(shù)據(jù)。另一方面Flash是EEPROM的一種，在結(jié)構(gòu)上以塊的形式排列，在塊中
2023-04-07 16:42:42
型號：GD25Q64CSIGR
制造商：GigaDevice(兆易創(chuàng)新)
存儲器構(gòu)架(格式)：FLASH 存儲器接口類型：SPI 存儲器容量：64Mb存儲器類型：Non-Volatile
2021-12-06 16:13:41
) 存儲器類型：Non-Volatile 32Mbit，SPI FLASH
工廠包裝數(shù)量：9500
產(chǎn)品種類：NOR閃存
封裝：NOR閃存
GD25Q127
2021-12-06 16:26:59
旺宏電子推出全球首顆256Mbit序列快閃存儲器
全球最大的序列式快閃存儲器(Serial Flash)生產(chǎn)制造公司宣布，領(lǐng)先業(yè)界推出全球第一顆256Mbit序列快閃存儲器產(chǎn)品─MX25L25635E
2009-11-02 15:30:01677 恒憶躍居成為世界最大NOR閃存供應(yīng)商
盡管IC產(chǎn)業(yè)在步入2009年的時候還是前景迷茫，但在歲末之際，曾深受經(jīng)濟危機影響的存儲產(chǎn)業(yè)終于看到了復(fù)蘇的曙光。面對市
2009-11-23 09:43:10649 為什么存儲器是產(chǎn)業(yè)的風(fēng)向標
存儲器通常包括DRAM，NAND，NOR及SRAM。在半導(dǎo)體業(yè)中經(jīng)常分成兩類，DRAM及閃存類。由于其兩大特征，能大量生產(chǎn)以及應(yīng)用市場面寬，使其半
2010-01-18 16:07:21499 NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在：
1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同
2010-03-24 16:34:358226 旺宏電子引領(lǐng)NOR閃存器進入串行時代
旺宏電子是全球最大的只讀存儲器(ROM)生產(chǎn)制造商和嵌入式市場全球第三大NOR閃存供應(yīng)商，提供跨越廣泛規(guī)格及
2010-04-12 09:08:371183 這兩年，移動存儲器市場增長的主要動力來自手機、平板等移動終端，NAND與NOR閃存市場格局變化迅速，越來越先進的手機扮演主導(dǎo)角色，左右著該產(chǎn)業(yè)的趨勢，并決定供應(yīng)商的成敗。
2012-12-25 08:51:04948 IC Insights預(yù)計2017年存儲器價格還將上漲，從而推動全球存儲器市場規(guī)模達到創(chuàng)紀錄的853億美元，同比增長10%。該機構(gòu)同時認為，今后幾年存儲器市場都將非常健康，在2020年之前每年都能保證增長，并于2020年達到1000億美元的規(guī)模。2021年可能接近1100億美元左右。
2016-12-22 09:20:04858 FLASH存儲器（也就是閃存）就 是非易失隨機訪問存儲器（NVRAM），特點是斷電后數(shù)據(jù)不消失，因此可以作為外部存儲器使用。而所謂的內(nèi)存是揮發(fā)性存儲器，分為DRAM和SRAM兩大類，其中常說的內(nèi)存
2017-10-11 14:39:468295 速率的8 I/O高功能OctaFlash Serial NOR快閃存儲器系列產(chǎn)品，資料傳輸速度更一舉突破250MHz而拔得頭籌。
2018-01-02 10:06:391443 現(xiàn)代快閃存儲器控制器中的磨損平衡技術(shù)已經(jīng)有顯著進步，能夠克服快閃存儲器儲存介質(zhì)固有的弱點，并幫助發(fā)揮出快閃存儲器的優(yōu)勢。對于現(xiàn)代快閃存儲器儲存器系統(tǒng)而言，控制器的選擇比快閃存儲器儲存器本身更加重要，借由選擇合適的快閃存儲器控制器進行應(yīng)用，可以提升系統(tǒng)的耐用性和可靠性。
2018-03-07 09:45:021255 代快閃存儲器控制器中的磨損平衡技術(shù)已經(jīng)有顯著進步，能夠克服快閃存儲器儲存介質(zhì)固有的弱點，并幫助發(fā)揮出快閃存儲器的優(yōu)勢。對于現(xiàn)代快閃存儲器儲存器系統(tǒng)而言，控制器的選擇比快閃存儲器儲存器本身更加重要，借由選擇合適的快閃存儲器控制器進行應(yīng)用，可以提升系統(tǒng)的耐用性和可靠性。
2018-03-12 09:14:001396 ，存儲器內(nèi)的信息仍然存在，主要是閃存（Nand FLASH 和 NOR FLASH），NOR 主要應(yīng)用于代碼存儲介質(zhì)中，而 NAND 則用于數(shù)據(jù)存儲。
2018-04-09 15:45:33109972 人們需要了解閃存存儲器和固態(tài)硬盤（SSD）正在徹底改變當(dāng)今IT基礎(chǔ)設(shè)施的原因，因為這些超級快速存儲的設(shè)備可以支持高端應(yīng)用和高性能存儲層。
2019-12-05 09:38:452880 Flash（快閃或閃存）由Intel公司于1988年首先推出的是一種可用電快速擦除和編程的非易失性存儲器，其快速是相對于EEPROM而言的。Flash從芯片工藝上分為Nor Flash和Nand
2020-12-07 14:17:013046 NOR閃存由于其可靠的數(shù)據(jù)存儲而已在嵌入式設(shè)備中廣泛使用了很長時間。對于某些低功耗應(yīng)用，串行SPI NOR閃存變得比并行NOR閃存設(shè)備更受歡迎。與串行SPI NOR閃存相比，并行NOR閃存具有并行性
2021-03-03 16:36:441619 摘要：本文主要對兩種常見的非易失性存儲器——NAND Flash和NOR Flash進行了詳細的比較分析。從存儲容量、性能、成本等方面進行了深入探討，以幫助讀者更好地理解這兩種存儲器的特性和應(yīng)用。
2023-09-27 17:46:06490 
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