功率半導體器件在移動通信、消費電子、開關(guān)電源、馬達驅(qū)動、LED驅(qū)動、新能源汽車、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域發(fā)揮著越來越重要的作用，是降低功耗、提高效率的關(guān)鍵核心器件。如果說中央處理器（CPU）是計算機的心臟，那么功率半導體就是電機的心臟。我國發(fā)布《中國制造2025》勾勒出未來十年工業(yè)轉(zhuǎn)型升級的發(fā)展方向，功率半導體在其中發(fā)揮的作用不可替代。

日前，全球領(lǐng)先的8英寸純晶圓代工廠華虹宏力宣布，公司的功率器件平臺累計出貨量已突破500萬片晶圓。同時，在第五屆中國電子信息博覽會（CITE2017）上，華虹宏力的“600V-1200V場截止型IGBT芯片制造工藝技術(shù)”獲得“2017CITE創(chuàng)新產(chǎn)品與應用金獎”，顯示出華虹宏力在功率器件領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)勢。

功率器?件平?臺累計出貨500萬片

中國寬禁帶功率半導體及應用產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟發(fā)布《電力電子器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展藍皮書》，“十二五”以來，我國電力電子器件市場在全球市場中所占份額越來越大，已成為全球最大的大功率電力電子器件需求市場。我國市場的增長速度明顯高于全球水平，年增長率近20%。

然而，中國功率半導體產(chǎn)業(yè)的實力卻與急速擴張的需求不符，主要供應商集中在美國、日本和歐洲。我國寬禁帶電力電子器件技術(shù)和產(chǎn)業(yè)水平落后于國際先進水平。在這種環(huán)境下，華虹宏力作為全球首家、同時亦是最大的功率器件8英寸晶圓代工廠卻顯示出較強的技術(shù)實力與制造能力。

根據(jù)華虹宏力執(zhí)行副總裁孔蔚然博士的介紹，2002年，華虹宏力就開始關(guān)注功率器件的代工制造，是全球第一家把功率器件納入到8英寸平臺上的代工企業(yè)，形成了更佳的產(chǎn)品品質(zhì)和更低的成本，至今仍保持著全球最大的8英寸功率器件代工廠這個記錄。

華虹宏力執(zhí)行副總裁 孔蔚然博士

華虹宏力很早就把推動功率器件平臺建設作為差異化晶圓代工策略的重要一環(huán)加以推進?！半S著12英寸廠的崛起，8英寸廠必須走差異化競爭的道路，建立特色工藝才能使8英寸的技術(shù)平臺和技術(shù)節(jié)點有更大的發(fā)展空間。華虹宏力很早就布局了以BCD為代表的高壓模擬電路、以IGBT為代表的功率器件等特色工藝技術(shù)的研發(fā)和制造?！笨孜等徊┦勘硎?。

現(xiàn)在，華虹宏力可為客戶提供獨特的、富有競爭力的深溝槽超級結(jié)（Deep Trench Super Junction，DT-SJ）工藝和場截止型IGBT（Field Stop，F(xiàn)S IGBT）工藝，得益于市場對超級結(jié)MOSFET和IGBT的強勁需求，華虹宏力DT-SJ與FS IGBT累計出貨量分別超過了20萬片和3萬片晶圓，并保持快速增長趨勢。

第三代深溝槽超級結(jié)工藝推向市場?

華虹宏力在功率器件代工制造領(lǐng)域的成功得益于技術(shù)上的創(chuàng)新。2017年初，華虹宏力宣布完成第三代DT-SJ工藝平臺的第一階段研發(fā)，取得了初步成果，并計劃在2017年上半年逐步推向市場。

孔蔚然博士表示，公司于2010年突破了深溝槽刻蝕填充工藝的世界級難題，推出了獨特的、富有競爭力的DT-SJ工藝平臺，令華虹宏力成為業(yè)界首家提供超級結(jié)工藝平臺的晶圓代工公司。經(jīng)過多年的深耕發(fā)展，公司在DT-SJ技術(shù)領(lǐng)域積累了豐富的研發(fā)和生產(chǎn)經(jīng)驗，相繼推出了第一代、第二代工藝平臺，并緊跟業(yè)界超級結(jié)產(chǎn)品的發(fā)展，持續(xù)進行平臺的創(chuàng)新升級。華虹宏力最新研發(fā)的第三代DT-SJ技術(shù)平臺不僅保持了前幾代工藝流程緊湊的特點，而且還開發(fā)出了溝槽柵的新型結(jié)構(gòu)，可為客戶提供導通電阻更低、芯片面積更小、開關(guān)速度更快和開關(guān)損耗更低的產(chǎn)品解決方案。

600V-1200V場截止型IGBT工藝制造平臺是華虹宏力另一項重點技術(shù)?！癐GBT的生產(chǎn)在由6英寸晶圓升級到8英寸晶圓后，由于晶圓尺寸變大，晶圓翹曲情況變得更加嚴重。華虹宏力在開發(fā)IGBT產(chǎn)品時采用了獨特的應力控制技術(shù)，使得8英寸晶圓的翹曲情況得到大大改善，為IGBT產(chǎn)品順利量產(chǎn)鋪平了道路。華虹宏力為客戶提?供的先進的少子壽命控制技術(shù)，可以通過精確控制來降低少子壽命，降低關(guān)斷時間，提高IGBT?器件的開關(guān)性能?！笨孜等徊┦拷榻B。

以“中國制造2025”為契機，多元布局高成長領(lǐng)域

華虹宏力2016年銷售收入創(chuàng)歷史新高達7.214億美元，同比增加11.0%；凈利潤達1.288億美元，同比增加14.5%。主要受益于DT-SJ、IGBT及MOSFET需求強勁，分立器件的銷售收入達1.972億美元，同比增長34.3%。公司保持了連續(xù)24個季度盈利，這正是得益于華虹宏力在包括功率半導體在內(nèi)的多個特色工藝領(lǐng)域的布局。

2016年，華虹宏力突破創(chuàng)新，在嵌入式非易失性存儲器、功率器件、射頻、模擬及混合信號、電源管理IC等多領(lǐng)域持續(xù)加大研發(fā)力度，取得了科技成果和專利授權(quán)的雙豐收。與客戶共同研發(fā)生產(chǎn)的銀行卡安全芯片先后斬獲國際EMVCo芯片安全認證、CC EAL5+認證與萬事達CQM認證。華虹宏力成為唯一躋身全國企業(yè)發(fā)明專利授權(quán)量TOP10的集成電路企業(yè)。

2017年，國家加快了推進“中國制造2025”和“互聯(lián)網(wǎng)+”政策的實施步伐，中國半導體產(chǎn)業(yè)步入黃金發(fā)展期。設計企業(yè)的數(shù)量、規(guī)模、銷售額均飛速增長。這些新趨勢和新機遇都將有利于半導體制造企業(yè)的發(fā)展。對此，華虹宏力表示，公司將在保持既有業(yè)務強勁增長的基礎上，著眼于全球化的市場布局，以高技術(shù)、高成長、高利潤作為企業(yè)發(fā)展定位，探尋并積極實踐規(guī)?；?、多元化的成長路徑。