設(shè)計的初始估計功率通常小于硅上的功耗。這是因為沒有可用的功率估計流可以準(zhǔn)確地將功率估計結(jié)果與硅結(jié)果相關(guān)聯(lián)。此外,對于涉及許多新設(shè)計功能的部件和IP塊,確切的門數(shù)詳細(xì)信息很難在流程的早期預(yù)測。
除了更準(zhǔn)確的功率估算流程外,還需要RTL級功耗估算,提供減少的機(jī)會在設(shè)計初期就有力量。本文討論了功率估計的基礎(chǔ)知識,以及RTL級的功率估計流程,每個設(shè)計IP和IP的人都應(yīng)該知道。 SoC。
首先我們將討論功率估算流程中使用的一些術(shù)語:
靜態(tài)泄漏功率:它是門時消耗的功率沒有轉(zhuǎn)換。它是由流過晶體管的電流引起的,即使它們被關(guān)閉也是如此。它不僅取決于電路的物理參數(shù),還取決于提供給電路的輸入,這意味著當(dāng)輸入狀態(tài)變化時泄漏功率會發(fā)生變化,從而導(dǎo)致狀態(tài)相關(guān)的泄漏功率。
動態(tài)電源:當(dāng)電路處于活動狀態(tài)時執(zhí)行某些功能時消耗的功率。它進(jìn)一步分為兩個部分:開關(guān)和內(nèi)部。
開關(guān)電源:在電池輸出端對負(fù)載電容進(jìn)行充電和放電時會耗散。負(fù)載電容由互連(凈)電容和網(wǎng)絡(luò)連接的柵極電容組成。
內(nèi)部或短路電源:電池內(nèi)消耗內(nèi)部電池電容的功率。在邏輯轉(zhuǎn)換期間,P和N型晶體管都在短時間內(nèi)同時導(dǎo)通,從而導(dǎo)致從Vdd軌到地軌的直接連接。
標(biāo)準(zhǔn)單元庫:標(biāo)準(zhǔn)單元庫是低級電子邏輯功能的集合,例如AND,OR ,INVERT,觸發(fā)器,鎖存器和緩沖器。使用技術(shù)庫的單元,綜合工具執(zhí)行將寄存器傳輸級別(RTL)描述轉(zhuǎn)換為依賴于技術(shù)的網(wǎng)表的過程。此過程類似于將高級C程序列表轉(zhuǎn)換為依賴于處理器的匯編語言列表的軟件編譯器。網(wǎng)表是邏輯視圖級別的RTL的標(biāo)準(zhǔn)單元表示。它由標(biāo)準(zhǔn)單元庫門的實例和門之間的端口連接組成。適當(dāng)?shù)暮铣杉夹g(shù)確保了合成網(wǎng)表和原始RTL描述之間的數(shù)學(xué)等價。網(wǎng)表不包含未映射的RTL語句和聲明。典型的標(biāo)準(zhǔn)單元庫包含兩個主要組件:
a)庫數(shù)據(jù)庫 - 由許多視圖組成,通常包括布局,原理圖,符號,抽象和其他邏輯或模擬視圖。
b)時序摘要 - 通常采用Liberty格式,為每個單元提供功能定義,時序,功率和噪聲信息。
線負(fù)載模型:它用于綜合以解決物理延遲。它包含一個查找表,可以提供線電阻,線電容和每單位長度的面積,可以從扇出中進(jìn)行插值。
功率估算流程
對于RTL功率估算,我們需要以下輸入:
a)設(shè)計文件
b)包含在合成設(shè)計時使用的標(biāo)準(zhǔn)單元的庫
c)線載模型給出寄生信息(電容和電阻值)
d)模擬信息:VCD/FSDB/SAIF
e)功率估算工具
本文采用簡單的AND門設(shè)計,并應(yīng)用估計流程,以便更深入地了解數(shù)字的計算方式。針對相同的AND門采用各種活動簡檔并比較結(jié)果。所有分析均在C55FG技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)單元庫上進(jìn)行,在溫度(150°C),電壓(1.08V)和最壞情況下運(yùn)行。
情況1:采樣周期為2ns(與AND門(A,B)的輸入和AND門(Z)的輸出相比,被認(rèn)為是最快的切換信號)計算輸入和輸出的活動。
活動定義為信號相對于最快信號周期數(shù)的周期數(shù)。例如,
A,B,Z的1個周期是5個最快信號周期(采樣信號)= 1/5 = 0.2
概率定義為信號的時間在整個模擬期間(高)。
A,B,Z在10個采樣信號周期中(高)一半時間。
案例2:在此職責(zé)周期中,輸入A(25%)發(fā)生變化。
因此,活動與周期數(shù)保持一致A的采樣周期相同。 A的概率由于現(xiàn)在在10個采樣信號周期中為25%(高)并且類似地為Z,因為Z = A& B。
案例3:在這種情況下,輸入B反轉(zhuǎn)為A.因此,Z的活動為0而A和B的活動是相同。概率相同。
注意:由于輸入A和輸入A在Z上觀察到毛刺,可能會有一些開關(guān)功率AND門上的B同時切換。 RTL級別的模擬不會處理因輸入延遲不同而發(fā)生的故障。
以下是上述情況的結(jié)果:
Case1 | Case2 | Case3 | |
總計 | 605.880nW | 605.862nW | 0.25267nW |
泄漏 | 0.25267nW | 0.234753nW | 0.25267nW |
切換 | 415.198nW | 415.198nW | 0 |
內(nèi)部 | 190.430nW | 190.430nW | 0 |
活動(A) |
A = 0.2 B = 0.2 Z = 0.2 |
A = 0.2 B = 0.2 Z = 0.2 |
A = 0.2 B = 0.2 Z = 0 |
概率 |
A = 0.5 B = 0.5 Z = 0.5 |
A = 0.25 B = 0.5 Z = 0.25 |
A = 0.5 B = 0.5 Z = 0 |
觀察
1)切換功率取決于輸出(Z)的切換,因此在情況3中,當(dāng)Z的活動為0(在主輸入存在的情況下)為0時,它為0。
2)此外,通過從與index1對應(yīng)的庫中的查找表中選取值來計算內(nèi)部功率:轉(zhuǎn)換速率和index2:電容值。
3)在查找表中用于計算p的庫ower數(shù),A和B的內(nèi)部功率為0,因此內(nèi)部功率取決于凈Z(輸出)的內(nèi)部功率。
4)內(nèi)部功率也取決于活動;因此,當(dāng)Z的活動為0時,它為0。
5)使用的庫具有狀態(tài)相關(guān)的泄漏功率,當(dāng)我們改變信號A的占空比以包括不同的AND狀態(tài)時,在情況2中可以看到門。
RTL功率估算與門級網(wǎng)表功率估算
以下電路用于分析:
RTL功率估算 | GATE LEVEL NETLIST POWER ESTIMATION |
Gate mapping :HS55_LH_AND4X3 功能:a& b& c& d 映射的單元格數(shù)量:1 漏電功率:0.282nW 動態(tài)功率:270.991nW 總計:271.273nW 面積:5.2 |
門映射:HS55_LHLOLK_NAND2X1 功能:(c& d)' 門映射:HS55_LHLOLK_AND3AX4 功能: ((c& d)')'& a& b 映射的單元數(shù)量:2 泄漏功率:0.129 nW 動態(tài)功率:125.468 nW 總計:125.597 nW 面積:6.24 |
觀察
RTL級使用的綜合算法與門級網(wǎng)表不同。
在RTL級別估計時,遵循區(qū)域最小化算法。因此,與實際網(wǎng)表相比,在RTL合成中選取的單元面積較小。
在網(wǎng)表級別,遵循泄漏功率最小化算法。因此,與實際網(wǎng)表相比,在RTL合成時拾取的單元的泄漏功率更大。
與門級功率估算相比,我們有網(wǎng)表,由標(biāo)準(zhǔn)單元組成,自由文件具有這些標(biāo)準(zhǔn)單元的功率數(shù),線負(fù)載模型具有互連電容信息,切換活動,時鐘樹信息和操作條件。在RTL級別,缺少一些信息,特別是門級網(wǎng)表,時鐘樹信息,布局,時序等。
對于RTL功率估算流程,我們使用可以創(chuàng)建門的邏輯綜合引擎設(shè)計的水平模型以與實際合成相同的方式在設(shè)計周期中創(chuàng)建。這是因為功率估計工具進(jìn)行粗略綜合,而不是綜合工具可以做的詳盡。因此,需要向RTL功率估計工具提供如上所述的進(jìn)一步信息,以便復(fù)制門級流的實際合成環(huán)境。
例如,為了估計時鐘樹功率,我們需要來自綜合工程師。我們需要知道將使用哪些緩沖區(qū)以及它們的扇出將是什么。如果我們可以從網(wǎng)表中獲得每個時鐘域的觸發(fā)器數(shù)量,那么我們可以計算出驅(qū)動觸發(fā)器的緩沖器數(shù)量,即觸發(fā)器除以扇出數(shù)量,將是最終數(shù)量時鐘緩沖區(qū)。然后我們可以重復(fù)相同的過程來獲得時鐘樹的其余部分。這當(dāng)然不是最準(zhǔn)確的方法,但這有助于建立實際的合成環(huán)境。
結(jié)論
精確的功率估算在RTL中至關(guān)重要水平,以便找到耗電的細(xì)分市場,并應(yīng)用低功耗架構(gòu)和技術(shù)。雖然RTL的數(shù)字不如合成后的數(shù)字準(zhǔn)確,但趨勢與兩者相關(guān)。
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