華虹半導(dǎo)體最新一季度業(yè)績正式出爐！

8月6日，純晶圓代工企業(yè)華虹半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“華虹半導(dǎo)體”）公布（截止6月30日）2019年第二季度的綜合經(jīng)營業(yè)績。該季度銷售收入2.3億美元，同比持平，環(huán)比增長4.2%。毛利率31%，同比下降2.6個百分點，環(huán)比下降1.2個百分點。凈利潤率達到21.7%，同比上升1.7個百分點，環(huán)比上升0.6個百分點。同時該公司預(yù)計今年第三季度銷售收入約2.38億美元，毛利率約31%。

華虹半導(dǎo)體總裁兼執(zhí)行董事唐均君表示，“盡管全球半導(dǎo)體市場持續(xù)放緩，同時面臨來自技術(shù)、客戶以及即將投入使用的新12英寸晶圓廠等諸多挑戰(zhàn)，但我們的傾力付出得到了回報。工廠整體產(chǎn)能利用率已經(jīng)回升到了90%以上。并且我們非常有信心2019年下半年的表現(xiàn)將比上半年更為強勁。”

Q2季銷售總額2.38億，電子消費品業(yè)務(wù)占比64%

按終端市場分布劃分，華虹半導(dǎo)體主營業(yè)務(wù)分電子消費品、工業(yè)及汽車、通訊及計算機四大板塊。

財報顯示，2019年第二季度，電子消費品作為華虹半導(dǎo)體的第一大終端市場，貢獻銷售收入1.472億美元，占銷售收入總額的64%，同比增長1%，主要得益于MCU產(chǎn)品的需求增加。

工業(yè)及汽車產(chǎn)品銷售收入4,430萬美元，同比減少6.4%，主要由于智能卡芯片需求的減少，部分被通用MOSFET產(chǎn)品的需求增加所抵消。

通訊產(chǎn)品銷售收入2,810萬美元，同比增長9.3%，主要得益于通用MOSFET產(chǎn)品的需求增加。

計算機產(chǎn)品銷售收入1,050萬美元，同比減少5.8%，主要由于通用MOSFET產(chǎn)品的需求減少。

分立器件繼續(xù)保持優(yōu)勢，Q2季同比增長21.7%

按技術(shù)產(chǎn)品劃分，華虹半導(dǎo)體銷售收入主要來自嵌入式非易失性存儲器、分立器件、模擬與電源管理、邏輯及射頻、獨立非易失性存儲器及其他產(chǎn)品領(lǐng)域。

數(shù)據(jù)顯示，2019年第二季度，華虹半導(dǎo)體分立器件銷售收入9250萬美元，同比增長21.7%。該系列產(chǎn)品繼續(xù)保持巨大的優(yōu)勢，各產(chǎn)品的需求都在增加，尤其是超級結(jié)、IGBT和通用MOSFET。該公司預(yù)計分立器件在未來的需求仍將持續(xù)增長。

嵌入式非易失性存儲器銷售收入7,960萬美元，同比減少10.2%，主要由于智能卡芯片的需求減少，部分被MCU產(chǎn)品的需求增加所抵消。此外，因應(yīng)未來智能控制應(yīng)用趨勢造成MCU需求的增加，該公司持續(xù)推動對嵌入式非易失性存儲器技術(shù)的優(yōu)化與業(yè)務(wù)拓展。在2019上半年，華虹半導(dǎo)體嵌入式閃存MCU出貨及平均單價同比均增長；同時，0.11um嵌入式閃存MCU NTO（新產(chǎn)品）數(shù)量也持續(xù)強勁增長。

模擬與電源管理銷售收入3,340萬美元，同比減少11.0%，主要由于LED照明、其他電源管理和模擬產(chǎn)品的需求減少。但同時，得益于中國、北美和其他亞洲國家市場的強勁表現(xiàn)，來自模擬與電源管理平臺的銷售收入，環(huán)比增長近41%。

邏輯及射頻銷售收入2,160萬美元，同比持平。

獨立非易失性存儲器銷售收入270萬美元，同比減少55.1%，主要由于閃存和EEPROM產(chǎn)品的需求減少。

另外據(jù)其介紹，本季度華虹半導(dǎo)體97.8%的銷售收入來自于半導(dǎo)體晶圓的直接銷售。數(shù)據(jù)顯示，在該季度末月華虹1~3號晶圓廠產(chǎn)能為175,000片，產(chǎn)能利用率為93.2%。

2019年第四季度開始試生產(chǎn)300mm晶圓

唐均君表示，300mm晶圓項目正按計劃平穩(wěn)推進，廠房和潔凈室已經(jīng)完成建設(shè)。同時，第一批1萬片產(chǎn)能所需的大部分機器設(shè)備已經(jīng)搬入，目前正處于安裝和測試階段。無錫工廠將于2019年第四季度開始試生產(chǎn)300mm晶圓。

根據(jù)本季度財報顯示，華虹半導(dǎo)體資本開支2.231億美元，其中1.824億美元用于華虹無錫晶圓工廠建設(shè)。

據(jù)悉，華虹無錫300mm晶圓制造工廠于2018年三月動工后進展順利，2019年第二季度潔凈室已經(jīng)通過認證，大部分的設(shè)備已于第二季移入裝機。55nm邏輯與射頻CMOS技術(shù)、90nm嵌入式閃存技術(shù)與90nm BCD技術(shù)前期研發(fā)順利。

同時，根據(jù)市場研究與技術(shù)評估情況，通過了開發(fā)12寸功率器件工藝方案，確定了華虹無錫12寸項目IC + Power的規(guī)劃。12寸功率器件工藝、產(chǎn)能與技術(shù)的提升可使公司更好的服務(wù)國內(nèi)與海外客戶，擴大公司在功率器件，特別是中高壓功率器件的行業(yè)領(lǐng)先優(yōu)勢。

針對未來期許，華虹半導(dǎo)體200mm晶圓的嵌入式閃存MCU、射頻IC、功率分立器件的業(yè)務(wù)持續(xù)發(fā)展，以及300mm晶圓制造工廠的55納米邏輯與射頻CMOS技術(shù)將率先在第四季度進入量產(chǎn)。同時該公司將繼續(xù)實施200mm及300mm晶圓差異化技術(shù)的企業(yè)發(fā)展策略，為客戶提供更優(yōu)質(zhì)的服務(wù)。