中國上海，2019年12月25日——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出兩款面向車載48V電氣系統(tǒng)應(yīng)用的新型100V N溝道功率MOSFET。該系列包括具備低導(dǎo)通電阻的“XPH4R10ANB”-其漏極電流為70A，以及“XPH6R30ANB”-其漏極電流為45A。批量生產(chǎn)和出貨計(jì)劃于今天開始。

MOSFET產(chǎn)品圖

新產(chǎn)品是東芝首款采用緊湊型SOP Advance（WF）封裝的車用100V N溝道功率MOSFET。封裝采用可焊錫側(cè)翼端子結(jié)構(gòu)，安裝在電路板上時(shí)能夠進(jìn)行自動(dòng)目視檢查，從而有助于提高可靠性。新型MOSFET的低導(dǎo)通電阻有利于降低設(shè)備功耗；XPH4R10ANB擁有業(yè)界領(lǐng)先的[2]低導(dǎo)通電阻。

應(yīng)用：

汽車設(shè)備

電源裝置（DC-DC轉(zhuǎn)換器）和LED頭燈等（電機(jī)驅(qū)動(dòng)、開關(guān)穩(wěn)壓器和負(fù)載開關(guān)）

特性：

東芝的首款[1]100V車用產(chǎn)品使用小型表面貼裝SOP Advance（WF）封裝

通過AEC-Q101認(rèn)證

低導(dǎo)通電阻：

RDS(ON)=4.1m?（最大值）@VGS=10V（XPH4R10ANB）

RDS(ON)=6.3m?（最大值）@VGS=10V（XPH6R30ANB）

采用可焊錫側(cè)翼端子結(jié)構(gòu)的SOP Advance（WF）封裝

主要規(guī)格：

（除非另有說明，@Ta=25°C）

器件型號

XPH4R10ANB

XPH6R30ANB

極性

N溝道

絕對最大額定值

漏源極電壓

VDSS

（V）

100

漏極電流

（DC）

ID

（A）

70

45

漏極電流

（脈沖）

IDP

（A）

210

135

溝道溫度

Tch

（℃）

175

漏源極導(dǎo)通電阻

RDS(ON)最大值

（mΩ）

@VGS=6V

6.2

9.5

@VGS=10V

4.1

6.3

溝道至外殼熱阻

Zth(ch-c)

最大值

@Tc=25℃

（℃/W）

0.88

1.13

封裝

SOP Advance（WF）

產(chǎn)品系列

U-MOSVIII-H

U-MOSVIII-H