MOS管的源極和漏極的區(qū)別

一、指代不同

1、源極：簡稱場效應(yīng)管。T僅是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，與雙極型相反，也稱為單極型晶體管。

2、漏極：利用外部電路的驅(qū)動能力，減少IC內(nèi)部的驅(qū)動，?或驅(qū)動比芯片電源電壓高的負載。??

二、原理不同

1、源極：在一塊N型半導(dǎo)體材料的兩邊各擴散一個高雜質(zhì)濃度的P型區(qū)（用P+表示），就形成兩個不對稱的P+N結(jié)。把兩個P+區(qū)并聯(lián)在一起，引出一個電極，稱為柵極（g），在N型半導(dǎo)體的兩端各引出一個電極。

2、漏極：將兩個P區(qū)的引出線連在一起作為一個電極，稱為柵極，在N型硅片兩端各引出一個電極。

三、特點不同

1、源極：屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點

2、漏極：可以將多個開漏輸出的Pin，連接到一條線上。通過一只上拉電阻，在不增加任何器件的情況下，形成“與邏輯”關(guān)系。這也是I2C，SMBus等總線判斷總線占用狀態(tài)的原理。??

漏極（D）源極（S）的判定

結(jié)型場效應(yīng)晶體管的三個引腳一般是呈柵極（G）、漏極（D）、源極（S）排列（商標(biāo)面向上，引腳正對自己），金屬封裝的結(jié)型場效應(yīng)晶體管的引腳排列則以管鍵為定位點，一般按逆時針柵極（G）、漏極（D）、源極（S）排列，如圖5-66所示。

實際使用時應(yīng)以測試為準。由于結(jié)型場效應(yīng)晶體管的源極（s）和漏極（D）在結(jié)構(gòu)上具有對稱性，所以一般可以互換使用誦常兩個電極不必再進一步區(qū)分。在需要區(qū)分漏極（D）、源極（s）極的場合下，也可以用萬用表測量兩個電極之間的電阻值進行判定，具體方法如下：將萬用表置于“R×10”擋，用紅黑表筆分別接在漏極（D）、源極（s）上，測量漏極（D）、源極（S）間的正、反向電阻值。當(dāng)測得電阻值較大時，用黑表筆與柵極（G）接觸一下，然后再恢復(fù)原狀。在此過程中，紅黑表筆應(yīng)始終與原引腳相接觸，此時萬用表的讀數(shù)會出現(xiàn)兩種情況：若讀數(shù)由大變小，則萬用表黑表筆所接的引腳為漏極（D），紅表筆所接的引腳為源極（s）;若萬用表讀數(shù)沒有明顯變化，仍為較大值，此時就應(yīng)保持黑表筆與引腳接觸，然后移動紅表筆與柵極（G）觸碰一下，此時若阻值由大變小，則黑表筆所接觸的引腳為源極（s），紅表筆所接觸的引腳為漏極（D）。