（一）首先判斷線路板適合用雙向可控硅（晶閘管）還是單向可控硅（晶閘管）。

（二）根據(jù)線路的安裝條件要求，適合用插件可控硅還是貼片可控硅。

插件可控硅（晶閘管）封裝外形有：TO-92、TO-251、TO-126、SOT-82、TO-202、TO-202-3、TO-262、TO-220、TO-220F、TO-3P、TO-3PS、TO-247、TO-247S、TG-C，RD91。

2.貼片可控硅（晶閘管）封裝外形有SOT-23、SOT-23-3L、SOT-89、SOT-223、TO-252、TO-263。

3.一般可控硅在應(yīng)用中會(huì)加裝散熱片，這方面的安裝空間要考慮到。

（三）查看可控硅的規(guī)格書(shū)，每個(gè)參數(shù)對(duì)應(yīng)用線路的說(shuō)明如下：

1、反向斷態(tài)重復(fù)峰值電壓（VRRM）：晶閘管反向阻斷時(shí)允許重復(fù)加在晶閘管上最大瞬時(shí)值反向電壓，包括所有的重復(fù)瞬態(tài)電壓。反向斷態(tài)重復(fù)峰值電壓為反向不重復(fù)峰值電壓（VRSM）的90%

2、正向斷態(tài)重復(fù)峰值電壓（VDRM）：晶閘管正向阻斷時(shí)允許重復(fù)加在晶閘管上最大瞬時(shí)正向電壓。正向斷態(tài)重復(fù)峰值電壓為正向斷態(tài)不重復(fù)峰值電壓（VDSM）的90%

3、反向重復(fù)峰值電流（IRRM）：在門(mén)極斷路時(shí)，晶閘管加上反向重復(fù)峰值電壓時(shí)的峰值漏電流

4、斷態(tài)重復(fù)峰值電流（IDRM）：在門(mén)極斷路時(shí)，晶閘管加上斷態(tài)重復(fù)峰值電壓時(shí)的峰值漏電流

5、門(mén)極觸發(fā)電流（IGT）：使晶閘管由斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)所必需的最小門(mén)極電流

6、門(mén)極觸發(fā)電壓（VGT）：產(chǎn)生門(mén)極觸發(fā)電流所必須的最小門(mén)極電壓

7、通態(tài)均方根電流（IT（RMS））：通態(tài)電流在一個(gè)周期內(nèi)的均方根值

8、通態(tài)平均電流（IT（AV））：通態(tài)電流在一個(gè)周期內(nèi)的平均值

9、浪涌電流（ITSM）：在額定結(jié)溫下，在工頻正弦波半周期間元件所能承受的最大過(guò)載電流

10、通態(tài)電流臨界上升率（di/dt）：在規(guī)定結(jié)溫下，晶閘管用門(mén)極開(kāi)通時(shí)所能承受而不導(dǎo)致?lián)p壞的通態(tài)電流的最大通態(tài)電流上升率

11、斷態(tài)電壓臨界上升率（dv/dt）：在額定結(jié)溫和門(mén)極斷路時(shí)，使元件從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)的最低電壓上升率

12、峰值通態(tài)電壓（VTM）：晶閘管通以π倍或規(guī)定倍數(shù)額定通態(tài)平均電流值時(shí)的瞬態(tài)峰值電壓

13、維持電流（IH）：在室溫及門(mén)極斷路時(shí)，晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通后，從較大的通態(tài)電流下降到維持通態(tài)所必需的最小通態(tài)電流

14、擎住電流（IL）：晶閘管從斷態(tài)轉(zhuǎn)換到通態(tài)瞬間移除觸發(fā)信號(hào)后，要保持元件維持通態(tài)所需要的最小電流。同一個(gè)晶閘管，通常擎住電流IL約為維持電流IH的2~4倍。

15、額定結(jié)溫（Tj）：元件在正常工作條件下所允許的最高PN結(jié)溫度。

16、I2t值：浪涌電流的平方在其持續(xù)時(shí)間內(nèi)的積分值。

17、門(mén)極平均值耗散功率（PG（AV））：在規(guī)定條件下，門(mén)極正向所允許的最大平均功率。

（四）可控硅選擇絕緣還是非絕緣的，示例圖如下：

絕緣和非絕緣示例圖

（四）可控硅IGT（觸發(fā)電流），通態(tài)均方根電流IT（RMS），重復(fù)峰值電壓，選擇如下：

可控硅IGT（觸發(fā)電流）是固定的，在設(shè)計(jì)線路中，一般驅(qū)動(dòng)觸發(fā)電流是可控硅IGT（觸發(fā)電流）的2-3倍，可控硅在高溫或低溫條件下才能完全打開(kāi)。

通態(tài)均方根電流IT（RMS）負(fù)載是電阻性產(chǎn)品，舉例：常溫條件下功率在1A左右，選擇可控硅通態(tài)均方根電流IT（RMS）在2-3A以上，具體在測(cè)試中保證可控硅溫度在90°C以下工作，負(fù)載是感性負(fù)載產(chǎn)品舉例：常溫條件下功率在1A左右，選擇可控硅通態(tài)均方根電流IT（RMS）在4-7A以上，具體在測(cè)試中保證可控硅溫度在90°C以下工作。

重復(fù)峰值電壓：一般我們知道，民用單相全電壓范圍是在90~265V之間。而可控硅的正反向斷態(tài)重復(fù)峰值電壓（VDRM/VRRM）與輸入電壓成正比關(guān)系，通常情況下，可控硅的耐壓是輸入電壓的3倍，最小不得小于2倍。例如：中國(guó)的市電輸入是220V±10%，以標(biāo)準(zhǔn)有效值220V電壓來(lái)選取，功率器件在選耐壓時(shí)取其平均值，而市電平均值約為200V為基準(zhǔn)，那么耐壓就是選取200V*3=600V。而以全電壓最大值265V為基準(zhǔn)，那么耐壓就是選取265V*3=800V。工業(yè)三相電壓范圍是在380V（-5%~﹢10%），因?yàn)椴▌?dòng)較大，可以分三段即360、380、420為例：360*3=1000V；380*3=1200V；420*3=1200V。考慮到某些應(yīng)用場(chǎng)合可控硅在關(guān)斷和打開(kāi)瞬間有一個(gè)反向電動(dòng)勢(shì)產(chǎn)生，所以在采用電壓波動(dòng)比較大，外界環(huán)境比較復(fù)雜的三相電時(shí)留有余量，可以考慮選擇1600V和1800V或者2000V以上耐壓的可控硅。

（五）關(guān)于可控硅加裝散熱片。

一般負(fù)載功率大于4A以上，可控硅需要加裝散熱片。

可控硅在工作溫度高于90度以上。需要加裝散熱。

（六）總結(jié)上述5點(diǎn)就可以真確的選好可控硅，用好可控硅。