QLED 基本原理：

傳統(tǒng) LED TV 採用了白光 LED 作為背光，經(jīng) TFT-LCD 控制像素光暗、RGB 叁原色濾色片控制顏色，不過色彩準確度通常較低。QLED 所採用的 Quantum Dots 量子點技術(shù)，透過植入至 QDEF（Quantum Dot Enhancement Film、量子點強化膜）上不同大小的「量子點」、在藍色背光的撞擊下產(chǎn)生出純凈的紅、綠、藍叁原色光線，除了令色彩至為準確之外，在高亮度的畫面之下依然可以提供到鮮艷飽和的色彩、不會出現(xiàn)變灰變白的情況。以 Samsung 的 QLED 電視系列為例，就通過了德國的 VDE 認證，于電影業(yè)界廣泛應用的 DCI-P3 標準下達到 100% 的色域空間。

micro-LED技術(shù)簡介

micro-LED與OLED有很多相似之處，因此與LCD相比，micro-LED與OLED的對比就顯得更加容易理解。首先，從名字上就能看到而這都有LED，因此它們都主要是由發(fā)光二極體組成，因此兩種技術(shù)都是採用自發(fā)光的形式，每個紅、綠、藍的亞像素都能自己產(chǎn)生光源，而不像LCD那樣需要專門的背光組件。因此，micro-LED顯示器同樣能夠提供極高的對比度和黑位水平，這一點與OLED一樣，同時還有一個TFT面板為每個像素提供能量。

Micro LED技術(shù)，即LED微縮化和矩陣化技術(shù)，簡單來說，就是將LED（發(fā)光二極體）背光源進行薄膜化、微小化、陣列化，可以讓LED單元小于50微米，與OLED一樣能夠?qū)崿F(xiàn)每個像素單獨定址，單獨驅(qū)動發(fā)光（自發(fā)光）。它的優(yōu)勢在于既繼承了無機LED的高效率、高亮度、高可靠度及反應時間快等特點，又具有自發(fā)光無需背光源的特性，體積小、輕薄，還能輕易實現(xiàn)節(jié)能的效果。

從結(jié)構(gòu)原理上看，Micro LED更簡單，效果更好，TFT基板、超微LED晶粒、驅(qū)動IC都不是很大的問題，但是它最大的難題就是眾所周知的巨量轉(zhuǎn)移，如何將LED做的微小化，這需要晶圓級的工藝水平。比如4K級別的Micro LED螢幕，需要800萬個以上的LED高度集成到一起，所以理論上應用到小尺寸螢幕上是極為困難的，同時成本和發(fā)熱也是極為可觀，叁星的第一款Micro LED電視選擇146英寸也是這方面的原因。

micro-LED與OLED的不同之處就在于其LED部分的材料組成。OLED中的「O」代表有機材料，它指的是在能夠產(chǎn)生光的像素堆中使用有機材料。而micro-LED技術(shù)則使用的無機氮化鎵材料，這種材料常用于普通的LED照明產(chǎn)品中。這種技術(shù)可以降低對極化和封裝層的要求，能讓顯示面板更薄。因此micro-LED的組件都很小，寬度不到100μm，比人類的頭髮還細。

如果從另一個問題來看這個問題，micro-LED就是傳統(tǒng)LED通過更小的方式排放在陣列中。實際上LED并不是什么新技術(shù)，但在如此小的部件面板上排序陣列才是真正的困難。與其他顯示面板技術(shù)相反的是，在智能手錶和智慧型手機等小尺寸設備上使用的micro-LED螢幕更容易制造。而事實證明，現(xiàn)在想要增加micro-LED顯示面板的面積困難很大。當然，由于焊接精度的要求很高，將更高的解析度壓縮到智慧型手機螢幕大小，困難也很大。

對面板制造商來說，目前一個尚未解決的問題就是如何將大量的LED轉(zhuǎn)移到控制電路板上。有一個潛在的解決方案是，將LED集中放置到一個更大的陣列中，然后通過焊接完成顯示。但這種方法的問題在于，目前選擇和制造的精度為±34μm，而這并不符合micro-LED所需要的±1.5μm的精度要求。

還有一種代替的方案就是蝕刻LED陣列與IC連接，或?qū)⒁粋€單獨的TFT層轉(zhuǎn)移到LED陣列中。這些蝕刻方法避免了晶片焊接的精度問題，但改進了用于滿足微型發(fā)光元件的小尺寸部件要求，以及對高解析度的顯示方式實現(xiàn)起來也昂貴而且難以實現(xiàn)。目前整個制造業(yè)在這個方面的進步很緩慢，因此想要提高產(chǎn)量，還需要繼續(xù)改進。

在短期內(nèi)，圓晶體成鍵似乎是最可行的過程。不過這款產(chǎn)品目前只適用于低像素的面板，比如對解析度要求不高的智能手錶，而并非QHD解析度的智慧型手機。制造出高解析度的micro-LED面板是很多廠商的目標，但這需要不斷提高制造精度。

儘管面臨制造障礙，但micro-LED技術(shù)仍然值得期待，因為與OLED相比micro-LED提供了更多的進步。首先究竟是最大亮度時功率的降低，也就是說，在同樣低功率條件下，micro-LED能夠達到更大的亮度。相比之下，功耗要比LCD低了足足90%，而比OLED也要低50%。對于像智慧型手機這樣續(xù)航電量非常寶貴的可攜式產(chǎn)品來說，這是一個巨大的吸引力，這意味著降低螢幕的功耗，帶來更長的使用時間。與目前的OLED和LCD相比，廠商們可以增加面板的亮度，更好的在陽光直射下使用。

另外，micro-LED的顯示壽命也要比OLED更長。OLED燒屏現(xiàn)在依然還是個很大的問題，因為有機材料的使用壽命有限，尤其是藍色OLED面板。micro-LED則沒有這樣的顧慮，甚至要比LCD在顏色轉(zhuǎn)換之前持續(xù)的時間更長。

而更小的micro-LED尺寸也可以讓高解析度更容易實現(xiàn)，比如4K甚至8K解析度智慧型手機或虛擬現(xiàn)實螢幕等。說到虛擬現(xiàn)實技術(shù)，OLED面板的響應時間已經(jīng)降低到了微秒級別，擁有非常不錯的響應時間等級。而這讓它們成為了虛擬現(xiàn)實應用最理想的選擇。而改成micro-LED之后，響應時間又進一步降低到了納秒級別，更快了1000倍。

micro-LED除了擁有上述優(yōu)點之外，還在對比度、色域和柔性顯示屏領(lǐng)域擁有更大的優(yōu)勢。這些都讓micro-LED再與OLED相比時成為了優(yōu)點，但是micro-LED的制造價格成本也要高很多，甚至是目前LCD或OLED面板的叁到四倍。毫無疑問，這會讓產(chǎn)品的成本上升不少，甚至還影響整個行業(yè)的投資。畢竟目前很多廠商還在不斷擴大OLED螢幕的生產(chǎn)線。

Mini LED技術(shù)簡介

Mini LED，又名「次毫米發(fā)光二極體」，意指晶粒尺寸約在100微米的LED，最早是由晶電所提出。Mini LED是介于傳統(tǒng)LED與Micro LED之間，簡單來說還是傳統(tǒng)LED背光基礎上的改良版本。

在制程上相較于Micro LED良率高，具有異型切割特性，搭配軟性基板亦可達成高曲面背光的形式，採用局部調(diào)光設計，擁有更好的演色性，能帶給液晶面板更為精細的HDR分區(qū)，且厚度也趨近OLED，可省電達80%，故以省電、薄型化、HDR、異型顯示器等背光源應用為訴求，適合應用于手機、電視、車用面板及電競筆記本電腦等產(chǎn)品上。

相比MicroLED，理論上說Mini LED技術(shù)難度更低，更容易實現(xiàn)量產(chǎn)，且可以大量開發(fā)液晶顯示背光源市場，產(chǎn)品經(jīng)濟性更佳。據(jù)業(yè)界估算，若採用Mini LED背光設計的液晶電視面板，價格約只有OLED電視面板6~8成，但亮度、畫質(zhì)都與OLED相近，省電效能卻又更高。同時一臺55英寸的Mini LED背光液晶面板使用4萬顆LED，對于LED晶粒廠商產(chǎn)能去化將有正面助益。

總體來說，Micro LED對于畫質(zhì)來說會有質(zhì)的提升，是下一代的革命性顯示技術(shù)，但是目前技術(shù)方面依然不夠成熟。而Mini LED則是LED背光的改良版本，不過依然可以大幅提升現(xiàn)有的液晶畫面效果，同時成本相對比較容易控制，也有望成為市場的主流。我們也期望廠商能加快研發(fā)步伐，早日帶來可以滿足普通消費者的Micro LED和Mini LED電視產(chǎn)品。
編輯：hfy