據(jù) Digitimes 報道，業(yè)內(nèi)人士透露，臺積電 FinFET 和三星 GAA 在 3nm 制程技術(shù)的開發(fā)過程中都遇到了不同但關(guān)鍵的瓶頸。報道稱，臺積電和三星因此將不得不推遲 3nm 制程工藝的開發(fā)進度。

按臺積電計劃，3nm 將于今年完成認證與試產(chǎn)，2022 年投入大規(guī)模量產(chǎn)，甚至業(yè)界曾表示蘋果已率先包下臺積電 3 納米初期產(chǎn)能，成為臺積電 3 納米第一批客戶。

3nm 工藝推進延期意味著這兩家半導體的 5nm 工藝壽命延長，但目前第一代 5nm 工藝似乎均出現(xiàn)了不同程度的不良現(xiàn)象，這將給兩家廠商 5nm 優(yōu)化留出足夠時間。

同時，考慮到英特爾先進制程目前最先進工藝是 10nm，這也給英特爾工藝追趕提供了機會。不過距離 2022 年投產(chǎn)還有充足時間，具體情況仍需觀察。

IT之家了解到，此前業(yè)界預計臺積電和三星的 3nm 工藝都會在 2022 年實現(xiàn)量產(chǎn)，但臺積電有望領(lǐng)先三星至少半年。

此前臺積電曾宣稱，其 3 納米工藝會比最近的 5 納米工藝性能提升 10% 至 15%，3nm 芯片將提供 20% 至 25% 的節(jié)能提升。

此外，臺積電董事長劉德音此前表示，臺積電今年營收持續(xù)創(chuàng)新高，在 3nm 領(lǐng)先布局，于南科的累計投資將超過 2 萬億元新臺幣，目標是 3nm 量產(chǎn)時，12 英寸晶圓月產(chǎn)能超過 60 萬片。相對的，三星晶圓代工業(yè)務(wù)準備投入 1160 億美元，以實現(xiàn)在 3nm 工藝上趕超臺積電。

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