我們將為大家?guī)?lái)思睿達(dá)主推的CR6889B替換XX11對(duì)比測(cè)試報(bào)告。話不多說(shuō)，我們先了解下思睿達(dá)CR6889B的大概內(nèi)容吧！

CR6889B芯片特性

● SOT23-6封裝的副邊PWM反激功率開關(guān)；

● 內(nèi)置軟啟動(dòng)，減小MOSFET的應(yīng)力，斜坡補(bǔ)償電路；

● 65kHz開關(guān)頻率，具有頻率抖動(dòng)功能，使其具有良好的EMI特性；

● 具有“軟啟動(dòng)、OCP、SCP、OTP、OVP自動(dòng)恢復(fù)等保護(hù)功能；

● 電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、較少的外圍元器件，適用于小功率AC / DC電源適配器、充電器。

CR6889B替換XX11需更改以下元件：

1、SENSE電阻值0.75歐調(diào)整為0.68歐左右，使其與原樣機(jī)OCP點(diǎn)保持基本一致；（僅供參考）

一、電性對(duì)比如下

此電源基本特性為一雙路電源（34V0.75A/12V0.5A）模塊，綜合考慮測(cè)試方式，由于電源輸出肖特極端電壓為34V（OCP在0.95A 左右，所以此電源大概按照 34V0.7A 對(duì)比評(píng)估相關(guān)數(shù)據(jù)如下：

注：

1、以上效率為板端測(cè)試

2、測(cè)試儀器為：

示波器：泰克 MDO3014

功率計(jì)：WT210

負(fù)載機(jī)：IT8511A

萬(wàn)用表：FLUKE 15B

二、關(guān)鍵波形對(duì)比如下

從測(cè)試波形上可以了解到在整機(jī)開啟和發(fā)生保護(hù)的時(shí)候MOS管以及次級(jí)肖特基上所受應(yīng)力基本一致。

三、結(jié)論

CR6889B與XX11對(duì)比測(cè)試電性基本一致（效率在VAC230以下功率段略高0.3%左右，在VAC264時(shí)略低0.3%）（各數(shù)據(jù)僅供參考）

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