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電源模塊設(shè)計(jì)后需要做哪些測試內(nèi)容

凡億PCB ? 來源:21ic論壇 ? 作者:21ic論壇 ? 2022-02-15 16:25 ? 次閱讀

完成電源模塊的設(shè)計(jì)后,需要如何測量呢

隨著電源技術(shù)的發(fā)展,電源模塊是開關(guān)電源的發(fā)展趨勢。在電源模塊設(shè)計(jì)中,設(shè)計(jì)是整體的核心,而測量則是一把標(biāo)尺。當(dāng)一切工作就緒之后,并不意味著結(jié)束,電源模塊性能的優(yōu)劣是值得關(guān)注的問題。

實(shí)際工作中,在結(jié)束了頗為關(guān)鍵的電源模塊設(shè)計(jì)后,你會做多少測試內(nèi)容?以下分享我在工作中,實(shí)際進(jìn)行的幾項(xiàng)關(guān)鍵參數(shù)的測試和分析流程,供大家參考。

1.概述

降壓型電源芯片電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)中并不可少的核心元件,由電源芯片組成的電源模塊提供電產(chǎn)品使用的各種電源。對于車載產(chǎn)品,汽車蓄電池的電壓會在9V-16V之間變化,在這種情況下,電源模塊需要適應(yīng)蓄電池電壓和負(fù)載在變化的工況,如何對電源進(jìn)行測試就顯得很重要的,很多公司電子產(chǎn)品關(guān)于電源模塊的測試,就是對著Datasheet給的參考電路和layout示例,簡單測試下輸出電壓的紋波,電源效率就結(jié)束了。認(rèn)為電源模式的所有參數(shù)Datasheet都已經(jīng)標(biāo)示了,也沒什么可測,也改變不了什么參數(shù)的。實(shí)際BUCK電路有很多參數(shù)需要測試的,下圖是TI的一款BUCK電源芯片LM60440,滿足AECQ-100的車載要求。

電源模塊設(shè)計(jì)后需要做哪些測試內(nèi)容

在LM60440的Datasheet中,提供了效率曲線圖,啟動(dòng)時(shí)序圖,負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)圖,紋波電壓圖以及EMC測試圖等等參數(shù),這些測試數(shù)據(jù)都是基于LM60440的EVM板測試得到的,是在工況比較好的情況測試的。對于實(shí)際的電子產(chǎn)品要根據(jù)具體的客戶要求和系統(tǒng)要求去測試。我們開發(fā)的一款產(chǎn)品中就用到了LM60440,降壓得到3V3的輸出電壓。完成原理圖設(shè)計(jì)后,打快板拿到Demo樣品后,主要從以下七個(gè)方面的維度完成對電源模塊的測試:

1.輸入電壓性能測試,包括冷機(jī)啟動(dòng)測試,使能電壓閾值測試;

2.輸出電壓性能測試,包括輸出電壓紋波測試,負(fù)載瞬態(tài)變化測試,環(huán)路穩(wěn)定性測試;

3.時(shí)序測試:開機(jī)時(shí)序,關(guān)機(jī)時(shí)序;

4.保護(hù)功能測試:過壓保護(hù),過流保護(hù),短路保護(hù),過溫保護(hù);

5.效率測試;

6.PWM開關(guān)頻率測試;

7.關(guān)鍵元件耐壓測試,主要包括MOSFET,DIODE,電感,輸入電容,輸出電壓;

完成以上七個(gè)方面的測試,可以基本反映出電源模塊的性能優(yōu)劣。下面將測試中的七個(gè)方面的實(shí)測數(shù)據(jù)和Datasheet中的數(shù)據(jù)做一個(gè)對比分析,供大家討論,看看其他壇友在電源設(shè)計(jì)中有多少測試內(nèi)容。

2.測試實(shí)例的分析

2.1 輸入電壓性能測試

2.1.1 冷機(jī)啟動(dòng)測試

冷機(jī)啟動(dòng)測試一般稱為cold-trank測試,這是由于發(fā)動(dòng)機(jī)啟動(dòng)的時(shí)候,需要蓄電池大電流工作,從而造成蓄電池電壓快速跌落。關(guān)于這類的工況的有相應(yīng)的測試規(guī)范,比如ISO 7637-2 (test pulse 4),如下圖。在cold-trank的測試過程中,即使蓄電池電壓跌落,車載的電子產(chǎn)品,比如導(dǎo)航、娛樂、儀表盤等設(shè)備依然需要保持安全可靠的功能,這就對電源模塊提出了更高的要求。

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在我們的產(chǎn)品中根據(jù)客戶要求,使用的是如下的測試規(guī)范,相對更加嚴(yán)苛一些。

電源模塊設(shè)計(jì)后需要做哪些測試內(nèi)容

關(guān)于這一項(xiàng)測試,在LM60440的Datasheet中沒有體現(xiàn)出來。在我們的產(chǎn)品測試中,是符合測試要求的。在輸入電壓跌落過后,輸出電壓也跌落,但在一定時(shí)間(小于10ms)可以重新輸出,符合系統(tǒng)需求的定義。

電源模塊設(shè)計(jì)后需要做哪些測試內(nèi)容

2.1.2 使能閾值測試

LM60440的使能(EN-Pin)控制芯片的啟動(dòng)和關(guān)斷,該pin的輸入電壓是有精確閾值控制,通過外部其他電源電壓控制(一般是選用3.3V的LDO控制)。在實(shí)際產(chǎn)品測試中得到了和Datasheet中一致的閾值電壓。

電源模塊設(shè)計(jì)后需要做哪些測試內(nèi)容

電源模塊設(shè)計(jì)后需要做哪些測試內(nèi)容

2.2.輸出電壓性能

2.2.1 輸出電壓紋波測試

電壓紋波(ripple voltage)基本都會測試,空載輕載重載情況下測試到的數(shù)據(jù)都不一樣。電感輸出電容選型不一樣,也會造成電壓紋波的測試數(shù)據(jù)的不同。如何降低電壓紋波就不在這里展開,很多資料都有介紹。這里主要討論電源模塊設(shè)計(jì)完成后,如何進(jìn)行測試。輸出電流3A的情況下,測試的紋波電壓有38mV,比Datasheet中的參數(shù)60mV要小。

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電源模塊設(shè)計(jì)后需要做哪些測試內(nèi)容

2.2.2 負(fù)載瞬態(tài)變化測試

在負(fù)載突然跌落和加載的時(shí)候,會造成輸出電壓過沖和跌落的現(xiàn)象。在實(shí)際測試中對于這種測試的時(shí)候,輸出電壓過沖和跌落幅度有要求,是不能超過5%*Vout。輸出電流是在0.28A到2.8A的變化,過沖和跌落電壓是85mV和115[size=14.6667px]mV,都是小于3.3*0.05=165[size=14.6667px]mV。在空載輕載的時(shí)候,輸出電壓紋波會小一些。

電源模塊設(shè)計(jì)后需要做哪些測試內(nèi)容

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2.2.3 環(huán)路穩(wěn)定性測試

電源系統(tǒng)一般是負(fù)反饋,環(huán)路沒有設(shè)計(jì)后,輸出電壓會出現(xiàn)波動(dòng),在工程設(shè)計(jì)中,要求相位余量大于65度,增益余量大于10dB,在負(fù)載電流是2.8A的情況下,使用Bode100對電源系統(tǒng)的環(huán)路進(jìn)行測試,得到相位余量是82度,增益余量15dB。環(huán)路系統(tǒng)是穩(wěn)定的。關(guān)于這個(gè)測試項(xiàng)目,在Datasheet中沒體現(xiàn),實(shí)際產(chǎn)品是很有必要測試的。

電源模塊設(shè)計(jì)后需要做哪些測試內(nèi)容

很多芯片是專門的環(huán)路補(bǔ)償comp-pin,用于在環(huán)路不穩(wěn)定的時(shí)候進(jìn)行補(bǔ)償。LM60440沒有環(huán)路補(bǔ)償pin,如果環(huán)路不穩(wěn)定的時(shí)候,可以在反饋回路增加補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)。如上圖原理圖中的Cff,也可再串聯(lián)電阻。根據(jù)具體電路進(jìn)行調(diào)整

2.3 開關(guān)機(jī)時(shí)序

2.3.1 開機(jī)時(shí)序

在電源產(chǎn)品中,開機(jī)時(shí)序是要嚴(yán)格和Datasheet中對應(yīng)的,但是可以調(diào)整軟啟動(dòng)的時(shí)間,從而滿足不同項(xiàng)目的需求。測試得到的數(shù)據(jù)和Datasheet保持了一致。

電源模塊設(shè)計(jì)后需要做哪些測試內(nèi)容

電源模塊設(shè)計(jì)后需要做哪些測試內(nèi)容

2.3.2 關(guān)機(jī)時(shí)序

關(guān)機(jī)時(shí)序相對開機(jī)時(shí)序沒有那么嚴(yán)苛,所以在Datasheet中沒有測試,但是我們實(shí)際的產(chǎn)品完成了測試,然后和LM60440提供的EVM的關(guān)機(jī)時(shí)序做了對比,是一致的。

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2.4 保護(hù)功能測試

2.4.1 過壓保護(hù)測試(OVP)

對于電源芯片是不能過電壓使用的,超過電源芯片的最大輸入電壓,會導(dǎo)致芯片過壓損壞的。

電源模塊設(shè)計(jì)后需要做哪些測試內(nèi)容

有的電源芯片是有OVP閾值電壓,最大絕對值電壓(該電壓即為芯片的過壓損壞值),LM60440是沒有OVP閾值電壓,之前用到的另一款電源芯片有的,當(dāng)輸入電壓超過OVP閾值,輸出電壓就降低為0,同時(shí)診斷pin的標(biāo)志位翻轉(zhuǎn)。

電源模塊設(shè)計(jì)后需要做哪些測試內(nèi)容

2.4.2 過流保護(hù)測試(OCP)

利用電子負(fù)載施加超過電源芯片的最大輸出電流,會產(chǎn)生OCP,保證輸出電流和輸出電壓在正常的工作范圍;

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2.4.3 短路保護(hù)測試

利用測試治具,將輸出短路。電源芯片檢測到瞬間過電流,會關(guān)閉輸出。保證電源模塊的正常工作。

電源模塊設(shè)計(jì)后需要做哪些測試內(nèi)容

2.5 效率測試

電源模塊會產(chǎn)生各種損耗,比如MOSFET開關(guān)損耗,導(dǎo)通損耗,電感直流損耗,交流損耗等等。從而造成輸出效率的變化。因此客戶會要求最低的效率比。LM60440在不同輸入電壓情況下,重載的時(shí)候基本都可以達(dá)到90%以上的效率。

電源模塊設(shè)計(jì)后需要做哪些測試內(nèi)容

在實(shí)測的時(shí)候,效率會比Datasheet的要低一些。輸出電流增大的情況下,效率會更高的

VinIinVoutIoutEfficiency

70.373.30.70.891891892

80.323.30.70.90234375

90.293.30.70.885057471

100.263.30.70.888461538

110.243.30.70.875

120.223.30.70.875

130.23.30.70.888461538

140.193.30.70.868421053

2.6 PWM開關(guān)頻率測試

LM60440的工作模式會隨著負(fù)載的變化而變化,會在PFM,DCM,CCM幾種模式之間切換,從而滿足負(fù)載電流的需求。PWM開關(guān)頻率也隨之發(fā)生變化。

電源模塊設(shè)計(jì)后需要做哪些測試內(nèi)容

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電源模塊設(shè)計(jì)后需要做哪些測試內(nèi)容

2.7 關(guān)鍵元件耐壓測試

LM60440是內(nèi)置MOSFET的,芯片SW-pin和電感的節(jié)點(diǎn)處電壓會一直加載在MOSFET的漏級。PWM開關(guān)過程會產(chǎn)生overshoot電壓,測量得到的過沖電壓最大值是8.6V,該過沖電壓不能擊穿內(nèi)部MOSFET,如果要降低過沖電壓,可以增加snubber電路加以抑制。

電源模塊設(shè)計(jì)后需要做哪些測試內(nèi)容

輸出電容一般選擇MLCC,需要考慮紋波電流不要超過MLCC的額定值,否則會讓MLCC發(fā)熱。下圖是MLCC的紋波電流,90mA左右,MLCC的ESR也比較小,不會產(chǎn)生太大的發(fā)熱。

電源模塊設(shè)計(jì)后需要做哪些測試內(nèi)容

3. 小結(jié)

完成以上的測試,測試值都滿足了系統(tǒng)需求和客戶需求。隨后還需要進(jìn)行EMC方面的測試,TI提供的LM60440的EVM板進(jìn)行EMC測試,都是通過的,余量很大。但在具體產(chǎn)品中,不僅僅只有這一路電源,還有BOOST電路,所以Datasheet提供的EMC數(shù)據(jù)僅僅是做參考。即使產(chǎn)品的EMC測試失敗,一般也不會僅僅是電源模塊的問題,需要從整個(gè)電路板的角度定位干擾源和輻射源,然后對應(yīng)的改進(jìn)。

在完成研發(fā)層面的2PCS測試后,隨后將電路板轉(zhuǎn)交TQE部門,進(jìn)行高低溫,濕度以及壽命等耐受性實(shí)驗(yàn)。

原文標(biāo)題:【經(jīng)驗(yàn)分享】完成電源模塊的設(shè)計(jì)后,需要如何測量?

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審核編輯:湯梓紅

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