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GD32單片機(jī)和STM32單片機(jī)的區(qū)別

GReq_mcu168 ? 來源:硬件攻城獅 ? 作者:硬件攻城獅 ? 2022-04-19 15:07 ? 次閱讀

一、前言

什么GD32?

GD32是國(guó)內(nèi)開發(fā)的一款單片機(jī),據(jù)說開發(fā)的人員是來自ST公司的,GD32也是以STM32作為模板做出來的。

所以GD32和STM32有很多地方都是一樣的,不過GD32畢竟是不同的產(chǎn)品,不可能所有東西都沿用STM32,有些自主開發(fā)的東西還是有區(qū)別的。相同的地方我們就不說了,下面我給大家講一下不同的地方。

二、區(qū)別

1、內(nèi)核

GD32采用二代的M3內(nèi)核,STM32主要采用一代M3內(nèi)核,下圖是ARM公司的M3內(nèi)核勘誤表,GD使用的內(nèi)核只有752419這一個(gè)BUG。

11e2c490-bf90-11ec-9e50-dac502259ad0.png

2、主頻

使用HSE(高速外部時(shí)鐘):GD32的主頻最大108M,STM32的主頻最大72M

使用HSI(高速內(nèi)部時(shí)鐘):GD32的主頻最大108M,STM32的主頻最大64M

主頻大意味著單片機(jī)代碼運(yùn)行的速度會(huì)更快,項(xiàng)目中如果需要進(jìn)行刷屏,開方運(yùn)算,電機(jī)控制等操作,GD是一個(gè)不錯(cuò)的選擇。

3、供電

外部供電:GD32外部供電范圍是2.63.6V,STM32外部供電范圍是23.6V。GD的供電范圍比STM32相對(duì)要窄一點(diǎn)。

內(nèi)核電壓:GD32內(nèi)核電壓是1.2V,STM32內(nèi)核電壓是1.8V。GD的內(nèi)核電壓比STM32的內(nèi)核電壓要低,所以GD的芯片在運(yùn)行的時(shí)候運(yùn)行功耗更低。

4、Flash差異

GD32的Flash是自主研發(fā)的,和STM32的不一樣。

GD Flash執(zhí)行速度:GD32 Flash中程序執(zhí)行為0等待周期。

STM32 Flash執(zhí)行速度:ST系統(tǒng)頻率不訪問flash等待時(shí)間關(guān)系:0等待周期,當(dāng)0

Flash擦除時(shí)間:GD擦除的時(shí)間要久一點(diǎn),官方給出的數(shù)據(jù)是這樣的:GD32F103/101系列Flash 128KB 及以下的型號(hào), Page Erase 典型值100ms, 實(shí)際測(cè)量60ms 左右。對(duì)應(yīng)的ST 產(chǎn)品Page Erase 典型值 20~40ms。

5、功耗

從下面的表可以看出GD的產(chǎn)品在相同主頻情況下,GD的運(yùn)行功耗比STM32小,但是在相同的設(shè)置下GD的停機(jī)模式、待機(jī)模式、睡眠模式比STM32還是要高的。

11f53a4e-bf90-11ec-9e50-dac502259ad0.png

6、串口

GD在連續(xù)發(fā)送數(shù)據(jù)的時(shí)候每?jī)蓚€(gè)字節(jié)之間會(huì)有一個(gè)Bit的Idle,而STM32沒有,如下圖。

120fa762-bf90-11ec-9e50-dac502259ad0.png

GD的串口在發(fā)送的時(shí)候停止位只有1/2兩種停止位模式。STM32有0.5/1/1.5/2四種停止位模式。

GD 和STM32 USART的這兩個(gè)差異對(duì)通信基本沒有影響,只是GD的通信時(shí)間會(huì)加長(zhǎng)一點(diǎn)。

7、ADC差異

GD的輸入阻抗和采樣時(shí)間的設(shè)置和ST有一定差異,相同配置GD采樣的輸入阻抗相對(duì)來說要小。具體情況見下表這是跑在72M的主頻下,ADC的采樣時(shí)鐘為14M的輸入阻抗和采樣周期的關(guān)系:

1221af98-bf90-11ec-9e50-dac502259ad0.png

8、FSMC

STM32只有100Pin以上的大容量(256K及以上)才有FSMC,GD32所有的100Pin或100Pin以上的都有FSMC。

9、103系列RAM&FLASH大小差別

GD103系列和ST103系列的ram和flash對(duì)比如下圖:

12526a5c-bf90-11ec-9e50-dac502259ad0.png

10、105&107系列STM32和GD的差別

GD的105/107的選擇比ST的多很多,具體見下表:

12665044-bf90-11ec-9e50-dac502259ad0.png

11、抗干擾能力

關(guān)于這一點(diǎn),官方?jīng)]有給出,我也是在做項(xiàng)目的時(shí)候偶然發(fā)現(xiàn)的,項(xiàng)目原本是用STM32F103C8T6,后來?yè)Q成GD F103C8T6,這兩個(gè)芯片的引腳完全一致,然后單片機(jī)用了的兩個(gè)鄰近的引腳作為SPI的時(shí)鐘引腳和數(shù)據(jù)輸出引腳,然后發(fā)現(xiàn)STM32的SPI能正常通訊,GD的不行,經(jīng)過檢查發(fā)現(xiàn)PCB板SPI的銅線背面有兩根IIC的銅線經(jīng)過,信號(hào)應(yīng)該是受到影響了。

示波器看了一下引腳的電平,發(fā)現(xiàn)確實(shí)是,STM32和GD的數(shù)據(jù)引腳波形都不正常,但是STM32的波形要好很多,波形雖然差了點(diǎn),但是SPI通訊依然正常。

而GD則不能正常通訊了。然后我又把SPI的通訊速率減慢,發(fā)現(xiàn)STM32的數(shù)據(jù)引腳很快就恢復(fù)正常波形了,而GD的依然差,直到速率降到很低才恢復(fù)正常。初步懷疑是STM32內(nèi)部對(duì)引腳有做一些濾波的電路,而GD則沒有。

雖然我用的這個(gè)電路板本身布線有些不合理,但是在同樣惡劣的環(huán)境下,STM32依然保證了通訊的正常,而GD不行,這在一定程度上說明了GD的抗干擾能力不如STM32。

原文標(biāo)題:STM32和GD32有什么區(qū)別?

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審核編輯:湯梓紅

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