此圖是射頻放大電路的示意圖。該電路將射頻信號放大10倍左右，輸入功率為100mW，輸出功率為1.3W。它使用一個通用的NPN射頻晶體管2SC1970。您可以應用其他晶體管，例如 2N442。

電路原理圖：

電路工程：

射頻系統(tǒng)，特別是射頻放大器，該電路對于擁有穩(wěn)定的電源并確保您不會在電源線上得到任何射頻非常重要。電容器 C12 和 C13 將穩(wěn)定直流電源。L1、C10、C11 和 L3 與 C8、C9 也將避免射頻泄漏到電力線并觸發(fā)振蕩或干擾。L1 和 L3 需要鐵氧體扼流圈或電感約為 1 到 10 uH。

晶體管 Q1 將充當緩沖放大器，僅僅是因為我們不希望前級負載過多。

輸入 RF 信號通過 C1 和 F1，這是一個小的鐵氧體珍珠，電線剛剛穿過。

F1 與 C2 將作為 Q1 的阻抗匹配。

F1 可以用線圈代替 L4，但在測試過程中，發(fā)現(xiàn)鐵氧體磁珠具有最有效的性能。

L2 不是重要組件，任何 2-10uH 的線圈都足夠了。Q1 將輸入信號從 50mW 放大到大約 200mW。

Q1 可以放大更多，但它不必這樣做，因為 200mW 對最終晶體管來說已經足夠了。

如果您需要更多功率，您可以減小電阻 R2 的值。

當您查看 Q2 時，您還會在基極到發(fā)射極處看到一個鐵氧體珠 F2。這種鐵氧體珠的作用是將直流電壓設置為零并為射頻信號提供高阻抗。我在這個小的鐵氧體珍珠周圍纏繞了 4 次電線。您可以將其替換為 1uH 或更多的線圈。

C4、C5和L4構成晶體管的輸入匹配單元。我們對此無能為力嗎？

在最后一個晶體管 Q2 的輸出端，您會發(fā)現(xiàn)兩個線圈 L5 和 L6。它們與 C6 和 C7 一起構成天線和晶體管的阻抗單元。

PCB布局設計：

電路筆記：

您可以使用其他功率晶體管如 2SC1971 （6W） 以獲得更高的輸出功率。

1.3W 仍會使您的射頻信號相當遠，您建議使用一個 50 歐姆的實心電阻作為虛擬負載。確保它可能需要 5-10W 以防止電阻器虛擬負載過熱。

在測試過程中你必須使用天線或 50 歐姆的虛擬電阻，沒有輸出負載意味著晶體管被燒毀。