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8bitMCU相關(guān)設(shè)置寄存器及注意事項(xiàng)

中穎電子 ? 來(lái)源:中穎電子 ? 作者:中穎電子 ? 2022-07-03 16:10 ? 次閱讀

1、 8bitMCU 通用I/O 結(jié)構(gòu)圖

端口模塊如下圖(79系列圖):

77973eb6-f84c-11ec-ba43-dac502259ad0.png

2、相關(guān)設(shè)置寄存器及注意事項(xiàng):

端口控制寄存器

xxHH 第7位 第6位 第5位 第4位 第3位 第2位 第1位 第0位
PxCR (xxH, Bank0) PxCR.7 PxCR.6 PxCR.5 PxCR.4 PxCR.3 PxCR.2 PxCR.1 PxCR.0
讀/寫 讀/寫 讀/寫 讀/寫 讀/寫 讀/寫 讀/寫 讀/寫 讀/寫
復(fù)位值(POR/WDT/LVR/PIN) 0 0 0 0 0 0 0 0
位編號(hào) 位符號(hào) 說(shuō)明
7-0 PxCRy
x = 0-7,y = 0-7
端口輸入/輸出控制寄存器
0:輸入模式
1:輸出模式

PxCR寄存器控制I/O輸入輸出狀態(tài)設(shè)置。

當(dāng)寄存器設(shè)置成輸入模式時(shí),Px寄存器讀取的是端口電平狀態(tài)。

當(dāng)寄存器設(shè)置成輸出模式時(shí),Px寄存器讀取的是數(shù)據(jù)寄存器的值。

如有未使用到的I/O,需要設(shè)置輸出固定電平以免I/O浮動(dòng)電平帶來(lái)的漏電流。

端口上拉電阻控制寄存器

xxH 第7位 第6位 第5位 第4位 第3位 第2位 第1位 第0位
PxPCR (xxH, Bank0) PxPCR.7 PxPCR.6 PxPCR.5 PxPCR.4 PxPCR.3 PxPCR.2 PxPCR.1 PxPCR.0
讀/寫 讀/寫 讀/寫 讀/寫 讀/寫 讀/寫 讀/寫 讀/寫 讀/寫
復(fù)位值
(POR/WDT/LVR/PIN)
0 0 0 0 0 0 0 0
位編號(hào) 位符號(hào) 說(shuō)明
7-0 PxPCRy
x = 0-7,y = 0-7
輸入端口內(nèi)部上拉電阻控制
0:內(nèi)部上拉電阻關(guān)閉
1:內(nèi)部上拉電阻開啟

端口數(shù)據(jù)寄存器

xxH 第7位 第6位 第5位 第4位 第3位 第2位 第1位 第0位
Px (xxH, Bank0) Px.7 Px.6 Px.5 Px.4 Px.3 Px.2 Px.1 Px.0
讀/寫 讀/寫 讀/寫 讀/寫 讀/寫 讀/寫 讀/寫 讀/寫 讀/寫
復(fù)位值(POR/WDT/LVR/PIN) 0 0 0 0 0 0 0 0
位編號(hào) 位符號(hào) 說(shuō)明
7-0 Px.y
x = 0-7,y = 0-7
端口數(shù)據(jù)寄存器

79系列單片機(jī) Px 寄存器都在位尋址區(qū)(例如:80H,88H等),都可以進(jìn)行位尋址操作。

在初始化設(shè)施PxCR(輸出狀態(tài))前,請(qǐng)優(yōu)先設(shè)置Px寄存器,避免WDT,,OVL等復(fù)位帶來(lái)的端口電平變化。

當(dāng)PxCR寄存器設(shè)置成輸入狀態(tài)時(shí),操作讀取對(duì)應(yīng)Px,是讀取對(duì)應(yīng)引腳電平狀態(tài)。

當(dāng)PxCR寄存器設(shè)置成輸出狀態(tài)時(shí),根據(jù)指令來(lái)分別對(duì)應(yīng) 讀取的是寄存器還是引腳電平。

1、端口寄存器讀-改-寫指令舉例:

ANL P0, #立即數(shù) ;P0->立即數(shù)&(與)P0->P0

ORL P0, A ; P0->A|(或)P0->P0

INC P0 ;P0->P0+1->P0

CPL P0.0 ;P0.0->P0.0~(取反)->P0.0

2、引腳電平讀取指令舉例:

MOV A,P0 ;P0->A

MOV R0, P0 ; P0->R0

不管端口是否共享為其它功能,對(duì)端口寫操作都是針對(duì)端口數(shù)據(jù)寄存器。

當(dāng)?shù)诙δ苡袥_突時(shí),按照端口共享表格中的優(yōu)先級(jí)來(lái)決定輸出功能。

通常I/O的優(yōu)先級(jí)是低于其他功能的。

以下圖為例,當(dāng)P0.6引腳上BUZ功能和LED功能同時(shí)選中時(shí),引腳輸出LED波形。

77ac6174-f84c-11ec-ba43-dac502259ad0.png

當(dāng)允許端口復(fù)用為其它功能時(shí),用戶可以修改PxCR﹑PxPCR,但在復(fù)用的其它功能被禁止前,這些操作不會(huì)影響端口狀態(tài)。

當(dāng)允許端口復(fù)用為其它功能時(shí),任何對(duì)端口的讀寫操作只會(huì)影響到數(shù)據(jù)寄存器的值,端口引腳值保持不變,直到復(fù)用的其它功能關(guān)閉。

3、I/O開漏模式介紹:

77bf668e-f84c-11ec-ba43-dac502259ad0.png

在I/O章節(jié)有選擇N溝道開漏功能的寄存器時(shí),可以實(shí)現(xiàn)I/O的N溝道開漏功能(注意上圖紅線處,IO管腳的電壓不得超過(guò)VDD+0.3V電壓)

如果I/O章節(jié)沒有該選項(xiàng)的寄存器,但是又有TWI通訊功能,那么在TWI功能開啟時(shí),引腳自動(dòng)切換成N溝道開溝。關(guān)閉TWI功能,自動(dòng)切換回普通I/O。

芯片電源輸入端建議加去耦電路,防止VDD端出現(xiàn)瞬間的高壓引入導(dǎo)致的電路損壞。

4、施密特及TTL功能介紹:

施密特功能介紹:

施密特輸入特性是輸入高電平閾值為0.8VDD,輸入低電平閾值為0.2VDD。

VDD=5V舉例,輸入高電平>=4V,端口讀取的電平為高,輸入低電平<=1V,端口讀取的電平為低。相對(duì)應(yīng)的引腳是否具有施密特功能,請(qǐng)查詢電氣特性章節(jié)(輸入高電壓2和輸入低電壓2中注明有施密特功能的引腳,例如INT0-4,T3-T5等)。普通I/O不具有施密特功能。

TTL功能介紹:

TTL電平輸入特性是

1、輸入高電平閾值為0.25VDD+0.8,輸入低電平閾值為0.15VDD(VDD=2.7V~4.5V)

以VDD=3.3V舉例,輸入高電平>=1.625V,端口讀取的電平為高,輸入低電平<=0.495V,端口讀取的電平為低。

2、 輸入高電平閾值為2.0V,輸入低電平閾值為0.8V(VDD=4.5V~5.5V)

以VDD=5V舉例,輸入高電平>=2V,端口讀取的電平為高,輸入低電平<=0.8V,端口讀取的電平為低。

選擇TTL電平功能可與VDD電壓為3.3V的WIFI模塊直接通過(guò)以Uart或者TWI的方式通訊,又或者直接接收外部中斷信號(hào)(INT0-4),不需要外加電平轉(zhuǎn)換電路。(芯片是否有TTL功能請(qǐng)查詢I/O章節(jié)及電氣特性章節(jié))

端口輸入模式選擇寄存器如下(TTL和CMOS選擇)

xxH,Bank1 第7位 第6位 第5位 第4位 第3位 第2位 第1位 第0位
PIMS0 P04S PxxS PxxS PxxS PxxS PxxS PxxS PxxS
讀/寫 讀/寫 讀/寫 讀/寫 讀/寫 讀/寫 讀/寫 讀/寫 讀/寫
復(fù)位值(POR/WDT/LVR/PIN) 0 0 0 0 0 0 0 0
位編號(hào) 位符號(hào) 說(shuō)明
7 P04S P0.4輸入電平邏輯控制位(不包含端口數(shù)據(jù)寄存器輸入)*
0:輸入高電平閾值為0.8VDD,輸入低電平閾值為0.2VDD(CMOS邏輯,帶施密特)
1:輸入高電平閾值為2.0V,輸入低電平閾值為0.8V(VDD = 4.5 - 5.5V)(TTL邏輯)
輸入高電平閾值為0.25VDD+0.8,輸入低電平閾值為0.15VDD(VDD = 2.7V-4.5V)
注:PowerDown模式下,TLL邏輯無(wú)效

*:CPU在任何情況下,讀取端口數(shù)據(jù)寄存器(P0,P1……),其輸入高電平閾值為0.7VDD,輸入低電平閾值為0.3VDD(CMOS邏輯,無(wú)施密特);該控制位控制的是其他功能輸入的邏輯電平狀態(tài),例如:INT0 - 4,RXD,SDA等數(shù)字電平輸入。

原文標(biāo)題:中穎8bit 單片機(jī)I/O設(shè)置介紹

文章出處:【微信公眾號(hào):中穎電子】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

審核編輯:湯梓紅

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