1 Photolithographie

1.1博覽會(huì)方法

1.1.1概述

根據(jù)所使用的輻射，有不同類型的光刻方法用于曝光的:光刻(光刻)、電子束光刻、x射線光刻、光刻和離子束光刻。在光學(xué)光刻技術(shù)中，有部分不透明和部分不透明的圖案掩模(光片)半透明區(qū)域被使用。紫外線輻射或氣體激光的照射以1:1的比例完成或者以4:1或10:1的比例減少。

1.1.2接觸接觸

接觸暴露是最古老的方法。掩模直接與抗阻層，結(jié)構(gòu)按1:1的比例轉(zhuǎn)移。因此破壞性的散射或者衍射效應(yīng)只出現(xiàn)在結(jié)構(gòu)的邊緣。這種方法允許只有中等大小的特征。因?yàn)樗械?a target="_blank">芯片都同時(shí)暴露在晶圓上生產(chǎn)能力非常高，光刻裝置結(jié)構(gòu)簡單。然而，缺點(diǎn)是明顯的:掩膜被污染，因?yàn)樗腸ontact抵抗，可以劃傷以及抵抗層可以被損壞。如果有在掩模和抗蝕劑之間有微粒存在，光學(xué)成像會(huì)退化。

1.1.3近距離接觸

在近距離曝光中，掩模和抗蝕劑沒有直接接觸。因此只有一個(gè)陰影投影在晶圓上，導(dǎo)致結(jié)構(gòu)的分辨率更差，因此避免了接觸問題

1.1.4投影

投影曝光采用所謂的步驟-重復(fù)技術(shù)。因此只有一次一個(gè)或幾個(gè)模具投射到晶圓上。整個(gè)晶圓露出來一步一個(gè)腳印，死一個(gè)腳印。

這種方法的優(yōu)點(diǎn)是將十字線上的結(jié)構(gòu)放大4倍或10倍。如果這些結(jié)構(gòu)以縮小的尺寸投射到晶圓上，像粒子這樣的缺陷也會(huì)減少。與其他曝光方法相比，分辨率是im證明。此外，面罩上還附著一層薄薄的薄膜，因此微粒就會(huì)附著在面罩上遮住面罩，在投影時(shí)失去焦距。除了用透鏡投影外，還用一套復(fù)雜的鏡子系統(tǒng)投影可以使用(比例1:1)。與透鏡相比，它沒有色差和熱差掩模的展開度可以調(diào)節(jié)。然而，鏡像可以被扭曲。由于1:1的比例，分辨率有限。

審核編輯：湯梓紅