針對(duì)2.4G頻段遠(yuǎn)距離無線單發(fā)芯片——SI24R2F/R2F+、SI24R2H,在開發(fā)過程中會(huì)遇到的問題進(jìn)行匯總解答。
技術(shù)提問
Q1:Si24R2F報(bào)警功能的作用?
動(dòng)能世紀(jì)A1:防拆報(bào)警針對(duì)資產(chǎn)管理,當(dāng)固定資產(chǎn)被拆除時(shí)芯片會(huì)發(fā)出報(bào)警信號(hào)。低壓報(bào)警用來檢測(cè)電池電壓及容量,替換發(fā)射和按鍵發(fā)射都是針對(duì)特定應(yīng)用,也可以延伸應(yīng)用,具體可以從芯片數(shù)據(jù)手冊(cè)及相關(guān)說明了解。
Q2:Si24R2F與Si24R2F+對(duì)比?
動(dòng)能世紀(jì):A2:相同點(diǎn):兩者封裝PIN對(duì)PIN兼容,均為QFN20 5*5mm,最大發(fā)射功率值(12dbm)一致;四種報(bào)警功能一致(防拆報(bào)警、低壓報(bào)警、替換發(fā)射、按鍵發(fā)射)。
差異點(diǎn):SI24R2F+集成NTC溫度采集功能;增加邊沿計(jì)數(shù)功能;優(yōu)化BLE4.2廣播包發(fā)射功能;外圍電路參數(shù)需要微調(diào)。
Q3:Si24R2F+溫度采集精度范圍?
動(dòng)能世紀(jì)A3:因?yàn)橹С滞饨覰TC電阻進(jìn)行溫度采集,所以采集精度取決于外接NTC電阻的采集精度。芯片內(nèi)部集成的是10 bit ADC。
Q4:Si24R2F+邊沿計(jì)數(shù)功能怎么實(shí)現(xiàn)?
動(dòng)能世紀(jì)A4:通過在MISO引腳外接一個(gè)微型震動(dòng)傳感器實(shí)現(xiàn)計(jì)數(shù),原理是通過芯片編程上位機(jī)設(shè)置后,通過檢測(cè)引腳的電平變化實(shí)現(xiàn)計(jì)數(shù)。
Q5:Si24R2F+編程的次數(shù)?
動(dòng)能世紀(jì)A5:較于Si24R2E 128次編程次數(shù),Si24R2F與Si24R2F+ 為64次,而Si24R2H為32次。所以在測(cè)試過程中要注意這個(gè)問題,并不是可以無限次燒錄下載,當(dāng)編程次數(shù)用盡之后,只能更換新的芯片。
Q6:Si24R2H獨(dú)占功能?
動(dòng)能世紀(jì)A6:芯片內(nèi)部集成125K接收模塊,能同時(shí)實(shí)現(xiàn)2.4G數(shù)據(jù)發(fā)射與125K信號(hào)接收,可以實(shí)現(xiàn)聯(lián)動(dòng)。此為針對(duì)特定領(lǐng)域,比如校園近距離考勤或者PKE等應(yīng)用。
Q7:Si24R2H復(fù)雜的上位機(jī)?
動(dòng)能世紀(jì)A7:Si24R2H的功能比較復(fù)雜,所以上位機(jī)相對(duì)復(fù)雜,遇到不明白可以先查詢上位機(jī)的幫助按鈕,還是不明白可以聯(lián)系我們。
Q8:Si24R2H代碼?
動(dòng)能世紀(jì)A8:Si24R2H沒有代碼,幾款單發(fā)芯片都是發(fā)射兼容Si24R1 2.4G協(xié)議。
如果您還有其他技術(shù)問題未得到解決,可以在評(píng)論區(qū)留言一起交流,我們有專業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)給您提供強(qiáng)大的技術(shù)支持!
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