Nanodcal是一款基于非平衡態(tài)格林函數(shù)-密度泛函理論（NEGF - DFT）的第一性原理計算軟件，主要用于模擬器件材料中的非線性、非平衡的量子輸運過程，是目前國內(nèi)擁有自主知識產(chǎn)權的基于第一性原理的輸運軟件?？深A測材料的電流 - 電壓特性、電子透射幾率等眾多輸運性質(zhì)。

迄今為止，Nanodcal 已成功應用于1維、2維、3維材料物性、分子電子器件、自旋電子器件、光電流器件、半導體電子器件設計等重要研究課題中，并將逐步推廣到更廣闊的電子輸運性質(zhì)研究的領域。

本期將給大家介紹Nanodcal半導體器件2.7.3的內(nèi)容。

2.7.3. 計算n型摻雜NiSi2-Si器件的輸運特性

Nanodcal軟件通過虛晶近似（Virtual Crystal Approximation，VCA）的方法實現(xiàn)半導體的n型或者p型摻雜。為了確保Si在中心區(qū)域的長度大于耗盡層的寬度，選用一個較長的n型摻雜NiSi2-Si器件進行輸運特性計算。

2.7.3.1. 生成Si原子的VCA基組文件

（1）雙擊圖標“DeviceStudio快捷方式”打開軟件；

（2）選擇Create a new Project→OK→文件名：Si，保存類型：ProjectFiles(*.hpf)→

保存即可；

（3）從數(shù)據(jù)庫中導入Si晶體，如下：

File→Import→3DmaterialsConductorPure_metalSi打開即可：

圖 2-52：導入晶體Si界面操作圖

（4）選擇Simulator→Nanodcal→Virtual Crystal Approximation，進入VCA設置界面，如下：選擇Mixture vacancy

圖 2-53：VCA設置界面圖

價電子的占有率設為1.00005。點擊Generate Files生成VCA.input文件。右擊VCA.input文件，選擇Run，即可實現(xiàn)Nanodcal在Device Studio中的一體化計算。

（5）計算完成后，右擊VCA.input，選擇Open Containing Folder，打開所在文件夾，產(chǎn)生了新的基組文件：Si_VCA_Si1.00005.mat

2.7.3.2. 自洽計算

（1）基組文件：Si_PBE-DZP.nad、Ni_PBE-DZP.nad和Si_VCA_Si1.00005.mat。左電極自洽計算的輸入文件及方法與1.2.1小節(jié)相同

（2）右電極進行了摻雜，scf.input中Si原子的軌道類型變?yōu)閂CA_Si1.00005，如下：

（3）同樣，在中心區(qū)的自洽輸入文件scf.input中，被摻雜Si原子相應的軌道類型也變?yōu)閂CA_Si1.00005，如下：

（4）自洽計算結(jié)束后，采用1.2.3和1.2.6小節(jié)的方法，計算n型摻雜的NiSi2-Si器件的勢分布和投影態(tài)密度（PDOS），如下：

圖 2-54：n型摻雜NiSi2-Si勢分布可視化圖

圖 2-55：n型摻雜NiSi2-SiPDOS可視化圖

2.7.3.3. 非平衡態(tài)下的輸運特性

（1）偏壓Vbias被定義為VL-VR。對器件施加0.3 V偏壓，中心區(qū)的輸入文件scf.input改變

（2）在自洽完成的基礎上，進行電流計算

準備輸入文件ivcurve.input

右擊Project窗口中的ivcurve.input文件，選擇Run→Run，計算電流；計算結(jié)束后，會產(chǎn)生以下輸出文件：CalculatedResults.mat、log.txt、CurrentVoltageCurves.mat、CurrentVoltageCurves.xml。最后，查看數(shù)據(jù)，在Matlab界面，使用如下命令來查看數(shù)據(jù)：

（3）對n型摻雜的NiSi2-Si器件施加一系列偏壓，得到I-V曲線如下：

圖 2-56：NiSi2-Si的IV曲線圖

2.7.3.4. 耗盡層WD與摻雜濃度的關系

為了使模擬達到合理的目標，我們需要確保硅在中心區(qū)域的長度大于耗盡層的寬度。這里我們對器件進行1019、1020和1022cm-3濃度的n型摻雜，計算它們的勢分布。其中VCA基組生成，自洽計算和勢分布計算的方法與上述1.3.1和1.3.2相同。

WD與摻雜濃度N的關系如下：

圖 2-60：WD與摻雜濃度N關系圖

編輯：黃飛